SU300036A1 - ВСЕСОЮЗНАЯ Iшштш-]:х:;г:гилй1 - Google Patents

Description

Изобретение относитс  к электрофотографическим материалам.

Известны электрофотографические пластины , содержащие фотополупроводниковый слой стекловидного селена, нанесенного на жесткую подложку, выполненную в виде пластины или цилиндра. Дл  увеличени  производительности электрофотографических машин в них примен ют электрофотографические слои, нанесенные на гибкую подложку в виде ленты. При изгибании такой подложки происходит отслаивание фотополупроводникового сло .

Предлагаема электрофотографическа 

пластина обладает улучшенной адгезией между фотополупроводниковым слоем стекловидного селена и гибкой подложкой и имеет высокие физические и механические свойства.

Электрофотографическа  пластина состоит из гибкой подложки, адгезионного сло  н стекловидного селена. В качестве подложки используетс  металл, например алюминий, латунь, нержавеюща  сталь, медь, никель, цинк; стекло, покрытое электропровод щими материалами, например окисью олова, окисью инди , металлическим алюминием, пластик с аналогичными покрыти ми; бумага, пропитанна  химикали ми или кондиционированна  дл  придани  ей электропроводности.

Подложка должна иметь удельное электрическое сопротивление не более 10 ом см.

На тщательно очищенную поверхность подложки наноситс  тонкий (от 0,1 до 5,0 мк)

слой адгезионного материала. В качестве последнего используютс  замещенные силилизобутилэтилендиамины , например к-диметоксиметилсилилизобутилэтилендиамин , н - триметоксисилилизобутилэтилендиамин , н-диэтоксиэтилсилилизобутилэтилендиамин и другие соединени  этого р да.

Наилучшими адгезионными свойствами по отношению к фотополупроводниковому слою и подложке обладает клеевой состав на основе н-диметоксиметилсилилизобутилэтилендиамина , который входит в клеевую композицию в количестве 2 вес. ч., а 1 вес. ч. приходитс  на гамма-метакрилоксипропилтриметоксисилан или винилтриацетоксисилан.

В качестве .фотополупроводникового -сло  на адгезионный слой наноситс  селен и его сплавы, например селенид кадми , селенид теллура и другие, и смеси мышь ка и селена. Селен может содержать сенсибилизирующие

добавки. Толщина фотополупроводниковогг сло  находитс  в пределах от 10 до 200 мк

ропровод щего материала, и фотополупроводниковый слой селена, отличающа с  тем, что, с целью исключени  отслаивани  фотополупроводникового сло  и улучшени  его физических и механических свойств, пластина включает промежуточный адгезионный слой, наход щийс  между упом нутыми сло ми и содержащий замещенный силилизобутилэтилендиамин .

2.Пластина по п. 1, отличающа с  тем, что промежуточный адгезионный слой содержит к-диметоксиметилсилилизобутилэтилендиамин .

3.Пластина по п. 1, отличающа с  тем, что промежуточный адгезионный слой содержит н-триметоксисилилизобутилэтилендиамин.

4.Пластина по п. 1, отличающа с  тем, что промежуточный адгезионный слой содержит 2 вес. ч. н-диметоксиметилсилилизобутилэтИ лендиамина и 1 вес. ч. гамма-метакрилоксинронилтриметоксисилана .

5.Пластина по н. 1, отличающа с  тем, что промежуточный адгезионный слой содержит 2 вес. ч. н-диметоксиметилсилилизобутилэтилендиамина и 1 вес. ч. винилтриацетоксисилана .

6.Пластина по л. 1, отличающа с  тем, что промежуточный адгезионный слой имеет толщину от 0,1 до 5,0 мк.

7.Пластина по п. 1, отличающа с  тем, что фотополупроводниковый слой имеет толщину

от 10 до 200 мк.