SU39883A1 - Способ изгоговлени фотосопротивлений - Google Patents

Description

Авторским свидетельством № 32067 был предусмотрен способ изготовлени  фотосопротивлений, где примен лись кристаллические порошки некоторых полупроводников, нанесенные в смеси с целлюлоидным клеем или цапоновым лаком на поверхность какого-либо диэлектрика . После соответствующей сушки получавшеес  фотосопротивление давало эффект изменени  сопротивлени  при освеш,ении. Соответствующее воздействие на сетку первого каскада усилител  низкой частоты могло, например , быть получено при прерывистом освещении (например, с помощью фонического колеса).

Дальнейшее исследование показало, что значительно больший эффект может быть получен при воздействии на усилитель низкой частоты в том случае , если прерывистому освещению подвергаютс  порошки тех же самых полупроводников , но смешанные с веществами , весьма слабо провод щими, но обладающими электролитической проводимостью , например, с глицерином, пиридином или анилином. Далее вы снилось , что приготовленные таким способом фотосопротивлени  не дают какого-либо заметного изменени  со (306)

противлени  при освещении, но дают изменение емкости между своими электродами .

Далее исследование показало, что применение жидких электролитов дл  получени  эффекта изменени  емкости необ зательно; этот эффект получалс  также и при применении твердых слабо провод щих электролитических веществ . В качестве такого вещества можно было примен ть, например, жидкое стекло. Смесь порошка полупроводника с жидким стеклом наноситс  тонким слоем между электродами фотосопротивлени  на поверхность какого-либо диэлектрика. После определенного, довольно длительного времени сушки смеси порошка полупроводника с жидким стеклом (в частности около 45 дней при температуре 20°), в течение которого жидкое стекло постепенно измен етс  и химически, поглоща  из воздуха СОа, можно было получать требующуюс  небольшую величину удельной проводимости затвердевшего жид- . кого стекла и наблюдать эффект изменени  емкости при освещении.

Дл  изготовлени  фотосопротивлений, измен ющих емкость при освещении, можно было примен ть, например, порошки следующих полупроводников: кремни  с примес ми А1, Си, Fe, прустита , молибденита, аргентита. Сопротивление таких фогосопротивлений можно было иметь в несколько дес тков или сотен мегомов. При таких значени х сопротивлени  величина посто нной слагающей весьма мала, а следовательно , химическое изменение электролитически провод щего вещества весьма незначительно.

Предмет изобретени ,

Способ изготовлени  фотосопротивлений , согласно авторскому свидетельству № 32067, отличающийс  тем, что, с целью использовани  эффекта изменени  емкости под действием света, в качестве св зующего вещества применены полупроводники, обладающие электролитической проводимостью.