SU482012A1 - Pulsed power amplifier transistor - Google Patents

Pulsed power amplifier transistor

Info

Publication number
SU482012A1
SU482012A1 SU1874682A SU1874682A SU482012A1 SU 482012 A1 SU482012 A1 SU 482012A1 SU 1874682 A SU1874682 A SU 1874682A SU 1874682 A SU1874682 A SU 1874682A SU 482012 A1 SU482012 A1 SU 482012A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
voltage
transistor
power amplifier
transistors
amplifier transistor
Prior art date
Application number
SU1874682A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Виталий Иванович Шагурин
Георгий Александрович Бугрименко
Original Assignee
Московский Ордена Трудового Красного Знамени Инженерно-Физический Институт
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Московский Ордена Трудового Красного Знамени Инженерно-Физический Институт filed Critical Московский Ордена Трудового Красного Знамени Инженерно-Физический Институт
Priority to SU1874682A priority Critical patent/SU482012A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU482012A1 publication Critical patent/SU482012A1/en

Links

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Description

I Изобретение oTfiocHTCH к области им- пульсаой техники. Известен имп пьсный усилитель моингости на МДП-трамзисторах,, содержаиий вен с токостаби шзированной нагрузкой на трех транзисторах и одном когщенсаторе и выходной двухтактный каскад с зар дным и разр дным транзисторами. Цель изобретени  - увеличение амп иту ды выходного сигнала и повышение KO3(}j45H циента использовани  напр жешш питани ,. Дл  этого выход вентил  подключен к ,одной об кладке другого кондсЕгсатора, вто- ра  обкладка которого соединена Helio-- средственно с затвором зар дного транзи-. jcTOpa двухтактного каскада и через дополнительные МДП-траизисторы с шиной источиика питани  и общей ишной. На чертеже представлена схема предла (гаемого устройства. Усилитель содержит Три МДП-транзисто ра 1, 2, 3 и первый ковденсатор, 4, со единеТшые по схеме вентил  с токостабилизирующей нагрузкой, а также зap дный транзистор 5 и разр дный 6, соединенные но схеме 11ушнульно -О каскада. Выходной электрод вентил  соединен с одной обкладкой второго конденсатора 7, втора  обкладка коаюрого соединена с затвором ) транзистора 5 и через донолнительные транзисторы 8 и 9 с шиной источника питани  Юн общей шиной 11. Затворы транзисторов 1, 6, 8 и 9 подключены к выходному выводу 12 усилител . Выходной сигнал снимаетс -с выходного электрода 13 нушпульного каскада. Схема работает следующим образом. В исходный момент на входе действует высокий уровень напр жени . Тогда транзисторы 1, 6, 8 и 9 открыты. Напр жение на выходе вентил  близко к нулю. , Напр жение на затворе зар дного транзистора 5 определ етс  коэ4)фициентом передачи ре1 статного делител , образованного открытыми транзисторами 8 и 9, параметры которых выбраны: так, что это напр жение равно пороговому напр жению МДЛтранзисторов . При этом. конденсатор 7 зар жен до напр жени , близко1О к пороговому напр жению МДП-транзисторов, а траиэистор S заперт, и выходное напр жбние равно нулю. При подаче на вход имi/iyjibCHoro сигнала, запираюшего транзисто« ры 8 и 9, цепи разр да кайденсатора 7 обрываютс , а первоначальное падение ца-; пр жени  на нем сохран етс . В то же на выходе вентил  формируетс  импульс с амплитудной, близкой к напр женцю питаний. Этот импульс через конденсатор 7 передаетс  на зар дный транзистор 5, затвор которсмго оказываетс  йод потенциалом, равным сумме первоначального напр жени , «а,конденсаторе 7 и амплитуды импульсаI Invention of oTfiocHTCH to the field of impulse technology. A known impulse power amplifier on MIS-transmistors, containing veins with tokostabi load on three transistors and one cogging device and output push-pull stage with charge and discharge transistors. The purpose of the invention is to increase the output signal amplitude and increase KO3 (} j45H of the power supply voltage ratio. For this, the output of the valve is connected to one side of the other condenser, the second of which is connected to the gate of the charge transistor -. jcTOpa of the push-pull cascade and through additional MOS-traisistors with a power supply bus and a common drive. The drawing shows the circuit of the proposed device. The amplifier contains Three MIS transistors 1, 2, 3 and the first capacitor, 4, connected according to valve with t ostabilizing load, as well as a back-up transistor 5 and discharge 6, connected but the circuit 11 of the O-cascade. The output electrode of the valve is connected to one plate of the second capacitor 7, The Yun power supply bus is a common bus 11. The gates of transistors 1, 6, 8, and 9 are connected to the output terminal 12 of the amplifier. The output signal is taken from the output electrode 13 of the nushpulnogo cascade. The scheme works as follows. At the initial moment, the input voltage is high. Then transistors 1, 6, 8 and 9 are open. The output voltage of the valve is close to zero. The voltage at the gate of the charging transistor 5 is determined by the coefficient 4) of the transmission divider of the real divider formed by the open transistors 8 and 9, the parameters of which are chosen: so that this voltage is equal to the threshold voltage of the MDL transistors. Wherein. the capacitor 7 is charged before the voltage, close to the threshold voltage of the MOS transistors, and the traistor S is locked and the output voltage is zero. When the signal i / iyjibCHoro is applied to the input, which locks transistor 8 and 9, the discharge circuits of the kadensator 7 are cut off, and the initial drop in the center is; the strap on it is maintained. At the same time, at the outlet of the valve, a pulse is formed with an amplitude close to the supply voltage. This pulse is transmitted through the capacitor 7 to the charging transistor 5, the gate of which turns out to be an iodine potential equal to the sum of the initial voltage, "a, capacitor 7 and the amplitude of the pulse

ий выходе вентил .st outlet valve

Поскольку транзистф 6 эайираетс  подSince the transistor 6 is airing under

воздействием входнсаго сигнала, а транзистор S отпи|раетс  под воздейс1данем по- ; тенциала на его затв(е, напр жение на : выходе усилител  повышаетс . Так как потенциал на затворе транзистора: 5 превышает напр жение питаща  на величину пОрогшсго напр жений транзистора, выходноеthe influence of the input signal, and the transistor S is uncovered under the influence of; the potential on its gate (e, the voltage on: the output of the amplifier rises. Since the potential at the gate of the transistor: 5 exceeds the supply voltage by the value of the supply voltage of the transistor,

напр жение усилител  оказываетс  равным | напр жению питани .the voltage of the amplifier is equal to | power supply voltage.

. / г, ,. . / g,

П р е д м е т и 3 о б р е т е и и иPREDIMETI AND 3 ABOUT THEM and and and

. .. . . ..

Импульсный усилитель мощности на МДП транзисторах, содержащий вентиль с токостабилнзиршанной нагрузкой на трех транзиcтqpax и конденсаторе и вькодной двухтактный каскад с зар дным и разр дным транзисторами, о т л и ч а ю щ и йс   тем, что, с целью увеличени  амплитуды выходного сигнала и псеышени  коэффициента использовани  напр жени  питани , , выход вентил  подключен к одной обкладке другого конденсатора, втора  обкладка кс ;торого соединена непосредственно с затвором зар дного транзистора двухтактногоA pulsed power amplifier based on MIS transistors, containing a gate with a tokostable load on three transistors and a capacitor and a pin-type push-pull stage with a charging and discharging transistor, which is to increase the amplitude of the output signal the increase in the utilization rate of the supply voltage, the output of the valve is connected to one plate of another capacitor, the second plate xc, which is directly connected to the gate of the push-pull transistor

каскада и через дополнительные МДП-тран.зистфы С шиной источника питани  и общей шиной.cascade and through additional MOS-trans. zistfy With a power supply bus and a common bus.

SU1874682A 1973-01-11 1973-01-11 Pulsed power amplifier transistor SU482012A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1874682A SU482012A1 (en) 1973-01-11 1973-01-11 Pulsed power amplifier transistor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1874682A SU482012A1 (en) 1973-01-11 1973-01-11 Pulsed power amplifier transistor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU482012A1 true SU482012A1 (en) 1975-08-25

Family

ID=20540061

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU1874682A SU482012A1 (en) 1973-01-11 1973-01-11 Pulsed power amplifier transistor

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU482012A1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4721871A (en) * 1985-10-11 1988-01-26 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha High voltage MOS switch circuit with isolation

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4721871A (en) * 1985-10-11 1988-01-26 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha High voltage MOS switch circuit with isolation

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4068295A (en) Voltage multiplier for an electronic time apparatus
US4029973A (en) Voltage booster circuit using level shifter composed of two complementary MIS circuits
US3932773A (en) Control system for periodically energizing a capacitive load
EP0032017B1 (en) Bootstrap circuit
GB1348285A (en) Voltage generator
GB1330679A (en) Tri-level voltage generator circuit
SU482012A1 (en) Pulsed power amplifier transistor
US4468576A (en) Inverter circuit having transistors operable in a shallow saturation region for avoiding fluctuation of electrical characteristics
JPS5822887B2 (en) Zetsuen Gate Transistor Omochiitasyutsuryoku Waro
SU420125A1 (en) FORMER OF PULSES ON MOP TRANSISTORS
SU1309278A1 (en) Pulse shaper
SU535010A1 (en) Device for output of mds integrated circuits to indicator
SU1238230A1 (en) Pulse shaper
US3578989A (en) Pulse width stabilized monostable multivibrator
US3668424A (en) Inverter circuit
JPS6422109A (en) Semiconductor device
SU1163464A2 (en) Pulser
US4721871A (en) High voltage MOS switch circuit with isolation
SU573884A1 (en) Not logical element
SU547039A1 (en) Electronic switch on transistors
SU991504A1 (en) Address generator
SU771817A1 (en) Voltage converter
SU748813A1 (en) Pulser
SU552705A1 (en) Pulse counting on tmp transistors
SU1149311A1 (en) Generator of substrate bias signal for integrated circuits