SU504251A1 - Материал дл токопровод щей фазы резисторов - Google Patents
Материал дл токопровод щей фазы резисторовInfo
- Publication number
- SU504251A1 SU504251A1 SU2002869A SU2002869A SU504251A1 SU 504251 A1 SU504251 A1 SU 504251A1 SU 2002869 A SU2002869 A SU 2002869A SU 2002869 A SU2002869 A SU 2002869A SU 504251 A1 SU504251 A1 SU 504251A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- resistors
- conductive phase
- phase resistors
- values
- range
- Prior art date
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Conductive Materials (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Description
(54) МАТЕРИАЛ ДЛЯ ТОКОПРОВОДЯЩЕЙ ФАЗЫ РЕЗИСТОРОВ
Двойной борид получаетс по следующей технологии . Из предварительно прокаленных (ISO 2 часа), В (170°С, 3 часа) и Ва €03, вз тых в нужноМ соотношении, составл ют шихту дл совместного получени двойного борида (Ba,Sin)Bg в натервале составов ( . ) Ба Л При этом ВаСо берут на 20 вес.% больше расчётного количества. Шихту прессуют в брикеты, загружают в тигли из ZnBj, в качестве засыпки используютВа Вб Образцы получают в вакуумной печи с начальным вакуумом 1 10 мм рт. ст. по следук щему режиму: повышают температуру до , выдерживают в течение 15 мин, затем повышают тем пературу до 1600С и снова вьщерживают в течение 15 мин, после чего нагрев перкрашают. I
Полученные образцы размалывают, из порошка
прессуют и спекают компактные образцы дл измерени резистивных свойств при температуре 2050° С в течение 10 мин в вакууме.
Полу енные составы обладают низкими значени ми термического коэффициента сопротивлени и дают возможность, измен соотношение KOMnojienтов , получать резистивные материалы с широким диапазоном удельных значений электросопротивлени .
Это позволит номинальные значени резисторов более ишрокихдиапазоновдем при обычно при-, н том изменении количественного соотношени ; провод ща фаза-стекло, наполнитель. Предлагаемый материал не разлагаетс в процессе изготовлени резисторов, устойчив в окислительных средах до 800 С, он может быть использован в качестве токопровод шей фазы толстопленочных и объемных резисторов в электронной промьипленности.
Claims (1)
- Формула изобретениМатериал дл токопровод щей фазы резисторов на основе сложных боридов металлов, отличающийс тем, что, с целью снижени значений тем- :1 пературного коэффициента электросопротивлени , расширени диапазона номинальных значений и стабилизации свойств материала в процессе изготовлени резисторов, он содержит следующие ингредиенты , вес %:26,1-40,0 29,0-43,0 30,9-31,0
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU2002869A SU504251A1 (ru) | 1974-02-27 | 1974-02-27 | Материал дл токопровод щей фазы резисторов |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU2002869A SU504251A1 (ru) | 1974-02-27 | 1974-02-27 | Материал дл токопровод щей фазы резисторов |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU504251A1 true SU504251A1 (ru) | 1976-02-25 |
Family
ID=20577868
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU2002869A SU504251A1 (ru) | 1974-02-27 | 1974-02-27 | Материал дл токопровод щей фазы резисторов |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU504251A1 (ru) |
-
1974
- 1974-02-27 SU SU2002869A patent/SU504251A1/ru active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3928837A (en) | Ceramic oxide resistor element | |
| US4743881A (en) | Ceramic temperature sensor | |
| US4647895A (en) | Ceramic temperature sensor | |
| JP2894036B2 (ja) | 高温用サーミスタとその製造方法 | |
| US2891914A (en) | Fired electrical resistor comprising molybdenum disilicide and borosilicate glass frit | |
| JPS6143841B2 (ru) | ||
| Kuwabara et al. | Instability of the Characteristics of the Positive Temperature Coefficient of Resistivity in High‐Curie‐Point Barium‐Lead Titanate Ceramics and Their Grain Structures | |
| CN117819968B (zh) | 一种高温区负温度系数热敏陶瓷材料及其制备方法 | |
| JPS5850001B2 (ja) | 半導体磁器組成物 | |
| JP5309586B2 (ja) | サーミスタ用組成物 | |
| JP3202275B2 (ja) | サーミスタ用組成物 | |
| JPS5934141A (ja) | 電気抵抗式空燃比感応材料 | |
| SU1636400A1 (ru) | Шихта дл изготовлени электронагревателей | |
| JP4153112B2 (ja) | 導電性焼結体及びその製造方法 | |
| SU790027A1 (ru) | Резистивный материал | |
| SU551308A1 (ru) | Керамический материал | |
| JPS6136164A (ja) | 導電性セラミツクス | |
| JPS6328323B2 (ru) | ||
| RU1574094C (ru) | Полупроводниковый керамический материал для изготовления позисторов | |
| JPS5867001A (ja) | 正特性半導体磁器の製造方法 | |
| JPH0722206A (ja) | サーミスタ | |
| JPS58107603A (ja) | 正特性半導体磁器の製造方法 | |
| JP2002226269A (ja) | 導電性セラミックス及びその製造方法 | |
| JPS623961B2 (ru) | ||
| JPS5849820B2 (ja) | 酸素ガスセンサ− |