SU543207A1 - Графитовый нагревательный элемент установок дл выращивани кристаллов - Google Patents
Графитовый нагревательный элемент установок дл выращивани кристалловInfo
- Publication number
- SU543207A1 SU543207A1 SU2111469A SU2111469A SU543207A1 SU 543207 A1 SU543207 A1 SU 543207A1 SU 2111469 A SU2111469 A SU 2111469A SU 2111469 A SU2111469 A SU 2111469A SU 543207 A1 SU543207 A1 SU 543207A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- heating element
- crystal growing
- growing plants
- graphite heating
- crystal
- Prior art date
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 title description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 title description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 2
- 101150107753 HHP1 gene Proteins 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 2
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
который выполн ет роль подпорното. Другое кольцо 4, донное, примыкает к внутреннему цилиндру и имеет центральное сквозное отверстие дл прохода контейнера или штока контейнера. Если высота цилиндров будет более , чем 0,35, а толщина донного и соединительных колец более 1,1 диаметра внутреннего цилиндра, то тер ютс «подпорные тепловые свойства нагревател . То же самое происходит , если отношение диаметров внешнего и внутреннего цилиндров будет более 1,5. Если высоту цилиндров выбрать менее 0,25 диаметра внутреннего цилиндра, то зона нагрева становитс настолько узкой, что при выборке расплава из тигл режим выт гивани становитс неустойчивым, рост монокристалла прекращаетс . При толщине верхнего и нижнего колец менее 1,1 уменьшаетс осевой градиент температуры, рост кристалла становитс неустойчивым , уменьшаетс выход монокристаллической части. Наименьщее значение отношени диаметров наружного и внутреннего диаметров, равное 1,05, обусловлено технически достижимой минимальной величиной зазора между цилиндрами. Если толщина стенки наружного цилиндра менее 1,2 стенки внутреннего , это приводит к снижению потребл емой мощности, у стенок тигл возможно образование центров кристаллизации, рост становитс неустойчивым.
Применение предлагаемого графитового нагревательного элемента позвол ет установить в системе расплав-кристалл оптимальные с точки зрени получени монокристалла температурные градиенты при выращивании кристаллов в защитной атмосфере при давлении, больше атмосферного. При этом на 10-15% уменьшаетс потребл ема мощность. Это позвол ет уменьшить габариты камеры установки или увеличить диаметр кристалла при неизменных габаритах камеры и потребл емой мощности. В случае применени фосфида галли на 20-25% возрастет выход монокристаллов , что дает возможность на 300- 400 руб. уменьшить себестоимость 1 кг фосфида галли .
Claims (3)
1. Сборник трудов МИИТа № 254 «Исследование тепло-массообмена в процессах получени монокристаллических полупроводниковых материалов и теплообмена в каналах, 1967, стр. 78.
2. Вильке «Методы выращивани кристаллов , 1968 г., стр. 201.
3. Труды Гиредмета, т. ХХП1, 1971, стр. 121.
У i
Т ТТТ Л
xXXA- -x J
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU2111469A SU543207A1 (ru) | 1975-03-10 | 1975-03-10 | Графитовый нагревательный элемент установок дл выращивани кристаллов |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU2111469A SU543207A1 (ru) | 1975-03-10 | 1975-03-10 | Графитовый нагревательный элемент установок дл выращивани кристаллов |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU543207A1 true SU543207A1 (ru) | 1977-01-15 |
Family
ID=20612111
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU2111469A SU543207A1 (ru) | 1975-03-10 | 1975-03-10 | Графитовый нагревательный элемент установок дл выращивани кристаллов |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU543207A1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4748315A (en) * | 1986-01-21 | 1988-05-31 | Hitachi, Ltd. | Molecular beam source |
-
1975
- 1975-03-10 SU SU2111469A patent/SU543207A1/ru active
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4748315A (en) * | 1986-01-21 | 1988-05-31 | Hitachi, Ltd. | Molecular beam source |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| FR2457913A1 (fr) | Procede de fabrication de monocristaux, en particulier de ferrite, et tetes magnetiques comportant des monocristaux de ferrite ainsi fabriques | |
| FR2425128A1 (fr) | Procede de preparation de pastilles de combustible nucleaire ceramique | |
| US3796548A (en) | Boat structure in an apparatus for making semiconductor compound single crystals | |
| US5135726A (en) | Vertical gradient freezing apparatus for compound semiconductor single crystal growth | |
| JPH01108200A (ja) | ＳｉＣインゴツトの製造方法 | |
| US4824519A (en) | Method and apparatus for single crystal pulling downwardly from the lower surface of a floating melt | |
| JPH0314800B2 (ru) | ||
| CN102912416A (zh) | 新型多晶炉加热装置 | |
| JPH0651275U (ja) | 炭化ケイ素単結晶育成装置 | |
| CN209685955U (zh) | 一种多晶合成炉 | |
| US20050115493A1 (en) | Thermal shield | |
| SU508266A1 (ru) | Устройство дл выращивани моно-кристаллов из расплавов | |
| CN209323032U (zh) | 用于单晶硅定向凝固生长的坩埚 | |
| CN211689294U (zh) | 一种直拉单晶炉底部用保温装置及直拉单晶炉 | |
| JPS6350393A (ja) | ＳｉＣ単結晶の成長方法 | |
| JPH04187585A (ja) | 結晶成長装置 | |
| CN119392348A (zh) | 一种碲锌镉单晶制备方法及装置 | |
| KR930000903B1 (ko) | Ⅲ-v족 화합물 반도체의 단결정 제조시 저온부의 온도 제어방법 | |
| RU98109552A (ru) | Способ твердофазного синтеза шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката | |
| JPH0940492A (ja) | 単結晶の製造方法及び製造装置 | |
| GB1306015A (ru) | ||
| SU552993A1 (ru) | Способ получени монокристаллов двойного соединени из гидроксодов щелочных металлов | |
| CN106149045B (zh) | 一种用于热液法晶体生长的球形高压反应釜 | |
| JPS6041040B2 (ja) | ガリウムリン半導体結晶の成長方法 | |
| JPH0699214B2 (ja) | ガリウム砒素単結晶の製造方法及び石英反応管 |