SU567341A1 - Устройство дл получени покрытий в вакууме - Google Patents

Устройство дл получени покрытий в вакууме

Info

Publication number
SU567341A1
SU567341A1 SU742046953A SU2046953A SU567341A1 SU 567341 A1 SU567341 A1 SU 567341A1 SU 742046953 A SU742046953 A SU 742046953A SU 2046953 A SU2046953 A SU 2046953A SU 567341 A1 SU567341 A1 SU 567341A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
hollow cathode
anode
vacuum
ratio
steam line
Prior art date
Application number
SU742046953A
Other languages
English (en)
Inventor
В.Е. Минайчев
С.И. Мирошкин
Л.М. Панкратов
А.М. Дороднов
С.А. Мубояджян
Я.И. Помелов
Original Assignee
Предприятие П/Я В-8495
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я В-8495 filed Critical Предприятие П/Я В-8495
Priority to SU742046953A priority Critical patent/SU567341A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU567341A1 publication Critical patent/SU567341A1/ru

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/32Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

Изобретение может быть использовано в различных област х техники, например в микроэлектронике, дл  получени  толстых пленок высокого качества.
Известно устройство дл  гГолучени  поК{матий в вакууме, в котором испар емый материал ионизируетс  во вспомогательном электрическом разр де, например в тлеющем, возбуждаемом между поверхностйй конденсации и источникгм пара, и, ускор  сь в электрическом поле к подложке , приобретает значительную скорость (энергию) 2,
Известно устройство дл  получени  покрытий в вакууме, содержащее квазизамкнутый испаритель с нагревателем, выполненный в ВЕ(де двух соединенных между собой цилиндрическим каналом, оканчивающимс  дистанционно управл емым герметичным затвором, камер, одна из которых содержит испар емый материал, а втора  снабжена выходным отверстием, служащим дл  выпуска из камеры паров напыл емого на подложку вещества 2.
Цель изобретени  - повышение адгезии толстых пленок.
Это достигаетс  тем, что в предлагаемом устройстве дл  получени  покрытий в вакууме, преимущественно толстых пленок , содержащем средства дл  генерации, ионизации паров осаждаемого вещества, ускорени  образующейс  . плазмы, средство дл  генерации пара выполнено в виде квазизамкнутого испарител , соединенного обогреваемым паропроводом со средством дл  ионизации и ускорени  образующейс  плазмы, выполненным в виде полого катода и соосно установленного анода в форме усеченного конуса, обращенного верщиной в сторону выходного отверсти  полого катода, на выходе которого коаксиально с анодом установлена магнитна  катущка. Соатнощение длины полйго катода к его диаметру составл ет 1:5, причем соотношение диаметров выходных отверстий паропровода и полого катода ОД:О,5.
На чертеже схематически показано пpeд лагаемое устройство дл  получени  покрытий в вакууме.
Устройство состоит из испарител  1, снабженного нагревателем 2, дистанцион-. но управл емым затвором 3, соедин ющим s камеру с испар емым материалом 4 с камерой 5, имеющей выходное отверстие б, паропровода 7, соедин ющего выходное отверстие 6 иопапитби  с вз ОДГ1ым отверстием 8 полого катода 9.10
Со стороны -выходного оттверсти  1О полого катода 9 коаксиально с ним уста- новлены электроизолврованный анод 11 и электромагнитна  катушка 12. Полый катод 9 подключен через источник 13. пи- is тани  к аноду 11, Паропровод 7, полый катод 9 и анод 11 снабжены нагрева ел ми 14, 15 и 16 соответственно. Ионизованные пары 17 испар емого мате-s риа а 4 конденсируютс  на подложке 18, 20 установленной в подпожкодержателе 19.
Перед запуском устройства после достижени  требуемого разрежени  в технологическом объеме, где производитс  напыление , предва|штепьно прогреваютс  на- 25 греватели 14 15 и 1в, 1Юро11ровод 7, полый Kaitifl 9 и анод 11, а затем прогревают шзпаритель 1 е закрытым затвором 3 при аомощи нагревател  2. Регулиру  МОЩНОСТИ нагревателей 2, 14, 15 30 и 16, устанавливают температуру испарител  1, соответствующую давлению паров испар емого материала 4 0,5 1О - lOiiM рт. ст., температуру паропровода
7, полого катода 9 и анода 11, превыша- 35 ощую температуру испарител  1, дл  предотвращени  конденсации паров по всему тракту устройства.
При помощи источника 13 питани  подают напр жение между полым катодом 9 и анодом 11 и открывают при помощи затвора 3 доступ пара в полый катод 9. При этом между полым катодом 9 и анодом 11 возбуждаетс  дуговой разр д, го р ший в парах испар емого материала 4, Вк ганают электромагнитную катушку 12 дл  боздани  аксиально расход щегос  ма- гнитного пол . При наличии магнитного пол  происходит дрейф электронов в азимуталЬном направлении, привод щий эф 50 фективной ионизации паров и ускорению ИОНОЙ в осевом направлении.Высокие скорости ионов (до 10 м/с) и практически полна  ионизаци  паров исх пар емого материала обеспечивают требуемые адгезионные свойства толстых пленок при конденсации их на подложке 18,
Устройство -позвол ет регулировать скорость ионизированного пара 17 изме-. нением величины магнитного пол  катущки 12. Кроме того, наличие направленной струи ионизованногоi пара 17 позвол ет повысить эффект1шность использовани  ве- щества (что особенно важно дл  дорогосто щих материалов)и производительность устройства.
Экспериментальнс установлено, что, еС ли катод 9 выполнен в виде полого цш1инд-1 , ра с торцовыми стенками и расположенными в них входным 8 и выходным 10 отверсти ми, то устойчива  работа устройства наблюдаетс  в случае , когда соотнощение длины катода к его диаметру составл ет 1:5, а соотношение диаметра входного отверсти  к выходному составл ет 0,1:0,5.

Claims (3)

1.Устройство дл  получени  покрытий в вакууме, преимущественно толстых к, содержащее средства дл  генерации, ионизации паров осаждаемого вещества, ускорени  образующейс  плазмы, отличающеес  тем, что, с целью повышени  адгезии толстых пленок,/ средство дл  генераций пара выполнено в виде квазизш кнутого испарител , соединенного обогреваемым паропроводом со средством дпй ионизации и ускорени  образующейс  плазмы, выполненным в виде полого катода и соосно установленного анода в форме усеченного конуса, обращенного вершиной в сторону выходного отверсти  полого катода, на выходе которого коаксиа ьно с анодом установлена магнитна  катушка ,
2.Устройство по п. 1, о т л и ч а ю ш е е с   тем, что соотношение длины полого катода к его диаметру составл ет IsS.
3.Устройство по п. 1, о т л и ч а ю ш е е с   тем, что соотношение диаметров выходных отверстий паропровода и полого катода составл ет О,1:О,5.
Источники инфо|эмации, прин тые во внимание при экспертизе:
1.Патент США Ns 3329601, т. 204-298, 1970.
2.Авторское свидетельство СССР
№ 201484, кл. С 23 С 13/12, 1967.
6 7 Iff
2x/yg
LI /
r.-.AV.-.V.
л-.,/; iv.
i i r X
-- s../. ,%,%« ;;,.
W « s & 9S &lS&j & & &gi,e
2ZSZS
f. V
ZZL
SU742046953A 1974-07-22 1974-07-22 Устройство дл получени покрытий в вакууме SU567341A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU742046953A SU567341A1 (ru) 1974-07-22 1974-07-22 Устройство дл получени покрытий в вакууме

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU742046953A SU567341A1 (ru) 1974-07-22 1974-07-22 Устройство дл получени покрытий в вакууме

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU567341A1 true SU567341A1 (ru) 1978-07-18

Family

ID=20591949

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU742046953A SU567341A1 (ru) 1974-07-22 1974-07-22 Устройство дл получени покрытий в вакууме

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU567341A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4448802A (en) Method and apparatus for evaporating material under vacuum using both an arc discharge and electron beam
JP6491752B2 (ja) 薄膜製造用仮想陰極蒸着(vcd)
JPH09512304A (ja) イオン支援された真空コーティング方法並びに装置
CN101156505A (zh) 用于生成、加速和传播电子束和等离子体束的设备和方法
CN106119780A (zh) 一种涂布系统
US20120279449A1 (en) Apparatus and method for focused electric field enhanced plasma-based ion implantation
US5070811A (en) Apparatus for applying dielectric or metallic materials
US8405326B2 (en) Method and apparatus for generating ion beam
CN102808155A (zh) 电子轰击式蒸发源系统
JP3481953B2 (ja) 基板をコーティングするための装置
US20150140231A1 (en) Method and apparatus for deposition of thin film materials for energy storage devices
JPH0456761A (ja) 薄膜形成装置
US4093858A (en) Cesium injection system for negative ion duoplasmatrons
JPS61143579A (ja) プラズマイオン供給方法
JPS5489983A (en) Device and method for vacuum deposition compound
CN113643950B (zh) 一种产生掺杂碱金属或卤素的耦合气体团簇离子束的装置和方法
JPH04120271A (ja) クラスタイオンビーム発生方法およびクラスタイオンビーム発生装置
JPH0214426B2 (ru)
JPH08319562A (ja) プラズマ発生装置およびイオンプレーティング装置
JPH09256148A (ja) イオンプレーティング装置
JPH0417669A (ja) プラズマを用いた成膜方法およびrfイオンプレーティング装置
JP2010180469A (ja) イオンプレーティング装置
JPS6199670A (ja) イオンプレ−テイング装置
JPH0542603Y2 (ru)
JPH04168272A (ja) イオンビーム製膜方法およびイオンビーム製膜装置