SU598630A1 - Устройство ввода газов в реакционную камеру - Google Patents
Устройство ввода газов в реакционную камеруInfo
- Publication number
- SU598630A1 SU598630A1 SU742054359A SU254359A SU598630A1 SU 598630 A1 SU598630 A1 SU 598630A1 SU 742054359 A SU742054359 A SU 742054359A SU 254359 A SU254359 A SU 254359A SU 598630 A1 SU598630 A1 SU 598630A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- rings
- gases
- bevel
- gas
- reaction chamber
- Prior art date
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 23
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 3
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 claims description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
Description
(54) УСТРОЙСТВО ВВОДАГАЗОВ В РЕАКЦИОННУЮ КАМЕРУ
/ .1Изобретение относитс к устройствам ввода газов в реакционную камеру дл процессов газовой эпитаксии, ркис:лёнш1 и диффузий и может быть использовано в полупроводниковой технике . -. . .в.известны устройствах дл эпитаксиального осаждени подачу газов в камеру осуществл ют через трубки с отверсти ми, кольцеобразные каналй или капилл рные в корпусе реактора
выполненные таким образом устройства ввода газов, однако, не обеспечивают необходимого смешивани компонентов , однородного поступлени их к осаждаемой поверхности.
Известно устройство ввода ;газа в реакционную камеру, например, ДЛ5| процессов эпитаксии, окислени и диффузии содержащее газовые вводы и распределители потокрв, выполненные в виде колец с отверсти ми, которые произвольно расположены на рабочей стороне 4. В этом устройстве газовый поток на правл етс в камеру параллельными ПУЧками , что также не обеспечивает высокой степени смешивани газовых компонентов и их регулируемую подачу.
.Цель изобретени - повышение степени смешивани и регулировани пода чи потоков..
Дл этого предложено кольца распределителей установить концантрично с возможностью перемещени одного относительно другого кольца имеют пр - мЬугольное сечение со скосом внутрен него угла внешнего кольца, отверсти которого выполнены на скосе.
Скос выполнен/под углом 40-45 к общей оси колец. . .
Нафиг, .1 изображено устройство, общий вид,- на фиг. 2 - то же, поперечный разрез; на фиг. 3 - вид по стрелке/А нафиг. 1. ,
Устроййтво включает в себ средст ва дл подачи газов - газовые ввсды, и 2, соединенные с распределител ми потоков газа 3 и 4 в камеру . Распределители 3 и 4 выполнены в виде колец 5 и б с Отверсти ми дл впуска Газов в-камеру. Кольца распределителей установлены концентрично с возможностью перемещени одного относительно другбго и имеют пр моугольное сечение со скосом 7 внутреннего угла внешнего кольца, отверсти которого выполнены на скосе. Скос расположен под углом 40-45 к общей оси колец (фиг.З) Один из газовых компонентов поЯают через распределитель 4, а другой через распределитель 3. Получаемый га зовый поток, образуют два противолежащих телесных угла (см,фиг.2), что обеспечивает интенсивное и равномерное смешиванИе газовых компонентов. Перемещением распределител 4 вдоль оси относительно распределител 3 обеспечиваетс смешивание газовых ком понентов непосредственно в зоне осаж дени и регулировка рассто ни точки смешивани от обрабатываемой поверхности . Устройство может быть использован в процессах, где требуетс высока степень, смешивани компонентов и однородности состава вблизи обрабатываемой поверхности, В качестве примера рассмотрим осс1ждение слоев двуокиси кремни путем окислени .моносилана водородов в среде азота. Компоненты подают по распределител м 3 и 4 при расходе (л/мин): моносилана 1,2; кислорода 0,61; газоносител 10 Смешанный поток газа поступает к под ложкам, нагретым до 420с в зоне оса дени . Полученные слои двуокиси крем ни толщиной О,.4 мкм при скорости их осаждени 0,08 мкм/мил. Разброс по то7пдине в партии составл ет10%. Таким образом, устройство.обеспечивает равномерную и регулируемую по
Claims (2)
- t. f дачу газов при их хорошей смешиваемости . Формула изобретени 1,Устройство ввода газов в реакционную камеру, например, дл процессов эпитаксии, окислени и диффузии, включающее средства дл подачи газов, соединенные с распределител ми потоков газа, выполненными в виде колец с отверсти ми дл впуска газов в камеру , отличающеес тем, что, с целью повышени степени смешивани и регулировани подачи потоков , кольца расгпределителей установлены концентрично с возможностью перемещени одного относительно другого и имеют пр моугольное сечение со скосом внутреннего угла внешнего кольца, отверсти которого выполнены на скосе,
- 2.Устройство по П.1, отличающеес тем, что скос выполнен под углом 40-45° к общей оси колец . Источники информацииj прин тые во внимание при экспертизе; 1,Патент США (3381114,кл,219-38,5, 1968, 2,Патент США 37459б9,кл,118-48, 1973, 3,Патент Японии 10175гКЛ,99/5/В15, 1972, - . 4,Электронна промышленность , 1973, 2, с,78-79,
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU742054359A SU598630A1 (ru) | 1974-08-15 | 1974-08-15 | Устройство ввода газов в реакционную камеру |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU742054359A SU598630A1 (ru) | 1974-08-15 | 1974-08-15 | Устройство ввода газов в реакционную камеру |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU772501175A Addition SU638452A2 (ru) | 1977-06-30 | 1977-06-30 | Устройство дл равномерной разгрузки нежесткого издели |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU598630A1 true SU598630A1 (ru) | 1978-02-21 |
Family
ID=20436206
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU742054359A SU598630A1 (ru) | 1974-08-15 | 1974-08-15 | Устройство ввода газов в реакционную камеру |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU598630A1 (ru) |
Cited By (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4928626A (en) * | 1989-05-19 | 1990-05-29 | Applied Materials, Inc. | Reactant gas injection for IC processing |
| US5010842A (en) * | 1988-10-25 | 1991-04-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Apparatus for forming thin film |
| US5160543A (en) * | 1985-12-20 | 1992-11-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Device for forming a deposited film |
| WO1997015698A1 (en) * | 1995-10-23 | 1997-05-01 | Watkins-Johnson Company | Gas injection system for semiconductor processing |
| US6090210A (en) * | 1996-07-24 | 2000-07-18 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone gas flow control in a process chamber |
| US7056806B2 (en) | 2003-09-17 | 2006-06-06 | Micron Technology, Inc. | Microfeature workpiece processing apparatus and methods for controlling deposition of materials on microfeature workpieces |
| US7258892B2 (en) | 2003-12-10 | 2007-08-21 | Micron Technology, Inc. | Methods and systems for controlling temperature during microfeature workpiece processing, e.g., CVD deposition |
| US7282239B2 (en) | 2003-09-18 | 2007-10-16 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers |
| US7323231B2 (en) | 2003-10-09 | 2008-01-29 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and methods for plasma vapor deposition processes |
| US7335396B2 (en) | 2003-04-24 | 2008-02-26 | Micron Technology, Inc. | Methods for controlling mass flow rates and pressures in passageways coupled to reaction chambers and systems for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers |
| US7344755B2 (en) | 2003-08-21 | 2008-03-18 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatus for processing microfeature workpieces; methods for conditioning ALD reaction chambers |
| US7387685B2 (en) | 2002-07-08 | 2008-06-17 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and method for depositing materials onto microelectronic workpieces |
| US7422635B2 (en) | 2003-08-28 | 2008-09-09 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatus for processing microfeature workpieces, e.g., for depositing materials on microfeature workpieces |
| US7481887B2 (en) | 2002-05-24 | 2009-01-27 | Micron Technology, Inc. | Apparatus for controlling gas pulsing in processes for depositing materials onto micro-device workpieces |
| US7494560B2 (en) * | 2002-11-27 | 2009-02-24 | International Business Machines Corporation | Non-plasma reaction apparatus and method |
| US7581511B2 (en) | 2003-10-10 | 2009-09-01 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and methods for manufacturing microfeatures on workpieces using plasma vapor processes |
| US7584942B2 (en) | 2004-03-31 | 2009-09-08 | Micron Technology, Inc. | Ampoules for producing a reaction gas and systems for depositing materials onto microfeature workpieces in reaction chambers |
| US7588804B2 (en) | 2002-08-15 | 2009-09-15 | Micron Technology, Inc. | Reactors with isolated gas connectors and methods for depositing materials onto micro-device workpieces |
| US7647886B2 (en) | 2003-10-15 | 2010-01-19 | Micron Technology, Inc. | Systems for depositing material onto workpieces in reaction chambers and methods for removing byproducts from reaction chambers |
| US7699932B2 (en) | 2004-06-02 | 2010-04-20 | Micron Technology, Inc. | Reactors, systems and methods for depositing thin films onto microfeature workpieces |
| US7906393B2 (en) | 2004-01-28 | 2011-03-15 | Micron Technology, Inc. | Methods for forming small-scale capacitor structures |
| US8133554B2 (en) | 2004-05-06 | 2012-03-13 | Micron Technology, Inc. | Methods for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers and systems for depositing materials onto microfeature workpieces |
-
1974
- 1974-08-15 SU SU742054359A patent/SU598630A1/ru active
Cited By (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5160543A (en) * | 1985-12-20 | 1992-11-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Device for forming a deposited film |
| US5010842A (en) * | 1988-10-25 | 1991-04-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Apparatus for forming thin film |
| US4928626A (en) * | 1989-05-19 | 1990-05-29 | Applied Materials, Inc. | Reactant gas injection for IC processing |
| CN1115425C (zh) * | 1995-10-23 | 2003-07-23 | 应用材料公司 | 用于半导体处理的气体注射系统 |
| US5851294A (en) * | 1995-10-23 | 1998-12-22 | Watkins-Johnson Company | Gas injection system for semiconductor processing |
| WO1997015698A1 (en) * | 1995-10-23 | 1997-05-01 | Watkins-Johnson Company | Gas injection system for semiconductor processing |
| US6090210A (en) * | 1996-07-24 | 2000-07-18 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone gas flow control in a process chamber |
| US7481887B2 (en) | 2002-05-24 | 2009-01-27 | Micron Technology, Inc. | Apparatus for controlling gas pulsing in processes for depositing materials onto micro-device workpieces |
| US7387685B2 (en) | 2002-07-08 | 2008-06-17 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and method for depositing materials onto microelectronic workpieces |
| US7588804B2 (en) | 2002-08-15 | 2009-09-15 | Micron Technology, Inc. | Reactors with isolated gas connectors and methods for depositing materials onto micro-device workpieces |
| US7494560B2 (en) * | 2002-11-27 | 2009-02-24 | International Business Machines Corporation | Non-plasma reaction apparatus and method |
| US7335396B2 (en) | 2003-04-24 | 2008-02-26 | Micron Technology, Inc. | Methods for controlling mass flow rates and pressures in passageways coupled to reaction chambers and systems for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers |
| US7344755B2 (en) | 2003-08-21 | 2008-03-18 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatus for processing microfeature workpieces; methods for conditioning ALD reaction chambers |
| US7422635B2 (en) | 2003-08-28 | 2008-09-09 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatus for processing microfeature workpieces, e.g., for depositing materials on microfeature workpieces |
| US7056806B2 (en) | 2003-09-17 | 2006-06-06 | Micron Technology, Inc. | Microfeature workpiece processing apparatus and methods for controlling deposition of materials on microfeature workpieces |
| US7279398B2 (en) | 2003-09-17 | 2007-10-09 | Micron Technology, Inc. | Microfeature workpiece processing apparatus and methods for controlling deposition of materials on microfeature workpieces |
| US7282239B2 (en) | 2003-09-18 | 2007-10-16 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers |
| US7323231B2 (en) | 2003-10-09 | 2008-01-29 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and methods for plasma vapor deposition processes |
| US7581511B2 (en) | 2003-10-10 | 2009-09-01 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and methods for manufacturing microfeatures on workpieces using plasma vapor processes |
| US7647886B2 (en) | 2003-10-15 | 2010-01-19 | Micron Technology, Inc. | Systems for depositing material onto workpieces in reaction chambers and methods for removing byproducts from reaction chambers |
| US7258892B2 (en) | 2003-12-10 | 2007-08-21 | Micron Technology, Inc. | Methods and systems for controlling temperature during microfeature workpiece processing, e.g., CVD deposition |
| US7771537B2 (en) | 2003-12-10 | 2010-08-10 | Micron Technology, Inc. | Methods and systems for controlling temperature during microfeature workpiece processing, E.G. CVD deposition |
| US8518184B2 (en) | 2003-12-10 | 2013-08-27 | Micron Technology, Inc. | Methods and systems for controlling temperature during microfeature workpiece processing, E.G., CVD deposition |
| US7906393B2 (en) | 2004-01-28 | 2011-03-15 | Micron Technology, Inc. | Methods for forming small-scale capacitor structures |
| US8384192B2 (en) | 2004-01-28 | 2013-02-26 | Micron Technology, Inc. | Methods for forming small-scale capacitor structures |
| US7584942B2 (en) | 2004-03-31 | 2009-09-08 | Micron Technology, Inc. | Ampoules for producing a reaction gas and systems for depositing materials onto microfeature workpieces in reaction chambers |
| US8133554B2 (en) | 2004-05-06 | 2012-03-13 | Micron Technology, Inc. | Methods for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers and systems for depositing materials onto microfeature workpieces |
| US9023436B2 (en) | 2004-05-06 | 2015-05-05 | Micron Technology, Inc. | Methods for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers and systems for depositing materials onto microfeature workpieces |
| US7699932B2 (en) | 2004-06-02 | 2010-04-20 | Micron Technology, Inc. | Reactors, systems and methods for depositing thin films onto microfeature workpieces |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| SU598630A1 (ru) | Устройство ввода газов в реакционную камеру | |
| US9593434B2 (en) | Alkyl push flow for vertical flow rotating disk reactors | |
| US3717439A (en) | Vapour phase reaction apparatus | |
| TW201600179A (zh) | 氣體噴淋裝置、化學氣相沉積裝置和方法 | |
| ATE96184T1 (de) | Eingangsverteiler und verfahren zur steigerung der gasdissoziation und zur pecvd von dielektrischen filmen. | |
| US9890473B2 (en) | Batch epitaxy processing system having gas deflectors | |
| GB1281539A (en) | Semiconductor processing reactors | |
| KR20020027211A (ko) | 화학증착장치 및 화학증착방법 | |
| JPS62199019A (ja) | ウエハ処理装置 | |
| GB2212173A (en) | Heated reactor for vapor-phase growth of films | |
| US3621812A (en) | Epitaxial deposition reactor | |
| US5275686A (en) | Radial epitaxial reactor for multiple wafer growth | |
| JPS6481216A (en) | Vapor growth apparatus | |
| JPS6383275A (ja) | 被処理体の処理方法 | |
| JPH02271627A (ja) | 常圧ｃｖｄ装置 | |
| SU322115A1 (ru) | Способ получени эпитаксиальных слоев | |
| JPS6144179A (ja) | 化学的蒸着ウエ−フア−ボ−ト | |
| KR970008327A (ko) | 화학기상증착 반응기용 다구역 샤워헤드 | |
| SU1074161A1 (ru) | Устройство дл газовой эпитаксии полупроводниковых соединений | |
| JPS6134933A (ja) | プラズマ気相成長装置 | |
| JPH02174224A (ja) | 熱処理装置 | |
| JPS54156470A (en) | Gas phase diffusion method | |
| JPS61156726A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6459808A (en) | Growth of semiconductor | |
| JPS60217638A (ja) | 処理装置 |