SU752477A1 - Запоминающий элемент - Google Patents

Description

нал область 15, базова  область 16, эмиттерна  область 17 и изолирующий слой диэлектрика 18.

Введение резистора 5 обеспечивает положительную обратную св зь между эмиттером бипол рного транзистора 1 и затвором полевого транзистора 2 за счет падени  напр жени  на резисторе при протекании тока через коллектор бипол рного транзистора , например при положительном импульсе напр жени  на его базе, что вызывает уменьшение потенциала на затворе полевого транзистора и увеличение протекающего через него тока. В результате чего оба транзистора переход т во включенное состо ние .

Дл  переключени  элемента в непровод щее состо ние необходимо на базу бипол рного транзистора 1 подать отрицательный импульс или на затвор полевого транзистора 2 - положительный. При этом процесс развиваетс  в обратном направлении и оба транзистора запираютс .

В режиме хранени  потенциал на разр дной 4 и числовой 3 щинах выбирают таким, чтобы протекающий через транзисторы ток во включенном состо нии обеспечивал надежную работу с учетом возможных помех и изменени  температуры, обычно этот ток не превышает 10 мкА.

При считывании повышаетс  потенциал на разр дной шине и нонижаетс  на числовой таким образом, чтобы ток, протекающий во включенном транзисторе, превышал на 2-3 пор дка ток хранени . Если в элементе записана единица, то ток разр дной шины 4 увеличиваетс , а если - ноль, то этот ток будет иметь значительно меньшую величину, что фиксируетс  соответствующим устройством.

Дл  записи нол , т. е. перевода элемента в выключенное состо ние, потенциал на числовой шине повышаетс , а на разр дной понижаетс  так, чтобы смещение на эмиттерном переходе вызвало бы прекращение инжекции.

Дл  записи единицы дополнительно повышаетс  потенциал на шине записи так, что эмиттерный переход смещаетс  в пр мом направлении и включает транзистор.

Данна  конструкци  запоминающего элемента позвол ет выполн ть электронное обрамление с использованием стандартной технологии бипол рных транзисторов на том же кристалле.

Claims (3)

1.Запоминающий элемент, содержащий бипол рный транзистор, база которого соединена со стоком полевого транзистора, затвор которого соединен с коллектором бипол рного транзистора, эмиттер которого подключен к числовой шине, исток полевого транзистора подключен к разр дной шине , отличающийс  тем, что, с целью обеспечени  статического хранени  информации в элементе, он содержит шину смещени  и резистор, первый вывод которого соединен с коллектором бипол рного транзистора , а второй вывод - с шиной смещени .

2. Запоминающий элемент по п. 1, отличающийс  тем, что, шина смещени  соединена с разр дной шиной.

3. Запоминающий элемент по п. 1, о т л ичающийс  тем, что он содержит шину

записи и диод, катод которого соединен с базой бипол рного транзистора, а анод - с шиной записи.

Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе

1. За вка Великобритании N° 1406391, кл. Н ЗТ, опубл. 1975.

2.Патент США № 3753248, кл. 340-173, опубл. 1973 (прототип).

п - - INI -1

И

77 7f

.

/тл

7J /2 / 5