SU776101A1 - Устройство дл автоматического регулировани диаметра кристалла - Google Patents
Устройство дл автоматического регулировани диаметра кристалла Download PDFInfo
- Publication number
- SU776101A1 SU776101A1 SU782678878A SU2678878A SU776101A1 SU 776101 A1 SU776101 A1 SU 776101A1 SU 782678878 A SU782678878 A SU 782678878A SU 2678878 A SU2678878 A SU 2678878A SU 776101 A1 SU776101 A1 SU 776101A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- crystal
- amplifier
- diameter
- output
- integrator
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
Изобретение относитс к техноло гй вь1рапщвани кристаллов йШ уасплава и может быть, в частности, использовано дл выращивани монокристаллов полупроводниковых соединений , булей сапфира, рубина и других . --- ; -- : Известно устройство дл автоматического регул1фовани диаметра кристалла, вьфащиваемого из расплава , содержащее датчики длины и массы кристалла, регул тор диаметра кристалла и регул торы контуров стабилизации технологических параметров процесса выращивани ГЯ Наиболее близким по технической сущности к изобретению вл етс устройство дл автоматического регулировани диаметра кристалла, выраиЕйваемьгб из расплава, содержащее датчики длины и массы кристалла регул тор диаметра кристалла с аналб 1 6-дискретным дифференциатором, включающим интегратор и усилитель Г2 Пр1и использовании аналого-дискретного дифференциатора вследствие запоминани входного сигнала на интеграторе и вычислени оценки про изводной в виде разности текущего ; - ---..-- -„ r-J--/: IV-.- - - .-..,-, :---- :„-:-..-.-«-- -,-,- .. -j-Lf :f ts S:s 3liMj., запомненного значений сигнала воз никают помехи, соизмершйле по амплитуде с амплитудой полезного Сигнала , что приводит к болыт№1 ошибкам регулировани . Цель изобретени - повышение точ ности регулировани за счет уменьйё ни помех../ Поставленна цель достигаетс тем, что устройство снабжено ускшителем-фильтром , соединенным последОвательно с дифференциатором, снаб ШнййЖттёнюатЬрдну вхой ёШрдУо соединен с выходом интегратора, а выход - с входом усилител . . ,, На фиг. 1 изображена структурна схема устройства дл автоматического регулировани диаметра кристалла , на фиг. 2 - функциональна схема регул тора диаметра кристалла , на фиг. 3 - структурна схема дифференциатора с непрерьгеным преобразованием бИгналбё и лей фильтром сигнала хфойз водн(эйТ Устройство дл автоматического регулировани диаметра кристалла со держит регул тор 1 диаметра кристалла с аналоговым цкф &ртшШ&ром 2, включенным последовательно с уси лителем-фильтра 3, задатчики 4 и 5, операционный усилитель 6, блок программ 7, св занный через переменные сопротивлени с выходными операционными усилител ми 8-10. С электроприводом перемещени кристалла кинематически св зан датчик 11 длины, содержащий потенциометры 12 и 13. Выходной сигнал потенциометра 13 включен встречно с сигналом датчика 14 массы. Аналоговый дифференциатор 2 (см. фиг. 3) состоит из усилител 15, вход которого через аттенюатор 16 св зан с выходом интегратора 17. - . Выход усилител 15 дифференциатора 2 подключен к входу усилител 18 след щей системы 3, котора используетс в качестве усилител фильтра сигнала производной. Второй вход усилител через аттенюатор 19 подключен к выходу основного интегратора 20. Выход усилител 18 непосредственно соединен с интегратором 20. Дл уменьшени ошибки оценивани сигнала производной след щей система 3 содержит дополнительный интегратор 21, который подключен к входу основного интегратора 20 . На фиг. 1 показаны также водоохлаждаема камера 22, наход щийс в ней кристалл 23, выращиваемый из тигл 24 с расплавом, нагреватель 25 с силовым блоком 26, электроприводьг с регул тором 27 перемещени И регул тором 28 вращени кристалла , с регул тором 29 перемещени и регул тором 30 вращени тигл . Введены следующие обозначени : Vr эт - скорости перемещени , втращёни кристалла и тигл соответственно; t°C - температура нагревател ; К - Ь-& - сигнал небалансаJ (КЬ-&). - производна сигнала неdt баланса; масса кристалла; и- длина кристалла , Tltl,V(t)- функции изменени температуры Н1агревател и скорости ШЙращивани во времени соответственно .. Устройство автоматического регулировани кристалла работает следующим образом.
После вакуумировани камеры 22 и расплавлени металла, загруженного в тигель 24 с помощью нагревател 25 и силового блока 26, включаютс электроприводы с регул торами 27-30 и начинаетс процесс вьфащиванй кристалла 23. После эатравлени и разращиванй конусной части кристалла оператор производит установку нулевых значений по длине кристалла L и сигнала небаланса KL-&, что соответствует началу программы по длине кристалла и его массе. Затем оператор включает устройство автоматического регулировани диаметра кристалла, и далее процесс поддержани необходимых техйо огических параметров по -скорости перемещени кристалла и тигл , температуре нагревател ведетс автоматически без вмешательства оператора.
Потенциометр 13 (см. фиг. 2), задающий программу изменени массы кристалла, включен встречно с дат чиком 14 его массы. Сигнал небаланса через задатчик 4 диаметра кристалла поступает на вход аналогового дифференциатора 2 регул тора 1 диаметра кристалла. На выходе усилител 15 (см. фиг. 3) формируетс производна сигнала небаланса J(KL-C)
содержаща аддитивную
dl
76101 ; 4
.помеху. На выходе интегратора 17 имеем сигнал небаланса KLt , отфильтрованный от помех.
Дл восстановлени и усилени поj лезного сигнала производной аналогова след ща система 3.
На вькоде интегратора 20 имеем восстановленную от помех производную сигнала небаланса. .
10 С потенциометра 12 датчика 11
длины снимаетс напр жение, пропор ционалЬйое д traнe кристалла, и через задатчик 5, необходимый дл изменени параметров T(t| и V(b) в завиJ5 сдатостй от диаметра кристалла и массы загрзженногр материала в тигель , этот сигнал поступает на вход операционного усилител 6, а с его выхода - на блок программ 7, позвол ющий реализовать нелинейные nporpaNTMbi по длине кристалла. На вход выходных операционных усилителей 8-1Q по соответствующим каналам управлени через переменные сопротивлени , необходимые дл подбора настроек по каждому параметру, поступают сигналы с дифференциатора и блока
программ.
I . .
Автоматическое регулирование ука30 3 энных вьпве технологических параметров обеспечивает поддержание бездислокационного роста кристалла с отклонением его диаметра на ±1,5%.
Claims (1)
- УСТРОЙСТВО ДЛЯ АВТОМАТИ-ЧЕСКОГО РЕГУЛИРОВАНИЯ ДИАМЕТРАКРИСТАЛЛА, выращиваемого из расплава , содержащее датчики длины и массы кристалла, регулятор диаметра кристалла с дифференциатором, включающим интегратор и усилитель, отличающееся тем, что, с целью повышения точности регулирования за счет уменьшения помех, оно дополнительно содержит усИпитель-фильтр, соединенный последовательно с дифференциатором, снабженным аттенюатором, вход которого соединен с выходом интегратора, а выход - с входом усилителя.S'SU ,,,,776101 ' 1 ......... :
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU782678878A SU776101A1 (ru) | 1978-07-24 | 1978-07-24 | Устройство дл автоматического регулировани диаметра кристалла |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU782678878A SU776101A1 (ru) | 1978-07-24 | 1978-07-24 | Устройство дл автоматического регулировани диаметра кристалла |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU776101A1 true SU776101A1 (ru) | 1985-05-15 |
Family
ID=20791256
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU782678878A SU776101A1 (ru) | 1978-07-24 | 1978-07-24 | Устройство дл автоматического регулировани диаметра кристалла |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU776101A1 (ru) |
-
1978
- 1978-07-24 SU SU782678878A patent/SU776101A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 1. Патент GB № 1434527, кл. В 01 J 17/18, 1976, 2. Журнал Приборы и системы управлени , № 5, 1975, с. 7-9. * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3621213A (en) | Programmed digital-computer-controlled system for automatic growth of semiconductor crystals | |
| IL57085A0 (en) | Method for regulating plant growth using certain thiopheneand furan derivatives | |
| US4258003A (en) | Automatic control of crystal growth | |
| GB1532721A (en) | Method and apparatus for forming a cigarette rod | |
| JPS59102896A (ja) | 単結晶の形状制御方法 | |
| JP2678383B2 (ja) | 単結晶上装置 | |
| US4595027A (en) | Rod weight control for a cigarette making machine | |
| EP0313619B1 (en) | System for controlling apparatus for growing tubular crystalline bodies | |
| O'Kane et al. | Infrared TV system of computer controlled Czochralski crystal growth | |
| US4936947A (en) | System for controlling apparatus for growing tubular crystalline bodies | |
| GB924583A (en) | Improvements in or relating to cigarette making machines | |
| IL46618A0 (en) | A method of regulating the growth of plants using certain phenoxyacetic acid derivatives | |
| SU859490A1 (ru) | Способ управлени процессом выращивани монокристаллов из расплава | |
| RU97101248A (ru) | Способ управления процессом выращивания монокристаллов из расплава и устройство для его осуществления | |
| SU899740A1 (ru) | Способ контрол диаметра кристалла | |
| JPS635360B2 (ru) | ||
| SU1620127A1 (ru) | Способ автоматического регулировани трехстадийного процесса увлажнени зерна при подготовке его к помолу | |
| SU697968A1 (ru) | Многоканальный регул тор | |
| SU628069A1 (ru) | Система регулировани нат жением ленточного материала | |
| SU487648A1 (ru) | Способ автоматического регулировани технологического режима процесса ректификации | |
| SU1521380A1 (ru) | Способ регулировани кислорода в фитокамере и устройство дл его осуществлени | |
| SU599403A1 (ru) | Система автоматического регулировани диаметра кристалла, выращиваемого из расплава | |
| SU810802A1 (ru) | Способ автоматического управлени пРОцЕССОМ НЕпРЕРыВНОгО КульТиВиРОВАНи МиКРООРгАНизМОВ и СиСТЕМА дл ЕгО ОСущЕСТВлЕНи | |
| USRE34375E (en) | System for controlling apparatus for growing tubular crystalline bodies | |
| SU113806A1 (ru) | Способ автоматического регулировани процесса выращивани монокристаллов из расплава |