SU776820A1 - Способ диффузионной сварки пьезо- преобразовател с звукопроводом - Google Patents

Способ диффузионной сварки пьезо- преобразовател с звукопроводом Download PDF

Info

Publication number
SU776820A1
SU776820A1 SU782668904A SU2668904A SU776820A1 SU 776820 A1 SU776820 A1 SU 776820A1 SU 782668904 A SU782668904 A SU 782668904A SU 2668904 A SU2668904 A SU 2668904A SU 776820 A1 SU776820 A1 SU 776820A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
indium
diffusion welding
silver
piesotransducer
layer
Prior art date
Application number
SU782668904A
Other languages
English (en)
Inventor
Патик Грантович Бабурян
Рубен Спартакович Микаелян
Original Assignee
Особое Конструкторское Бюро Проблемной Лаборатории Радиационной Физики Ереванского Государственного Университета
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Особое Конструкторское Бюро Проблемной Лаборатории Радиационной Физики Ереванского Государственного Университета filed Critical Особое Конструкторское Бюро Проблемной Лаборатории Радиационной Физики Ереванского Государственного Университета
Priority to SU782668904A priority Critical patent/SU776820A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU776820A1 publication Critical patent/SU776820A1/ru

Links

Landscapes

  • Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)

Description

1
Изобретение относитс  к диффузионной сварке и может быть использовано при сварке пьезопреобразовател  с звукопроводом , примен емых в акустикооптических устройствах.
Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату к предлагаемому изобретению  вл етс  способ диффузионной сварки пьезопреобразовател  с звукопроводом через промежуточные прослойки серебра и инди  1.
Недостатком этого способа  вл етс  высокое омическое сопротивление зоны соединени .
Цель изобретени  - снижение омического сопротивлени  зоны соединени .
Поставленна  пель достигаетс  тем, что на свариваемые поверхности дополнительно нанос т промежуточный слой металла с высокой электропроводностью, не образующий эвтектики с индием и серебром.
На чертеже показана схема осуществлени  способа.
Способ осуи;ествл ют следующим образом .
На свариваемые поверхности пьезопреобразовател  1 и звукопровода 2 вакуумным напылением последовательно нанос т слой 3 материала, обеспечивающего адгезию последующего сло , слой 4 металла с
высокой электропроводностью, например меди, не образуюгДий эвтектики с индием и серебром, слой 5 серебра и слой 6 инди .
Собранный узел устанавливают в вакуум5 ную установку, нагревают и провод т диффузионную сварку. Благодар  дополнительному промежуточному слою металла с высокой электропроводностью, не образующему высокоомной эвтектики с индием и 10 серебром, снижаетс  омическое сопротивлеиие зоны соединени .
Пример. В качестве материалов звукопровода используют молибдат свинца,
15 а-кварц, йодноватую кислоту, стекло ТФ-5 и плавленный кварц. Пьезопреобразователи изготовл ют из ниобата лити  и йодата лити .
В качестве подсло  в зависимости от используемых материалов берут следующие компоненты: Сг, Мо, Ti, Ni толщиной 200- 1000 А. Дл  сварки ниобата лити , а-кварца и стекла ТФ-5 напыл ют подслой Сг или CrNi, а в качестве дополнительного
25 сло  - слой Си. Дл  нанесени  подсло , слоев меди и серебра свариваемые элементы нагревают до 280-300°С со скоростью 1,5-2 град/мин, после нанесени  указанных слоев охлаждают до 100°С дл  нанесе30 ни  сло  инди .
л
i . .,ГГ-.776820
л
Толщина напыл емых слоев следующа :
Подслой (Сг), А 500-1000
Дополнительный слой металла
(медь), мкм0,3-0,4
Слой серебра, мкм0,3
Слой инди , мкм0,4-0,5
Сварку провод т в вакууме (10- мм рт. ст.) ири 180-200°С ,нод давлением до 50 кг/см в течение 30 мин. Скорость нагревани  свариваемого образца составл ет 1,5-2град/мин. Затем образцы охлаждают до комнатной темнературы со скоростью 1,0-1,5 град/мин.
Предлагаемый способ позвол ет снизить омическое сопротивление зоны соединени  при сварке пьезопреобразовател  с звукопроводом , что приводит к увеличению КПД ньезопреобразовател .

Claims (1)

  1. Формула изобретени 
    Способ диффузионной сварки пьезопреобразовател  с звукопроводом через промежуточные прослойки серебра и инди , отличающийс  тем, что, с целью снил ени  омического сопротивлени  зоны соединени , на свариваемые поверхности дополнительно нанос т промежуточный слой металла с высокой электропроводностью, не образующий эвтектики с индием и серебром .
    Источники информации, прин тые во внимание нри экспертизе 1. Труды института инженеров по электротехнике и радиоэлектронике. Журнал «Института инженеров по электротехнике и радиоэлектронике США. - М, Мир 1973, № 8, с. 34.
    J
SU782668904A 1978-06-28 1978-06-28 Способ диффузионной сварки пьезо- преобразовател с звукопроводом SU776820A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU782668904A SU776820A1 (ru) 1978-06-28 1978-06-28 Способ диффузионной сварки пьезо- преобразовател с звукопроводом

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU782668904A SU776820A1 (ru) 1978-06-28 1978-06-28 Способ диффузионной сварки пьезо- преобразовател с звукопроводом

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU776820A1 true SU776820A1 (ru) 1980-11-07

Family

ID=20787211

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU782668904A SU776820A1 (ru) 1978-06-28 1978-06-28 Способ диффузионной сварки пьезо- преобразовател с звукопроводом

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU776820A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3206698A (en) Electro-mechanical delay line having ferroelectric transducer bonded to solid delay medium
GB1537816A (en) Bonding crystals
GB1237672A (en) Method for bonding a crystal to a solid delay medium
JPS5846059B2 (ja) 半導体装置
JPS6148136B2 (ru)
NL179099C (nl) Elektrode-constructie, alsmede televisie opneembuis voorzien van een dergelijke elektrode-constructie.
JPS56142633A (en) Forming method for back electrode of semiconductor wafer
US3483610A (en) Thermocompression bonding of foil leads
US3265473A (en) Metalized ceramic members
JPS62172676A (ja) 難ハンダ付性材料への端子の取付方法
JPS587998A (ja) 超音波トランスデユ−サ構造体
SU732606A1 (ru) Уплотнение
JPS556245A (en) Thermister bolometer
JPS57212815A (en) Piezoelectric oscillator
JPS58182839A (ja) 半導体装置
JPS6220338A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0629769A (ja) チップ型電子部品
JPS587704Y2 (ja) 弾性表面波装置
JPS5748259A (en) Solid-state image pickup element
JPH01159942A (ja) X線発生装置
JPH0783172B2 (ja) 配線基板
JPS6345869A (ja) 有機光電変換素子
JPH04304369A (ja) クロム−珪素酸化物系ターゲット材
JPS6027507Y2 (ja) 超音波振動子と振動板との接着構造体
JPS57159113A (en) Surface acoustic wave resonator