JPH04304369A - クロム−珪素酸化物系ターゲット材 - Google Patents
クロム−珪素酸化物系ターゲット材Info
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- JPH04304369A JPH04304369A JP3094836A JP9483691A JPH04304369A JP H04304369 A JPH04304369 A JP H04304369A JP 3094836 A JP3094836 A JP 3094836A JP 9483691 A JP9483691 A JP 9483691A JP H04304369 A JPH04304369 A JP H04304369A
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Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はサーマルヘッド用薄膜抵
抗体あるいはハイブリッドＩＣ用薄膜抵抗体等を作成す
る際に用いられるクロム−珪素酸化物系（以下Ｃｒ−Ｓ
ｉＯ２と略す）のスパッタリングターゲット材に関する
。
抗体あるいはハイブリッドＩＣ用薄膜抵抗体等を作成す
る際に用いられるクロム−珪素酸化物系（以下Ｃｒ−Ｓ
ｉＯ２と略す）のスパッタリングターゲット材に関する
。
【０００２】
【従来の技術】近年、薄膜抵抗体材料として、金属、合
金、、酸化物または窒化物あるいはこれらの混合物など
多種類の材料が研究されている。例えば金属系ではニッ
ケルとクロムの合金、酸化物では酸化スズ、窒化物では
Ｔａ２Ｎ、そしてサーメット系ではクロム−珪素酸化物
系といった珪素酸化物とＣｒとの複合体が知られている
。このうち金属とセラミックスとの複合体であるＣｒ−
ＳｉＯ２は、金属系の材料やＴａ２Ｎなどと比べ、特に
面積抵抗の高い薄膜抵抗体が得られること、また、サー
マルヘッド用薄膜抵抗体等に要求される耐摩耗性にも優
れることから、この用途に対して有望視されている。ま
た、スパッタリングによってＣｒ−ＳｉＯ２の薄膜抵抗
体を得る方法としては、Ｃｒからなる部材とＳｉＯ２か
らなる部材とを適宜配置した複合体ターゲットを用いる
ことが特開昭５５−１６４２４号等に開示されている。 また、このようなターゲットはスパッタリング中の冷却
の必要性、スパッタリング中に帯電した電荷を逃がす等
の目的により、Ｃｕよりなるバッキングプレートに接合
されて構成されている。このバッキングプレートとの接
合は、ろう材として使用されるＩｎろう等とのぬれ性が
良いという理由から、あらかじめターゲット材のバッキ
ングプレートと接合する面にスパッタリング等によりＣ
ｕ膜を形成し、このＣｕ膜の形成した部分とバッキング
プレートをＩｎろう等で接合していた。
金、、酸化物または窒化物あるいはこれらの混合物など
多種類の材料が研究されている。例えば金属系ではニッ
ケルとクロムの合金、酸化物では酸化スズ、窒化物では
Ｔａ２Ｎ、そしてサーメット系ではクロム−珪素酸化物
系といった珪素酸化物とＣｒとの複合体が知られている
。このうち金属とセラミックスとの複合体であるＣｒ−
ＳｉＯ２は、金属系の材料やＴａ２Ｎなどと比べ、特に
面積抵抗の高い薄膜抵抗体が得られること、また、サー
マルヘッド用薄膜抵抗体等に要求される耐摩耗性にも優
れることから、この用途に対して有望視されている。ま
た、スパッタリングによってＣｒ−ＳｉＯ２の薄膜抵抗
体を得る方法としては、Ｃｒからなる部材とＳｉＯ２か
らなる部材とを適宜配置した複合体ターゲットを用いる
ことが特開昭５５−１６４２４号等に開示されている。 また、このようなターゲットはスパッタリング中の冷却
の必要性、スパッタリング中に帯電した電荷を逃がす等
の目的により、Ｃｕよりなるバッキングプレートに接合
されて構成されている。このバッキングプレートとの接
合は、ろう材として使用されるＩｎろう等とのぬれ性が
良いという理由から、あらかじめターゲット材のバッキ
ングプレートと接合する面にスパッタリング等によりＣ
ｕ膜を形成し、このＣｕ膜の形成した部分とバッキング
プレートをＩｎろう等で接合していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】最近、薄膜抵抗体の高
抵抗化の要求からＳｉＯ２の含有量を増加しようとする
試みがなされている。本発明者がＣｒ−ＳｉＯ２焼結体
をターゲットとして構成するという試みを行った結果、
ＳｉＯ２の含有量が１０重量％程度ではＣｒの含有量が
多いために、ろう材とのぬれ性を確保するために形成し
ていたＣｕ膜とターゲット材との十分な密着強度が得ら
れ、問題がないことが確認できたが、さらにＳｉＯ２の
含有量が増加して、例えば２０重量％以上にもなると、
ＳｉＯ２がターゲット表面に多く存在するようになり、
セラミックスであるＳｉＯ２とＣｕとのぬれ性が極めて
悪いため、Ｃｕ膜の剥がれが発生することがわかった。 Ｃｕ膜の剥がれが生ずると、バッキングプレートとの接
合が不十分になるためにターゲット材の冷却不良による
ターゲットの割れ、帯電した電荷を逃がせないために起
こる形成膜厚の変動等が発生し、極めて信頼性が低下す
る。本発明の目的は、ＳｉＯ２の含有量の多いＣｒ−Ｓ
ｉＯ２焼結体のバッキングプレートとの接合強度を改善
した新規な金属薄膜を形成したＣｒ−ＳｉＯ２ターゲッ
ト材を提供することである。
抵抗化の要求からＳｉＯ２の含有量を増加しようとする
試みがなされている。本発明者がＣｒ−ＳｉＯ２焼結体
をターゲットとして構成するという試みを行った結果、
ＳｉＯ２の含有量が１０重量％程度ではＣｒの含有量が
多いために、ろう材とのぬれ性を確保するために形成し
ていたＣｕ膜とターゲット材との十分な密着強度が得ら
れ、問題がないことが確認できたが、さらにＳｉＯ２の
含有量が増加して、例えば２０重量％以上にもなると、
ＳｉＯ２がターゲット表面に多く存在するようになり、
セラミックスであるＳｉＯ２とＣｕとのぬれ性が極めて
悪いため、Ｃｕ膜の剥がれが発生することがわかった。 Ｃｕ膜の剥がれが生ずると、バッキングプレートとの接
合が不十分になるためにターゲット材の冷却不良による
ターゲットの割れ、帯電した電荷を逃がせないために起
こる形成膜厚の変動等が発生し、極めて信頼性が低下す
る。本発明の目的は、ＳｉＯ２の含有量の多いＣｒ−Ｓ
ｉＯ２焼結体のバッキングプレートとの接合強度を改善
した新規な金属薄膜を形成したＣｒ−ＳｉＯ２ターゲッ
ト材を提供することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明はＳｉＯ２２０重
量％以上、残部Ｃｒよりなる焼結体のバッキングプレー
トと接合されるべき面の一部または全部にＴｉ、Ｃｒお
よびＴａよりなる群から選ばれた薄膜が形成されている
ことを特徴とするＣｒ−ＳｉＯ２ターゲット材である。 また、本発明において、焼結体に形成する薄膜は膜厚が
０．１〜２．０μｍであることが好ましい。
量％以上、残部Ｃｒよりなる焼結体のバッキングプレー
トと接合されるべき面の一部または全部にＴｉ、Ｃｒお
よびＴａよりなる群から選ばれた薄膜が形成されている
ことを特徴とするＣｒ−ＳｉＯ２ターゲット材である。 また、本発明において、焼結体に形成する薄膜は膜厚が
０．１〜２．０μｍであることが好ましい。
【０００５】
【作用】本発明はＴｉ、ＣｒおよびＴａ膜をＳｉＯ２の
含有量が２０重量％以上と多いＣｒ−ＳｉＯ２焼結体表
面に形成した場合、従来のＣｕ膜を形成した場合よりも
極めて高い密着性が得られたことによるものである。な
お、本発明において、Ｔｉ、ＣｒおよびＴａ膜とＣｒ−
ＳｉＯ２焼結体との密着強度が高いのは、これらの金属
は酸素に対して活性であり極めて酸化されやすいため、
Ｃｒ−ＳｉＯ２焼結体中のＳｉＯ２と酸素を介して強固
な結合状態を得るためと考えられる。また、本発明にお
いて、ＳｉＯ２を２０重量％以上としたのは、ＳｉＯ２
が２０重量％未満ではＣｒの含有量が多いために従来の
Ｃｕ膜で十分であり、Ｔｉ、ＣｒおよびＴａの薄膜を形
成する意味が少ないためである。なお、上述したように
、Ｔｉ、ＣｒおよびＴａは酸化されやすいため、ターゲ
ット材をバッキングプレートと接合するまでに酸化され
る雰囲気にさらす工程が必要な場合はＴｉ、Ｃｒおよび
Ｔａの薄膜の上にＮｉの保護膜を作成することが必要で
ある。 また、本発明において、Ｔｉ、ＣｒおよびＴａから選ば
れた薄膜の厚さを０．０５〜２．０μｍとしたのは、０
．０５μｍ以下では薄膜形成の効果がなく、２．０μｍ
以上では、形成した膜の内部応力により膜剥がれが発生
する場合があるためである。
含有量が２０重量％以上と多いＣｒ−ＳｉＯ２焼結体表
面に形成した場合、従来のＣｕ膜を形成した場合よりも
極めて高い密着性が得られたことによるものである。な
お、本発明において、Ｔｉ、ＣｒおよびＴａ膜とＣｒ−
ＳｉＯ２焼結体との密着強度が高いのは、これらの金属
は酸素に対して活性であり極めて酸化されやすいため、
Ｃｒ−ＳｉＯ２焼結体中のＳｉＯ２と酸素を介して強固
な結合状態を得るためと考えられる。また、本発明にお
いて、ＳｉＯ２を２０重量％以上としたのは、ＳｉＯ２
が２０重量％未満ではＣｒの含有量が多いために従来の
Ｃｕ膜で十分であり、Ｔｉ、ＣｒおよびＴａの薄膜を形
成する意味が少ないためである。なお、上述したように
、Ｔｉ、ＣｒおよびＴａは酸化されやすいため、ターゲ
ット材をバッキングプレートと接合するまでに酸化され
る雰囲気にさらす工程が必要な場合はＴｉ、Ｃｒおよび
Ｔａの薄膜の上にＮｉの保護膜を作成することが必要で
ある。 また、本発明において、Ｔｉ、ＣｒおよびＴａから選ば
れた薄膜の厚さを０．０５〜２．０μｍとしたのは、０
．０５μｍ以下では薄膜形成の効果がなく、２．０μｍ
以上では、形成した膜の内部応力により膜剥がれが発生
する場合があるためである。
【０００６】
【実施例】（実施例１）ＳｉＯ２が３４重量％のＣｒ−
ＳｉＯ２焼結体のバッキングプレートとの接合面に表１
に示すメタライズ物質を表１に示す厚さの薄膜としてイ
オンプレーティングにより形成した。なお、本発明の場
合は酸化防止のためにＮｉ膜を２μｍを形成した。作成
した薄膜の密着強度を評価するために、形成した薄膜を
焼結体表面から一部引き剥がし、接合強度と薄膜の接合
面積率を求めた。なお今までの経験から、冷却不良や膜
厚の変動を防止するのに十分な接合面積は約８５％以上
であることがわかっている。表１にその結果を示す。表
１に示したように、本発明では接合強度が比較例に比べ
て極めて大きく、Ｃｒ−ＳｉＯ２の焼結体ターゲットと
して極めて有効であることがわかる。
ＳｉＯ２焼結体のバッキングプレートとの接合面に表１
に示すメタライズ物質を表１に示す厚さの薄膜としてイ
オンプレーティングにより形成した。なお、本発明の場
合は酸化防止のためにＮｉ膜を２μｍを形成した。作成
した薄膜の密着強度を評価するために、形成した薄膜を
焼結体表面から一部引き剥がし、接合強度と薄膜の接合
面積率を求めた。なお今までの経験から、冷却不良や膜
厚の変動を防止するのに十分な接合面積は約８５％以上
であることがわかっている。表１にその結果を示す。表
１に示したように、本発明では接合強度が比較例に比べ
て極めて大きく、Ｃｒ−ＳｉＯ２の焼結体ターゲットと
して極めて有効であることがわかる。
【０００７】
【０００８】（実施例２）実施例１と同じ組成のＣｒ−
ＳｉＯ２焼結体のバッキングプレートとボンディングす
る面にＴｉを厚さ０．５μｍ、Ｎｉを厚さ２μｍ、Ｉｎ
を厚さ２μｍの順で高周波イオンプレーティング装置に
より蒸着した。また、Ｃｕ製のバッキングプレートのボ
ンデイング面にＩｎを厚さ２μｍになるように高周波イ
オンプレーティング装置により蒸着した。これらを２１
０℃に大気中で加熱し、これらにＩｎろうを盛り、Ｉｎ
ろうでボンディング面が一様にぬれたところで両者を接
合し、自然冷却した。図１に接合前の構成を示す。図１
において１はＣｒ−ＳｉＯ２焼結体、２はＴｉ膜、３は
Ｎｉ膜、４はＩｎ膜、５はＩｎろう、６はＣｕ製バッキ
ングプレートである。冷却後、超音波探傷装置により接
合状態を調査したところ、接合面積率は９４％であり、
良好な接合状態であることが確認された。
ＳｉＯ２焼結体のバッキングプレートとボンディングす
る面にＴｉを厚さ０．５μｍ、Ｎｉを厚さ２μｍ、Ｉｎ
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より蒸着した。また、Ｃｕ製のバッキングプレートのボ
ンデイング面にＩｎを厚さ２μｍになるように高周波イ
オンプレーティング装置により蒸着した。これらを２１
０℃に大気中で加熱し、これらにＩｎろうを盛り、Ｉｎ
ろうでボンディング面が一様にぬれたところで両者を接
合し、自然冷却した。図１に接合前の構成を示す。図１
において１はＣｒ−ＳｉＯ２焼結体、２はＴｉ膜、３は
Ｎｉ膜、４はＩｎ膜、５はＩｎろう、６はＣｕ製バッキ
ングプレートである。冷却後、超音波探傷装置により接
合状態を調査したところ、接合面積率は９４％であり、
良好な接合状態であることが確認された。
【０００９】（実施例３）ＳｉＯ２６０重量％、残部Ｃ
ｒよりなるＣｒ−ＳｉＯ２焼結体にバッキングプレート
とボンディングする面にＴｉ、ＣｒまたはＴａを厚さ０
．５μｍ、さらにその上にＮｉを厚さ２μｍ、Ｉｎを厚
さ２μｍの順で高周波イオンプレーティング装置により
蒸着し、Ｔｉ、ＣｒまたはＴａの膜を有する３つのター
ゲット材を作成した。また、これらと対になるＣｕ製の
バッキングプレートのボンデイング面にＩｎを厚さ２μ
ｍになるように高周波イオンプレーティング装置により
蒸着した。次にそれぞれを２１０℃に大気中で加熱し、
これらにＩｎろうを盛り、Ｉｎろうでボンディング面が
一様にぬれたところで両者を接合し、自然冷却した。冷
却後、超音波探傷装置により接合状態を調査したところ
、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｔａの各薄膜を形成した焼結体の接合面
積率はそれぞれ９５、９２、９４％であり良好な接合状
態であることが確認された。
ｒよりなるＣｒ−ＳｉＯ２焼結体にバッキングプレート
とボンディングする面にＴｉ、ＣｒまたはＴａを厚さ０
．５μｍ、さらにその上にＮｉを厚さ２μｍ、Ｉｎを厚
さ２μｍの順で高周波イオンプレーティング装置により
蒸着し、Ｔｉ、ＣｒまたはＴａの膜を有する３つのター
ゲット材を作成した。また、これらと対になるＣｕ製の
バッキングプレートのボンデイング面にＩｎを厚さ２μ
ｍになるように高周波イオンプレーティング装置により
蒸着した。次にそれぞれを２１０℃に大気中で加熱し、
これらにＩｎろうを盛り、Ｉｎろうでボンディング面が
一様にぬれたところで両者を接合し、自然冷却した。冷
却後、超音波探傷装置により接合状態を調査したところ
、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｔａの各薄膜を形成した焼結体の接合面
積率はそれぞれ９５、９２、９４％であり良好な接合状
態であることが確認された。
【００１０】（比較例）ＳｉＯ２６０重量％、残部Ｃｒ
よりなるＣｒ−ＳｉＯ２焼結体にバッキングプレートと
ボンディングする面にＣｕまたはＮｉを厚さ３μｍ、Ｉ
ｎを厚さ２μｍの順で高周波イオンプレーティング装置
により蒸着し、ＣｕまたはＮｉの膜を有する２つのター
ゲット材を作成した。また、これらと対になるＣｕ製の
バッキングプレートのボンデイング面にＩｎを厚さ２μ
ｍになるように高周波イオンプレーティング装置により
蒸着した。それぞれ２１０℃に大気中で加熱し、これら
にＩｎろうを盛り、Ｉｎろうでボンディング面が一様に
ぬれたところで両者を接合し、自然冷却した。Ｃｕおよ
びＮｉを直接のＣｒ−ＳｉＯ２焼結体表面に作成したこ
れらの比較例では、共にＣｕまたはＮｉ膜の部分的な剥
がれが発生し、ボンディング不良となった。
よりなるＣｒ−ＳｉＯ２焼結体にバッキングプレートと
ボンディングする面にＣｕまたはＮｉを厚さ３μｍ、Ｉ
ｎを厚さ２μｍの順で高周波イオンプレーティング装置
により蒸着し、ＣｕまたはＮｉの膜を有する２つのター
ゲット材を作成した。また、これらと対になるＣｕ製の
バッキングプレートのボンデイング面にＩｎを厚さ２μ
ｍになるように高周波イオンプレーティング装置により
蒸着した。それぞれ２１０℃に大気中で加熱し、これら
にＩｎろうを盛り、Ｉｎろうでボンディング面が一様に
ぬれたところで両者を接合し、自然冷却した。Ｃｕおよ
びＮｉを直接のＣｒ−ＳｉＯ２焼結体表面に作成したこ
れらの比較例では、共にＣｕまたはＮｉ膜の部分的な剥
がれが発生し、ボンディング不良となった。
【００１１】
【発明の効果】本発明によれば、ＳｉＯ２の含有量の多
いＣｒ−ＳｉＯ２焼結体のターゲットをバッキングプレ
ートに強固に接合できるため、ターゲットのスパッタリ
ング期間中に冷却不良による割れが発生を防止できると
ともに、ターゲットの導通がなくなることも防げるため
、ＬＳＩ技術に重要な構成要素である薄膜抵抗体を安定
して製造できるという効果を有する。
いＣｒ−ＳｉＯ２焼結体のターゲットをバッキングプレ
ートに強固に接合できるため、ターゲットのスパッタリ
ング期間中に冷却不良による割れが発生を防止できると
ともに、ターゲットの導通がなくなることも防げるため
、ＬＳＩ技術に重要な構成要素である薄膜抵抗体を安定
して製造できるという効果を有する。
【図１】本発明のターゲット材とバッキングプレートと
の接合状態を説明する図である。
の接合状態を説明する図である。
１ Ｃｒ−ＳｉＯ２焼結体
２ Ｔｉ膜
３ Ｎｉ膜
４ Ｉｎ膜
５ Ｉｎろう
６ Ｃｕ製バッキングプレート
Claims (3)
- 【請求項１】 ＳｉＯ２２０重量％以上、残部Ｃｒよ
りなる焼結体のバッキングプレートと接合されるべき面
の一部または全部にＴｉ、ＣｒおよびＴａよりなる群か
ら選ばれた薄膜が形成されていることを特徴とするクロ
ム−珪素酸化物系ターゲット材。 - 【請求項２】 前記薄膜は膜厚が０．０５〜２．０μ
ｍであることを特徴とする請求項１に記載のクロム−珪
素酸化物系ターゲット材。 - 【請求項３】 Ｔｉ、ＣｒおよびＴａよりなる群から
選ばれた薄膜の上にＮｉ膜が形成されていることを特徴
とする請求項１に記載のクロム−珪素酸化物系ターゲッ
ト材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3094836A JPH04304369A (ja) | 1991-04-01 | 1991-04-01 | クロム−珪素酸化物系ターゲット材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3094836A JPH04304369A (ja) | 1991-04-01 | 1991-04-01 | クロム−珪素酸化物系ターゲット材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04304369A true JPH04304369A (ja) | 1992-10-27 |
Family
ID=14121132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3094836A Pending JPH04304369A (ja) | 1991-04-01 | 1991-04-01 | クロム−珪素酸化物系ターゲット材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04304369A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107755837A (zh) * | 2016-08-18 | 2018-03-06 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 靶材组件的制造方法 |
| KR20190112627A (ko) * | 2018-03-26 | 2019-10-07 | 제이엑스금속주식회사 | 스퍼터링 타깃 부재, 스퍼터링 타깃 조립체 및 스퍼터링 타깃 부재의 제조 방법 |
| CN115124330A (zh) * | 2022-07-04 | 2022-09-30 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 一种氧化硅陶瓷靶坯的制备方法 |
-
1991
- 1991-04-01 JP JP3094836A patent/JPH04304369A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107755837A (zh) * | 2016-08-18 | 2018-03-06 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 靶材组件的制造方法 |
| CN107755837B (zh) * | 2016-08-18 | 2020-04-28 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 靶材组件的制造方法 |
| KR20190112627A (ko) * | 2018-03-26 | 2019-10-07 | 제이엑스금속주식회사 | 스퍼터링 타깃 부재, 스퍼터링 타깃 조립체 및 스퍼터링 타깃 부재의 제조 방법 |
| JP2019173046A (ja) * | 2018-03-26 | 2019-10-10 | Ｊｘ金属株式会社 | スパッタリングターゲット部材、スパッタリングターゲット組立体及びスパッタリングターゲット部材の製造方法 |
| CN110359020A (zh) * | 2018-03-26 | 2019-10-22 | Ｊｘ金属株式会社 | 溅射靶部件、溅射靶装配体以及溅射靶部件的制造方法 |
| CN110359020B (zh) * | 2018-03-26 | 2022-01-11 | Ｊｘ金属株式会社 | 溅射靶部件、溅射靶装配体以及溅射靶部件的制造方法 |
| CN115124330A (zh) * | 2022-07-04 | 2022-09-30 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 一种氧化硅陶瓷靶坯的制备方法 |
| CN115124330B (zh) * | 2022-07-04 | 2023-09-08 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 一种氧化硅陶瓷靶坯的制备方法 |
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