SU902682A3 - Способ получени микроструктур - Google Patents
Способ получени микроструктур Download PDFInfo
- Publication number
- SU902682A3 SU902682A3 SU742048956A SU2048956A SU902682A3 SU 902682 A3 SU902682 A3 SU 902682A3 SU 742048956 A SU742048956 A SU 742048956A SU 2048956 A SU2048956 A SU 2048956A SU 902682 A3 SU902682 A3 SU 902682A3
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- layer
- gold
- bath
- thickness
- alloy
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 12
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 28
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 27
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 26
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 13
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 12
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 11
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 2
- 229910003271 Ni-Fe Inorganic materials 0.000 claims 6
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 claims 5
- NNFCIKHAZHQZJG-UHFFFAOYSA-N potassium cyanide Chemical compound [K+].N#[C-] NNFCIKHAZHQZJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 claims 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 1
- LNOPIUAQISRISI-UHFFFAOYSA-N n'-hydroxy-2-propan-2-ylsulfonylethanimidamide Chemical compound CC(C)S(=O)(=O)CC(N)=NO LNOPIUAQISRISI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims 1
- 238000005554 pickling Methods 0.000 claims 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 claims 1
- FAGUFWYHJQFNRV-UHFFFAOYSA-N tetraethylenepentamine Chemical compound NCCNCCNCCNCCN FAGUFWYHJQFNRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
I
Изобретение относитс к способам получени микроструктур металлов или сплавов и может быть использовано при изготовлении манипул ционных образцов накопителей и монтаже интегральных схем.
Известен способ изготовлени микроструктур , основанный на формировании рисунка в слое металла путем его травлени через маску из фоторезиста L .
Недостатком этого способа вл етс значительное подтравливание, т.е. боковое сн тие сло в област х, защищенных фоторезистом. НаиЬолее близким к предлагаемому вл етс способ получени микроструктур включающий формирование маски из фоторезиста на тонкой пленке металла или сплава, гальваническое осаткдение через маску из фоторезиста подсло золота, основного сло металла или сплава и защитного сло золота, удаление маски из фоторезиста , а также расположенных под ней
участков тонкой пленки металла или сплава химическим травлением 2 .
Однако известный способ не позвол ет устранить боковое подтравли5 вание металлической пленки, что снижает качество микроструктур.
Цель изобретени - повьппение качества микроструктур путем устранени подтравливани .
;f) Поставленна цель достигаетс тем, что в способе получени микроструктур , включающем нанесение на диэлектрическую подложку сплошной пленки металла или сплава, формирование на ней маски из фоторезиста,
последовательное гальваническое осаждение подсло золота, основного сло металла или сплава и защитного сло золота на участках, незащищенных фоторезистом, удаление маски -из фоторезиста и расположенных под ней участков сплошной тонкой плёнки металла или сплава, удаление упом нутых участков сплошной тонкой пленки
Claims (3)
- 25 металла или сплава провод т путем погружени подложки в слабокислую ванну золота и последу1оп1его травлени образовавшегос сло золота. В качестве материала сплошной тонкой пленки и основного сло используют железоникелевый сплав. При чем травление сло золота провод т в растворе цианистого кали . Способ позвол ет получить микроструктуры желаемых размеров, обычно Б пределах от 5 до 30 мкм. Равномерна толщина элементов структуры обеспечиваетс благодар тонкому подслою золота. Уменьшение бокового подтравливав НИН достигаетс за счет электрохимической обработки подложки на заключительной стадии процесса в слабо кислой ванне золота, в результате чего происходит замена участков сплошной пленки металла золотом, ко торый легко стравливаетс в раствор дл удалени золота. Способ предпочтительно пригоден дл изготовлени манипул ционного образца дл накопител , использующе го цилиндрические домены. На фиг. 1-3 изображено устройство , реализующее предлагаемый способ . На подложку 1, например из стекл керамики или иного дизлектрика, напьш ют тонкую сплошную пленку 2Ni Fe толщиной 200-300 А , на этот слой нанос т слой 3 фоторезиста. Из сло 3 фоторезиста с помощью фотолитографии формируют- маску, образующую соответствующие каналы 4 микроструктуры Ni-Fe. . Далее на незащищенные участки Ni-Fe гальваническим путем в ванне золота осаждают подслой 5 золота толщиной около 600 А, которьп усили ваетс гальвайическим путем основным слоем 6 Ni-Fe толщиной около 10000 А (фиг. 2 и З). На основной слой 6 Ni-Fe гальваническим путем осаждаетс защитный слой 7 золота. В заключение снимаетс остаточньй слой 3 фоторезиста и покрытую таким образом подложку.помещают в слабокислую ванну золота, причем через несколько минут весь нёусиленный слой , в данном случае толщиной 300 А,-удал етс и замен етс слоем золота соответствующей толщины который стравливаетс просто с помощью средства дл травлени золота, например разбавленным раствором KCN. При обработке используетс слабокисла ванна золота следующего состава , г/л: Цианоаурат кали K(Au(CN)j,4 Сульфаминова кислота NSOjNHj 60 Тетраэтиленпентамин NHj (CHjCHjNH), К этой ванне добавл ют 100-200 мл глицерина на 1 л, при , рН 5. В ванне проходит реакци обмена, вызываема разнЬстью потенциаловj возникающей между NI-Fe и Аи, причем Ni-Fe переходит в раствор и замен етс эквивалентным количеством Аи. Весь слой Nl-Fe, обычно толщиной 200-300 А,раствор етс в течение нескольких минут и замен етс слоем золота , соответствукщей толщины. Слой золота стравливают разбавленным раствором KCN без повреждени гальванически нанесенного сло Ni-Fe. Примен емые ранее травильные растворы дл Ni-Fe, например раствор FeClj, воздействуют на гальванически усиленный слой Ni-Fe,так что при удалении сло толщиной 200-300 Л значительно стравливаетс также толстый слой . В предлагаемом же способе с использованием обработки в слабокислой ванне золота, наоборот, с более толстого сло Ni Fe снимаетс только 200-300 А Ni-Fe. Формула изобретени 1. Способ получени микроструктур, включающий нанесение на диэлектрическую подложку сплошной тонкой пленки металла или сплава, формирование на ней маски из фоторезиста, последоательное гальваническое осаждение подсло золота, основного сло метала или сплава и защитного сло. золота на участках, незащищенньк фоторезистом , удаление маски из фоторезиса и расположенных под ней участков сплошной тонкой пленки металла или сплава, отличающийс ем, что, с целью повышени качества икроструктур путем устранени подравливани , удаление упом нутых частков сплошной тонкой пленки металпа или сплава провод т путем погружени подложки в слабокислую ванну золота и последующего травлени обра-, зовавшегос слб золота,
- 2. Способ по п. . о т л и ч а ющ и и с тем, что в качестве материала сплошной тонкой пленки и основного сло используют железоникелевый сплав.
- 3.Способ по пп. I и 2, о т л ичающийс тем, что травлениесло .золота провод т в растворе цианистого кали .Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе1. Верри Р. и др . Тонкопленочна технологи . М., Энерги , 1972, с. 114-121.2; Технологи толстых и тонких пленок. Под. ред. А. Рейсмана и К. Роуза. М., Мир, 1972, с. 130 (прототип)./://..-X-.VVт.1
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU742048956A SU902682A3 (ru) | 1974-07-12 | 1974-07-12 | Способ получени микроструктур |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU742048956A SU902682A3 (ru) | 1974-07-12 | 1974-07-12 | Способ получени микроструктур |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU902682A3 true SU902682A3 (ru) | 1982-01-30 |
Family
ID=20592612
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU742048956A SU902682A3 (ru) | 1974-07-12 | 1974-07-12 | Способ получени микроструктур |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU902682A3 (ru) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100386276C (zh) * | 2005-11-04 | 2008-05-07 | 深圳创维－Rgb电子有限公司 | 一种镜画视窗薄钢化玻璃的制作方法 |
| WO2014039072A1 (en) * | 2012-09-07 | 2014-03-13 | R&D Circuits, Inc. | Method and structure for forming contact pads on a printed circuit board using zero under- cut technology |
-
1974
- 1974-07-12 SU SU742048956A patent/SU902682A3/ru active
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100386276C (zh) * | 2005-11-04 | 2008-05-07 | 深圳创维－Rgb电子有限公司 | 一种镜画视窗薄钢化玻璃的制作方法 |
| WO2014039072A1 (en) * | 2012-09-07 | 2014-03-13 | R&D Circuits, Inc. | Method and structure for forming contact pads on a printed circuit board using zero under- cut technology |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100397860B1 (ko) | 반응성이온에칭법및그장치 | |
| US20200399770A1 (en) | Metal mask substrate for vapor deposition, metal mask for vapor deposition, production method for metal mask substrate for vapor deposition, and production method for metal mask for vapor deposition | |
| US5458985A (en) | Stamper | |
| US8070970B2 (en) | UV-LIGA process for fabricating a multilayer metal structure having adjacent layers that are not entirely superposed, and the structure obtained | |
| US3901770A (en) | Method for the production of microscopically small metal or metal alloy structures | |
| US4454014A (en) | Etched article | |
| CN100505159C (zh) | 非平面表面金属微细图形化的方法 | |
| SU902682A3 (ru) | Способ получени микроструктур | |
| EP0146796A2 (en) | Process for the fabrication of thin film magnetic transducer gaps by lift-off | |
| JPH02149691A (ja) | 金属マトリックスの製造方法 | |
| US6767477B2 (en) | Etching process to selectively remove copper plating seed layer | |
| JPH037756B2 (ru) | ||
| US4363705A (en) | Passivating and silver removal method | |
| JP2504662B2 (ja) | 印刷版およびその製造方法 | |
| JP2006303454A (ja) | ナノインプリント用モールドとその製造方法、凹凸パターンの転写方法、凹部を有する部材の製造方法 | |
| JPH117663A (ja) | スタンパの製造方法 | |
| JP2001121582A (ja) | 金型およびその製造方法 | |
| US20220415664A1 (en) | Structure manufacturing method | |
| JP4164592B2 (ja) | スタンパの製造方法 | |
| RU2755571C1 (ru) | Способ изготовления гравюры на металле | |
| JPS5857908B2 (ja) | 薄膜構造体の形成方法 | |
| JPS5920486A (ja) | 精密成形用金型の製造方法 | |
| Littwin | Bubble circuit fabrication by electrodeposition | |
| RU2414548C2 (ru) | Способ гальванопластического восстановления рельефа на металлической поверхности | |
| JP2002256474A (ja) | 微細構造物の製造方法 |