JPS5920486A - 精密成形用金型の製造方法 - Google Patents
精密成形用金型の製造方法Info
- Publication number
- JPS5920486A JPS5920486A JP12591882A JP12591882A JPS5920486A JP S5920486 A JPS5920486 A JP S5920486A JP 12591882 A JP12591882 A JP 12591882A JP 12591882 A JP12591882 A JP 12591882A JP S5920486 A JPS5920486 A JP S5920486A
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- Japan
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- layer
- film
- hard film
- matrix
- mold
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- Pending
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- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「発明の技術分野」
この発明は、Iひ型より転写して作製する金型の製造方
法に関する。
法に関する。
[発明の技術的背景とその問題屯]
従来、ビデオディスク等の情報記録盤を製造するには、
まずフォトレジストを塗布したガラス原盤に記録信号等
を凹凸形状にレーザービームで記録し、原盤を形成する
。この原盤から、ニッケルメッキまたは銅メッキによっ
てマスター、マザー、スタンパ−を順次作成する。そし
て、スタンノシーを金型として4電性力ゝ−ボン粒子を
成形用組成物に分散させたものを圧縮成形して、静電容
量方式の記録盤を製造するよう圧している0 と(二ろで、該成形用組成物中には、重金属、カーボン
粒子等の研摩性粒子が含まれており、前記スタンパ−を
用いて圧縮成形を行なうと、この研摩性粒子によりスタ
ンパ−表面に傷が生じ、この傷が次の記録盤上に転写さ
れて記録盤の再生中に不都合な「イ1子的欠陥を生ずる
という問題がある。
まずフォトレジストを塗布したガラス原盤に記録信号等
を凹凸形状にレーザービームで記録し、原盤を形成する
。この原盤から、ニッケルメッキまたは銅メッキによっ
てマスター、マザー、スタンパ−を順次作成する。そし
て、スタンノシーを金型として4電性力ゝ−ボン粒子を
成形用組成物に分散させたものを圧縮成形して、静電容
量方式の記録盤を製造するよう圧している0 と(二ろで、該成形用組成物中には、重金属、カーボン
粒子等の研摩性粒子が含まれており、前記スタンパ−を
用いて圧縮成形を行なうと、この研摩性粒子によりスタ
ンパ−表面に傷が生じ、この傷が次の記録盤上に転写さ
れて記録盤の再生中に不都合な「イ1子的欠陥を生ずる
という問題がある。
この問題を解決するために、通常はスタンパ−表面に0
.1〔μm〕前後のクロムメッキを施し、核表面を保護
するようにしている。また、特開昭56−34430に
おいては、クロムを含む薄膜を、母型表面の凹凸を正f
f4 K転写しているスタンパ−表面に被着することに
よりスタンパ−の耐傷性の向上を計るという提案がなさ
れている。
.1〔μm〕前後のクロムメッキを施し、核表面を保護
するようにしている。また、特開昭56−34430に
おいては、クロムを含む薄膜を、母型表面の凹凸を正f
f4 K転写しているスタンパ−表面に被着することに
よりスタンパ−の耐傷性の向上を計るという提案がなさ
れている。
しかし、母型表面の凹凸を正確に転写しているスタンパ
−表面に硬質膜を被着する古、信号の正確な転写が著し
く妨げられる。さらに0.1〔1lIn〕前後のクロム
メッキ厚ではクロムメッキ固有の硬度を得ることも不可
能である。
−表面に硬質膜を被着する古、信号の正確な転写が著し
く妨げられる。さらに0.1〔1lIn〕前後のクロム
メッキ厚ではクロムメッキ固有の硬度を得ることも不可
能である。
そこで、特開昭−49−103846では硬質合金メッ
キを、また特開昭50−23453ではニッケル硼素、
合金メッキをそれぞれ母型表面に形成した後、該合金メ
ッキ層上に電鋳によシ金型本体を肉づけし、該合金メッ
キ層吉母型との間で剥離することによυ金型を製造する
方法が提案されている。
キを、また特開昭50−23453ではニッケル硼素、
合金メッキをそれぞれ母型表面に形成した後、該合金メ
ッキ層上に電鋳によシ金型本体を肉づけし、該合金メッ
キ層吉母型との間で剥離することによυ金型を製造する
方法が提案されている。
しかし、これらの方法で得られるスタンパ−の表面、す
なわち合金層は、成形用組成物中に含まれる安定剤によ
る汚染を受は易いという欠点を有する。
なわち合金層は、成形用組成物中に含まれる安定剤によ
る汚染を受は易いという欠点を有する。
このため、信号の転写性を損ねることなく、スタンパ−
表面の硬度を大きくする方法の実現が望まれている。ま
た、この方法の確立は、ビデオディスクのスタンパ−に
限らず、表面硬質化を必要とする他の精密成型用金型の
製造の分野でも強く[発明の目的] この発明は、上把欠曳を解決するだめに成されたもので
、精密成形用金型表面の凹凸が、Rh型上の凹凸を正確
に転写し、しかもその表面硬度を犬ならしめる鞘密成形
用金型の製造方法を提供することを目的とするものであ
る。
表面の硬度を大きくする方法の実現が望まれている。ま
た、この方法の確立は、ビデオディスクのスタンパ−に
限らず、表面硬質化を必要とする他の精密成型用金型の
製造の分野でも強く[発明の目的] この発明は、上把欠曳を解決するだめに成されたもので
、精密成形用金型表面の凹凸が、Rh型上の凹凸を正確
に転写し、しかもその表面硬度を犬ならしめる鞘密成形
用金型の製造方法を提供することを目的とするものであ
る。
[発明の概要]
こ・の発明は、転写により金型を製造するに際し母型表
面に^空蒸着法を用いて硬質膜を被着した後、該硬質膜
上に電鋳に−C金属を肉づけし、上記母型を上記硬質膜
より剥離するようにした方法である。
面に^空蒸着法を用いて硬質膜を被着した後、該硬質膜
上に電鋳に−C金属を肉づけし、上記母型を上記硬質膜
より剥離するようにした方法である。
[発明の効果]
この発明によれば、予め母型表面に対し゛C硬質膜を真
空蒸着法によシ被着するので、母型表面の凹凸を重鐘に
転写し、しかも表面硬度の大きい金型を製造するこ吉が
できる。このため、ビデオディスク用のスタンパ−の製
造に応用した場合、成形用組成物中の研摩性粒子による
掻傷の発生を極力抑えることが可能となる。また、クロ
ム、モリブデン、タングステンのいずれも成形用組成物
中の安定剤による汚染を受けにくい。従って、以上の改
からスタンパ−の寿命を著しく伸ばすことができる。
空蒸着法によシ被着するので、母型表面の凹凸を重鐘に
転写し、しかも表面硬度の大きい金型を製造するこ吉が
できる。このため、ビデオディスク用のスタンパ−の製
造に応用した場合、成形用組成物中の研摩性粒子による
掻傷の発生を極力抑えることが可能となる。また、クロ
ム、モリブデン、タングステンのいずれも成形用組成物
中の安定剤による汚染を受けにくい。従って、以上の改
からスタンパ−の寿命を著しく伸ばすことができる。
また、真空蒸着法では、膜厚分布の調節が湿式のメッキ
法よりも容易であるだめ、均一な硬質膜を再現性良く形
成することができ、極めて有用性が高い。
法よりも容易であるだめ、均一な硬質膜を再現性良く形
成することができ、極めて有用性が高い。
[発明の実施例]
以下図面を参照して、この発明を詳411に説明する。
第1図乃至第4図は本発明に(ifっで、母型から転写
により精密成型用金型を製造する工程を示す断面図であ
る。まず、第1図に示すようにマザー1を最表面層から
内部に向って数]0 (X、]にわたって、5 % N
aOH水溶液中、謳°0、浴電圧5vで逆電流処理によ
り剥離促進層2を形成させた。
により精密成型用金型を製造する工程を示す断面図であ
る。まず、第1図に示すようにマザー1を最表面層から
内部に向って数]0 (X、]にわたって、5 % N
aOH水溶液中、謳°0、浴電圧5vで逆電流処理によ
り剥離促進層2を形成させた。
次に、第2図に示すようにこのマザーlを真空蒸着装置
内に設置l〜、1O−5(TorrJの真空中で顆粒状
99.9%のクロムをタングステンボート上でt 80
0〔C〕で昇華させて厚さ1.Q (It m)のクロ
ム膜(硬質膜)3を被着1〜た。
内に設置l〜、1O−5(TorrJの真空中で顆粒状
99.9%のクロムをタングステンボート上でt 80
0〔C〕で昇華させて厚さ1.Q (It m)のクロ
ム膜(硬質膜)3を被着1〜た。
以上のようにして形成されたクロム膜の表面を96チの
エタノール95容と塩酸(比重1.18) 5容の混合
溶液中で、ステンレス陰極に対し、7〔v〕、6Q(s
ec)の栄件の下でエツチングした後、該クロム膜上へ
、さらに下M+2 組成のメッキ浴を用いて25(’O
)、陰極電流密度10 (A/d+n2) 、 、l
ツキ時間5〔min〕にお・いてニッケル・ストライク
メッキ層4を形成した(第3図)。
エタノール95容と塩酸(比重1.18) 5容の混合
溶液中で、ステンレス陰極に対し、7〔v〕、6Q(s
ec)の栄件の下でエツチングした後、該クロム膜上へ
、さらに下M+2 組成のメッキ浴を用いて25(’O
)、陰極電流密度10 (A/d+n2) 、 、l
ツキ時間5〔min〕にお・いてニッケル・ストライク
メッキ層4を形成した(第3図)。
ニッケルストライク用メッキ浴組成:
さらに、該ニッケルストライクメッキ層4の」二に、下
記組成のメッキ浴を用いて、50 (’O) 、陰極電
流密度5(&am2)、PH4の条件でスルフアミノ酸
ニッケルメッキを施し、所要厚さのニッケル電鋳層5を
肉付けした(第3図)。
記組成のメッキ浴を用いて、50 (’O) 、陰極電
流密度5(&am2)、PH4の条件でスルフアミノ酸
ニッケルメッキを施し、所要厚さのニッケル電鋳層5を
肉付けした(第3図)。
スルファミン酸ニッケルメッキ浴組成:スルフアミノ酸
ニッケル 450 (Il )ニッケル′「ニ鋳層5の
形成が終った後、クロム層3とマザーl(剥離促進層2
を含む)の間で剥離を行ない、第4図に示すようなスタ
ンパ−6を得だ。
ニッケル 450 (Il )ニッケル′「ニ鋳層5の
形成が終った後、クロム層3とマザーl(剥離促進層2
を含む)の間で剥離を行ない、第4図に示すようなスタ
ンパ−6を得だ。
上記方法により得られるスタンパ−の表面硬度と膜厚を
第1表に示した。また比較例1として、マザーlの表面
に剥離促進処理を施し、この而に対して先と同条件でス
ルフアミノ酸ニッケル浴中で電解ニッケルメッキを行な
いニッケル電鋳層を形成した後、これをマザーより剥離
してスタンパ−としだ。比較例2として、比較例1で得
たスタンパ−を下記組成のメッキ浴に浸漬し、50 (
Q)、陰極電流密度30 (A/dm2)の条件で電解
クロムメッキを行ない、厚さ0.1(z1m’)のクロ
ムを被着した。
第1表に示した。また比較例1として、マザーlの表面
に剥離促進処理を施し、この而に対して先と同条件でス
ルフアミノ酸ニッケル浴中で電解ニッケルメッキを行な
いニッケル電鋳層を形成した後、これをマザーより剥離
してスタンパ−としだ。比較例2として、比較例1で得
たスタンパ−を下記組成のメッキ浴に浸漬し、50 (
Q)、陰極電流密度30 (A/dm2)の条件で電解
クロムメッキを行ない、厚さ0.1(z1m’)のクロ
ムを被着した。
比較例1、比較例2で得られたスタンパ−の表面硬度と
膜厚を実施例と同様に第1表に示しだ。
膜厚を実施例と同様に第1表に示しだ。
以下余白
この第1表より、硬度は比較例1に対して比較v/ll
2 i 1.4〜1.8 倍、実mli 例ハ3.7
〜4.6 倍増j)rJ L、 でいると吉が判る。
2 i 1.4〜1.8 倍、実mli 例ハ3.7
〜4.6 倍増j)rJ L、 でいると吉が判る。
さらに、実施例、比較例1、比較例2で得られたスタン
パ−における中心文シ牛径100 (mm)付近のデ、
−ティー比の測定値を、第2表に示した。
パ−における中心文シ牛径100 (mm)付近のデ、
−ティー比の測定値を、第2表に示した。
チー−ティー比は、スタンパ−表面にり0 ム)ツキを
施す方式の比較例2は高くなっているが、実施例、比較
例1は(3)〔チ〕に近い49〔%〕を示しており、記
録転写性に優れていることが判る。このように本実施例
の方法によれば、記録転写性から生じる信号再生特性を
低下させると(!:なく、スタンパ−の硬度を上昇させ
るこ吉ができる)なお・、本発明は上記実施例に限定さ
れるものではなく、種々変形して実施するこ吉が可能で
ある。
施す方式の比較例2は高くなっているが、実施例、比較
例1は(3)〔チ〕に近い49〔%〕を示しており、記
録転写性に優れていることが判る。このように本実施例
の方法によれば、記録転写性から生じる信号再生特性を
低下させると(!:なく、スタンパ−の硬度を上昇させ
るこ吉ができる)なお・、本発明は上記実施例に限定さ
れるものではなく、種々変形して実施するこ吉が可能で
ある。
例えば、真空蒸着法による各種の条件や膜厚等は適宜変
更できる。さらに、硬質膜としてはクロムに限らず、タ
ングステンあるいはモリブデンでも良い。また、ビデオ
ディスクのスタンパ−に限らず、表面の硬化を必要とす
る各種の精密成形金型に適用できる。
更できる。さらに、硬質膜としてはクロムに限らず、タ
ングステンあるいはモリブデンでも良い。また、ビデオ
ディスクのスタンパ−に限らず、表面の硬化を必要とす
る各種の精密成形金型に適用できる。
第1図乃至第4図はそれぞれ、本発明の金型の製造方法
を製造工程順に示す図である。 l・・・マザー、2・・剥離促進層、 3・・・クロム蒸着膜(硬質膜)、 4・・ニッケルストライクメッキ層、
を製造工程順に示す図である。 l・・・マザー、2・・剥離促進層、 3・・・クロム蒸着膜(硬質膜)、 4・・ニッケルストライクメッキ層、
Claims (2)
- (1)転写によυ金型を製造するに際し、Lひ型表面に
真空蒸着法を用いて硬質膜を被着し、次いで該硬質膜上
に電鋳にて金属を被着した後、上記母型を上記硬質膜よ
シ剥離するようにしたことを特徴とする金型表面に該硬
質膜を有する精密成形用金型の製造方法。 - (2)前記硬質膜さして、クロム、モルブデン、り製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12591882A JPS5920486A (ja) | 1982-07-21 | 1982-07-21 | 精密成形用金型の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12591882A JPS5920486A (ja) | 1982-07-21 | 1982-07-21 | 精密成形用金型の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5920486A true JPS5920486A (ja) | 1984-02-02 |
Family
ID=14922155
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12591882A Pending JPS5920486A (ja) | 1982-07-21 | 1982-07-21 | 精密成形用金型の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5920486A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02173284A (ja) * | 1988-12-24 | 1990-07-04 | Nippon Columbia Co Ltd | スタンパ |
| US5335526A (en) * | 1991-01-29 | 1994-08-09 | Garrison Marvin C | Method of manufacturing substrates for memory disks |
| US6866979B2 (en) | 1996-04-15 | 2005-03-15 | 3M Innovative Properties Company | Laser addressable thermal transfer imaging element with an interlayer |
| US7534543B2 (en) | 1996-04-15 | 2009-05-19 | 3M Innovative Properties Company | Texture control of thin film layers prepared via laser induced thermal imaging |
-
1982
- 1982-07-21 JP JP12591882A patent/JPS5920486A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02173284A (ja) * | 1988-12-24 | 1990-07-04 | Nippon Columbia Co Ltd | スタンパ |
| US5335526A (en) * | 1991-01-29 | 1994-08-09 | Garrison Marvin C | Method of manufacturing substrates for memory disks |
| US6866979B2 (en) | 1996-04-15 | 2005-03-15 | 3M Innovative Properties Company | Laser addressable thermal transfer imaging element with an interlayer |
| US7226716B2 (en) | 1996-04-15 | 2007-06-05 | 3M Innovative Properties Company | Laser addressable thermal transfer imaging element with an interlayer |
| US7534543B2 (en) | 1996-04-15 | 2009-05-19 | 3M Innovative Properties Company | Texture control of thin film layers prepared via laser induced thermal imaging |
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