TH12653B - เครื่องมือสำหรับการกระทำด้วยพลาสมาว่องไวและวิธีการ - Google Patents

เครื่องมือสำหรับการกระทำด้วยพลาสมาว่องไวและวิธีการ

Info

Publication number
TH12653B
TH12653B TH9201001181A TH9201001181A TH12653B TH 12653 B TH12653 B TH 12653B TH 9201001181 A TH9201001181 A TH 9201001181A TH 9201001181 A TH9201001181 A TH 9201001181A TH 12653 B TH12653 B TH 12653B
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
plasma
substrate
reaction chamber
coating
instrument
Prior art date
Application number
TH9201001181A
Other languages
English (en)
Other versions
TH14372A (th
Inventor
ที เฟลท์ส นายจอห์น
Original Assignee
วอลเม็ต เจนเนอรัล ลิมิเต็ด
Filing date
Publication date
Application filed by วอลเม็ต เจนเนอรัล ลิมิเต็ด filed Critical วอลเม็ต เจนเนอรัล ลิมิเต็ด
Publication of TH14372A publication Critical patent/TH14372A/th
Publication of TH12653B publication Critical patent/TH12653B/th

Links

Abstract

เครื่องมือสำหรับกระทำด้วยพลาสมามีประโยชน์สำหรับการเคลือบสับสเตรทเข้ากับฟิล์มบางที่มีสมบัติเป็นขั้นกั้นโอในอัตราการพอกพูนที่ค่อนข้าเร็ว เครื่องมือนี้ประกบด้วยห้องทำปฏิกิริยาที่เอาอากาศออกได้ อีเลคโทรดพลังไฟฟ้าที่กำหนดพื้นผิวที่หันหน้าเข้หาพลาสมาภายในห้องทำปฏิกิริยาและส่วนกำบังที่กั้นเป็นช่องที่มีระยะห่าง ตามขวางจากพื้นผิวที่หันหน้าเชข้หาพลาสมา ในช่วงระหว่างการกระทำด้วยพลาสมาพลาสมาจะได้รักบารกัดให้อยู่ห่างในระยะ ในขณะที่มีการป้อนสับสเตรทอย่างต่อเนื่องสู่พลาสมาที่ได้รับการกักไว้

Claims (19)

1.เครื่องมือสำหรับกระทำด้วยพลาสมาที่ประกอบด้วย: ห้องทำปฏิกิริยาที่ระบายอากาศออกได้; อุปกรณ์สำหรับสร้างพลาสมาภายในห้องทำปฏิกิริยา โดยอุปกรณ์สำหรับสร้างพลาสมาประกอบด้วยอีเลคโรดที่ทำงานด้วยไฟฟ้าที่กำหนดพื้นผิวที่อยู่ประชิดกับพลาสมาภายในห้องทำปฏิกิริยา อุปกรณ์สำหรับเชื่อมต่อไฟฟ้าจากอีเลคโรดไปยังสับสเทรตหนึ่ง ๆ เสมื่อสับสเทรตอยู่ภายในห้องทำปฏิกิริยาโดยการจัดวางพื้นผิวที่อยู่ประชิดกับพลาสมาไว้ในลูกกลิ้ง (rolling)ที่สำผัสกับสับสเทรต และสำหรับเผยส่วนที่เปลี่ยนแปลงได้อย่างต่อเนื่องของสับสเทรตเข้าหาพลาสมาในระหว่างกระทำด้วยพลาสมา และ อุปกรณ์สำหรับจำกัดพลาสมาให้อยู่ใกล้ชิดกับส่วนของสับสเทรตที่เปลี่ยนแปลงได้อย่างต่อเนื่องโดยอุปกรณ์จำกัดขอบเขตประกอบด้วยเครื่องกำบังที่ต่อลงดิน
2.เครื่องมือตามข้อพถือสิทธิที่ 1 โดยที่อีเลคโทรดที่ทำงานด้วยไฟฟ้ามีไบแอสเป็นลบเมื่อเทียบกับอุปกรณ์จำกัดขอบเขต
3.เครื่องมือตามข้อพถือสิทธิที่ 1 โดยที่อุปกรณ์จำกัดขอบเขตจำกัดพลาสมาให้อยู่ที่ส่วนที่เปลี่ยนแปลงได้ของสับสเทรตและอยู่ภายในระยะทางระหว่างประมาณ 0.5 นิ้ว ถึงประมาณ 12 นิ้ว ออกมาทางด้านนอก
4.เครื่องมือตามข้อพถือสิทธิที่ 3 โดยที่ทำเครื่องกำบังที่ต่อลงดินให้เย็นลงที่เว้นระยะอย่างน้อยที่สุด จากส่วนที่เปลี่ยนแปลงได้ของสับสเทรต และจำกัดพลาสมาส่วนใหญ่อยู่ระหว่างส่วนที่เปลี่ยนแปลงได้ของสับสเทรต และเครื่องกำบัง
5.เครื่องมือตามข้อพถือสิทธิที่ 4 โดยที่พื้นผิวที่อยู่ประชิดกับพลาสมามีลักษณะงอโค้ง และขยายตามยาวตามแนวแกน และเครื่องกำบังมีแกนร่วมกับพื้นผิว
6.เครื่องมือตามข้อพถือสิทธิที่ 4 โดยที่อุปกรณ์จำกัดขอบเขตประกอบด้วยอุปกรณ์แม่เหล็กสำหรับสร้างสนามแม่เหล็กที่ขยายเข้าไปในพลาสมา และตัดกันกับพื้นผิวที่อยู่ประชิดกับพลาสมา
7.เครื่องมือตามข้อพถือสิทธิที่ 6 โดยที่อุปกรณ์แม่เหล็กประกอบด้วยคู่ขั่วแม่เหล็กอย่างน้อยที่สุดหนึ่งคู่จัดวางอยู่ใกล้ชิดกับเครื่องกำบัง
8.เครื่องมือตามข้อพถือสิทธิที่ 4 โดยที่ปรับห้องทำปฏิกิริยาให้รักษาไว้ที่น้อยกว่าประมาณ 0.1 เทอร์ในระหว่างการกระทำสับสเทรตด้วยพลาสมา
9.เครื่องมือตามข้อพถือสิทธิที่ 8 โดยที่อุปกรณ์สร้างพลาสมาประกอบด้วยแห่งกำเนิดแก๊สสร้างฟิลบ์ม โดยแก๊สสามารถสร้างสารเคลือบสับสเทรตที่ชิดกันในระหว่างการกระทำสับสเทรดด้วยพลาสมา
10.เครื่องมือตามข้อพถือสิทธิที่ 9 โดยที่อุปกรณ์สร้างพลาสมาประกอบด้วย ทางเข้าที่เกี่ยวข้องกับเครื่องกำบังที่ต่อลงดิน สำรหับการบรรจะกระแสแก๊สที่สร้างฟิลืมจากแหล่งกำเนิดแก๊สเข้าไปเป็นระยะทาง
11.เครื่องมือตามข้อพถือสิทธิที่ 1 โดยที่พื้นผิวที่อยู่ประชิดกับพลาสมาเป้นทรงกระบอก
12.เครื่องมือตามข้อพถือสิทธิที่ 11 โดยที่สับสเทรตส่วนใหญ่ไม่นำไฟฟ้าและยืดหยุ่นได้
13.เครื่องมือตามข้อพถือสิทธิที่ 1 โดยที่สับสเทรตนำไฟฟ้าเป็นส่วนใหญ่ และสับสเทรตสร้างพื้นผิวที่ประชิดกับพลาสมา
14.เครื่องมือเคลือบฟิล์มบางที่ประกอบด้วย: ห้องทำปฏิกิริยาที่ระบายอากาศออกให้เหลือน้อยกว่าประมาณ 0.1ทอรร์; อุปกรณ์สำหรับสร้างพลาสมาภายในห้องทำปฏิกิริยาจากแระแสแก๊สที่สร้างฟิล์มโดยกระแสแก๊สสร้างฟิล์มที่สามารถสะสมสารเคลือบที่อยู่ชิดกันลงบนสับสเทรต; อุปกรณ์สำหรับสร้างพลาสมาให้อยู่ในส่วนของสับสเทรตที่เปลี่ยนแปลงได้อย่างน่อนเองโดยถูกป้อนผ่านทางห้องทำปฏิกิริยาในระหว่างการเคลือบสารและให้อยู่ภายในระยะทาง ออกมาทางด้านนอก; อุปกรณ์จำกัดขอบเขตประกอบด้วยเครื่องกำบังที่ต่อลงดิน; และ อุปกรณ์สำหรับไบแอสส่วนของสับสเทรดที่ถูกเคลือบให้เป้นลบเมื่อเยบกับห้องทำปฏิกิริยาและเทียบกับเครื่องกำยบังที่ต่อลงดิน
15.เครื่องมือเคลือบสารตามข้อถือสิทธิ 14 โดยที่ระยะทางอยู่ระหว่างประมาณสองนิ้วถึงประมาณสี่นิว
16.เครื่องมือเคลือบสารตามข้อถือสิทธิ 14 โดยที่ทำเครื่องกำลังที่ต่อลงดินให้เย็นลงและถูกเว้นระยะอย่างน้อยที่สุดเป็นระยะทาง จากส่วนของสับสเทรตที่เปลี่ยนแปลงได้
17.เครื่องมือเคลือบสารตามข้อถือสิทธิ 16 โดยที่พื้นผิวที่อยู่ประชิดกับพลาสมามีลักษณะโค้งงอ และขยายตามยาวตามแนวแกน และเครื่องกำบังใช้แกนร่วมกับพื้นผิว
18.เครื่องมือเคลือบสารตามข้อถือสิทธิ 17 โดยที่อุปกรณ์แม่เหล็กประกอบด้วยคู่ขั่วแม่เหล็กอย่างน้อยที่สุดหนึ่งคู่ที่วางอยู่ชิดกับเครื่องกำบัง
19.เครื่องมือเคลือบสารตามข้อถือสิทธิ 14 โดยที่อุปกรณ์ไบแอสให้เป็นลบประกอบด้วยอีเลคโทรดที่กำหนดพื้นผิวที่อยู่ประชิดกับพลาสมาภายในห้องทำปฏิกิริยา และส่วนของสับสเทรตที่เปลี่ยนแปลงได้จะสัมผัสกับอีเลคโทรดพร้อมกับหมุนในระหว่างการเคลือบสาร
TH9201001181A 1992-08-25 เครื่องมือสำหรับการกระทำด้วยพลาสมาว่องไวและวิธีการ TH12653B (th)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TH14372A TH14372A (th) 1994-06-30
TH12653B true TH12653B (th) 2002-05-07

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
MY110816A (en) Apparatus for rapid plasma treatments and method
EP3711078B1 (en) Linearized energetic radio-frequency plasma ion source
US5578130A (en) Apparatus and method for depositing a film
EP0502385B1 (de) Verfahren zur Herstellung einer doppelseitigen Beschichtung von optischen Werkstücken
EP0574100B1 (en) Plasma CVD method and apparatus therefor
CN1397151A (zh) 等离子体加工系统和方法
ATE256763T1 (de) Verfahren und vorrichtung zum beschichten mittels bogenentladung
US6143124A (en) Apparatus and method for generating a plasma from an electromagnetic field having a lissajous pattern
KR20010012858A (ko) 기판상에 유전체막을 스퍼터 증착하기 위한 장치 및 방법
TH14372A (th) เครื่องมือสำหรับการกระทำด้วยพลาสมาว่องไวและวิธีการ
JP2942899B2 (ja) プラズマcvd装置用電極装置
JP6896911B2 (ja) バッチ式基板処理装置
JPS6369981A (ja) プラズマ化学処理によって層を形成する方法および装置
TWI384086B (zh) Film forming apparatus and thin film forming method
CN1106670C (zh) 等离子体发生装置
JPH0766138A (ja) プラズマcvd装置
Novák et al. Generation of supersonic plasma flow by means of unipolar RF discharges
KR100593805B1 (ko) 필름상 중합체에 금속박막을 연속적으로 형성하기 위한장치 및 방법
CN108315722A (zh) 一种弧形电极等离子体增强化学气相沉积装置
JPH04168281A (ja) 大気圧グロープラズマ装置
KR20040088650A (ko) 박막 합성 장치
JPS6063919A (ja) 表面処理装置
KR20030069575A (ko) 대면적 플라스틱 표면 처리용 플라스마 장치
DE59005990D1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten eines Substrates in einem Plasma.
JPS6465261A (en) Vapor deposition method by plasma ionization