TH17939B - วิธีการสร้างแบบรูป - Google Patents

Abstract

วิธีการสร้างแบบรูปที่ประกอบด้วย การกระทำต่อพื้นผิวแก่วัสดุฐานรองสาร กึ่งตัวนำเพื่อให้อะตอมไฮโดรเจนแก่พิ้นผิวของมัน การฉายรังสีในบริเวณที่ต้องการ ของพื้นผิวดังกล่าวด้วยรังสีพลังงาน การสร้างฟิล์มโลหะอย่างเลือกสรรบนบริเวณ ที่ไม่ถูก ฉายรังสี ที่ไม่ใช่บริเวณที่ต้องการ และการกัดกร่อนวัสดุฐานรองสารกึ่งตัวนำ ดังกล่าวโดยใช้ฟิล์มโลหะดังกล่าวเป็นมาสก์

Claims (9)

1. วิธีการสร้างแบบรูปซึ่งประกอบรวมด้วย การทำให้พื้นผิวของวัสดุฐานรองสารกึ่งตัวนำได้รับการกระทำต่อพื้นผิวสำหรับการให้ อะตอมไฮโดรเจน การฉายรังสีบริเวณที่ต้องการของพื้นผิวดังกล่าวด้วยลำอิเล็กตรอน. ดังนั้นจึงขจัดอะตอม ไฮโดรเจนที่ให้ไปยังบริเวณที่ต้องการ การส่งวัสดุฐานรองดังกล่าวไปสู่บรรยากาศ การเลือกสร้างฟิล์มโลหะบนบริเวณที่ไม่ถูกฉายรังสีนอกเหนือจากบริเวณที่ต้องการโดยวิธี การสะสมไอทางเคมี (CVD) และการกัดกร่อนบริเวณที่ต้องการของฟิล์มโลหะดังกล่าวโดยการใช้ วัสดุฐานรองสารกึ่งตัวนำดังกล่าวเป็นมาสก์ 2. วิธีการสร้างแบบรูปซึ่งประกอบรวมด้วย การสร้างฟิล์มสารกึ่งตัวนำบนวัสดุฐานรองซึ่งมีพื้นผิวกั้นฉนวน การทำให้พื้นผิวของฟิล์มสารกึ่งตัวนำดังกล่าวได้รับการกระทำต่อพื้นผิวสำหรับการให้ อะตอมไฮโดรเจน การฉายรังสีบริเวณที่ต้องการของพื้นผิวดังกล่าวด้วยลำอิเล็คตรอน , ดังนั้นจึงขจัดอะตอม ไฮโดรเจนที่ให้ไปยังบริเวณที่ต้องการ การส่งวัสดุฐานรองดังกล่าวไปสู่บรรยากาศ การเลือกสร้างฟิล์มโลหะบนบริเวณที่ไม่ถูกฉายรังสีนอกเหนือจากบริเวณที่ต้องการโดย วิธีการสะสมไอทางเคมี (CVD) และ การกัดกร่อนบริเวณที่ต้องการและพื้นผิวของพื้นผิวกั้นฉนวนดังกล่าวซึ่งอยู่ใต้ฟิล์มโลหะ ดังกล่าวโดยใช้บริเวณที่ต้องการเป็นมาสก์ 3. วิธีการสร้างแบบรูปตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 หรือ 2 ข้อใดข้อหนึ่งที่การกระทำต่อพื้นผิว ดังกล่าวถูกกระทำโดยใช้กรดไฮโดรฟลูออริก 4. วิธีการสร้างแบบรูปตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 หรือ 2 ข้อใดข้อหนึ่งที่ฟิล์มโลหะดังกล่าวถูก สร้างโดยการสะสมไอทางเคมีที่ดำเนินการโดยการใช้สารประกอบโลหะออร์แกนิคเป็นวัตถุดิบ 5. วิธีการสร้างแบบรูปตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 หรือ 2 ข้อใดข้อหนึ่งที่ฟิล์มโลหะดังกล่าวถูก สร้างโดยการสะสมไอทางเคมีโดยใช้อัลคิลอลูมิเนียมไฮไดรด์ 6. วิธีการสร้างแบบรูปตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 หรือ 2 ข้อใดข้อหนึ่งที่การกัดกร่อนดังกล่าวคือ การกัดกร่อนแบบแอนไอโซโทรปิค 7. วิธีการสร้างแบบรูปตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 หรือ 2 ข้อใดข้อหนึ่งที่ฟิล์มโลหะดังกล่าว ถูกสร้างโดยการสะสมไอทางเคมีโดยใช้ไดเมธิลอลูมิเนียมไฮไดรด์ 8. วิธีการสร้างแบบรูปตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ที่การกัดกร่อนทำให้เกิดร่องที่บริเวณที่ต้องการ ของวัสดุฐานรองสารกึ่งตัวนำ 9. วิธีการสร้างแบบรูปซึ่งประกอบรวมด้วย การสะสมฟิล์มบางบนวัสดุฐานรองที่ยอมให้แสงผ่าน การทำให้พื้นผิวของฟิล์มบางดังกล่าวได้รับการกระทำต่อพื้นผิวสำหรับการให้อะตอม ไฮโดรเจน การฉายรังสีบริเวณที่ต้องการของพื้นผิวดังกล่าวของฟิล์มบางดังกล่าวด้วยลำอิเล็กตรอน, ดังนั้นจึงขจัดอะตอมไฮโดรเจนที่ให้ไปยังบริเวณที่ต้องการ การส่งวัสดุฐานรองดังกล่าวไปสู่บรรยากาศ การเลือกสร้างฟิล์มโลหะบนบริเวณที่ไม่ถูกฉายรังสีนอกเหนือจากบริเวณที่ต้องการโดยวิธี การสะสมไอทางเคมี(CVD) การกัดกร่อนบริเวณที่ต้องการของฟิล์มบางดังกล่าวโดยการใช้ฟิล์มโลหะดังกล่าวเป็นมาสก์ และการเปลี่ยนแปลงฟิล์มบางดังกล่าวไปเป็นฟิล์มโปร่งใสโดยการออกซิเดชั่น 1 0. วิธีการสร้างแบบรูปตามข้อถือสิทธิข้อที่ 9 ที่ฟิล์มโลหะดังกล่าวจะถูกขจัดออกหลังจาก เสร็จสิ้นการกัดกร่อนบริเวณที่ต้องการของฟิล์มบางดังกล่าว 1 1. วิธีการสร้างแบบรูปตามข้อถือสิทธิข้อที่ 9 ที่วัสดุฐานรองที่ยอมให้แสงผ่านดังกล่าว ประกอบรวมด้วยควอทซ์ 1 2. วิธีการสร้างแบบรูปตามข้อถือสิทธิข้อที่ 9 ที่ฟิล์มโลหะดังกล่าวประกอบด้วยซิลิคอนเป็น ส่วนใหญ่ 1 3. วิธีการสร้างแบบรูปตามข้อถือสิทธิข้อที่ 9 ที่ฟิล์มโลหะดังกล่าวประกอบด้วยอลูมินัมเป็น ส่วนใหญ่ 1 4. วิธีการสร้างแบบรูปตามข้อถือสิทธิข้อที่ 9 ที่ฟิล์มโลหะดังกล่าวถูกสร้างโดยการสะสมไอ ทางเคมีที่ถูกดำเนินการโดยใช้สารประกอบโลหะออร์แกนิก 1 5. วิธีการสร้างแบบรูปตามข้อถือสิทธิข้อที่ 9 ที่ฟิล์มโลหะดังกล่าวถูกสร้างโดยการสะสมไอ ทางเคมีโดยใช้อัลคิลอลูมิเนียมไฮไดรด์ 1 6. วิธีการสร้างแบบรูปตามข้อถือสิทธิข้อที่ 9 ที่ฟิล์มโลหะดังกล่าวถูกสร้างโดยการสะสมไอ ทางเคมีโดยใช้ไดเมธิลอลูมิเนียมไฮไดรด์ 1 7. วิธีการสร้างแบบรูปตามข้อถือสิทธิข้อที่ 9 ที่การกระทำต่อพื้นผิวดังกล่าวประกอบรวม ด้วยขั้นตอนการล้างซึ่งใช้แก็สซึ่งมีอะตอมฟลูออรีนหรือสารละลายเอเควียสของกรดไฮโดรฟลูออริก, ขั้นตอนการล้างซึ่งใช้น้ำบริสุทธิ์, และขั้นตอนการทำให้แห้ง 1 8. วิธีการสร้างแบบรูปตามข้อถือสิทธิข้อที่ 9 ที่ฟิล์มกรองแสงอย่างบางดังกล่าวประกอบ รวมด้วยฟิล์มจำนวนหนึ่ง 1 9. วิธีการสร้างแบบรูปตามข้อถือสิทธิข้อที่ 9 ที่ฟิล์มกรองแสงอย่างบางดังกล่าวประกอบ รวมด้วยฟิล์มจำนวนหนึ่ง,ฟิล์มชั้นบนสุดของฟิล์มดังกล่าวประกอบด้วยซิลิคอนเป็นส่วนใหญ่ 2 0. วิธีการของการประกอบสร้างอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำซึ่งประกอบรวมด้วยการประกอบสร้าง อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำโดยการใช้วิธีการสร้างแบบรูปดังที่ได้บรรยายในข้อใดข้อหนึ่งของข้อถือสิทธิ ข้อที่ 1,2 หรือ 9 2

1. วิธีการของการเตรียมโฟโตมาสก์ซึ่งประกอบรวมด้วย การทำให้พื้นผิวของวัสดุฐานรองสารกึ่งตัวนำได้รับการกระทำต่อพื้นผิวสำหรับการให้ อะตอมไฮโดรเจน การฉายรังสีบริเวณที่ต้องการของพื้นผิวดังกล่าวด้วยลำอิเล็กตรอน การส่งวัสดุฐานรองดังกล่าวไปสู่บรรยากาศ การเลือกสร้างฟิล์มโลหะบางที่มีความหนา 0.09 ถึง 0.5 ไมโครเมตรบนบริเวณที่ไม่ถูกฉาย รังสีนอกเหนือจากบริเวณที่ต้องการ และ การทำให้ฟิล์มโลหะบางดังกล่าวผ่านการออกซิเดชั่นเพื่อเปลี่ยนมันเป็นฟิล์มบางที่ยอมให้ แสงผ่าน 2

2. วิธีการของการเตรียมโฟโตมาสก์ตามข้อถือสิทธิข้อที่ 21 ที่การกระทำต่อพื้นผิวดังกล่าว ถูกกระทำโดยใช้กรดไฮโดรฟลูออริก 2

3. วิธีการของการเตรียมโฟโตมาสก์ตามข้อถือสิทธิข้อที่ 21 ที่ฟิล์มบางดังกล่าว ประกอบ รวมด้วย อลูมินัม 2

4. วิธีการของการเตรียมโฟโตมาสก์ตามข้อถือสิทธิข้อที่ 21 ที่วัสดุฐานรองดังกล่าวคือวัสดุ ฐานรองที่ยอมให้แสงผ่านที่มีฟิล์มกรองแสงที่ถูกสร้างบนพื้นผิวของมัน 2

5. วิธีการของการเตรียมโฟโตมาสก์ตามข้อถือสิทธิข้อที่ 21 ที่ฟิล์มบางดังกล่าวถูกสร้างโดย การสะสมไอทางเคมี 2

6. วิธีการของการเตรียมโฟโตมาสก์ตามข้อถือสิทธิข้อที่ 25 ที่การสะสมไอทางเคมีดังกล่าว ถูกดำเนินการโดยการใช้สารประกอบ โลหะออร์แกนิกเป็นวัตถุดิบ 2

7. วิธีการของการเตรียมโฟโตมาสก์ตามข้อถือสิทธิข้อที่ 26 ที่สารประกอบโลหะออร์แกนิก ดังกล่าวประกอบรวมด้วย อัลคิลอลูมิเนียมไฮไดรด์ 2

8. วิธีการของการเตรียมโฟโตมาสก์ตามข้อถือสิทธิข้อที่ 27 ที่ไดเมธิลอลูมิเนียมไฮไดรด์ อัลคิลอลูมิเนียมไฮไดรด์ ดังกล่าว 2

9. วิธีการของการเตรียมโฟโตมาสก์ตามข้อถือสิทธิข้อที่ 21 ที่ฟิล์มบางที่ยอมให้แสงผ่าน ดังกล่าวคือ อลูมิเนียมออกไซด์