TH20710A - "ชุดบรรจุสารกึ่งตัวนำ และวิธีการสำหรับผลิตสิ่งดังกล่าว " - Google Patents

"ชุดบรรจุสารกึ่งตัวนำ และวิธีการสำหรับผลิตสิ่งดังกล่าว "

Info

Publication number
TH20710A
TH20710A TH9501000692A TH9501000692A TH20710A TH 20710 A TH20710 A TH 20710A TH 9501000692 A TH9501000692 A TH 9501000692A TH 9501000692 A TH9501000692 A TH 9501000692A TH 20710 A TH20710 A TH 20710A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
heat sink
semiconductor device
semiconductor
heat
coupling agent
Prior art date
Application number
TH9501000692A
Other languages
English (en)
Inventor
คาซูฮิโรยูเมโมโล นาย
ซูมิโตฮายาชิดา นาย
Original Assignee
นาย ธเนศเปเรร่า
นาย โรจน์วิทย์เปเรร่า
นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า
Filing date
Publication date
Application filed by นาย ธเนศเปเรร่า, นาย โรจน์วิทย์เปเรร่า, นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า filed Critical นาย ธเนศเปเรร่า
Publication of TH20710A publication Critical patent/TH20710A/th

Links

Abstract

???????????????????? ????????????????????????????????? ???????????????????????????????????????????????????? ???????????????? 22 ???????????????????????????????? ??? ??????????? ?????????????????? ???????????? ??????????? ??? ???????????????????????? ????????????????????????? ????????????? 22 ??????????????????? 22 ???????????? ??????????????? A ?????? ????????????????????????????? ????????????? 22 ??????? ??? 12 ?????????????????????? 16 ?????????? 18 ?????????????????? 12 ?????????? 20 ??? ??????????? ???????????????? 22 ????????? ????????????? ??? ??????????????????????????????????????????????? 10

Claims (7)

1. วิธีการสำหรับผลิต ชุดบรรจุสารกึ่งตัวนำ ที่รวมอุปกรณ์ สารกึ่งตัวนำที่ประกอบด้วยขั้นตอน การไฮดรอกซิเลต ผิวหน้าของตัวระบายความร้อนโลหะ สำหรับ กระจายความร้อนที่เกิดขึ้น โดยอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำดังกล่าว จากนั้น ทำการพอกชั้นของสารเชื่อมต่อซิเลน บนผิวหน้าของตัว ระบาย ความร้อนดังกล่าวและ การฝังตัวระบายความร้อนดังกล่าว ในเรซินอัดแบบโดย การหล่อ วัสดุเรซินรอบตัวระบายความร้อนดังกล่าว
2. วิธีการสำหรับผลิตชุดบรรจุสารกึ่งตัวนำ ตามที่ระบุไว้ ใน ข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งขั้นตอนการพอกชั้นของสารเชื่อมต่อ ซิเลนบน ผิวหน้าของตัวระบายความร้อนดังกล่าว เป็นการพอกชั้น ของสารเชื่อม ต่อซิเลนที่ประกอบด้วยสารที่เลือกจากกลุ่มของ r-อะมิโนโพรพิล- ไตรเอโซบีซิเลน N-(สูตร)-(อะมิโนเอซิล) -r- อะมิ โนโพรพิล-ไตรเมโธซี ซิเลน (สูตร)- (3,4-อีพอกซี-ไซโคลเฮซิล) เอธิลไตรเมโธซีซิเลน และ r- ไกลซิคอกซี โพรพิลไตรโธซีซิเลน
3. วิธีการสำหรับผลิต ชุดบรรจุสารกึ่งตัวนำ ตามที่ระบุ ไว้ ในข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งขั้นตอนการไฮดรอกซิเลตผิวหน้า ของ ตัวระบายความร้อนดังกล่าว ถูกดำเนินการโดยจุ่มตัวระบาย ความ ร้อนดังกล่าว ในสารละลายอัลคาไล จากนั้นทำความสะอาด ด้วยน้ำ และทำให้แห้ง
4. ชุดบรรจุสารกึ่งตัวนำที่มีอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำประกอบ อยู่ภายใน และตัวระบายความร้อน โลหะที่ถูกฝังไว้ สำหรับ กระจาย ความร้อนที่เกิดขึ้นโดยอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำดังกล่าว ในเรซินอัดแบบ ผิวหน้าของตัวระบายความร้อนดังกล่าว จะถูกจัดไว้ ด้วยชั้น ของสารเชื่อมต่อซิเลน
5. ชุดบรรจุสารกึ่งตัวนำที่มีอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำประกอบ อยู่ภายใน และตัวระบายความร้อนโลหะที่ถูกฝังไว้ สำหรับ กระจาย ความร้อนที่เกิดขึ้นโดยอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำ ในเรซินอัดแบบ ผิวหน้าของตัวระบายความร้อนดังกล่าว จะถูกจัดไว้ด้วย ชั้น ของสารเชื่อมต่อซิเลนที่ประกอบด้วยสารที่เลือกจากกลุ่มของ r-อะมิโน โพรพิล ไตรเอโซซีซิเลน N-(สูตร)-(อะมิโนเอธิล) -r-อะมิโนโพรพิล ไตรเมโธซีซิเลน (สูตร)- (3,4-อีพอกซี-ไซโคลเฮ ซิล)-เอธิลไตรเมโธซี ซิเลน และ r-ไกลซิดอกซี โพรพิลไตรเมโธ ซีซิเลน
6. ชุดบรรจุสารกึ่งตัวนำที่มีอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำประกอบ อยู่ภายใน และตัวระบายความร้อนโลหะที่ถูกฝังไว้ สำหรับ กระจาย ความร้อนที่เกิดขึ้น โดยอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำ ในเรซินอัดแบบ ตัวระบายความร้อนดังกล่าว จะถูกไฮดรอกซิเลต ด้วย สารละ ลายอัลคาไล และผิวหน้าของตัวระบายความร้อนดังกล่าว จะถูก จัดไว้ด้วย ชั้นของสารเชื่อมต่อซิเลน
7. ชุดบรรจุสารกึ่งตัวนำที่มีอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำประกอบ อยู่ ภายใน และตัวระบายความร้อนโลหะที่ถูกฝังไว้สำหรับ กระจายความร้อน ที่เกิดขึ้น โดยอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำดังกล่าว ในเรซินอัดแบบ ตัวระบายความร้อนดังกล่าว จะถูกก่อรูปขึ้นให้มีรูปร่างแบบ ง่ายๆ และผิวหน้าของตัวระบายความร้อนดังกล่าว จะถูกอัดไว้ ด้วยชั้น ของสารเชื่อมต่อซิเลน
TH9501000692A 1995-03-31 "ชุดบรรจุสารกึ่งตัวนำ และวิธีการสำหรับผลิตสิ่งดังกล่าว " TH20710A (th)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TH20710A true TH20710A (th) 1996-09-17

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5097317A (en) Resin-sealed semiconductor device
DE69737248D1 (de) Verfahren zum Einkapseln einer integrierten Halbleiterschaltung
KR910007115A (ko) 수지봉지형 반도체장치와 그 제조방법
KR920007133A (ko) 표면 장착중에 균열을 방지하기 위한 집적 회로 디바이스 및 그 방법
JPS59109356A (ja) 気密性の良好な密封ケ−シング、及びその製造方法
KR960009134A (ko) 반도체장치의 제조방법
CN1215501A (zh) 半导体器件及其制作方法
KR970018451A (ko) 히트 싱크 내장형 반도체 패키지의 제조방법 및 그 구조
CN101419920B (zh) 用于制造半导体元器件的方法以及因之的结构
CN110277353A (zh) 用于芯片封装的交联热塑性电介质
US5939792A (en) Resin-mold type semiconductor device
TWI637470B (zh) 半導體封裝及其之製造方法
EP0691681A2 (en) Semiconductor packaging
US6489571B1 (en) Molded tape ball grid array package
JPH02120840U (th)
JPH09199639A (ja) 半導体装置およびその成形方法
JPH0526760Y2 (th)
KR100406499B1 (ko) 반도체패키지의 몰딩장비 및 이를 이용한 몰딩방법
JPH0422159A (ja) 半導体集積回路装置およびその製造方法
JPH08264686A (ja) 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
KR960005961A (ko) 리드-온-칩형 반도체 패키지 및 그 제조방법
JPS6090725A (ja) 樹脂モ−ルド金型装置
KR100253267B1 (ko) 리드 온 칩(loc)패키지 제조방법
KR200179999Y1 (ko) 반도체 패키지의 히트싱크 구조
JPH04171946A (ja) 半導体装置の製造方法