TH2201006303A - ซับสเตรตที่ถูกเคลือบ - Google Patents

Abstract

OCR 07AP การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับซับสเตรตที่ถูกเคลือบที่ประกอบรวมด้วยซับสเตรตโปร่งใสที่มีส องพื้นผิวหลักที่หนึ่งและที่สองที่ตรงข้ามกัน, ที่ซึ่งอย่างน้อยหนึ่งพื้นผิวถูกจัดให้มีด้วยสารเคลือบเชิงฟังก็ชัน, ที่มีลักษณะเฉพาะที่ว่าซับสเตรตโปร่งใสถูกจัดให้มี, เหนือและสัมผัสกับสารเคลือบเชิงฟังก็ชัน, ด้วยสารเคลือบด้านบนแบบแมกนีตรอน สปัตเตอร์ของโลหะ ออกไซด์ผสมที่ประกอบรวมด้วยอย่างน้อย รiO, TiO, และ Z10, ที่ชื่ง x, y, z อยู่ในช่วงจาก 1.8 ถึง 2.2. ที่ซึ่งสารเคลือบค้านบนประกอบรวมด้วยซิลิกอนจาก 10 ถึง 65 a9, ไทเทเนียมจาก 8 ถึง 38 at%, เซอร์โคเนียมจาก 25 ถึง 80 at%, สำหรับทั้งหมด 100 at% ของโลหะ, และที่ซึ่งสารเคลือบด้านบนมีความหนาจาก 0.1 ถึง 10 nm, เกี่ยวข้องกับวิธีการจัดให้มีซับสเตรตที่ถูกเคลือบดังกล่าว และเกี่ยวกับการใช้สิ่งดังกล่าว

Claims (20)

OCR 07AP

1. ซับสเตรตที่ถูกเคลือบที่ประกอบรวมด้วยซับสเตรตโปร่งใสที่มีสองพื้นผิวหลักที่หนึ่งและที่สอง ที่ตรงข้ามกัน, ที่ซึ่งอย่างน้อยหนึ่งพื้นผิวถูกจัดให้มีด้วยสารเคลือบเชิงฟังก์ชัน, ที่มีลักษณะเฉพาะที่ว่าซับสเตรตโปร่งใสถูกจัดให้มี, เหนือและสัมผัสกับสารเคลือบเชิงฟังก์ชัน, ด้วยสารเคลือบด้านบนแบบแมกนีตรอน สปัตเตอร์ของโลหะ ออกไซด์ผสมที่ประกอบรวมด้วยอย่างน้อย SiOx, TiOy, และ ZrOz, ที่ซึ่ง x, y, z อยู่ในช่วงจาก 1.8 ถึง 2.2, ที่ซึ่งสารเคลือบด้านบนประกอบรวมด้วย - ซิลิกอนจาก 10 ถึง 65 at%, - ไทเทเนียมจาก 8 ถึง 38 at%, - เซอร์โคเนียมจาก 25 ถึง 80 at%o, สำหรับทั้งหมด 100 at%, ของโลหะ, และ ที่ซึ่งสารเคลือบด้านบนมีความหนาจาก 0.1 ถึง 10 nm

2. ซับสเตรตที่ถูกเคลือบของข้อถือสิทธิข้อ 1, ที่ซึ่งโลหะ ออกไซด์ผสมของสารเคลือบด้านบนประกอบรวมด้วยจาก 15 ถึง 60 at% ของซิลิกอน

3. ซับสเตรตที่ถูกเคลือบของข้อถือสิทธิข้อ 1, ที่ซึ่งโลหะ ออกไซด์ผสมของสารเคลือบด้านบนประกอบรวมด้วยจาก 10 ถึง 35 at% ของไทเทเนียม

4. ซับสเตรตที่ถูกเคลือบของข้อถือสิทธิข้อ 1, ที่ซึ่งโลหะ ออกไซด์ผสมของสารเคลือบด้านบนประกอบรวมด้วยจาก 25 ถึง 70 at% ของเซอร์ โคเนียม

5. ซับสเตรตที่ถูกเคลือบของข้อถือสิทธิก่อนหน้าข้อใดข้อหนึ่ง, ที่ซึ่งสารเคลือบเชิงฟังก์ชันคือสารเคลือบที่ควบคุมแสงอาทิตย์, สารเคลือบที่นำไฟฟ้า, สารเคลือบต้านการสะท้อน, สารเคลือบเชิงตกแต่งและ/หรือสารเคลือบที่มีการแผ่รังสีความร้อนต่ำ

6. ซับสเตรตที่ถูกเคลือบของข้อถือสิทธิก่อนหน้าข้อใดข้อหนึ่ง, ที่ซึ่งสารเกลือบเชิงฟังก์ชันคือสารเคลือบชนิดโลหะ ออกไซด์หนึ่งชั้น, สารเคลือบชนิดโลหะ ออกไซด์หลายชั้น, สารเคลือบที่ไม่ใช่โลหะ ออกไซด์, หรือสารเคลือบแบบหลายชั้น

7. ซับสเตรตที่ถูกเคลือบของข้อถือสิทธิข้อ 6, ที่ซึ่งสารเคลือบชนิดโลหะ ออกไซด์หนึ่งชั้นประกอบรวมด้วยสังกะสี ออกไซด์ที่ถูกเจือปนด้วยอะลูมิเนียม, แกลเลียมหรือฮาฟเนียม; โลหะ ออกไซด์ผสมของสังกะสีและดีบุก; ดีบุก ออกไซด์ที่อาจถูกเจือปนด้วยแป้งหรือพลวง: อินเดียม ออกไซด์ที่อาจถูกเจือปนด้วยดีบุก; หรือสิ่งที่คล้ายกัน

8. ซับสเตรตที่ถูกเคลือบของข้อถือสิทธิข้อ 6, ที่ซึ่งสารเคลือบชนิดโลหะ ออกไซด์หลายชั้นประกอบรวมด้วยอย่างน้อยหนึ่งชั้นของวัสดุที่มีดัชนีหักเหของแสงสูง, และอย่างน้อยหนึ่งชั้นของวัสดุที่มีดัชนีหักเหของแสงต่ำ

9. ซับสเตรตที่ถูกเคลือบของข้อถือสิทธิข้อ 6, ที่ซึ่งสารเคลือบแบบหลายชั้นประกอบรวมด้วยการจัดเรียงแบบสลับกันของ n ชั้นสะท้อนอินฟราเรด (IR) และ n + 1 ชั้นไดอิเล็กทริก, โดยที่ n มากกว่าหรือเท่ากับ 1, ในลักษณะที่แต่ละชั้น IR ถูกล้อมรอบโดยสองชั้นไดอิเล็กทริก

10.ซับสเตรตที่ถูกเคลือบของข้อถือสิทธิข้อ 9, ที่ซึ่งสารเคลือบแบบหลายชั้นประกอบรวมด้วย a. อย่างน้อยหนึ่งชั้นเงิน, และลำดับ : ซับสเตรต/MeO/ZnO:AISiAg/AISi-MeO ที่ซึ่ง MeO คือโลหะ ออกไซด์ เช่น SnO2, TiO2, In2O2, Bi2O3,ZrO2, Ta2O5, SiO2 หรือ A1203 หรือของผสมของสิ่งดังกล่าว: หรือ b. ชั้นไดอิเล็กทริกที่หนึ่งที่รวมถึงซิลิกอน ในไตรด์: ชั้นที่รวมถึง Ni หรือ NiCr ที่หนึ่ง: ชั้นสะท้อนอินฟราเรด (IR) ที่ประกอบรวมด้วยเงิน; ชั้นที่รวมถึง Ni หรือ NiCr ที่สอง: และชั้นไดอิเล็กทริกที่สองที่รวมถึงซิลิกอน ในไตรด์: หรือ c. ชั้นสะท้อนอินฟราเรด (IR) ที่สัมผัสและที่ถูกประกบระหว่างชั้นที่หนึ่งและที่สอง, ชั้นที่สองดังกล่าวที่ประกอบรวมด้วย NICTOx: และที่ซึ่งอย่างน้อยชั้นที่สองดังกล่าวที่ประกอบรวมด้วย NiCrOx ถูกแบ่งระดับออกซิเดชันเพื่อให้ส่วนที่หนึ่งของชั้นที่สองดังกล่าวที่ใกล้กับชั้นสะท้อนอินฟราเรด (IR) ดังกล่าวถูกออกซิไดซ์น้อยกว่าส่วนที่สองของชั้นที่สองดังกล่าวซึ่งไกลจากชั้นสะท้อนอินฟราเรด (IR) ดังกล่าวมากกว่า; หรือ d. ชั้นไดอิเล็กทริก: ชั้นที่หนึ่งที่ประกอบรวมด้วยสังกะสี ออกไซด์ที่อยู่เหนือชั้นไดอิเล็กทริก; ชั้นสะท้อนอินฟราเรด (IR) ที่ประกอบรวมด้วยเงินที่อยู่เหนือและที่สัมผัสชั้นที่หนึ่งที่ประกอบรวมด้วยสังกะสี ออกไซด์; ชั้นที่ประกอบรวมด้วยออกไซด์ของ NiCr ที่อยู่เหนือและที่สัมผัสชั้นสะท้อน IR; ชั้นที่สองที่ประกอบรวมด้วยสังกะสี ออกไซด์ที่อยู่เหนือและที่สัมผัสชั้นที่ประกอบรามด้วยออกไซด์ของ NiCr: และชั้น ไดอิเล็กทริกอีกชั้นหนึ่งที่อยู่เหนือชั้นที่สองที่ประกอบรวมด้วยสังกะสี ออกไซด์: หรือ e. ชั้นไดอิเล็กทริกที่หนึ่ง: ชั้นที่หนึ่งสะท้อนอินฟราเรด (IR) ที่ประกอบรวมด้วยเงินที่อยู่เหนืออย่างน้อยชั้นไดอิเล็กทริกที่หนึ่ง: ชั้นที่หนึ่งที่ประกอบรวมด้วยสังกะสี ออกไซด์ที่อยู่เหนืออย่างน้อยชั้นสะท้อน IR ที่หนึ่งและชั้นไดอิเล็กทริกที่หนึ่ง: ชั้นสะท้อน IR ที่สองที่ประกอบรวมด้วยเงินที่อยู่เหนือและที่สัมผัสชั้นที่หนึ่งที่ประกอบรวมด้วยสังกะสี ออกไซด์; ชั้นที่ประกอบรวมด้วยออกไซด์ของ Nicr ที่อยู่เหนือและที่สัมผัสชั้นสะท้อน IR ที่สอง; ชั้นที่สองที่ประกอบรวมด้วยสังกะสี ออกไซด์ที่อยู่เหนือและที่สัมผัสชั้นที่ประกอบรวมด้วยออกไซด์ของ NiCr; และชั้นไดอิเล็กทริกอีกชั้นหนึ่งที่อยู่เหนืออย่างน้อยชั้นที่สอง; ที่ประกอบรวมด้วยสังกะสี ออกไซด์; หรือ f. ชั้นไดอิเล็กทริกที่หนึ่ง: ชั้นที่หนึ่งที่ประกอบรวมด้วยสังกะสี ออกไซด์ที่อยู่เหนือชั้นไดอิเล็กทริก; ชั้นสะท้อนอินฟราเรด (IR) ที่ประกอบรวมด้วยเงินที่อยู่เหนือและที่สัมผัสชั้นที่หนึ่งที่ประกอบรวมด้วยสังกะสี ออกไซด์: ชั้นที่สองที่ประกอบรวมด้วยสังกะสี ออกไซด์ที่อยู่เหนือชั้น IR; และชั้นไดอิเล็กทริกที่สองที่อยู่เหนือชั้นที่สองที่ประกอบรวมด้วยสังกะสี ออกไซด์: หรือ g. ชั้นไดอิเล็กทริกที่หนึ่ง: ชั้น IR ที่หนึ่งที่ประกอบรวมด้วยเงิน; ชั้นไดอิเล็กทริกที่สอง; ชั้น IR ที่สอง: ชั้นไดอิเล็กทริกที่สาม, ที่ซึ่งชั้นไดอิเล็กทริกที่หนึ่ง, ที่สองและที่สามอาจประกอบรวมด้วยหลายชั้น; หรือ h. ชั้นไดอิเล็กทริกที่หนึ่ง: ชั้น IR ที่หนึ่งที่ประกอบรวมด้วยเงิน: ชั้นไดอิเล็กทริกที่สอง: ชั้น IR ที่สอง: ชั้นไดอิเล็กทริกที่สาม: ชั้น IR ที่สาม: ชั้นไดอิเล็กทริกที่สี่, ที่ซึ่งชั้นไดอิเล็กทริกที่หนึ่ง, ที่สอง, ที่สามและที่สี่อาจประกอบรวมด้วยหลายชั้น

11.ซับสเตรตที่ถูกเคลือบของข้อถือสิทธิก่อนหน้าข้อใดข้อหนึ่ง, ที่มีสารเคลือบเชิงฟังก์ชันที่หนึ่งบนอย่างน้อยส่วนหนึ่งของพื้นผิวที่หนึ่ง, และสารเคลือบเชิงฟังก์ชันที่สองบนอย่างน้อยส่วนหนึ่งของพื้นผิวที่สอง, ที่ซึ่งอย่างน้อยหนึ่งในสารเคลือบเชิงฟังก์ชันที่หนึ่งหรือที่สองถูกจัดให้มีด้วยสารเคลือบด้านบนตามข้ อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 10 ข้อใดข้อหนึ่ง

12.ซับสเตรตที่ถูกเคลือบของข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง11 ข้อใดข้อหนึ่ง, ที่ยังถูกจัดให้มีด้วยอย่างน้อยหนึ่งชั้นปกป้องชั่วคราว, เช่น ชั้นปกป้องชั่วคราวชนิดคาร์บอน, ชั้นปกป้องชั่วคราวชนิดพอลิเมอร์, ชั้นปกป้องที่ลอกออกได้, เหนือและสัมผัสกับสารเคลือบด้านบนแบบแมกนีตรอน สปัตเตอร์ของโลหะ ออกไซด์ผสม

13. ซับสเตรตที่ถูกเคลือบที่ถูกบำบัดด้วยความร้อนที่ประกอบรวมด้วยชับสเตรตโปร่งใสที่มีสองพื้ นผิวตรงข้าม, ที่ซึ่งอย่างน้อยหนึ่งพื้นผิวถูกจัดให้มีด้วยสารเคลือบเชิงฟังก์ชันน, ที่มีลักษณะเฉพาะที่ว่าซับสเตรตโปร่งใสถูกจัดให้มี, เหนือและสัมผัสกับสารเคลือบเชิงฟังก์ชัน, ด้วยสารเคลือบด้านบนแบบแมกนีตรอน สปัตตอร์ของ โลหะ ออกไซด์ผสมที่ประกอบรวมด้วยอย่างน้อย SiOx, TiOy, และ ZrOz ที่ซึ่ง x, y, z อยู่ในช่วงจาก 1.8 ถึง 2.2, ที่ซึ่งสารเคลือบด้านบนประกอบรวมด้วย - ซิลิกอนจาก 10 ถึง 65 at%, - ไทเทเนียมจาก 8 ถึง 38 at%, - เซอร์โคเนียมจาก 25 ถึง 80 at%, สำหรับทั้งหมด 100 at% ของโลหะ, และ ที่ซึ่งสารเคลือบด้านบนมีความหนาจาก 0.1 ถึง 10 nm

14. หน่วยเกลสซิงแบบหลายชั้นที่ประกอบรวมด้วยอย่างน้อยหนึ่งซับสเตรตที่ถูกเคลือบตามข้อถือ สิทธิข้อ 1 ถึง 12 ข้อใดข้อหนึ่ง

15. วิธีการเตรียมซับสเตรตที่ถูกเคลือบที่ประกอบรวมด้วย, ตามลำดับ, อย่างน้อยขั้นตอน: 1. การจัดให้มีซับสเตรตโปร่งใสที่มีสองพื้นผิวหลักที่หนึ่งและที่สองที่ตรงข้ามกัน, 2. การสะสมสารเคลือบเชิงฟังก์ชันบนอย่างน้อยส่วนหนึ่งของพื้นผิวที่หนึ่งของซับสเตรตโปร่ง ใส, 3. การสะสม, เหนือและสัมผัสกับสารเคลือบเชิงฟังก์ชัน, สารเคลือบด้านบนที่ประกอบรวมด้วย โลหะ ออกไซด์ผสมที่ประกอบรวมด้วยอย่างน้อย SiOx, TiOy, และ ZrOz, ที่ซึ่ง x, y, z อยู่ในช่วงจาก 1.8 ถึง 2.2, โดยเทคนิคแมกนีตรอน สปัตเตอริง, ที่ซึ่งสารเคลือบด้านบนประกอบรวมด้วย - ซิลิกอนจาก 10 ถึง 65 at%, - ไทเทเนียมจาก 8 ถึง 38 at%, - เซอร์โคเนียมจาก 25 ถึง 80 at%, สำหรับทั้งหมด 100 at% ของโลหะ, และ ที่ซึ่งสารเคลือบด้านบนมีความหนาจาก 0.1 ถึง 10 nm

16.วิธีการเตรียมซับสเตรตที่ถูกเคลือบที่ถูกบำบัดด้วยความร้อนที่ประกอบรวมด้วย, ตามลำดับ, อย่างน้อยขั้นตอน: 1. การจัดให้มีซับสเตรตโปร่งใสที่มีสองพื้นผิวหลักที่หนึ่งและที่สองที่ตรงข้ามกัน, 2. การสะสมสารเคลือบเชิงฟังก์ชันบนอย่างน้อยส่วนหนึ่งของพื้นผิวที่หนึ่งของซับสเตรตโปร่ง ใส. 3. การสะสม. เหนือและสัมผัสกับสารเคลือบเชิงฟังก์ชัน, สารเคลือบด้นบนที่ประกอบรวมด้วยโลหะ ออกไซด์ผสมที่ประกอบรวมด้วยอย่างน้อย SiOx, TiOy, และ ZrOz ที่ซึ่ง x, y, z อยู่ในช่วงจาก 1.8 ถึง 2.2, โดยเทคนิคแมกนีตรอน สปัตเตอริง, ที่ซึ่งสารเคลือบด้านบนประกอบรวมด้วย - ซิลิกอนจาก 10 ถึง 65 at%, - ไทเทเนียมจาก 8 ถึง 38 at%., - เซอร์โคเนียมจาก 25 ถึง 80 at%, สำหรับทั้งหมด 100 at% ของโลหะ, และ ที่ซึ่งสารเคลือบด้านบนมีความหนาจาก 0.1 ถึง 10 nm. 4. การนำซับสเตรตที่ถูกเคลือบไปผ่านการบำบัดด้วยความร้อน

17. วิธีการเตรียมซับสเตรตที่ถูกเคลือบสองด้านที่ประกอบรวมด้วย, ตามลำดับ, อย่างน้อยขั้นตอน: 1. การจัดให้มีซับสเตรตโปร่งใสที่มีสองพื้นผิวหลักที่หนึ่งและที่สองที่ตรงข้ามกัน, ที่ซึ่งพื้นผิวที่หนึ่งถูกเผย, 2. การสะสมสารเคลือบเชิงฟังก์ชันที่หนึ่งบนอย่างน้อยส่วนหนึ่งของพื้นผิวที่หนึ่งของชับสเตร ตโปร่งใส. 3. การสะสม. เหนือและสัมผัสกับสารเคลือบเชิงฟังก์ชันที่หนึ่ง, สารเคลือบด้านบนที่ประกอบรวมด้วย โลหะ ออกไซด์ผสมที่ประกอบรวมด้วยอย่างน้อย SiOx, TiOy, และ ZrOz ที่ซึ่ง x, y, z อยู่ในช่วงจาก 1.8 ถึง 2.2, โดยเทคนิคแมกนีตรอน สปัตเตอริง, ที่ซึ่งสารเคลือบด้านบนประกอบรวมด้วย - ซิลิกอนจาก 10 ถึง 65 at%, - ไทเทเนียมจาก 8 ถึง 38 at%, - เซอร์โคเนียมจาก 25 ถึง 80 at%, สำหรับทั้งหมด 100 at% ของโลหะ, และ ที่ซึ่งสารเคลือบด้านบนมีความหนาจาก 0.1 ถึง 10 nm. 4. การพลิกซับสเตรต เช่น เพื่อเผยพื้นผิวที่สอง, 5. การสะสมสารเคลือบเชิงฟังก์ชันที่สองบนอย่างน้อยส่วนหนึ่งของพื้นผิวที่สองของซับสเตรต โปร่งใส, เพื่อจัดให้มีซับสเตรตโปร่งใสที่ถูกเคลือบสองด้าน, 6. อย่างเป็นทางเลือก การสะสม, เหนือและสัมผัสกับสารเคลือบเชิงฟังก์ชันที่สอง, สารเคลือบด้านบนที่ประกอบรวมด้วยโลหะ ออกไซด์ผสมที่ประกอบรวมด้วยอย่างน้อย SiOx, TiOy, และ ZrOz ที่ซึ่ง x, y, z อยู่ในช่วงจาก 1.8 ถึง 2.2, โดยเทคนิคแมกนีตรอน สปัตตอริง, ที่ซึ่งสารเคลือบด้านบนประกอบรวมด้วย - ซิลิกอนจาก 10 ถึง 65 at%, - ไทเทเนียมจาก 8 ถึง 38 at%, - เซอร์ โคเนียมจาก 25 ถึง 80 at%, สำหรับทั้งหมด 100 at% ของโลหะ, และ ที่ซึ่งสารเคลือบด้านบนมีความหนาจาก 0.1 ถึง 10 nm. 7. อย่างเป็นทางเลือก การนำซับสเตรตโปร่งใสที่ถูกเลือบสองด้านไปผ่านการบำบัดด้วยความร้อน

18. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อ 15 ถึง 17 ข้อใดข้อหนึ่ง, ที่ซึ่งการสะสมสารเคลือบด้านบนที่ประกอบรวมด้วยอย่างน้อยซิลิกอน, ไทเทเนียมและเซอร์โคเนียม, โดยเทคนิคแมกนีตรอน สปัตตอริงถูกทำให้เกิดผลโดยใช้เป้าหมายที่เป็นโลหะหรือเซรามิกเพื่อจัดให้มีธาตุไทเทเนียม, เชอร์โคเนียมหรือซิลิกอนอย่างน้อยสามธาตุ

19. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อ 15 ถึง 17 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งการสะสมสารเคลือบด้านบนที่ประกอบรวมด้วยอย่างน้อยซิลิกอน, ไทเทเนียมและเซอร์โคเนียม, โดยเทคนิคแมกนีตรอน สปัตตอริงถูกทำให้เกิดผลโดยใช้เป้าหมายที่เป็นเซรามิกที่ประกอบรวมด้วยออกไซด์ของไทเทเนียมแ ละเซอร์โคเนียม, และรูปโลหะของซิลิกอน

20. การใช้สารเคลือบด้านบนสำหรับซับสเตรตโปร่งใสที่ถูกจัดให้มีด้วยสารเคลือบเชิงฟังก์ชัน, ที่ซึ่งสารเคลือบด้านบนคือ โลหะ ออกไซด์ผสมแบบแมกนีตรอน สปัตเตอร์ที่ประกอบรวมด้วยอย่างน้อย SiOx, TiOy, และ ZrOz ที่ซึ่ง x, y, z อยู่ในช่วงจาก 1.8 ถึง 2.2, ที่ซึ่งสารเคลือบด้านบนประกอบรวมด้วย - ซิลิกอนจาก 10 ถึง 65 at%,, - ไทเทเนียมจาก 8 ถึง 38 at%, - เซอร์โคเนียมจาก 25 ถึง 80 at%, สำหรับทั้งหมด 100 at% ของโลหะ, และ ที่ซึ่งสารเคลือบด้านบนมีความหนาจาก 0.1 ถึง 10 กm: เพื่อปรับปรุงความทนทานโดยการเพิ่มความต้านทานการขัดถูอย่างน้อย 10%