TH23571A - "วิธีการของการผลิตอุปกรณ์กึ่งตัวนำ" - Google Patents
"วิธีการของการผลิตอุปกรณ์กึ่งตัวนำ"Info
- Publication number
- TH23571A TH23571A TH9501003426A TH9501003426A TH23571A TH 23571 A TH23571 A TH 23571A TH 9501003426 A TH9501003426 A TH 9501003426A TH 9501003426 A TH9501003426 A TH 9501003426A TH 23571 A TH23571 A TH 23571A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- semi
- base layer
- seconds
- thickness
- film
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 abstract 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 1
Abstract
ในวิธีการของการผลิตอุปกรณ์กึ่งตัวนำ ฟิล์มฉนวนพลาสม่าที่หนึ่งที่มีความหนา 0.1 ไมโครเมตร หรือมากกว่าถูกทำขึ้นบน ชั้นฐานกึ่งตัวนำที่มีสายไฟที่ผิวหน้าด้านล่างอยู่บนนั้น ชั้นฐานกึ่งตัวนำนี้จะถูก เคลื่อนที่เข้าไปในอุปกรณ์ CVD ที่ลดความดัน และแล้วแก๊ส SiH4 และ H2O2 จะถูกจ่ายเข้าไปใน ห้อง ปฏิกรณ์ของอุปกรณ์ CVD ที่ลดความดันเพื่อทำปฏิกิริยา ซึ่งกันและกันในสูญญากาศที่ 650 Pa หรือ ต่ำกว่า ภายในช่วง อุณหภูมิ -10 ํซ. ถึง +10 ํซ. เพื่อทำ เป็นฟิล์ม SiO2 ที่ไหลย้อนกลับที่มีความหนา 0.4 ไมโครเมตร ถึง 1.4 ไมโครเมตร บนชั้นฐานกึ่งตัวนำนั้น ชั้นฐานกึ่งตัว นำนี้จะถูกใส่เข้าไปใน สูญญากาศที่มีค่า 6.5 Pa เป็น เวลา 30 วินาทีหรือมากกว่า ภายหลังจากนั้นชั้นฐานกึ่งตัว นำนั้นจะถูกใส่ เข้าไปในที่อุณหภูมิสูง 300 ํซ. ถึง 450 ํซ. เป็นเวลา 120 วินาที ถึง 600 วินาที ฟิล์มฉนวนพลาสม่าที่ สองที่มีความหนา 0.3 ไมโครเมตรหรือมาก กว่าและจะใช้เป็นฟิล์มครอบจะถูกทำขึ้นบนชั้นฐานกึ่งตัวนำ นี้ ความต้านทานการแตกร้าวของฟิล์มฉนวนที่ไหลย้อนกลับที่ ถูกทำขึ้นในขั้นตอนข้างต้นจะได้รับการ ปรับปรุง และความราบ เรียบของฟิล์มฉนวนที่ไหลย้อนกลับจะได้รับการปรับปรุง
Claims (1)
1. วิธีการของการผลิตอุปกรณ์กึ่งตัวนำ ประกอบด้วยขั้นตอนของ การจ่ายแก๊ส SiH4 และ H2O2 เข้าไปในห้องปฏิกรณ์ ที่ซึ่ง ชั้นฐานกึ่งตัวนำจะมีฟิล์มฉนวนถูกทำ ขึ้นบนนั้นถูกวางอยู่ ข้างในเพื่อเป็นเหตุให้แก๊ส SiH4 และ H2O2 ทำปฏิกิริยาซึ่ง กันและกันในสูญญากาศที่ ต่ำกว่า 650 Pa ภายในช่วงอุณหภูมิ -10 ํซ. ถึง +10 ํซ. เพื่อทำเป็นฟิล์ม SiO2 ที่ไหลย้อนกลับที่มี ความหนา 0.4 ไมโครเมตร ถึง 1.4 ไมโครเมตร บนชั้นฐานกึ่งตัวนำดังกล่าว การใส่ชั้นฐานกึ่งตัวนำดังกล่าวเข้าไปในห้องปฏิกรณ์ดัง กล่าว ใแท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH23571A true TH23571A (th) | 1997-02-17 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI264113B (en) | Semiconductor memory device and method for manufacturing semiconductor device | |
| KR960026671A (ko) | 반도체장치의 제조방법 | |
| KR970030327A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 제조방법 | |
| KR940001322A (ko) | 반도체 장치의 제조방법 | |
| JPS57100748A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| KR950030308A (ko) | 반도체 장치 제조방법 | |
| TH23571A (th) | "วิธีการของการผลิตอุปกรณ์กึ่งตัวนำ" | |
| US4050967A (en) | Method of selective aluminum diffusion | |
| JPS57155765A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| KR970003811A (ko) | 반도체 소자분리막 형성 방법 | |
| JPS5758338A (en) | Semiconductor integrated device | |
| JPS6489355A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPS60244057A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6437036A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| KR960005863A (ko) | 반도체 소자의 질화막 형성방법 | |
| JPS6473738A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| TW350129B (en) | Manufacturing method of semiconductor formation latches the invention relates to a manufacturing method of semiconductor formation latches | |
| JPS6439748A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPS64766A (en) | Semiconductor device | |
| KR960039194A (ko) | 평탄화 절연막 형성방법 | |
| KR940021758A (ko) | 텅스텐 박막의 증착 방법 | |
| JPS55145356A (en) | Fabricating method of semiconductor device | |
| JPS6447051A (en) | Formation of multilayer interconnection | |
| JPS5516444A (en) | Producing method of semiconductor thin film resistance | |
| JPS6442175A (en) | Manufacture of semiconductor device |