TH33886A - กระบวนการขัดทางกลเคมีแบบใหม่สำหรับชั้นต่างๆ ของสารกึ่งตัวนำไฟฟ้า หรือวัสดุในการแบ่งแยกอื่นๆ - Google Patents
กระบวนการขัดทางกลเคมีแบบใหม่สำหรับชั้นต่างๆ ของสารกึ่งตัวนำไฟฟ้า หรือวัสดุในการแบ่งแยกอื่นๆInfo
- Publication number
- TH33886A TH33886A TH9801001170A TH9801001170A TH33886A TH 33886 A TH33886 A TH 33886A TH 9801001170 A TH9801001170 A TH 9801001170A TH 9801001170 A TH9801001170 A TH 9801001170A TH 33886 A TH33886 A TH 33886A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- silicon
- glass
- abrasion
- neutral
- mechanical polishing
- Prior art date
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract 12
- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims abstract 7
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 title claims abstract 4
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 claims abstract 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract 4
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims abstract 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract 3
- 150000003904 phospholipids Chemical class 0.000 claims abstract 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 claims abstract 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 abstract 4
- 239000000725 suspension Substances 0.000 abstract 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract 2
- -1 epithacial Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract 1
- 239000006194 liquid suspension Substances 0.000 abstract 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
Abstract
DC60 (17/06/41) กระบวนการขัดทางกลเคมี สำหรับชั้นของวัสดุสาร กึ่งตัวนำไฟฟ้า เช่น โพลีคริสตัลลีน ซิลิคอน เอพิทาเซียล ซิงเกิ้ล-คริสตัล ซิลิคอน, อะมอร์ฟัส ซิลิคอน เป็นต้น หรือ วัสดุแบ่งแยก เช่น ฟอสฟอซิลิเคท กลาส หรือ โบโรฟอสฟอซิลิเคท กลาส เป็นต้น ที่ถูกนำมาใช้ในอุตสาหกรรมสาร กึ่งตัวนำไฟฟ้าแบบไมโครอิเลกโทรนิคส์ ซึ่งไม่รวมถึงซิลิคอนประเภทแรกที่ถูกนำมาใช้ในการผลิต แผ่นบาง ๆ สำหรับวงจรไฟฟ้าแบบรวม โดยที่การขัดสีของขั้นของวัสดุสารกึ่งตัวนำไฟฟ้า หรือ วัสดุแบ่งแยก จะทำได้โดยการขัดถูสิ่งที่เรียกว่า ชั้นของวัสดุสารกึ่งตัวนำไฟฟ้า ด้วยแผ่นเส้นใยที่มี สารประกอบของการขัดสีเกาะติดอยู่ด้วย โดยตัวขัดสีนี้ จะประกอบด้วย สารละลายแขวนลอยที่ เป็นของเหลวที่มีค่า pH เป็นกลาง หรือใกล้เคียงความเป็นกลางของอนุภาคซิลิก้าแขวนลอยที่เป็น อิสระ ไม่เชื่อมต่อกันโดยแรงยึดเหนี่ยวแบบไซโลเซน และใช้น้ำเป็นตัวกลางของการแขวนลอย บทสรุปการประดิษฐ์ กระบวนการขัดทางกลเคมี สำหรับชั้นของวัสดุสาร กึ่งตัวนำไฟฟ้า เช่น โพลีคริสตัลลีน ซิลิคอน เอพิทาเชียล ซิงเกิ้ล-คริสตัล ซิลิคอน, อะมอร์ฟัส ซิลิคอน เป็นต้น หรือวัสดุแบ่งแยก เช่น ฟอสฟอซิลิเคท กลาส หรือโบโรฟอสฟอซิลิเคท กลาสเป็นต้น ที่ถูกนำมาใช้ในอุตสาหกรรมสารกึ่งตัวนำไฟฟ้าแบบไมโครอิเลกโทรนิคส์ ซึ่งไม่รวมถึงซิลิคอนประเภทแรกที่ถูกนำมาใช้ในการผลิตแผ่นบาง ๆ สำหรับวงจรไฟฟ้าแบบรวม โดยที่การขัดสีของขั้นของวัสดุสารกึ่งตัวนำไฟฟ้า หรือ วัสดุแบ่งแยกจะทำได้โดยการขัดถูสิ่งที่เรียกว่า ชั้นของวัสดุสารกึ่งตัวนำไฟฟ้า ด้วยแผ่นเส้นใยที่มีสารประกอบของการขัดสีเกาะติดอยู่ด้วย โดยตัวขัดสีนี้ จะประกอบด้วย สารละลาย แขวนลอยที่เป็นของเหลวที่มีค่า pH เป็นกลาง หรือใกล้เคียงความเป็นกลางของอนุภาค ซิลิก้าแขวนลอยที่เป็นอิสระ ไม่เชื่อมต่อกันโดยแรงยึดเหนี่ยวแบบไซโลเซน และใช้น้ำเป็นตัวกลางของการแขวนลอย
Claims (1)
1. กระบวนการขัดทางกลเคมี สำหรับชั้นของวัสดุสารกึ่งตัวนำไฟฟ้า เช่น โพลีคริสตัลลีน ซิลิคอน,เอพิทาเชียล ซิลเกิล-ค ริสตัล ซิลิคอน,อะมอร์ฟัส ซิลคอน เป็นต้น หรือวัสดุแบ่งแยก เช่น ฟอสฟอวิลิเคท กลาส หรือ โบโรฟอสฟอซิลิเคท กลาส เป็น ต้น ซึ่งถูกนำมาใช้ในอุตสาหกรรมสารกึ่งตัวนำไฟฟ้าแบบ ไมโครอิเลกโทรนิคส์ - โดยไม่รวมถึงซิลิคอนประเภทแรกที่ถูก นำมาใช้ในการผลิตแผ่นบาง ๆ สำหรับวงจรไฟฟ้าแบบรวม โดยที่ การขัดสีของชั้นของวัสดุสารกึ่งตัวนำหรือวัสดุแบ่งแยก จะทำ ได้โดยการขัดถูสิ่งที่เรียกว่า ชั้น ด้วยแผ่นเส้นใยทีแท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH33886A true TH33886A (th) | 1999-07-16 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6146979A (en) | Pressurized microbubble thin film separation process using a reusable substrate | |
| FR2785614B1 (fr) | Nouveau procede de polissage mecano-chimique selectif entre une couche d'oxyde de silicium et une couche de nitrure de silicium | |
| MY119523A (en) | Chemical mechanical polishing process for layers of semiconductor or isolating materials | |
| DE50100177D1 (de) | Verfahren zur Oberflächenpolitur von Siliciumscheiben | |
| TW373285B (en) | Robot blade for automatic handling of semiconductor substrate | |
| KR970060444A (ko) | 초기 기판에서 최종 기판으로 박막을 이동하는 공정 | |
| KR970061445A (ko) | 웨이퍼 및 기판의 재생방법 및 장치 | |
| FR2789998B1 (fr) | Nouvelle composition de polissage mecano-chimique d'une couche en un materiau conducteur d'aluminium ou d'alliage d'aluminium | |
| CN109585354A (zh) | 具有多区域控制的静电卡盘 | |
| EP0856882A3 (en) | Stand-off pad for supporting a wafer on a substrate support chuck and method of fabricating same | |
| KR100275283B1 (ko) | 한쪽면에 코팅시켜 다듬질을 한 반도체 웨이퍼의 제조방법 | |
| DE69709828D1 (de) | Neues Verfahren zum chemisch mechanischen Polieren von Isolationsschichten aus Silizium oder Silizium enthaltenden Materialien | |
| TH33886A (th) | กระบวนการขัดทางกลเคมีแบบใหม่สำหรับชั้นต่างๆ ของสารกึ่งตัวนำไฟฟ้า หรือวัสดุในการแบ่งแยกอื่นๆ | |
| JP3806151B2 (ja) | 第１物体の第２物体への結合方法 | |
| NO20022766L (no) | Fremgangsmåte for separasjon av en maskineringssuspensjon i fraksjoner | |
| DK1046690T3 (da) | Komposition til mekanisk-kemisk polering af lag i et isolerende materiale baseret på en polymer med lille dielektricitetskonstant | |
| JP3825649B2 (ja) | 濾過装置セットを用いた濾過方法 | |
| WO2002095813A3 (en) | Differential cleaning for semiconductor wafers with copper circuitry | |
| KR970023786A (ko) | 실리콘 온 인슐레이터(soi) 웨이퍼의 연마방법 | |
| EP1008571A2 (en) | Method of treating ceramic surfaces | |
| KR20230095001A (ko) | 마이크로 유로 디바이스용 합성 석영 유리 기판, 그리고 합성 석영 유리제 마이크로 유로 디바이스 및 그 제조 방법 | |
| Watanabe et al. | Evaluation of surfaces of single SiC crystal polished with various kinds of particles | |
| JP2002187000A (ja) | 被除去物の再利用方法および回収手段 | |
| JP3306401B2 (ja) | 流体の被除去物回収方法および流体の被除去物回収装置 | |
| TH23124B (th) | สเลอรีที่มีซิลิกาเป็นพื้นฐาน |