TH33886A - กระบวนการขัดทางกลเคมีแบบใหม่สำหรับชั้นต่างๆ ของสารกึ่งตัวนำไฟฟ้า หรือวัสดุในการแบ่งแยกอื่นๆ - Google Patents

กระบวนการขัดทางกลเคมีแบบใหม่สำหรับชั้นต่างๆ ของสารกึ่งตัวนำไฟฟ้า หรือวัสดุในการแบ่งแยกอื่นๆ

Info

Publication number
TH33886A
TH33886A TH9801001170A TH9801001170A TH33886A TH 33886 A TH33886 A TH 33886A TH 9801001170 A TH9801001170 A TH 9801001170A TH 9801001170 A TH9801001170 A TH 9801001170A TH 33886 A TH33886 A TH 33886A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
neutral
silicon
chemical
silica
abrasive
Prior art date
Application number
TH9801001170A
Other languages
English (en)
Inventor
เออฟราร์ด นางคาเธอรีน
รีวัวร์ นายโมริซ
ฌาคกีโนต์ นายเอริค
Original Assignee
คลาเรียนท์ ไฟแนนซ์ (บีวีไอ) ลิมิเต็ด
นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์
นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์
นายต่อพงศ์ โทณะวณิก
นายบุญมา เตชะวณิช
Filing date
Publication date
Application filed by คลาเรียนท์ ไฟแนนซ์ (บีวีไอ) ลิมิเต็ด, นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์, นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์, นายต่อพงศ์ โทณะวณิก, นายบุญมา เตชะวณิช filed Critical คลาเรียนท์ ไฟแนนซ์ (บีวีไอ) ลิมิเต็ด
Publication of TH33886A publication Critical patent/TH33886A/th

Links

Abstract

DC60 (17/06/41) กระบวนการขัดทางกลเคมี สำหรับชั้นของวัสดุสาร กึ่งตัวนำไฟฟ้า เช่น โพลีคริสตัลลีน ซิลิคอน เอพิทาเซียล ซิงเกิ้ล-คริสตัล ซิลิคอน, อะมอร์ฟัส ซิลิคอน เป็นต้น หรือ วัสดุแบ่งแยก เช่น ฟอสฟอซิลิเคท กลาส หรือ โบโรฟอสฟอซิลิเคท กลาส เป็นต้น ที่ถูกนำมาใช้ในอุตสาหกรรมสาร กึ่งตัวนำไฟฟ้าแบบไมโครอิเลกโทรนิคส์ ซึ่งไม่รวมถึงซิลิคอนประเภทแรกที่ถูกนำมาใช้ในการผลิต แผ่นบาง ๆ สำหรับวงจรไฟฟ้าแบบรวม โดยที่การขัดสีของขั้นของวัสดุสารกึ่งตัวนำไฟฟ้า หรือ วัสดุแบ่งแยก จะทำได้โดยการขัดถูสิ่งที่เรียกว่า ชั้นของวัสดุสารกึ่งตัวนำไฟฟ้า ด้วยแผ่นเส้นใยที่มี สารประกอบของการขัดสีเกาะติดอยู่ด้วย โดยตัวขัดสีนี้ จะประกอบด้วย สารละลายแขวนลอยที่ เป็นของเหลวที่มีค่า pH เป็นกลาง หรือใกล้เคียงความเป็นกลางของอนุภาคซิลิก้าแขวนลอยที่เป็น อิสระ ไม่เชื่อมต่อกันโดยแรงยึดเหนี่ยวแบบไซโลเซน และใช้น้ำเป็นตัวกลางของการแขวนลอย บทสรุปการประดิษฐ์ กระบวนการขัดทางกลเคมี สำหรับชั้นของวัสดุสาร กึ่งตัวนำไฟฟ้า เช่น โพลีคริสตัลลีน ซิลิคอน เอพิทาเชียล ซิงเกิ้ล-คริสตัล ซิลิคอน, อะมอร์ฟัส ซิลิคอน เป็นต้น หรือวัสดุแบ่งแยก เช่น ฟอสฟอซิลิเคท กลาส หรือโบโรฟอสฟอซิลิเคท กลาสเป็นต้น ที่ถูกนำมาใช้ในอุตสาหกรรมสารกึ่งตัวนำไฟฟ้าแบบไมโครอิเลกโทรนิคส์ ซึ่งไม่รวมถึงซิลิคอนประเภทแรกที่ถูกนำมาใช้ในการผลิตแผ่นบาง ๆ สำหรับวงจรไฟฟ้าแบบรวม โดยที่การขัดสีของขั้นของวัสดุสารกึ่งตัวนำไฟฟ้า หรือ วัสดุแบ่งแยกจะทำได้โดยการขัดถูสิ่งที่เรียกว่า ชั้นของวัสดุสารกึ่งตัวนำไฟฟ้า ด้วยแผ่นเส้นใยที่มีสารประกอบของการขัดสีเกาะติดอยู่ด้วย โดยตัวขัดสีนี้ จะประกอบด้วย สารละลาย แขวนลอยที่เป็นของเหลวที่มีค่า pH เป็นกลาง หรือใกล้เคียงความเป็นกลางของอนุภาค ซิลิก้าแขวนลอยที่เป็นอิสระ ไม่เชื่อมต่อกันโดยแรงยึดเหนี่ยวแบบไซโลเซน และใช้น้ำเป็นตัวกลางของการแขวนลอย

Claims (11)

1. กระบวนการขัดทางกลเคมี สำหรับชั้นของวัสดุสารกึ่งตัวนำไฟฟ้า เช่น โพลีคริสตัลลีน ซิลิคอน,เอพิทาเชียล ซิลเกิล-ค ริสตัล ซิลิคอน,อะมอร์ฟัส ซิลคอน เป็นต้น หรือวัสดุแบ่งแยก เช่น ฟอสฟอวิลิเคท กลาส หรือ โบโรฟอสฟอซิลิเคท กลาส เป็น ต้น ซึ่งถูกนำมาใช้ในอุตสาหกรรมสารกึ่งตัวนำไฟฟ้าแบบ ไมโครอิเลกโทรนิคส์ - โดยไม่รวมถึงซิลิคอนประเภทแรกที่ถูก นำมาใช้ในการผลิตแผ่นบาง ๆ สำหรับวงจรไฟฟ้าแบบรวม โดยที่ การขัดสีของชั้นของวัสดุสารกึ่งตัวนำหรือวัสดุแบ่งแยก จะทำ ได้โดยการขัดถูสิ่งที่เรียกว่า ชั้น ด้วยแผ่นเส้นใยที่มี สารประกอบในการขัดสีติดอยู่ด้วย โดยมีคุณลักษณะที่ว่า ตัว ขัดสี จะต้องประกอบด้วย สารละลายแขวนลอยที่เป็นของ เหลวที่มีค่า pH เป็นกลางหรือใกล้เคียงความเป็นกลางของซิ ลิก้าแขวนลอย ซึ่งประกอบด้วย อนุภาคของซิลิก้าแขวนลอยที่ เป็นอิสระ ไม่เชื่อมต่อกันโดยแรงยึดเหนี่ยวแบบไซโลเซน และ น้ำ ที่ทำหน้าที่เป็นตัวกลางของการแขวนลอย
2. กระบวนการขัดทางกลเคมี ตามข้อถือสิทธิ 1 จะถูกทำให้มี คุณลักษณะที่ว่า ตัวขัดสี จำเป็นต้องประกอบด้วยสารละลาย แขวนลอยที่เป็นของเหลว ที่มีค่า pH เป็นกลาง หรือใกล้เคลี ยงความเป็นกลาง
3. กระบวนการขัดทางกลเคมี ตามข้อถือสิทธิ 1 หรือ 2 จะถูก ทำให้มี คุณลักษณะที่ว่า สารละลายแขวนลอยที่เป็นของเหลวของ ซิลิก้าแขวนลอย ที่มีค่า pH เป็นกลางหรือใกล้เคียงความเป็น กลาง จะมีค่า pH อยู่ระหว่าง 6 และ 8
4. กระบวนการขัดทางกลเคมี ตามข้อสิทธิ 3 จะถูกทำให้มีคุณ ลักษณะที่ว่า สารละลายแขวนลอยที่เป็นของเหลวของซิลิก้าแขวน ลอย ที่มีค่า pH เป็นกลางหรือใกล้เคียงความเป็นแลางจะมีค่า pH อยู่ระหว่าง 6.5 และ 7.5
5. กระบวนการขัดทางกลเคมี ตามข้อถือสิทธิ 1-4 จะถูกทำให้ มีคุณลักษณะที่ว่า สารละลายแขวนลอยที่เป็นของเหลวของซิ ลิก้าแขวนลอย ที่มีค่า pH เป็นกลางหรือใกล้เคียงความเป็น กลางจะประกอบด้วย อนุภาคของซิลิก้าแขวนลอยที่เป็นอิสระ ไม่ เชื่อมต่อกันด้วยแรงยึดเหนี่ยวแบบไซโลเซน มีขนาดเส้นผ่า ศูนย์กลางระหว่าง 3 และ 250 นาโนเมตร
6. กระบวนการขัดทางกลเคมี ตามข้อถือสิทธิ 5 จะถูกทำให้มี คุณลักษณะที่ว่า สารละลายแขวนลอยที่เป็นของเหลวของซิลิก้า แขวนลอย ที่มีค่า pH เป็นกลางหรือใกล้เคียงความเป็นกลางจะ ประกอบด้วย อนุภาคของซิลิก้าแบบแขวนลอยที่เป็นอิสระ ไม่ เชื่อมต่อกันด้วยแรงยึดเหนี่ยวแบบไซโลเซน มีขนาดเส้นผ่า ศูนย์กลางอยู่ระหว่าง 10 และ 100 นาโนเมตร
7. กระบวนการขัดทางกลเคมี ตามข้อถือสิทธิ 1 - 6 จะถูกทำ ให้มีคุณลักษณะที่ว่า สารละลายแขวนลอยที่เป็นของเหลวของซิ ลิก้าแขวนลอย ที่มีค่า pH เป็นกลางหรือใกล้เคียงความเป็น กลางจะถูกกำหนดให้ใช้ความเข้มข้นของซิลิก้าโดยน้ำหนักอยู่ ระหว่าง 5 และ 50 เปอร์เซ็นต์
8. กระบวนการขัดทางกลเคมี ตามข้อถือสิทธิ 7 จะถูกทำให้มี คุณลักษณะที่ว่า สารละลายแขวนลอยที่เป็นของเหลวของซิลิก้า แขวนลอย ที่มีค่า pH เป็นกลางหรือใกล้เคียงความเป็นกลางจะ ถูกกำหนดให้ใช้ความเข้มข้นของซิลิก้าโดยน้ำหนักอยู่ระหว่าง 15 และ 40 เปอร์เซ็นต์
9. กระบวนการขัดทางกลเคมี ตามข้อถือสิทธิ 1-8 จะถูกทำให้ มีคุณลักษณะที่ว่า วัสดุสารกึ่งตัวนำไฟฟ้า จะมีส่วนประกอบ ของ โพลีคริสตัลลีน ซิลิคอน,เอพิทาเชียล ซิลิคอน, อ ะมอร์ฟัส ซิลิคอน เป็นต้น หรือมีส่วนประกอบของ ซิลิคอน ออกไซด์ ที่ต้านการนำไฟฟ้า ที่เลือกมาระหว่างฟอสฟอซิลิเคท กลาส (PSG) หรือ โบโรฟอสฟอซิลิเคท กลาส (BPSG)
10. กระบวนการขัดทางกลเคมี ตามข้อถือสิทธิ 9 จะถูกทำให้มี คุณลักษณะที่ว่า ชั้นของวัสดุสารกึ่งตัวนำไฟฟ้าจะมีส่วน ประกอบของ โพลีคริสตัลลีน ซิลิคอน
11. ตัวขัดสีสำหรับการขัดทางกลเคมีของชั้นวัสดุสารกึ่งตัว นำไฟฟ้า ที่มีส่วนประกอบของซิลิคอน เช่น โพลีคริสตัลลีน ซิลิคอน, เอพิทาเชียล ซิลิคอน หรือ อะมอร์ฟัส ซิลิคอน เป็น ต้น หรือมีส่วนประกอบของ ซิลิคอน ออกไซด์ ที่ต้านการนำ ไฟฟ้า เช่น ฟอสฟอซิลิเคท กลาส (PSG) หรือ โบโรฟอสฟอซิลิเคท กลาส (BSPG) เป็นต้น จะประกอบด้วย แผ่นเส้นใยที่มีสาร ประกอบของการขัดสีที่เป็นของเหลวเกาะติดอยู่ โดยเป็นส่วน ผสมของสารละลายแขวนลอยที่เป็นของเหลวที่มีค่า pH เป็นกลาง หรือใกล้เคียงความเป็นกลาง ของซิลิก้าแขวนลอย ที่ประกอบ ด้วย อนุภาคที่เป็นอิสระไม่เชื่อมต่อกัน ด้วยแรงยึดเหนี่ยว แบบไซโลเซน มีขนาดเส้นผ่าศูนย์กลาง 3 และ 250 นาโนเมตร และมีค่า pH อยู่ระหว่าง 6 และ 8 (ข้อถือสิทธิ 11 ข้อ, 2 หน้า, 4 รูป)
TH9801001170A 1998-04-03 กระบวนการขัดทางกลเคมีแบบใหม่สำหรับชั้นต่างๆ ของสารกึ่งตัวนำไฟฟ้า หรือวัสดุในการแบ่งแยกอื่นๆ TH33886A (th)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TH33886A true TH33886A (th) 1999-07-16

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5264010A (en) Compositions and methods for polishing and planarizing surfaces
KR101371870B1 (ko) 수용성 산화제를 이용한 탄화규소 연마 방법
CN1321441C (zh) 化学机械研磨用水性分散体及其化学机械研磨方法
CN101375376B (zh) 绝缘膜研磨用cmp研磨剂、研磨方法、通过该研磨方法研磨的半导体电子部件
ATE527211T1 (de) Neutrale wassrige suspension von kolloidalen kieselsäure
KR20100065386A (ko) 아미노실란으로 처리된 연마제 입자를 이용한 연마 조성물 및 방법
EP1369906A4 (en) POLISHING COMPOSITION AND METHOD FOR POLISHING A SUBSTRATE
JP2000049122A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2009543337A5 (th)
FR2785614B1 (fr) Nouveau procede de polissage mecano-chimique selectif entre une couche d'oxyde de silicium et une couche de nitrure de silicium
JP2003197574A (ja) SiC系化合物のCMP用研磨スラリー、研磨方法および半導体装置の製造方法
KR102322420B1 (ko) 저결점의 화학적 기계적 폴리싱 조성물
KR20110109859A (ko) 실리콘 옥사이드 제거 증강에 적절한 연마 조성물을 사용한 기판의 화학 기계적 연마방법
KR101186110B1 (ko) 금속막의 화학 기계적 연마용 슬러리 조성물
US20050095865A1 (en) Selective chemical-mechanical polishing properties of a cross-linked polymer and specific applications therefor
US20020170237A1 (en) Polishing slurry for the chemical-mechanical polishing of silica films
FR2754937B1 (fr) Nouveau procede de polissage mecano-chimique de couches de materiaux isolants a base de derives du silicium ou de silicium
JP2005117027A (ja) SiC基板の製造方法
JP2002190458A (ja) 化学機械研磨用水系分散体
JP4574140B2 (ja) 研磨用組成物及びそれを用いる研磨方法
Armini et al. Engineering polymer core–silica shell size in the composite abrasives for CMP applications
EP0826756A1 (en) Abrasive composition for polishing a metal layer on a semiconductor substrate, and use of the same
MY135387A (en) Process for the chemical-mechanical polishing of metal substrates
JPH07249600A (ja) ポリシリコン膜の研磨方法およびポリシリコン膜用研磨剤
TW202346499A (zh) 穩定的化學機械平坦化研磨組合物和用於高速移除氧化矽的方法