TH36305A - อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำที่มีพื้นผิวที่ได้รับการแยกออก - Google Patents
อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำที่มีพื้นผิวที่ได้รับการแยกออกInfo
- Publication number
- TH36305A TH36305A TH9601004452A TH9601004452A TH36305A TH 36305 A TH36305 A TH 36305A TH 9601004452 A TH9601004452 A TH 9601004452A TH 9601004452 A TH9601004452 A TH 9601004452A TH 36305 A TH36305 A TH 36305A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- substrate
- plane
- semiconductor
- semiconductor device
- pair
- Prior art date
Links
Abstract
อุปกรณ์การเปล่งแสงของสารกึ่งตัวนำที่จะได้รับการจัดเตรียมไว้โดยขั้นตอนของการจัดขึ้นรูปเป็นสารกึ่งตัวนำ 2 ที่มีโครงสร้างแบบมีหลายแผ่นวางเป็นขั้น ๆ ท่บรรจุด้วยอย่า น้อยขั้นเปลือกนอกที่หนึ่ง 6 ชั้นการเปล่งแสง 7 และชั้น เปลือกนอกที่สอง 8 ที่อยู่บยซับสเตรตที่มีระบาบ (11-20) (ระบาบ a) ให้เป็นระนาบหลัก และการทำให้แตกออกแบบรวมกันของ ขั้นสารกึ่งตัวนำ 2 และซับสเตรต 1 ที่อยู่ภายใต้สภาวะของ การทำให้ร้อนที่จะขึ้นรูปเป็นผิวหน้าคู่หนึ่งอยู่บน ซับสเตรตที่อธิลบายมาแล้วข้างต้นนั้นอันเนื่องมาจากระนาบ ที่ได้รับการทำให้แยกออกใน (1-102) ระนาบ (ระนาบ a) และที่ เวลาเดียวกันเพื่อที่จะจัดขึ้นรูปผิวหน้าคู่หนึ่ง 3 ที่ยืดขยายออกไปตามผิวหน้าคู่หนึ่งที่อธิบายไว้ข้างต้น นั้นของซับสเตรต ๆ ที่อยู่บนขั้นสารกึ่งตัวนำ 2 นั้น
Claims (3)
1. อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำ ประกอบด้วย ;ซับสเตรต และ ชั้นอย่างน้อยหนึ่งชั้นที่ประกอบด้วยองค์ ประกอบสารกึ่งตัวนำที่บรรจุด้วย N (ไนโตรเจน) และองค์ ประกอบอย่างน้อยหนึ่งอย่างที่เลือกมาจาก (Ga , Al , In) ที่อยู่บนซับสเตรตดังกล่าว ซับสเตรตดังกล่าวที่มีผิวหน้าคู่หนึ่งที่มีความเอียงอยู่ ภายในค่า 5 องศาของระบาบ (1-102) ของซับสเตรตดังกล่าว
2. อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำดังที่อธิบายไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่มีขั้นอย่างน้อยที่สุดหนึ่งขั้นดังกล่าวที่มีผิวหน้าคู่ หนึ่งที่ขนานไปกับผิวหน้าดังกล่าวของซับสเตรตดังกล่าว
3. อุปกรแท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH36305A true TH36305A (th) | 1999-12-17 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA2226439A1 (en) | Photodetectors using iii-v-nitrides | |
| WO2003058726A1 (en) | Semiconductor light-emitting device, light-emitting display, method for manufacturing semiconductor light-emitting device, and method for manufacturing light-emitting display | |
| KR970070257A (ko) | 반도체 적층 구조 | |
| TW350145B (en) | Semiconductor light emitting device with high light emission efficiency | |
| US4095011A (en) | Electroluminescent semiconductor device with passivation layer | |
| WO2004057687A3 (de) | Lichtemittierende anordnung | |
| KR910008872A (ko) | 반도체 소자와 그 제조방법 | |
| KR970024329A (ko) | 발광 효율이 개선된 발광 다이오드(light emitting diode with improved luminous efficiency) | |
| CN206098458U (zh) | 显示结构 | |
| TH36305A (th) | อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำที่มีพื้นผิวที่ได้รับการแยกออก | |
| EP0342063A3 (en) | Process for preparing an electroluminescent film | |
| KR880004341A (ko) | 박막el소자 및 그 제조방법 | |
| CA2103085A1 (en) | Method for Preparing Superconducting Thin Film Formed of High Temperature Superconductor Oxide | |
| WO2006071542A3 (en) | Architecture for coated conductors | |
| JPH02265194A (ja) | カラー薄膜ｅｌパネル | |
| ES2165935T3 (es) | Procedimiento para el acondicionamiento de superficies poliolefinicas. | |
| JPS6420616A (en) | Formation of p-type sic electrode | |
| US20190165306A1 (en) | Oled panel for lighting device and method of manufacturing the same | |
| JPS547891A (en) | Manufacture for planar semiconductor light emission device | |
| KR970070258A (ko) | 결정 성장용 기판 | |
| JPH04249092A (ja) | Ｅｌ表示装置 | |
| KR970030946A (ko) | 청색 발광소자 | |
| WO2020263818A3 (en) | Source of photoluminescent light with reduced thermal quenching and use thereof | |
| JPS6445113A (en) | Semiconductor superlattice structure | |
| SE8405980L (sv) | Halvledaranordning innefattande en elektroluminiscent diod och forfarande for framstellning av densamma |