TH36305A - อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำที่มีพื้นผิวที่ได้รับการแยกออก - Google Patents

อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำที่มีพื้นผิวที่ได้รับการแยกออก

Info

Publication number
TH36305A
TH36305A TH9601004452A TH9601004452A TH36305A TH 36305 A TH36305 A TH 36305A TH 9601004452 A TH9601004452 A TH 9601004452A TH 9601004452 A TH9601004452 A TH 9601004452A TH 36305 A TH36305 A TH 36305A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
substrate
plane
semiconductor
semiconductor device
pair
Prior art date
Application number
TH9601004452A
Other languages
English (en)
Inventor
โมริตะ นายเอสึโอะ
คาวาอิ นายฮิโรจิ
Original Assignee
นายดำเนิน การเด่น
นายต่อพงศ์ โทณะวณิก
นายวิรัช ศรีอเนกราธา
นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์
Filing date
Publication date
Application filed by นายดำเนิน การเด่น, นายต่อพงศ์ โทณะวณิก, นายวิรัช ศรีอเนกราธา, นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์ filed Critical นายดำเนิน การเด่น
Publication of TH36305A publication Critical patent/TH36305A/th

Links

Abstract

อุปกรณ์การเปล่งแสงของสารกึ่งตัวนำที่จะได้รับการจัดเตรียมไว้โดยขั้นตอนของการจัดขึ้นรูปเป็นสารกึ่งตัวนำ 2 ที่มีโครงสร้างแบบมีหลายแผ่นวางเป็นขั้น ๆ ท่บรรจุด้วยอย่า น้อยขั้นเปลือกนอกที่หนึ่ง 6 ชั้นการเปล่งแสง 7 และชั้น เปลือกนอกที่สอง 8 ที่อยู่บยซับสเตรตที่มีระบาบ (11-20) (ระบาบ a) ให้เป็นระนาบหลัก และการทำให้แตกออกแบบรวมกันของ ขั้นสารกึ่งตัวนำ 2 และซับสเตรต 1 ที่อยู่ภายใต้สภาวะของ การทำให้ร้อนที่จะขึ้นรูปเป็นผิวหน้าคู่หนึ่งอยู่บน ซับสเตรตที่อธิลบายมาแล้วข้างต้นนั้นอันเนื่องมาจากระนาบ ที่ได้รับการทำให้แยกออกใน (1-102) ระนาบ (ระนาบ a) และที่ เวลาเดียวกันเพื่อที่จะจัดขึ้นรูปผิวหน้าคู่หนึ่ง 3 ที่ยืดขยายออกไปตามผิวหน้าคู่หนึ่งที่อธิบายไว้ข้างต้น นั้นของซับสเตรต ๆ ที่อยู่บนขั้นสารกึ่งตัวนำ 2 นั้น

Claims (3)

1. อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำ ประกอบด้วย ;ซับสเตรต และ ชั้นอย่างน้อยหนึ่งชั้นที่ประกอบด้วยองค์ ประกอบสารกึ่งตัวนำที่บรรจุด้วย N (ไนโตรเจน) และองค์ ประกอบอย่างน้อยหนึ่งอย่างที่เลือกมาจาก (Ga , Al , In) ที่อยู่บนซับสเตรตดังกล่าว ซับสเตรตดังกล่าวที่มีผิวหน้าคู่หนึ่งที่มีความเอียงอยู่ ภายในค่า 5 องศาของระบาบ (1-102) ของซับสเตรตดังกล่าว
2. อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำดังที่อธิบายไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่มีขั้นอย่างน้อยที่สุดหนึ่งขั้นดังกล่าวที่มีผิวหน้าคู่ หนึ่งที่ขนานไปกับผิวหน้าดังกล่าวของซับสเตรตดังกล่าว
3. อุปกรแท็ก :
TH9601004452A 1996-12-23 อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำที่มีพื้นผิวที่ได้รับการแยกออก TH36305A (th)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TH36305A true TH36305A (th) 1999-12-17

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2003058726A1 (en) Semiconductor light-emitting device, light-emitting display, method for manufacturing semiconductor light-emitting device, and method for manufacturing light-emitting display
JPH09161967A (ja) 有機デバイスのパッシベーション
WO2003009346A3 (en) Processing system
KR970054585A (ko) 질화물계 iii-v족 화합물 반도체 소자 및 그의 제조 방법
US4095011A (en) Electroluminescent semiconductor device with passivation layer
WO2004057687A3 (de) Lichtemittierende anordnung
TW351020B (en) Group III-V compound semiconductor, method of manufacturing the same, and light emitting element
KR940022934A (ko) 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
KR970024329A (ko) 발광 효율이 개선된 발광 다이오드(light emitting diode with improved luminous efficiency)
CN206098458U (zh) 显示结构
TH36305A (th) อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำที่มีพื้นผิวที่ได้รับการแยกออก
EP0342063A3 (en) Process for preparing an electroluminescent film
KR880004341A (ko) 박막el소자 및 그 제조방법
WO2006071542A3 (en) Architecture for coated conductors
JPH02265194A (ja) カラー薄膜elパネル
ES2165935T3 (es) Procedimiento para el acondicionamiento de superficies poliolefinicas.
US11751426B2 (en) Hybrid thin film permeation barrier and method of making the same
JPH03210791A (ja) 有機薄膜el素子
JPS547891A (en) Manufacture for planar semiconductor light emission device
KR970070258A (ko) 결정 성장용 기판
JPH04249092A (ja) El表示装置
KR970030946A (ko) 청색 발광소자
WO2020263818A3 (en) Source of photoluminescent light with reduced thermal quenching and use thereof
JPS6445113A (en) Semiconductor superlattice structure
SE8405980L (sv) Halvledaranordning innefattande en elektroluminiscent diod och forfarande for framstellning av densamma