TH41777A3

TH41777A3 - Semiconductor components Especially in solar cells and processes for the manufacture of semiconductors.

Info

Publication number: TH41777A3
Application number: TH9901001376A
Authority: TH
Inventors: ลา เวกเชีย ดร.นันซิโอ
Original assignee: นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์; นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์; นายบุญมา เตชะวณิช; นายต่อพงศ์ โทณะวณิก
Filing date: 1999-04-26
Publication date: 2000-12-12

Abstract

DC60 (22/06/42) ส่วนประกอบของสารกึ่งตัวนำ (50) โดยเฉพาะอย่างยิ่งเซลแสงอาทิตย์ ซึ่งมีวัสดุชั้นฐาน ของสารกึ่งตัวนำ (40) ที่อย่าง น้อยประกอบด้วยโครงสร้างแบบผลึกเดี่ยวหรือแบบหลายผลึก วัสดุ ชั้นฐานของสารกึ่งตัวนำ (40) อย่างน้อยบางส่วนจะเป็น ไพไรต์ที่มีองค์ประกอบทางเคมีเป็น FeS2 และได้รับการทำความ สะอาดเพื่อการทำให้ได้มาซึ่งความบริสุทธิ์ตามที่ได้กำหนด ไว้ ประโยชน์สูง สุดนั้นจะได้มาจากวัสดุชั้นฐานของสารกึ่ง ตัวนำ (40) เมื่อวัสดุนั้นได้รับการผลิตขึ้นจากชั้นไพไรต์ (51) อย่างน้อยหนึ่งชั้น ชั้นโบรอน (52) อย่างน้อยหนึ่ง ชั้นและชั้นฟอสฟอรัส (53) อย่างน้อยหนึ่ง ชิ้น ส่วนประกอบ ของสารกึ่งตัวนำนั้นจะได้รับการนำมาใช้เป็นเซลแสงอาทิตย์ ส่วนประกอบของสารกึ่งตัวนำ (50) โดยเฉพาะอย่างยิ่งเซลแสงอาทิตย์ ซึ่งมีวัสดุพื้นฐาน ของสารกึ่งตัวนำ (40) ที่อย่าง น้อยประกอบด้วยโครงสร้างแบบผลึกเดี่ยวหรือแบบหลายผลึก วัสดุ ชั้นฐานของสารกึ่งตัวนำ (40) อย่างน้อยบางส่วนจะเป็น ไพไรต์ที่มีองค์ประกอบทางเคมีเป็น FeS2 และได้รับการทำความ สะอาดเพื่อการทำให้ได้มาซึ่งความบริสุทธิ์ตามที่ได้กำหนด ไว้ ประโยชน์สูง สุดนั้นจะได้มาจากวัสดุชั้นฐานของสารกึ่ง ตัวนำ (40) เมื่อวัสดุนั้นได้รับการผลิตขึ้นจากชั้นไพไรต์ (51) อย่างน้อยหนึ่งชั้น ชั้นโบรอน (52) อย่างน้อยหนึ่ง ชั้นและชั้นฟอสฟอรัส (53) อย่างน้อยหนึ่ง ชิ้น ส่วนประกอบ ของสารกึ่งตัวนำนั้นจะได้รับการนำมาใช้เป็นเซลแสงอาทิตย์ DC60 (22/06/42) semiconductor components (50), especially solar cells. Which has base material Of semiconductor (40) that at least comprises a single crystal or multicrystalline structure, at least some of the semiconductor base layer material (40) will be Pyrite having a FeS2 chemical composition and To achieve the specified purity, the greatest benefit is obtained from the semiconductor base layer (40) when the material has been manufactured from at least one pyrite layer (51). At least one layer of boron (52) Layers and layers of phosphorus (53) At least one component of that semiconductor is used as solar cells. Semiconductor components (50), especially solar cells Which contains the base material Of semiconductor (40) that at least comprises a single crystal or multicrystalline structure, at least some of the semiconductor base layer material (40) will be Pyrite having a FeS2 chemical composition and To achieve the specified purity, the greatest benefit is obtained from the semiconductor base layer (40) when the material has been manufactured from at least one pyrite layer (51). At least one layer of boron (52) Layers and layers of phosphorus (53) At least one component of that semiconductor is used as solar cells.

Claims

1. semiconductor components Especially solar cells With a substrate material for semiconductors (20,40) consisting of a single crystal or multicrystalline structure consisting at least partially pyrite with the chemical composition of FeS2 and which has been cleaned for purification Acquired with the prescribed purity It is unique in that the base material for at least some of the semiconductor (20, 40) pyrites containing the FeS2 chemical composition is either assembled or doped with boron (52) and / or With tag: