TH41777A3 - ส่วนประกอบของสารกึ่งตัวนำ โดยเฉพาะอย่างยิ่งในเซลล์แสงอาทิตย์และกระบวนการเพื่อการผลิตสารกึ่งตัวนำ - Google Patents
ส่วนประกอบของสารกึ่งตัวนำ โดยเฉพาะอย่างยิ่งในเซลล์แสงอาทิตย์และกระบวนการเพื่อการผลิตสารกึ่งตัวนำInfo
- Publication number
- TH41777A3 TH41777A3 TH9901001376A TH9901001376A TH41777A3 TH 41777 A3 TH41777 A3 TH 41777A3 TH 9901001376 A TH9901001376 A TH 9901001376A TH 9901001376 A TH9901001376 A TH 9901001376A TH 41777 A3 TH41777 A3 TH 41777A3
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- semiconductor
- solar cells
- layer
- pyrite
- semiconductor components
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
- 238000000034 method Methods 0.000 title 1
- 229910052683 pyrite Inorganic materials 0.000 claims abstract 9
- NIFIFKQPDTWWGU-UHFFFAOYSA-N pyrite Chemical compound [Fe+2].[S-][S-] NIFIFKQPDTWWGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract 8
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 6
- 239000011028 pyrite Substances 0.000 claims abstract 5
- 229910052960 marcasite Inorganic materials 0.000 claims abstract 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract 3
- 238000000746 purification Methods 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 abstract 2
Abstract
DC60 (22/06/42) ส่วนประกอบของสารกึ่งตัวนำ (50) โดยเฉพาะอย่างยิ่งเซลแสงอาทิตย์ ซึ่งมีวัสดุชั้นฐาน ของสารกึ่งตัวนำ (40) ที่อย่าง น้อยประกอบด้วยโครงสร้างแบบผลึกเดี่ยวหรือแบบหลายผลึก วัสดุ ชั้นฐานของสารกึ่งตัวนำ (40) อย่างน้อยบางส่วนจะเป็น ไพไรต์ที่มีองค์ประกอบทางเคมีเป็น FeS2 และได้รับการทำความ สะอาดเพื่อการทำให้ได้มาซึ่งความบริสุทธิ์ตามที่ได้กำหนด ไว้ ประโยชน์สูง สุดนั้นจะได้มาจากวัสดุชั้นฐานของสารกึ่ง ตัวนำ (40) เมื่อวัสดุนั้นได้รับการผลิตขึ้นจากชั้นไพไรต์ (51) อย่างน้อยหนึ่งชั้น ชั้นโบรอน (52) อย่างน้อยหนึ่ง ชั้นและชั้นฟอสฟอรัส (53) อย่างน้อยหนึ่ง ชิ้น ส่วนประกอบ ของสารกึ่งตัวนำนั้นจะได้รับการนำมาใช้เป็นเซลแสงอาทิตย์ ส่วนประกอบของสารกึ่งตัวนำ (50) โดยเฉพาะอย่างยิ่งเซลแสงอาทิตย์ ซึ่งมีวัสดุพื้นฐาน ของสารกึ่งตัวนำ (40) ที่อย่าง น้อยประกอบด้วยโครงสร้างแบบผลึกเดี่ยวหรือแบบหลายผลึก วัสดุ ชั้นฐานของสารกึ่งตัวนำ (40) อย่างน้อยบางส่วนจะเป็น ไพไรต์ที่มีองค์ประกอบทางเคมีเป็น FeS2 และได้รับการทำความ สะอาดเพื่อการทำให้ได้มาซึ่งความบริสุทธิ์ตามที่ได้กำหนด ไว้ ประโยชน์สูง สุดนั้นจะได้มาจากวัสดุชั้นฐานของสารกึ่ง ตัวนำ (40) เมื่อวัสดุนั้นได้รับการผลิตขึ้นจากชั้นไพไรต์ (51) อย่างน้อยหนึ่งชั้น ชั้นโบรอน (52) อย่างน้อยหนึ่ง ชั้นและชั้นฟอสฟอรัส (53) อย่างน้อยหนึ่ง ชิ้น ส่วนประกอบ ของสารกึ่งตัวนำนั้นจะได้รับการนำมาใช้เป็นเซลแสงอาทิตย์
Claims (1)
1. ส่วนประกอบของสารกึ่งตัวนำ โดยเฉพาะอย่างยิ่งเซลแสงอาทิตย์ ที่มีวัสดุชั้นฐานสำหรับ สารกึ่งตัวนำ (20,40) ที่ ประกอบด้วยโครงสร้างแบบผลึกเดี่ยวหรือแบบหลายผลึก ซึ่ง ประกอบด้วยไพ ไรต์อย่างน้อยบางส่วนที่มีองค์ประกอบทางเคมี เป็น FeS2 และซึ่งได้รับการทำความสะอาดเพื่อการ ทำให้ได้มา ซึ่งมีความบริสุทธิ์ตามที่ได้กำหนดไว้ โดยมีลักษณะเฉพาะ ซึ่ง วัสดุชั้นฐานสำหรับสารกึ่ง ตัวนำ (20, 40) ไพรไรต์ อย่างน้อยบางส่วนที่มีองค์ประกอบทางเคมี FeS2 จะได้รับการ ประกอบรวม หรือได้รับการโดปด้วยโบรอน (52) และ/หรือด้วย ฟแท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH41777A3 true TH41777A3 (th) | 2000-12-12 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE50014824D1 (de) | Solarzelle mit einer Schutzdiode und ihr Herstellungsverfahren | |
| EP0875945A3 (en) | Solar cell and fabrication method thereof | |
| BR0109057A (pt) | Processo para a produção de um módulo fotovoltaico de camada fina | |
| RU2007139436A (ru) | Солнечный элемент и способ его изготовления | |
| DE69908053D1 (de) | Leistungsmodulsubstrat sowie sein herstellungsverfahren, und halbleitervorrichtung mit dem substrat | |
| ES2191716T3 (es) | Un procedimiento de fabricacion de celulas solares de capa delgada. | |
| EP1480277A4 (en) | SOLAR CELL MODULE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR | |
| JPH10321883A5 (th) | ||
| DE602005021200D1 (de) | Solarzelle und Herstellungsverfahren | |
| DE60200438D1 (de) | Wasserstoff-Getterstruktur mit silberdotierter Palladiumschicht zur Erhöhung des Wasserstoff-Getterns eines Halbleitermoduls, Halbleitermodul mit einer solchen Zusammensetzung und Herstellungsverfahren | |
| TW200501384A (en) | Semiconductor carrier film, and semiconductor device and liquid crystal module using the same | |
| AR019111A1 (es) | Componente semiconductor, en particular una celda solar, que tiene al menos un material de base, semiconductor y metodo para producir dicho componente. | |
| ATE308801T1 (de) | P-typ-halbleiter, verfahren zu dessen herstellung,halbleiteranordnung, photovoltaisches bauelement, und verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung | |
| JPH0368547B2 (th) | ||
| TH41777A3 (th) | ส่วนประกอบของสารกึ่งตัวนำ โดยเฉพาะอย่างยิ่งในเซลล์แสงอาทิตย์และกระบวนการเพื่อการผลิตสารกึ่งตัวนำ | |
| JP2001127308A5 (th) | ||
| ITMI932035A1 (it) | Procedimento per la preparazione di moduli fotovoltaici a base di silicio cristallino | |
| TWI256682B (en) | Semiconductor device and manufacturing method for the same | |
| KR910013498A (ko) | 반도체장치 및 그 제조방법 | |
| JP2000058451A5 (th) | ||
| JP2003347522A5 (th) | ||
| DE502005011195D1 (de) | Verfahren zur gleichzeitigen rekristallisierung und dotierung von halbleiterschichten und nach diesem verfahren hergestellte halbleiterschichtsysteme | |
| RU2004103073A (ru) | Усовершенствованный солнечный элемент | |
| KR850007717A (ko) | 반도체 기판물질의 개량된 게터링(Gettering) 공법 | |
| TW200620689A (en) | Photovoltaic cell comprising a photovoltaically active semiconductor material |