TH50091A - องค์ประกอบและวิธีการทำผิวให้เรียบ - Google Patents
องค์ประกอบและวิธีการทำผิวให้เรียบInfo
- Publication number
- TH50091A TH50091A TH1004361A TH0001004361A TH50091A TH 50091 A TH50091 A TH 50091A TH 1004361 A TH1004361 A TH 1004361A TH 0001004361 A TH0001004361 A TH 0001004361A TH 50091 A TH50091 A TH 50091A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- approximately
- elements
- abrasive particles
- components
- particle size
- Prior art date
Links
Abstract
DC60 (24/01/44) องค์ประกอบและวิธีการทำผิวให้เรียบหรือเป็นเงาวาว ด้วยองค์ประกอบที่จัดเตรียมไว้ องค์ประกอบ พาหะของเหลว ตัวเร่ง เชิงเคมี และของแข็งประกอบด้วยออกไซด์ของโลหะที่เป็น ไอ ประมาณ 5 - 90 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก และอนุภาคของสารขัดถู ประมาณ 10 - 95 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก ในที่ซึ่งอนุภาคสารขัดถู (โดยจำนวน) ประมาณ 90% หรือมากกว่า มีขนาดอนุภาคไม่น้อยกว่า 100 นาโน เมตร องค์ประกอบของการประดิษฐ์นี้คือใช้ให้เป็น ประโยชน์ใน การทำผิวให้เรียบหรือให้เงาวาวด้วย ประสิทธิภาพการขัดเงา ความเหมือนกัน และ อัตราการขัดออก สูง ด้วยความบกพร่องเช่น ขอบเขตการสูญเสียของโครงสร้างภายใน และ โทโพกราฟฟิน้อยที่ สุด องค์ประกอบและวิธีการทำผิวให้เรียบหรือเป็นเงาวาว ด้วยองค์ประกอบที่จัดเตรียมไว้ องค์ประกอบ พาหะของเหลว ตัวเร่ง เชิงเคมี และของแข็งประกอบด้วยออกไซด์ของโลหะที่เป็น ไอ ประมาณ 5 - 90 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก และอนุภาคของสารขัดถู ประมาณ 10 - 95 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก ในที่ซึ่งอนุภาคสารขัดถู (โดยจำนวน) ประมาณ 90% หรือมากกว่า มีขนาดอนุภาคไม่น้อยกว่า 100 นาโน เมตร องค์ประกอบของการประดิษฐ์นี้คือใช้ให้เป็น ประโยชน์ใน การทำผิวให้เรียบหรือให้เงาวาวด้วย ประสิทธิภาพการขัดเงา ความเหมือนกัน และ อัตราการขัดออก สูง ด้วยความบกพร่องเช่น ขอบเขตการสูญเสียของโครงสร้างภายใน และ โทโพกราฟฟิน้อยที่ สุด
Claims (32)
1. องค์ประกอบการทำให้ผิวหรือผิวเงาวาว ประกอบด้วย (a) พาหะของเหลว (b) ตัวเร่งเชิงเคมี และ (c) ของแข็ง ประกอบด้วย ออกไซด์ของโลหะที่เป็นไอ ประมาณ 5 - 90 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก และ อนุภาคของสารขัดถู ประมาณ 10 - 95 เปอร์เซ็นต์โดยยน้ำหนัก ในที่ซึ่ง อนุภาคของสารขัดถู (โดยจำนวน) ประมาณ 90% หรือมากกว่ามี ขนาดของอนุภาคไม่มาก กว่า 100 นาโนเมตร
2. องค์ประกอบของข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งของแข็งมีความ หนาแน่นการบรรจุ น้อยที่สุด ประมาณ 0.1
3. องค์ประกอบของข้อถือสิทธิข้อ 2 ในที่ซึ่งของแข็งมีความ หนาแน่นการบรรจุ น้อยที่สุด ประมาณ 0.3
4. องค์ประกอบของข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งของแข็งประกอบ ด้วย ออกไซด์ของโลหะ ที่เป็นไอ ประมาณ 10 -85 เปอร์เซ็นต์โดยยน้ำหนัก และ อนุภาคของสารขัดถูประมาณ 15 - 90 เปอร์เซ็นต์โดนน้ำหนัก
5. องค์ประกอบของข้อถือสิทธิข้อ 5 ในที่ซึ่งของแข็งประกอบ ด้วย ออกไซด์ของโลหะ ที่เป็นไอ ประมาณ 15 - 75 เปอร์เซ็นต์โดยยน้ำ หนัก และ อนุภาคของสารขัดถู ประมาณ 25 - 85 เปอร์เซ็นต์โดนน้ำหนัก
6. องค์ประกอบของข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งออกไซด์ของโลหะ ที่เป็นไอ คือ ซิลิกาที่เป็นไอ
7. องค์ประกอบของข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งอนุภาคของสาร ขัดถู คือ อนุภาค ออกไซด์ของโลหะที่ถูกพอลิเมอไรซ์แบบควบ แน่น
8. องค์ประกอบของข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งออกไซด์ของโลหะ ที่เป็นไอ คือ ซิลิกาที่เป็นไอ และ อนุภาคของสารขัดถู คือ ซิลิกาที่ถูกพอลิเมอร์แบบควบแน่น
9. องค์ประกอบของข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งอนุภาคของสาร ขัดถู (โดยจำนวน) ประมาณ 95% หรือมากกว่า มีขนาดของอนุภาค ไม่มากว่า 100 นาโนเมตร
10. องค์ประกอบของข้อถือสิทธิข้อ 7 ในที่ซึ่งอนุภาคของสาร ขัดถู (โดยจำนวน) ประมาณ 98% หรือมากกว่า มีขนาดของอนุภาค ไม่มากว่า 100 นาโนเมตร
11. องค์ประกอบของข้อถือสิทธิข้อ 10 ในที่ซึ่งโดยส่วนมากทั้งหมดของอนุภาคของ สาร ขัดถู (โดยจำนวน) มีขนาดของอนุภาคไม่มากว่า 100 นาโนเมตร
12. องค์ประกอบของข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งอนุภาคของสาร ขัดถู (โดยจำนวน) ประมาณ 90% หรือมากกว่า มีขนาดของอนุภาค ไม่มากว่า 5 นาโนเมตร
13. องค์ประกอบของข้อถือสิทธิข้อ 12 ในที่ซึ่งอนุภาคของสาร ขัดถู (โดยจำนวน) ประมาณ 95% หรือมากกว่า มีขนาดของอนุภาค ไม่มากว่า 5 นาโนเมตร
14. องค์ประกอบของข้อถือสิทธิข้อ 13 ในที่ซึ่งอนุภาคของสาร ขัดถู (โดยจำนวน) ประมาณ 98% หรือมากกว่า มีขนาดของอนุภาค ไม่มากว่า 5 นาโนเมตร
15. องค์ประกอบของข้อถือสิทธิข้อ 14 ในที่ซึ่งโดยส่วนมากทั้งหมดของอนุภาคของ สาร ขัดถู (โดยจำนวน) มีขนาดของอนุภาคไม่มากว่า 5 นาโนเมตร
16. องค์ประกอบของข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งอนุภาคของสาร ขัดถู มีการกระจาย ขนาดของอนุภาคของสารขัดถูลักษณะเฉพาะโดย ความเบี่ยงเบนมารตฐานเชิงเรขาคณิต โดยจำนวน ( ซิกมา g ) อย่าง น้อยที่สุด 1.3
17. องค์ประกอบของข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งของแข็งแสดงใน ความเข้มข้นประมาณ 0.1 - 40 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก ขององค์ประกอบ
18. องค์ประกอบของข้อถือสิทธิข้อ 17 ในที่ซึ่งพาหะ คือ น้ำ
19. องค์ประกอบของข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งตัวเร่งเชิง เคมีเป็นซัลเฟต เพอซัลเฟต หรือ ไนเตรท
20. องค์ประกอบของข้อถือสิทธิข้อ 19 ในที่ซึ่งตัวเร่งเชิง เคมีถูกเลือกจากหมู่ที่ประกอบ ด้วย แอมโมเนียมาเพอซัลเฟต ไอร์รอน (III) ไนเตรท และ ไฮดรอกซีลามีนไนเตรท
21. องค์ประกอบของข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งองค์ประกอบ ประกอบด้วยตัวเร่งเชิงเคมี สองชนิดหรือมากกว่า
22. องค์ประกอบของข้อถือสิทธิข้อ 21 ในที่ซึ่งองค์ประกอบ ประกอบด้วยสารออกซิเด- ซิง และสารคอมเพลกซิง
23. องค์ประกอบของข้อถือสิทธิข้อ 22 ในที่ซึ่งสารคอมเพลก ซิงถูกเลือกจากหมู่ที่ ประกอบด้วยสารประกอบที่มีเอมีน แหล่งกำเนิด ของฟอสเฟตไอออน แหล่งกำเนิดของฟอสเฟต- ไอออน คาร์บอซิเลต และ การรวมกันของสิ่งเหล่านั้น
24. องค์ประกอบของข้อถือสิทธิข้อ 23 ในที่ซึ่งองค์ประกอบ ประกอบด้วยไฮโดรเจน เพอออกไซด์ และไกลซิน
25. วิธีการของการทำให้ผิวเรียบหรือเป็นเงาวาวประกอบด้วยการ สัมผัสผิว ด้วยองค์ประกอบของข้อถือสิทธิข้อ 1
26. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 21 ในที่ซึ่งผิวเป็นผิว จานบันทึกแข็งหรือบันทึกความจำ
27. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 22 ในที่ซึ่งผิวจานบันทึก แข็งหรือบันทึกความจำคือผิว นิกเกิล-ฟอสฟอร์
28. วิธีการของการทำให้ผิวเรียบหรือเป็นเงาวาวประกอบด้วยการ สัมผัสผิวด้วยองค์ ประกอบของข้อถือสิทธิข้อ 3
29. วิธีการของการทำให้ผิวเรียบหรือเป็นเงาวาวประกอบด้วยการ สัมผัสผิวด้วยองค์ ประกอบของข้อถือสิทธิข้อ 8
30. วิธีการของการทำให้ผิวเรียบหรือเป็นเงาวาวประกอบด้วยการ สัมผัสผิวด้วยองค์ ประกอบของข้อถือสิทธิข้อ 19
31. วิธีการของการทำให้ผิวเรียบหรือเป็นเงาวาวประกอบด้วยการ สัมผัสผิวด้วยองค์ ประกอบของข้อถือสิทธิข้อ 20
32. วิธีการของการทำให้ผิวเรียบหรือเป็นเงาวาวประกอบด้วยการ สัมผัสผิวด้วยองค์ ประกอบของข้อถือสิทธิข้อ 21
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH50091A true TH50091A (th) | 2002-03-15 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Pandija et al. | Achievement of high planarization efficiency in CMP of copper at a reduced down pressure | |
| EP3210237B1 (en) | Cobalt dishing control agents | |
| ATE258577T1 (de) | Zusammensetzungen und verfahren zum polieren und egalisieren von oberflächen | |
| KR102708650B1 (ko) | 개선된 디싱을 위한 코발트 억제제 조합 | |
| KR102538575B1 (ko) | 코발트 연마 가속화제 | |
| Jiang et al. | Chemical mechanical polishing of steel substrate using colloidal silica-based slurries | |
| CN106133881B (zh) | 用于钨磨光的组合物 | |
| JP2008518427A5 (th) | ||
| ATE258576T1 (de) | Zusammensetzung und verfahren zum egalisieren von oberflächen | |
| Jiang et al. | An experimental investigation of double-side processing of cylindrical rollers using chemical mechanical polishing technique | |
| JPS64436B2 (th) | ||
| KR20200051822A (ko) | 텅스텐 버프 적용을 위한 표면 처리된 연마제 입자 | |
| EP1136534A1 (en) | Hybrid polishing slurry | |
| US8162723B2 (en) | Method of polishing a tungsten carbide surface | |
| EP0146223A2 (en) | Metal polishing composition and process | |
| JP2022097502A (ja) | コバルトｃｍｐ用の代替的な酸化剤 | |
| DE50311351D1 (de) | Schleifmittel mit verbesserten schleifeigenschaften | |
| TW201224129A (en) | Chemical mechanical polishing slurry | |
| TH50305A (th) | องค์ประกอบและวิธีการทำผิวให้เรียบ | |
| Lee | Effect of citric acid in Cu chemical mechanical planarization slurry on frictional characteristics and step height reduction of Cu pattern | |
| JP3823816B2 (ja) | 半導体ウエハの研磨方法 | |
| WO2002100963A1 (en) | Use of a gettering agent in a chemical mechanical polishing and rinsing operation and apparatus therefor | |
| Mlynarski | Effect of Molecular Structure on Modulation of Passivation Films on Copper Chemical Mechanical Planarization | |
| KR20210142756A (ko) | 텅스텐 버프 적용을 위한 표면 코팅된 연마제 입자 | |
| US20240191101A1 (en) | Silicon carbide (sic) wafer polishing with slurry formulation and process |