TH52677B - The method of operation with a laser machine. - Google Patents
The method of operation with a laser machine.Info
- Publication number
- TH52677B TH52677B TH301003387A TH0301003387A TH52677B TH 52677 B TH52677 B TH 52677B TH 301003387 A TH301003387 A TH 301003387A TH 0301003387 A TH0301003387 A TH 0301003387A TH 52677 B TH52677 B TH 52677B
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- workpiece
- laser beam
- cutting
- formation
- attaching
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 20
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract 15
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract 5
- 230000004927 fusion Effects 0.000 claims abstract 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract 2
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 claims 9
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims 2
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 claims 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 claims 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 claims 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims 1
- 238000009966 trimming Methods 0.000 claims 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 abstract 1
Abstract
DC60 (10/03/53) การประดิษฐ์นี้จัดให้มีวิธีการดำเนินการด้วยเครื่องใช้เลเซอร์ที่มีลักษณะเฉพาะเนื่องโดยการ ประกอบรวมด้วยขั้นตอบของ การติดแถบคุ้มกัน 25 เข้ากับผิวหน้า 3 ของแผ่นเวเฟอร์ 1a; การก่อรูป บริเวณหลอมรวม 13 ที่ก่อเกิดขึ้นมาโดยการดูดกลืนพหุโฟตอน ขึ้นมาโดยการกระทำการฉายด้วย ลำแสงเลเซอร์ L ในลักษณะที่กำหนดให้จุดโฟกัส P ของลำแสงเลเซอร์ L อยู่ภายในซับสเทรท 15 โดยให้ผิวด้านหลัง 21 ของแผ่นเวเฟอร์ 1a ทำหน้าที่เป็นระนาบด้านเข้าของลำแสงเลเซอร์; การก่อรูป บริเวณจุดเริ่มต้นการตัด 8 ขึ้นมาโดยสอดคล้องกับหลอมรวม 13 นี้ ณ ระยะทางที่กำหนดไว้ล่วงหน้า หรือสั้นกว่านั้นจากระนาบด้านเข้าของลำแสงเลเซอร์ ตามแนวของแนวตัดตามแผน 5 ของแผ่นเว เฟอร์ 1a; การติดแถบการยืดออก 23 เขากับผิวด้านหลัง 21ของแผ่นเวเฟอร์ 1a; และ การแบ่งแยกเป็น ชิ้นส่วนรูปชิป 24 จำนวนหนึ่ง ซึ่งก่อเกิดขึ้นมาเนื่องจากผลของการตัดแผ่นเวเฟอร์ 1a โดยใช้ บริเวณจุดเริ่มต้นการตัด 8 เป็นจุดเริ่มต้น โดยการทำให้ฟิล์มที่ยืดได้ 23 ยืดออก การประดิษฐ์นี้จัดให้มีวิธีการดำเนินการด้วยเครื่องใช้เลเซอร์ที่มีลักษณะเฉพาะเนื่องโดยการ ประกอบรวมด้วยขั้นตอบของ : การิตดแถบคุ้มกัน 25 เข้ากับผิวหน้า 3 ของแผ่นเวเฟอร์ 1a; การ ก่อรูปบริเวณหลองรวม 13 ที่ก่อเกิดขึ้นมาโดยการดูดกลืนพหุโฟตอน ขึ้นมาโดยการกระทำการฉาย ด้วยลำแสงเลเซอร์ L ในลักษณะที่กำหนดให้จุดโฟกัส P ของลำแสงเลเซอร์ L อยู่ภายในซับสเทรท 15 โดยให้ผิวด้านหลัง 21 ของแผ่นเวเฟอร์ 1a ทำหน้าที่เป็นระนาบด้านเข้าของลำแสงเลเซอร์; การก่อรูป บริเวณจุดเริ่มต้นการตัด 8 ขึ้นมาโดยสอดคล้องกับหลอมรวม 13 นี้ ณระยะทางที่กำหนดไว้ล่วงหน้า หรือสั้นกว่านั้นจากระนาบด้านเข้าของลำแสงเลเวอร์ ตามแนวของแนวตัดตามแผน 5 ของแผ่น เวเฟอร์ 1a; การติดแถบการยืดออก 23 เขากับผิวด้านหลัง 21ของแผ่นเวเฟอร์ 1a และการแบ่งแยก เป็นชิ้นส่วนรุปชิป 24 จำนวนหนึ่ง ซึ่งก่อเกิดขึ้นมาเนื่องากจากผลของการตัดแผ่นเวเฟอร์ 1a โดยใช้ บริเวณจุดเริ่มต้นการตัด 8 เป็นจุดเริ่มต้น โดยการทำให้ฟิล์มที่ยืดได้ 23 ยืดออก: DC60 (10/03/53) This invention provides a unique laser-operated method by including the answer of Attaching guard strip 25 to surface 3 of wafer 1a; Formation of the fusion region 13 formed by the absorption of multiple photons. The laser beam L is formed by projecting the laser beam L in such a way that the focus P of the laser beam L is within the substrate 15, with the rear surface 21 of the wafer 1a acting as the inward plane of the laser beam; Formation at the starting point of cut 8 corresponds to this fusing 13 at a pre-defined distance. or shorter from the inward plane of the laser beam. along the line of plan cut line 5 of wafer 1a; Attaching the 23 horn extension strips to the back surface 21 of the 1a wafer; and the division into A number of chip-shaped parts 24, formed as a result of cutting wafer 1a, using the cutting start area 8 as the starting point. By stretching the 23 stretchable films, this invention provides a unique laser-applied method by which It consists of the solution of: Attaching the guard strip 25 to the surface 3 of the wafer 1a; The formation of a total of 13 long regions formed by the absorption of multiple photons. come up by projection action with a laser beam L in such a way that the focus P of the L laser beam lies within substrate 15, with the rear surface 21 of wafer 1a acting as the inward plane of the laser beam; Formation at the starting point of cut 8 corresponds to this fusing 13 at a preset distance. or shorter from the inlet plane of the lever beam. along the line of the plan cut line 5 of the wafer 1a; Attaching the 23 horn extension strips to the back surface 21 of the 1a wafer and its separation It is a series of 24 chip fragments formed as a result of cutting wafer 1a, using the cutting start area 8 as the starting point. By making stretchable film 23 stretched:
Claims (9)
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH65466A TH65466A (en) | 2004-12-13 |
| TH52677B true TH52677B (en) | 2016-12-02 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| MY140517A (en) | Semiconductor substrate cutting method | |
| TWI463556B (en) | Semiconductor device manufacturing method and manufacturing device | |
| JP2004001076A5 (en) | ||
| JP6004705B2 (en) | Method for forming chip with adhesive film | |
| US7888239B2 (en) | Semiconductor device manufacturing method | |
| AU2003211763A1 (en) | Method for dicing substrate | |
| JP5601778B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor wafer | |
| TWI459452B (en) | A method of breaking the film attached to the back of the wafer, and a subsequent film | |
| EP2216128A3 (en) | Method of cutting object to be processed | |
| MY147331A (en) | A machining method using laser | |
| CN105226143A (en) | A kind of cutting method of GaAs base LED chip | |
| JP2003334675A5 (en) | ||
| WO2018193970A1 (en) | Workpiece cutting method | |
| JP2014007217A (en) | Method for processing wafer | |
| JPS6336988A (en) | Dividing method for semiconductor wafer | |
| TH52677B (en) | The method of operation with a laser machine. | |
| US8445361B1 (en) | Method of dividing a semiconductor wafer having semiconductor and metal layers into separate devices | |
| TH65466A (en) | The method of operation with a laser machine. | |
| JPH05211235A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| CN215988667U (en) | Film sticking table of wafer film sticking machine | |
| JPS58138050A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPH04330766A (en) | Method of cutting wafer | |
| CN112847549B (en) | Glue overflow-free punching method for double-sided adhesive tape product of ultrathin non-woven fabric substrate | |
| US9421640B2 (en) | Dicing method | |
| JPS60165778A (en) | Manufacture of chip of semiconductor laser |