TH65466A - The method of operation with a laser machine. - Google Patents
The method of operation with a laser machine.Info
- Publication number
- TH65466A TH65466A TH301003387A TH0301003387A TH65466A TH 65466 A TH65466 A TH 65466A TH 301003387 A TH301003387 A TH 301003387A TH 0301003387 A TH0301003387 A TH 0301003387A TH 65466 A TH65466 A TH 65466A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- workpiece
- laser beam
- back surface
- cutting
- cut
- Prior art date
Links
Abstract
DC60 (10/03/53) การประดิษฐ์นี้จัดให้มีวิธีการดำเนินการด้วยเครื่องใช้เลเซอร์ที่มีลักษณะเฉพาะเนื่องโดยการ ประกอบรวมด้วยขั้นตอบของ : การติดแถบคุ้มกัน 25 เข้ากับผิวหน้า 3 ของแผ่นเวเฟอร์ 1a; การก่อรูป บริเวณหลอมรวม 13 ที่ก่อเกิดขึ้นมาโดยการดูดกลืนพหุโฟตอน ขึ้นมาโดยการกระทำการฉายด้วย ลำแสงเลเซอร์ L ในลักษณะที่กำหนดให้จุดโฟกัส P ของลำแสงเลเซอร์ L อยู่ภายในซับสเทรท 15 โดยให้ผิวด้านหลัง 21 ของแผ่นเวเฟอร์ 1a ทำหน้าที่เป็นระนาบด้านเข้าของลำแสงเลเซอร์; การก่อรูป บริเวณจุดเริ่มต้นการตัด 8 ขึ้นมาโดยสอดคล้องกับหลอมรวม 13 นี้ ณ ระยะทางที่กำหนดไว้ล่วงหน้า หรือสั้นกว่านั้นจากระนาบด้านเข้าของลำแสงเลเซอร์ ตามแนวของแนวตัดตามแผน 5 ของแผ่นเว เฟอร์ 1a; การติดแถบการยืดออก 23 เขากับผิวด้านหลัง 21ของแผ่นเวเฟอร์ 1a; และ การแบ่งแยกเป็น ชิ้นส่วนรูปชิป 24 จำนวนหนึ่ง ซึ่งก่อเกิดขึ้นมาเนื่องจากผลของการตัดแผ่นเวเฟอร์ 1a โดยใช้ บริเวณจุดเริ่มต้นการตัด 8 เป็นจุดเริ่มต้น โดยการทำให้ฟิล์มที่ยืดได้ 23 ยืดออก การประดิษฐ์นี้จัดให้มีวิธีการดำเนินการด้วยเครื่องใช้เลเซอร์ที่มีลักษณะเฉพาะเนื่องโดยการ ประกอบรวมด้วยขั้นตอบของ : การิตดแถบคุ้มกัน 25 เข้ากับผิวหน้า 3 ของแผ่นเวเฟอร์ 1a; การ ก่อรูปบริเวณหลองรวม 13 ที่ก่อเกิดขึ้นมาโดยการดูดกลืนพหุโฟตอน ขึ้นมาโดยการกระทำการฉาย ด้วยลำแสงเลเซอร์ L ในลักษณะที่กำหนดให้จุดโฟกัส P ของลำแสงเลเซอร์ L อยู่ภายในซับสเทรท 15 โดยให้ผิวด้านหลัง 21 ของแผ่นเวเฟอร์ 1a ทำหน้าที่เป็นระนาบด้านเข้าของลำแสงเลเซอร์; การก่อรูป บริเวณจุดเริ่มต้นการตัด 8 ขึ้นมาโดยสอดคล้องกับหลอมรวม 13 นี้ ณระยะทางที่กำหนดไว้ล่วงหน้า หรือสั้นกว่านั้นจากระนาบด้านเข้าของลำแสงเลเวอร์ ตามแนวของแนวตัดตามแผน 5 ของแผ่น เวเฟอร์ 1a; การติดแถบการยืดออก 23 เขากับผิวด้านหลัง 21ของแผ่นเวเฟอร์ 1a และการแบ่งแยก เป็นชิ้นส่วนรุปชิป 24 จำนวนหนึ่ง ซึ่งก่อเกิดขึ้นมาเนื่องากจากผลของการตัดแผ่นเวเฟอร์ 1a โดยใช้ บริเวณจุดเริ่มต้นการตัด 8 เป็นจุดเริ่มต้น โดยการทำให้ฟิล์มที่ยืดได้ 23 ยืดออกDC60 (10/03/53) This invention provides a unique laser processing method by the following assembly steps: attachment of a shielding strip 25 to the back surface 3 of wafer 1a; formation of a multiphoton absorption fusion region 13 by projection of a laser beam L such that the focal point P of the laser beam L is placed within substrate 15, with the back surface 21 of wafer 1a serving as the laser beam entry plane; formation of a cut-off point 8 corresponding to this fusion 13 at a predetermined distance or shorter from the laser beam entry plane along the planar cut line 5 of wafer 1a; attachment of a stretching strip 23 to the back surface 21 of wafer 1a; and division into several chip-shaped segments 24 resulting from cutting wafer 1a using the cut-off point 8 as the starting point. By stretching the stretchable film 23, this invention provides a unique laser processing method by incorporating the following steps: attaching the stretch strip 25 to the back surface 3 of wafer 1a; forming a fusion region 13 created by multiphoton absorption by projecting a laser beam L in a manner where the focal point P of the laser beam L is placed within substrate 15, with the back surface 21 of wafer 1a serving as the laser beam entry plane; forming a cut point 8 corresponding to this fusion 13 at a predetermined distance or shorter from the laser beam entry plane along the planar cut line 5 of wafer 1a; attaching the stretch strip 23 to the back surface 21 of wafer 1a and separating it into several chip-shaped components 24 resulting from the cutting of wafer 1a using the cut point 8 as the starting point. By stretching the 23-degree stretchable film.
Claims (9)
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH65466A true TH65466A (en) | 2004-12-13 |
| TH52677B TH52677B (en) | 2016-12-02 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| MY140517A (en) | Semiconductor substrate cutting method | |
| US7550367B2 (en) | Method for separating semiconductor substrate | |
| JP2004001076A5 (en) | ||
| TWI438834B (en) | Method of dividing an adhesive film bonded to a wafer | |
| US7888239B2 (en) | Semiconductor device manufacturing method | |
| ATE534142T1 (en) | METHOD FOR SEPARATING A SUBSTRATE | |
| JP6004705B2 (en) | Method for forming chip with adhesive film | |
| EP2216128A3 (en) | Method of cutting object to be processed | |
| MY147331A (en) | A machining method using laser | |
| EP1609559A4 (en) | Laser beam machining method | |
| TWI459452B (en) | A method of breaking the film attached to the back of the wafer, and a subsequent film | |
| WO2018193970A1 (en) | Workpiece cutting method | |
| JP2014007217A (en) | Method for processing wafer | |
| TH52677B (en) | The method of operation with a laser machine. | |
| CN117637459A (en) | A kind of wafer hybrid cutting method | |
| JPH05211235A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| US9421640B2 (en) | Dicing method | |
| CN107546300B (en) | Cutting and splitting method of LED chip | |
| TH73573A (en) | How to cut a process object | |
| JPS58162047A (en) | Cutting method for compound semiconductor | |
| WO2018193962A1 (en) | Workpiece cutting method | |
| TH65465A (en) | Methods for cutting semiconductor substrates | |
| TH52676B (en) | Methods for cutting semiconductor substrates | |
| JPH055195B2 (en) | ||
| JP2015204441A (en) | Substrate processing method and substrate |