TH65466A - The method of operation with a laser machine. - Google Patents

The method of operation with a laser machine.

Info

Publication number
TH65466A
TH65466A TH301003387A TH0301003387A TH65466A TH 65466 A TH65466 A TH 65466A TH 301003387 A TH301003387 A TH 301003387A TH 0301003387 A TH0301003387 A TH 0301003387A TH 65466 A TH65466 A TH 65466A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
workpiece
laser beam
back surface
cutting
cut
Prior art date
Application number
TH301003387A
Other languages
Thai (th)
Other versions
TH52677B (en
Inventor
ฟูคูมิตสึ นายเคนชิ
อูชิยามะ นายนาโอกิ
ฟูคูโย นายฟูมิสึกุ
Original Assignee
นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์
นายต่อพงศ์ โทณะวณิก
นายบุญมา เตชะวณิช
นายวิรัช ศรีเอนกราธา
ฮามามัตสึ โฟโตนิคส์ เคเค
Filing date
Publication date
Application filed by นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์, นายต่อพงศ์ โทณะวณิก, นายบุญมา เตชะวณิช, นายวิรัช ศรีเอนกราธา, ฮามามัตสึ โฟโตนิคส์ เคเค filed Critical นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์
Publication of TH65466A publication Critical patent/TH65466A/en
Publication of TH52677B publication Critical patent/TH52677B/en

Links

Abstract

DC60 (10/03/53) การประดิษฐ์นี้จัดให้มีวิธีการดำเนินการด้วยเครื่องใช้เลเซอร์ที่มีลักษณะเฉพาะเนื่องโดยการ ประกอบรวมด้วยขั้นตอบของ : การติดแถบคุ้มกัน 25 เข้ากับผิวหน้า 3 ของแผ่นเวเฟอร์ 1a; การก่อรูป บริเวณหลอมรวม 13 ที่ก่อเกิดขึ้นมาโดยการดูดกลืนพหุโฟตอน ขึ้นมาโดยการกระทำการฉายด้วย ลำแสงเลเซอร์ L ในลักษณะที่กำหนดให้จุดโฟกัส P ของลำแสงเลเซอร์ L อยู่ภายในซับสเทรท 15 โดยให้ผิวด้านหลัง 21 ของแผ่นเวเฟอร์ 1a ทำหน้าที่เป็นระนาบด้านเข้าของลำแสงเลเซอร์; การก่อรูป บริเวณจุดเริ่มต้นการตัด 8 ขึ้นมาโดยสอดคล้องกับหลอมรวม 13 นี้ ณ ระยะทางที่กำหนดไว้ล่วงหน้า หรือสั้นกว่านั้นจากระนาบด้านเข้าของลำแสงเลเซอร์ ตามแนวของแนวตัดตามแผน 5 ของแผ่นเว เฟอร์ 1a; การติดแถบการยืดออก 23 เขากับผิวด้านหลัง 21ของแผ่นเวเฟอร์ 1a; และ การแบ่งแยกเป็น ชิ้นส่วนรูปชิป 24 จำนวนหนึ่ง ซึ่งก่อเกิดขึ้นมาเนื่องจากผลของการตัดแผ่นเวเฟอร์ 1a โดยใช้ บริเวณจุดเริ่มต้นการตัด 8 เป็นจุดเริ่มต้น โดยการทำให้ฟิล์มที่ยืดได้ 23 ยืดออก การประดิษฐ์นี้จัดให้มีวิธีการดำเนินการด้วยเครื่องใช้เลเซอร์ที่มีลักษณะเฉพาะเนื่องโดยการ ประกอบรวมด้วยขั้นตอบของ : การิตดแถบคุ้มกัน 25 เข้ากับผิวหน้า 3 ของแผ่นเวเฟอร์ 1a; การ ก่อรูปบริเวณหลองรวม 13 ที่ก่อเกิดขึ้นมาโดยการดูดกลืนพหุโฟตอน ขึ้นมาโดยการกระทำการฉาย ด้วยลำแสงเลเซอร์ L ในลักษณะที่กำหนดให้จุดโฟกัส P ของลำแสงเลเซอร์ L อยู่ภายในซับสเทรท 15 โดยให้ผิวด้านหลัง 21 ของแผ่นเวเฟอร์ 1a ทำหน้าที่เป็นระนาบด้านเข้าของลำแสงเลเซอร์; การก่อรูป บริเวณจุดเริ่มต้นการตัด 8 ขึ้นมาโดยสอดคล้องกับหลอมรวม 13 นี้ ณระยะทางที่กำหนดไว้ล่วงหน้า หรือสั้นกว่านั้นจากระนาบด้านเข้าของลำแสงเลเวอร์ ตามแนวของแนวตัดตามแผน 5 ของแผ่น เวเฟอร์ 1a; การติดแถบการยืดออก 23 เขากับผิวด้านหลัง 21ของแผ่นเวเฟอร์ 1a และการแบ่งแยก เป็นชิ้นส่วนรุปชิป 24 จำนวนหนึ่ง ซึ่งก่อเกิดขึ้นมาเนื่องากจากผลของการตัดแผ่นเวเฟอร์ 1a โดยใช้ บริเวณจุดเริ่มต้นการตัด 8 เป็นจุดเริ่มต้น โดยการทำให้ฟิล์มที่ยืดได้ 23 ยืดออกDC60 (10/03/53) This invention provides a unique laser processing method by the following assembly steps: attachment of a shielding strip 25 to the back surface 3 of wafer 1a; formation of a multiphoton absorption fusion region 13 by projection of a laser beam L such that the focal point P of the laser beam L is placed within substrate 15, with the back surface 21 of wafer 1a serving as the laser beam entry plane; formation of a cut-off point 8 corresponding to this fusion 13 at a predetermined distance or shorter from the laser beam entry plane along the planar cut line 5 of wafer 1a; attachment of a stretching strip 23 to the back surface 21 of wafer 1a; and division into several chip-shaped segments 24 resulting from cutting wafer 1a using the cut-off point 8 as the starting point. By stretching the stretchable film 23, this invention provides a unique laser processing method by incorporating the following steps: attaching the stretch strip 25 to the back surface 3 of wafer 1a; forming a fusion region 13 created by multiphoton absorption by projecting a laser beam L in a manner where the focal point P of the laser beam L is placed within substrate 15, with the back surface 21 of wafer 1a serving as the laser beam entry plane; forming a cut point 8 corresponding to this fusion 13 at a predetermined distance or shorter from the laser beam entry plane along the planar cut line 5 of wafer 1a; attaching the stretch strip 23 to the back surface 21 of wafer 1a and separating it into several chip-shaped components 24 resulting from the cutting of wafer 1a using the cut point 8 as the starting point. By stretching the 23-degree stretchable film.

Claims (9)

1. วิธีการดำเนินการด้วยเครื่องใช้เวเซอร์สำหรับการตัดชิ้นงานรูปแผ่นแบนที่ประกอบรวมด้วย ซับสเทรท และส่วนชั้นซ้อนที่จัดเตรียมไว้บนซับสเทรท ประกอบรวมด้วยขั้นตอนของ : การติดฟิล์มกำบังเข้ากับผิวด้านหน้าทางด้านของส่วนชั้นซ้อนของชิ้นงาน การก่อรูปบริเวณ ดัดแปลงที่ก่อเกิดขึ้นมาโดยการดูดกลืนพหุโฟตอน ขึ้นมาโดยการกระทำการฉายผิวด้านหลังของชิ้น- งานด้วยลำแสงเลเซอร์ในลักษณะที่ให้จุดลู่รวม (conversing point) ของลำแสงเลเซอร์มีตำแหน่งอยู่ ภายในชิ้นงาน โดยให้ผิวด้าหลังของชิ้นงานทำหน้าที่เป็นระนาบด้านเข้าของลำแสงเลเวอร์, การก่อ รูปบริเวณจุดเริ่มต้นการตัดซึ่งการตัดชิ้นงานเริ่มต้นจากบริเวณนี้ ขึ้นมาโดยสอดคล้องกันกับบริเวณ ดัดแปลง ณ ระยะทางที่กำหนดไว้ล่วงหน้าหรือสั้นกว่านั้นจากระนาบด้านเข้าของลำแสงเลเซอร์ ตามแนว ของแนวตัดตามแผนของชิ้นงาน ; การติดฟิล์มที่ยึดได้เข้ากับผิวด้านหลังของชิ้นงาน; และ การแบ่งแบกออกเป็นชิ้นส่วนจำนวนหนึ่ง ซึ่งก่อเกิดขึ้นมาารเนื่องมาจากผลการการตัดชิ้นงาน โดยใช้บริเวณจุดเริ่มต้นการตัดเป็นจุดเริ่มต้น โดยการทำให้ฟิล์มที่ยึดไดยึดออก1. A Weser-Operated Method for cutting flat-shaped parts with substrates and overlays provided on the substrates. The process of: Attaching the masking film to the front surface on the overlap of the workpiece. Area formation The modifications formed by the absorption of a plural photon. It is created by the act of projecting the back surface of the workpiece with a laser beam in such a way that the convering point of the laser beam is positioned within the workpiece, so that the back surface of the workpiece acts as a side plane. Entry of lever beam, formation at the beginning of the cut, where the cutting starts from this area. Rises corresponding to the modification area at a predetermined or shorter distance from the inward plane of the laser beam along the contour of the planned cut-off line of the workpiece; Attaching the adhesive film to the back surface of the workpiece; And dividing the bearing into a number of parts Which happened due to the results of cutting work Using the starting point of the cut as the starting point By making the film holding it out 2. วิธีการดำเนินการด้วยเครื่องใช้เวเวอร์สำหรับการตัดชิ้นงานรูปแผ่นแบนที่ประกอบรวมด้วย ซับสเทรทและส่วนชั้นซ้อนที่จัดเตรียมไว้บนซับสเทรท ประกอบรวมดวยขั้นตอนของ : การติดฟิล์มคุ้มสกันเข้ากับผิวด้านหน้าทางด้านของส่วนชั้นซ้อนของชิ้นงาน ; การก่อรูปบริเวณดัดแปลงซึ่งก่อเกิดขึ้นมาโดยการดูดกลืนพหุโฟตอน ขึ้นมารโดยการกระทำ การฉายด้วยลำแสงเลเซอร์ที่ลู่รวม ณ ภายในของซับสเทรดโดยให้ผิวด้านหลังของชิ้นงานทำหน้าที่ เป็นระบาบด้านเข้าขงอลำแสงเลเซอร์ ; การก่อรูปบริเวณจุดเริ่มต้นการตัดขึ้นมาโดยสอดคล้องกันกับบริเวณดัดแปลงนี้ ณ ระยะทางที่ กำหนดไว้ล่วงหน้าหรือสั้นกว่านั้นจากระนาบด้านเข้าของลำแสงเลเซอร์ ตามแนวของแนวตัดตาม แผนของชิ้นงาน ; การติดฟิล์มที่ยึดได้เข้ากับผิวด้านหลังของชิ้นงาน ; การตัดชิ้นงานออกเป็นชิ้นส่วนจำนวนหนึ่งโดยใช้บริเวณจุดเริทต้นการตัดเป็นจุดเริ่มต้น โดย การใช้แรงภายนอกกระทำต่อชิ้นงาน; และ การแบ่งแยกออกเป็นชิ้นส่วนจำนวนหนึ่งของชิ้นงานโดยการทำให้ฟิล์มที่ยึดได้ยึดออก2. Method of operation with a waver machine for cutting flat-shaped workpieces that include Substrates and overlays provided on the substrates The steps are to be included in the process of: bonding the film onto the front surface on the side of the overlap of the workpiece; Modification of the modified area formed by the absorption of a plural photon. Up to the devil by action Projection with a laser beam that converges inside the substrate, with the back surface of the target acting. Into the side of the beam to bend the laser beam; The formation at the cutting origin is consistent with this modification area at a predetermined or shorter distance from the laser beam input plane. Along the line of the cut along The plan of the workpiece; Attaching the adhesive film to the back surface of the workpiece; Cutting the workpiece into a number of parts using the cut start area as the starting point by applying external force to the workpiece; And splitting into a number of parts by allowing the film to hold off. 3. วิธีการดำเนินการดวยเครื่องใช้เลเซอร์สำหรับการตัดชิ้นงานรูปแผ่นแบนที่ประกอบรวมด้วย ซับสเทรท และส่วนชั้นซ้อนที่จัดเตรียมไว้บนซับสเทรท ประกอบรวมด้วยขั้นตอนของ : การติดฟิล์มค้นกันเข้ากับผิวด้านหน้าทางด้านของส่วนชั้นซ้นอของชิ้นงาน ; การก่อรูปบริเวณดัดแปลงซึ่งก่อเกิดขึ้นมาโดยการดูดกลืนพหุโฟตอน ขึ้นมาโดยการกระทำ การฉายด้วยลำแสงเลเซอร์ที่ลู่รวม ณ ภายในของซับสเทรท โดยให้ผิวด้านหลังของชิ้นงานทำหน้าที่ เป็นระนาบด้านเข้าของลำแสงเลเซอร์; การก่อรูปบริเวณจุดเริ่มต้นการตัดขึ้นมาโดยสอดคล้องกันกับบริเวณดัดแปลงนี้ ณ ระยะทางที่ กำหนดไว้ล่วงหน้าหรือสั้นกว่านั้นจากระนาบด้านเข้าของลำแสงเลเวอร์ จตามแนวของแนวตัดตาม แผนของชิ้นงาน; การติดฟิล์มที่ยึดได้เข้ากับผิวด้านหลังของชิ้นงาน; และ การตัดชิ้นงานออกเป้นชิ้นส่วนจำนวนหนึ่งโดยใช้บริเวณจุดเริ่มต้นการตัดเป็นจุดเริ่มต้น โดย การทำให้ฟิล์มที่ยึดได้ยืดออก และการแบ่งแยกออกเป็นชิ้นส่วนจำนวนหนึ่งของชิ้นงาน3.Laser-operated method for cutting flat-shaped parts assembled with substrates and overlays provided on the substrates. The steps are included: gluing the film to the front surface on the side of the hidden layer of the workpiece; Modification of the modified area formed by the absorption of a plural photon. Come up by action Projection with a laser beam that converges inside the substrate. By allowing the back surface of the workpiece to function Is the inward plane of the laser beam; The formation at the cutting origin is aligned with this modification area at a predetermined or shorter distance from the input plane of the lever. Along the line of the cut along The plan of the workpiece; Attaching the adhesive film to the back surface of the workpiece; And cutting the workpiece into a number of parts using the starting point of the cut by stretching the adhesive film. And splitting into a number of parts 4. วิธีการดำเนินการด้วยเครื่องใช้เลเวอร์สำหรับการตัดชิ้นงานรูปแผ่นแบนที่ประกอบรวมด้วย ซับสเทรทสารกึ่งตัวนำและส่วนชั้นซ้อนที่จัดเตรียมไว้บนซับสเทรทสารกึ่งตัวนำประกอบรวมด้วย ขั้นตอนของ : การติดฟิล์มคุ้มกันเข้ากับผิวด้านหน้าทางด้านของ่วนชั้นซ้อนของชิ้นงาน ; การก่อรูปบริเวณหลอมรวมขึ้นมาโดยการกระทำการฉายด้วยลำแสงเลเซอร์ที่ลุ่รวม ณ ภายใน ของซับสเทรท โดยให้ผิวด้านหลังของชิ้นงานทำหน้าที่เป็นระนาบด้านเข้าของลำแสงเลเซอร์; การก่อรูปบริเวณจุดเริ่มต้นการตัดขึ้นมาโดยสอดคล้องกันกับบริเวณหลอมรวมนี้ ณ ระยะทาง ที่กำหนดไว้ล่วงหน้าหรือสั้นกว่านั้นจากระนาบด้านเข้าของลำแสงเลเซอร์ ตามแนวของแนวตัดตาม แผนของชิ้นงาน; การติดฟิล์มที่ยึดได้เข้ากับผิวด้านหลังของชิ้นงาน; และ การแบ่งแยกออกเป็นชิ้นส่วนจำนวนหนึ่งซึ่งก่อเกิดขึ้นมาเนื่องมากจากผลของการตัดชิ้นงาน โดยใช้บริเวณจุดเริ่มต้นการตัดเป็นจุดเริ่มต้น โดยการทำให้ฟิล์มท่ยึดได้ยืดออก4. The lever-operated method is used for cutting flat-plate parts that include The semiconductor substrates and the overlays provided on the semiconductor substrates are composed of the procedure of: Attaching the protective film to the front surface on the side of the stacking layer of the workpiece; Formation of the fused area by performing laser beam projections concentrated inside the substrate, where the back surface of the target acts as the inward plane of the laser beam; The formation at the cutting origin is aligned with this fusion area at a predetermined or shorter distance from the laser beam input plane. Along the line of the cut along The plan of the workpiece; Attaching the adhesive film to the back surface of the workpiece; And separation into a number of parts, which arose as a result of cutting. Using the starting point of the cut as the starting point By stretching the adhesive film 5. วิธีการดำเนินการด้วยเครื่องใช้เลเซอร์สำหรับการตัดชิ้นงานรูปแผ่นแบนที่ประกอบรวมด้วย ซับสเทรทสารกึ่งตัวนำและส่วนชั้นซ้อนที่จัด้เตรียมไว้บนซับสเทรทสารกึ่งตัวนำประกอบรวมด้วย ขั้นตอนของ : การติดฟิล์มค้มกันเข้ากับผิวด้าหน้าทางด้านของส่วนชั้นซ้อนของชิ้นงาน; การก่อรูปบริเวณหลอมรวมขึ้นมาโดยการกระทำการฉายด้วยลำแสงเลเวอร์ที่ลู่รวม ณ ภายใน ของซับสเทรด โดยให้ผิวด้านหลังของชิ้นงานทำหน้าที่เป็นระนาบด้านเข้าของลำแสงเลเซอร์; การก่อรูปบริเวณจุดเริ่มต้นการตัดขึ้นมาโดยสอดคล้องกันกับบริเวณหลองรวมนี้ ณ ระยะทาง ที่กำหนดไว้ล่วงหน้าหรือสั้นกว่านั้นจากระนาบด้านเข้าของลำแสงเลเวอร์ ตามแนวของแนวตัดตาม แผนของชิ้นงาน; การติดฟิล์มที่ยึดได้เข้ากับผิวด้านหลังของชิ้นงาน; การตัดชิ้นงานออกเป็นชิ้ส่วนจำนวนหนึ่ง โดยใช้บริเวณจุดเริ่มต้นการตัดเป็นจุดเริ่มต้น โดยการให้แรงภายนอกกระทำต่อชิ้นงาน; และ การแบ่งแยกออกเป็นชิ้นส่วนจำนวนหนึ่งของชิ้นงานโดยการทำให้ฟิลบ์ม่ยึดได้ยืดออก5.Laser operation method for cutting the composite flat sheet. The semiconductor substrate and the layer prepared on the semiconductor substrate are combined with the procedure of: bonding the film to the side surface of the overlap of the part. work; Formation of the fused area by the act of projecting a lever beam that converges inside the substrate, where the back surface of the workpiece acts as the inward plane of the laser beam; The formation at the cutting origin is aligned with this aggregate area at a predetermined or shorter distance from the input plane of the lever. Along the line of the cut along The plan of the workpiece; Attaching the adhesive film to the back surface of the workpiece; Cutting into a number of parts Using the starting point of the cut as the starting point By allowing external forces to act on the workpiece; And splitting into a number of parts by stretching the filament. 6. วิธีการดำเนินการด้วยเครื่องใช้เลเวอร์สำหรับการตัดชิ้นงานรูปแผ่นแบนที่ประกอบรวมด้วย ซับสเทรทสารกึงตัวนำ และส่วนชั้นซ้อนที่จัดเตรียมไว้บนซับสเทรทสารกึ่งตัวนำ ประกอบรวมด้วย ขั้นตอนของ: การติดฟิล์มคุ้มกันเข้ากับผิวด้านหน้าทางด้านของส่วนชั้นซ้อนของชิ้นงาน; การก่อรูปบริเวณหลอมรวมขึ้นมาโดยการกระทำการฉายด้วยลำแสงเลเซอร์ที่ลู่รวม ณ ภายใน ของซับสเทรท โดยให้ผิวด้านหลังของชิ้นงานทำหน้าที่เป็นระนาบด้านเข้าของลำแสงเลเซอร์; การก่อรุปบริเวณจุดเริ่มต้นการตัดขึ้นมาโดยสอดคล้องกันกับบริเวณหลอสรวมนี้ ณ ระยะทาง ที่กำหนดไว้ล่วงหน้าหรือสั้นกว่านั้นจากระนาบด้านเข้าของลำแสงเลเซอร์ ตามแนวของแนวตัดตาม แผนของชิ้นงาน; การติดฟิล์มที่ยึดได้เข้ากับผิวด้านหลังของชิ้นงาน; และ การตัดชิ้นงานออกเป็นชิ้ส่วนจำนวนหนึ่ง โดยใช้บริเวณจุดเรทต้นการตัดเป็นจุดเริ่มต้น โดยการทำให้ฟิล์มที่ยึดได้ยืดออกและการแบ่งแยกออกเป็นชิ้นส่วนจำนวนหนึ่งของชิ้นงาน6. The lever-operated method is used for cutting flat-plate composite parts. Substrate And the overlaid layer provided on the semiconductor substrate The steps are included in the process of: Attaching the protective film to the front surface on the overlap of the workpiece; Formation of the fused area by performing laser beam projections that converge inside the substrate, where the back surface of the target acts as the inward plane of the laser beam; The formation at the cutting origin is coherent to this total casting area at a predetermined or shorter distance from the laser beam input plane. Along the line of the cut along The plan of the workpiece; Attaching the adhesive film to the back surface of the workpiece; And cutting into a number of parts Using the starting point of trimming By stretching the cling film and separating it into a number of parts. 7. วิธีการดำเนินการด้วยเครื่องใช้เลเซอร์ตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 6 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งผิวด้าน หลังของชิ้นงานได้รับการขัดเพื่อให้ซับสเทรทของชิ้นงานนั้นบาง ก่อนการก่อรูปบริเวณจุดเริ่มต้นการ ตัดขึ้นมาในชิ้นงาน7.Method of operation with a laser in accordance with one of Clause 1 to 6. Where the matte The back of the workpiece has been polished to thin the substrate. Before the formation of the starting area Cut up the workpiece 8. วิธีการดำเนินการด้วยเครื่องใช้เลเซอร์ตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 7 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งฟิล์มคุ้ม- กันจะได้รับการกำจัดออกไปหลังจากการติดฟิล์มที่ยึดได้เข้ากับชิ้นงาน8.Method of operation with the laser in accordance with any one of Clause 1 to 7. Where the protective film is removed after attaching the adhesive film to the workpiece. 9. วิธีการดำเนินการด้วยเครื่องใช้เลเซอร์ตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 7 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งฟิล์มคุ้ม- กันได้รับการกำจัดออกไป หลังจากการแบ่งชิ้นงานแยกออกเป็นชิ้นส่วนจำนวนหนึ่งโดยการทำให้ ฟิล์มที่ยึดได้ยืดออก9.Method of operation with a laser in accordance with one of Clause 1 to 7. Where the kum-kan film was eliminated After dividing the workpiece into a number of parts by making Cling film stretched
TH301003387A 2003-09-11 The method of operation with a laser machine. TH52677B (en)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TH65466A true TH65466A (en) 2004-12-13
TH52677B TH52677B (en) 2016-12-02

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
MY140517A (en) Semiconductor substrate cutting method
US7550367B2 (en) Method for separating semiconductor substrate
JP2004001076A5 (en)
TWI438834B (en) Method of dividing an adhesive film bonded to a wafer
US7888239B2 (en) Semiconductor device manufacturing method
ATE534142T1 (en) METHOD FOR SEPARATING A SUBSTRATE
JP6004705B2 (en) Method for forming chip with adhesive film
EP2216128A3 (en) Method of cutting object to be processed
MY147331A (en) A machining method using laser
EP1609559A4 (en) Laser beam machining method
TWI459452B (en) A method of breaking the film attached to the back of the wafer, and a subsequent film
WO2018193970A1 (en) Workpiece cutting method
JP2014007217A (en) Method for processing wafer
TH52677B (en) The method of operation with a laser machine.
CN117637459A (en) A kind of wafer hybrid cutting method
JPH05211235A (en) Manufacture of semiconductor device
US9421640B2 (en) Dicing method
CN107546300B (en) Cutting and splitting method of LED chip
TH73573A (en) How to cut a process object
JPS58162047A (en) Cutting method for compound semiconductor
WO2018193962A1 (en) Workpiece cutting method
TH65465A (en) Methods for cutting semiconductor substrates
TH52676B (en) Methods for cutting semiconductor substrates
JPH055195B2 (en)
JP2015204441A (en) Substrate processing method and substrate