TH65096A

TH65096A - วิธีการของการบัดกรี

Info

Publication number: TH65096A
Application number: TH301002740A
Authority: TH
Inventors: ทาเทยามะ นายคาซูกิ; ทูดะ นายทัทสึยะ; โมริ นายอิคูโอะ; อิโตะ นายฮิซาชิ; โอยะ นายฮิซาชิ
Original assignee: คาบูชิกิ ไคชา โตชิบา; นางวรนุช เปเรร่า; นางสาวจุรีรัตน์ ตระการศรีสกุล; นางสาววิภา ชื่นใจพาณิชย์; นายธเนศ เปเรร่า
Filing date: 2003-07-23
Publication date: 2004-11-24

Abstract

DC60 (24/10/46) วัตถุประสงค์ของการประดิษฐ์นี้คือเพื่อจัดเตรียมวิธีการสำหรับการบัดกรี ด้วยความเชื่อถือได้ ของการเชื่อมต่อสูง ซึ่ง ป้องกันปรากฏการณ์ของสะพานของสารบัดกรีได้อย่างมีประสิทธิภาพ วิธีการ สำหรับการบัดกรีซึ่งถูกใช้ในเทคนิคของการติดตั้งการไหล โดยการใช้สารบัดกรีที่ปราศจากตะกั่ว (ส่วนประกอบ) ในวิธีการของการบัดกรี แผงวงจร และ ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ ด้วยสารบัดกรีที่ปราศจาก ตะกั่ว องค์ประกอบของสารบัดกรีของอ่างของสารบัดกรีถูกหลอมเหลว ถูกจัดการในลักษณะที่ว่า ทองแดง มีอยู่ในลักษณะของความเข้มข้นที่ 0.5 ถึง 1.15% โดยน้ำหนัก และ ที่ว่า ตะกั่วมีอยู่ในลักษณะ ของความเข้มข้นที่ 300 ถึง 3,500 ppm องค์ประกอบของอ่างของสารบัดกรีถูกจัดการในลักษณะต่อไปนี้ วัสดุของสารบัดกรีถูกทำให้ ได้มาจากอ่างของสารบัดกรี และ การวิเคราะห์ธาตุถูกดำเนินการ ภายหลังเวลาของการปฏิบัติการของ อ่างของสารบัดกรีที่ถูกดำเนินการไว้ก่อนล่วงหน้าได้ผ่านไป หรือ ไม่ก็ภายหลังจำนวนของแผงวงจร ถูกทำให้ชุ่มในอ่างของสารบัดกรีได้ถึงจำนวนที่ถูกกำหนดไว้ก่อนล่วงหน้า ภายหลังจากนั้น ถ้าอย่าง น้อยหนึ่งอันของทองแดง และตะกั่วหันเหไปจากช่วงที่ถูกกำหนดไว้ก่อนล่วงหน้า องค์ประกอบของ อ่างของสารบัดกรีถูกปรับเพื่อที่จะให้ตกอยู่ภายในช่วงที่ถูกกำหนดไว้ก่อนล่วงหน้า วัตถุประสงค์ของการประดิษฐ์นี้คือเพื่อจัดเตรียมวิธีการสำหรับการบัดกรี ด้วยความเชื่อถือได้ ของการเชื่อมต่อสูง ซึ่ง ป้องกันปรากฎการณ์ของสะพานของสารบัดกรีได้อย่างมีประสิทธิภาพ วิธีการ สำหรับการบัดกรีซึ่งถูกใช้ในเทคนิคของการติดตั้งการไหล โดยการใช้สารบัดกรีที่ปราศจากตะกั่ว (ส่วนประกอบ) ในวิธีการของการบัดกรี แผงวงจร และ ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ ด้วยสารบัดกรีที่ปราศจาก ตะกั่ว องค์ประกอบของสารบัดกรีของอ่างของสารบัดกรีถูกหลอมเหลว ถูกจัดการในลักษณะที่ว่า ทองแดง มีอยู่ในลักษณะของความเข้มข้นที่ 0.5 ถึง 1.15% โดยน้ำหนัก และ ที่ว่า ตะกั่วมีอยู่ในลักษณะ ของความเข้มข้นที่ 300 ถึง 3,500 ppm องค์ประกอบของอ่างของสารบัดกรีถูกจัดการในลักษณะต่อไปนี้วัสดุของสารบัดกรีถูกทำให้ ได้มาจากอ่างของสารบัดกรี และการวิเคราะห์ะธาตุถูกดำเนินการ ภายหลังเวลาของการปฏิบัติการของ อ่างของสารบัดกรีที่ถูกดำเนินการไว้ก่อนล่วงหน้าได้ผ่านไป หรือ ไม่ก็ภายหลังจำนวนของแผงวงจร ถูกทำให้ชุ่มในอ่างของสารบัดกรีได้ถึงจำนวนที่ถูกกำหนดไว้ก่อนล่วงหน้า ภายหลังจากนั้น ถ้าอย่าง น้อยหนึ่งอันของทองแดง และตะกั่วหันเหไปจากช่วงที่ถูกกำหนดไว้ก่อนล่วงหน้า องค์ประกอบของ อ่างของสารบัดกรีถูกปรับเพื่อที่จะให้ตกอยู่ภายในช่วงที่ถูกกำหนดไว้ก่อนล่วงหน้า

Claims

1. วิธีการสำหรับการบัดกรีสำหรับแผงวงจร และ ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิคส์ที่มี สารบัดกรีซึ่งประกอบโดยสารบัดกรีที่ปราศจากตะกั่วซึ่งมี Sn-Ag-Cu เป็นพื้นฐาน ที่ถูกหลอมเหลว ในที่ซึ่งองค์ประกอบของอ่างของสารบัดกรีถูกปรับในลักษณะที่ว่าในอ่างของสารบัดกรีที่ถูก หลอมเหลวนั้น มีทองแดงอยู่ที่ความเข้มข้นเป็น 0.5 ถึง 1.15 % โดยน้ำหนัก และ ที่ว่า มีตะกั่วอยู่ที่ความ เข้มข้นเท่ากับสิ่งนั้นของสิ่งเจือปน

2. วิธีการสำหรับการบัดกรีตามความสอดคล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่ง มีตะกั่วอยู่ที่ ความเข้มข้น 300 ถึง 3,500 ppm

3. วิธีการสำหรับการบัดกรีตามความสอดคล้องกับข้อหนึ่งของข้อถือสิทธิข้อ 1 และ 2 ในที่ ซึ่ง องค์ประกอบของอ่างของสารบัดกรีถูกปรับโดยการเติมอย่างน้อยอันหนึ่งของธาตุนอกเหนือจาก ทองแดง และ ตะกั่วออกจากองค์ประกอบของอ่างของสารบัดกรีหรือ โดยการเติมวัสดุที่ถูกได้รับโดย การกำจัดทองแดง และตะกั่วจากองค์ประกอบเริ่มต้นของอ่างของสารบัดกรี

4. วิธีการสำหรับการบัดกรีตามความสอดคล้องกับข้อใดข้อหนึ่งของข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 3 ในที่ซึ่งองค์ประกอบของอ่างของสารบัดกรีถูกจัดการ โดยการให้ได้มาซึ่งวัสดุสำหรับการบัดกรี จาก อ่างของสารบัดกรีภายหลังเวลาของการดำเนินการของอ่างของสารบัดกรีที่ถูกกำหนดไว้ก่อนล่วงหน้า หรือ ไม่ก็โดยการดำเนินการวิเคราะห์ธาตุของวัสดุของสารบัดกรีที่ถูกได้รับมา และ โดยการเติม อย่าง น้อยหนึ่งธาตุของธาตุซึ่งสร้างขึ้นเป็นอ่างของสารบัดกรี ไปยังวัสดุของสารบัดกรี ถ้าอย่างน้อยหนึ่งอัน ของ ทองแดง และ ตะกั่ว หักเหไปจากช่วงที่ถูกกำหนดไว้ก่อนล่วงหน้า ในลักษณะที่ว่า องค์ประกอบ ของอ่างของสารบัดกรี ตกอยู่ภายในช่วงที่ถูกกำหนดไว้ก่อนล่วงหน้า