TH65770A - An ammonia-free alkaline microelectronic cleaning compound with improved substrate compatibility. - Google Patents
An ammonia-free alkaline microelectronic cleaning compound with improved substrate compatibility.Info
- Publication number
- TH65770A TH65770A TH201002528A TH0201002528A TH65770A TH 65770 A TH65770 A TH 65770A TH 201002528 A TH201002528 A TH 201002528A TH 0201002528 A TH0201002528 A TH 0201002528A TH 65770 A TH65770 A TH 65770A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- cleaning
- compounds
- ammonia
- microelectronic substrates
- dielectric
- Prior art date
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract 16
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract 9
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 title claims abstract 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract 6
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 claims abstract 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract 6
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims abstract 5
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims abstract 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract 3
- 230000000269 nucleophilic effect Effects 0.000 claims abstract 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract 4
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 abstract 2
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 abstract 2
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 abstract 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 abstract 2
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 abstract 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract 1
Abstract
DC60 (01/12/57) สารผสมทำความสะอาดที่ปราศจากแอมโมเนีย สำหรับการทำความสะอาดไมโครอิเล็กโทรนิค ซับสเทรท และโดยเฉพาะเกี่ยวกับสารผสมทำความสะอาดที่มีประโยชน์ด้วย และที่มีความเข้า กันได้ที่ปรับปรุงกับไมโครอิเล็กโทรนิคซับสเทรทที่ให้ลักษณะเฉพาะโดยไดอิเล็กทริครูพรุนที่ไว, ไดอิเล็กทริค แคปปา ต่ำ หรือ แคปปา สูง และการฉาบด้วยโลหะทองแดง สารผสมทำความสะอาด สำหรับการ ลอกโฟโทเรซิสท์ออก, การทำความสะอาดส่วนเหลือสารประกอบอนินทรีย์, ออร์แกโนเมทัลลิค และ อินทรีย์ที่ก่อกำเนิดจากพลาสมา และการทำความสะอาดส่วนเหลือจากกรรมวิธีการทำให้เป็นระนาบ สารผสมทำความสะอาดนั้นมีเบสแก่ที่ผลิตให้นอน-แอมโมเนียมที่มีไอออนตรงข้ามที่มีประจุเป็น บวก, นอน-นิวคลีโอฟิลิคหนึ่งสาร หรือมากกว่า และสารประกอบตัวทำละลายที่ยับยั้งการกัดกร่อน หนึ่งสาร หรือมากกว่า ซึ่งสารประกอบตัวทำละลายที่ยับยั้งการกัดกร่อนที่กล่าวแล้วนั้นมีอย่างน้อย สองตำแหน่งที่สามารถที่จะทำให้เกิดสารเชิงซ้อนกับโลหะ สารผสมความสะอาดที่ปราศจากแอมโมเนีย สำหรับการทำความสะอาดไมโครอิเล็กโทรนิค ซับสเทรท และโดยเฉพาะเกี่ยวกับสารผสมทำความสะอาดเช่นนั้นที่มีประโยชน์ด้วย และที่มีความเข้า กันได้ที่ปรับปรุงกับไมโครอิเล็กโทรนิคซับสเทรทที่ให้ลักษณะเฉพาะโดยไดอิเล็กทริครูพรุนที่ไว, ไดอิเล็กทริค K ต่ำ หรือ K สูง และการฉาบด้วยโลหะทองแดง สารผสมทำความสะอาด สำหรับการ ลอกโฟโทเรซิสท์ออก, การทำความสะอาดส่วนเหลือสารประกอบอนินทรีย์, ออร์แกโนเมทัลลิค และ อินทรีย์ที่ก่อกำเนิดจากพลาสมา และการทำความสะอาดส่วนเหลือจากกรรมวิธีการทำให้เป็นระบบ สารผสมทำความสะอาดนั้นมีเบสแก่ที่ผลิตให้นอน-แอมโมเนียมที่มีไอออนตรงข้ามที่มีประจุเป็น บวก, นอน-นิวคลีโอฟิลิคหนึ่งสาร หรือมากกว่า และสารประกอบตัวทำละลายที่ยับยั้งการกัดกร่อน หนึ่งสาร หรือมากกว่า ซึ่งสารประกอบตัวทำละลายที่ยับยั้งการกัดกร่อนที่กล่าวแล้วนั้นมีอย่างน้อย สองตำแหน่งที่สามารถที่จะทำให้เกิดสารเชิงซ้อนกับโลหะ DC60 (01/12/57) ammonia-free cleaning compound. For cleaning microelectronic substrates and especially useful cleaning agents. And that is Improved compatibility with microelectronic substrates characterized by sensitive porous dielectric, low cappa dielectric or high kappa and copper metal-based plastering. Cleaning compound for photoresist removal, residual cleaning Inorganic compounds, organometallic and organic compounds that are formed from plasma. And cleaning the residue from the plane process. Cleaning mixtures have non-ammonium bases with positively charged opposite ions, one or more non-nucleophilic compounds and one corrosion-inhibiting solvent. Or greater, that the above corrosion inhibiting solvent compounds are at least Two locations are able to form metal complexes. Ammonia-free cleaning mixture For cleaning microelectronic substrates, and especially for such cleaning agents, they are also useful. And that is Improved compatibility with microelectronic substrates characterized by sensitive porous dielectric, low K or high K dielectric, and copper-metal dosing. Cleaning compound for photoresist removal, residual cleaning Inorganic compounds, organometallic and organic compounds that are formed from plasma. And cleaning the residue from the systemicization process Cleaning mixtures have non-ammonium bases with positively charged opposite ions, one or more non-nucleophilic compounds and one corrosion-inhibiting solvent. Or greater, that the above corrosion inhibiting solvent compounds are at least Two locations are able to form metal complexes.
Claims (1)
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH65770A true TH65770A (en) | 2004-12-23 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| ATE355356T1 (en) | AMMONIA-FREE COMPOSITIONS WITH IMPROVED SUBSTRATE COMPATIBILITY FOR CLEANING MICROELECTRONIC SUBSTRATES | |
| US5597420A (en) | Stripping composition having monoethanolamine | |
| TW200420724A (en) | Aqueous phosphoric acid compositions for cleaning semiconductor devices | |
| RS106104A (en) | Microelectronic cleaning and arc remover compositions | |
| KR20010034007A (en) | Improvement in Aqueous Stripping and Cleaning Compositions | |
| NO20061247L (en) | Stripping and cleaning mixtures for microelectronics | |
| ATE487785T1 (en) | MICROELECTRONIC CLEANERS CONTAINING AMMONIA-FREE FLUORIDE SALTS | |
| ATE488569T1 (en) | CLEANING AGENT, METHOD FOR CLEANING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD FOR FORMING CONDUCTIVE PATHS ON SEMICONDUCTOR SUBSTRATE | |
| CA2544198A1 (en) | Alkaline, post plasma etch/ash residue removers and photoresist stripping compositions containing metal-halide corrosion inhibitors | |
| NO20040067L (en) | Ammonia-free alkaline microelectronic cleaning compositions with improved substrate compatibility | |
| ATE376050T1 (en) | SEMICONDUCTOR CLEANING SOLUTION | |
| TW200506554A (en) | Removing agent composition | |
| DE60238244D1 (en) | AQUEOUS CLEANING AGENT WITH COPPER-SPECIFIC CORROSION PROTECTION AGENT FOR CLEANING INORGANIC RESIDUE OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATES | |
| TH65770A (en) | An ammonia-free alkaline microelectronic cleaning compound with improved substrate compatibility. | |
| TWI787170B (en) | Cleaning solution and cleaning method | |
| TW200627095A (en) | Remover composition | |
| ATE345581T1 (en) | TRIHYDROXYBENZENES TO PREVENT CORROSION OF TITANIUM | |
| TW583719B (en) | Agent for cleaning substrate | |
| JP2006178347A (en) | Resist stripper | |
| CN113430066A (en) | Cleaning composition for selectively removing hardmask, preparation method and application thereof | |
| JPS6220883A (en) | Anticorrosive treatment of copper and copper alloy |