TH66698A - Methods for coating metal layers on covered semiconductor structures - Google Patents
Methods for coating metal layers on covered semiconductor structuresInfo
- Publication number
- TH66698A TH66698A TH301004087A TH0301004087A TH66698A TH 66698 A TH66698 A TH 66698A TH 301004087 A TH301004087 A TH 301004087A TH 0301004087 A TH0301004087 A TH 0301004087A TH 66698 A TH66698 A TH 66698A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- metal
- cover
- layer
- dielectric layer
- coating
- Prior art date
Links
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract 16
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract 15
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract 5
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 abstract 2
Abstract
DC60 (12/01/47) ได้เปิดเผยถึงวิธีการสำหรับการเคลือบชั้นโลหะอยู่บนโครงสร้างเชื่อมต่อของเวเฟอร์สารกึ่งตัวนำ ในวิธีการ ตัวนำโลหะ จะถูกหุ้มโดยชั้นคลุมและชั้นไดอิเล็กตริก ชั้นไดอิเล็กตริก จะถูกสร้างเป็นแพท เทิร์นให้เปิดชั้นคลุม หลังจากนั้นชั้น คลุมจะถูกกัดขึ้นรอยฉาบด้วยโลหะเพื่อนำชั้นคลุมออกและเปิด ตัว นำโลหะ ในกระบวนการของการกัดขึ้นรอยฉาบด้วยโลหะ ชั้น คลุมจะถูกเคลือบช้ำลงบนผนังด้านข้าง ของแพทเทิร์น สุดท้าย อย่างน้อยที่สุดชั้นหนึ่งจะถูกเคลือบอยู่ในแพทเทิร์นและ หุ้มชั้นคลุมที่เคลือบซ้ำ ได้เปิดเผยถึงวิธีการสำหรับการเคลือบชั้นโลหะอยู่บนโครงสร้างเชื่อมต่อของเวเฟอร์สารกึ่งตัวนำ ในวิธีการ ตัวนำโลหะ จะถูกหุ้มโดยชั้นคลุมและชั้นไดอิเล็กตริก ชั้นไดอิเล็กตริก จะถูกสร้างเป็นแพท เทิร์นให้เปิดชั้นคลุม หลังจากนั้นชั้น คลุมจะถูกกัดขึ้นรอยฉาบด้วยโลหะเพื่อนำชั้นคลุมออกและเปิด ตัว นำโลหะ ในกระบวนการของการกัดขึ้นรอยฉาบด้วยโลหะ ชั้น คลุมจะถูกเคลือบช้ำลงบนผนังด้านข้าง ของแพทเทิร์น สุดท้าย อย่างน้อยที่สุดชั้นหนึ่งจะถูกเคลือบอยู่ในแพทเทิร์นและ หุ้มชั้นคลุมที่เคลือบซ้ำ DC60 (12/01/47) has disclosed a method for coating the metal layer on the bridging structure of the semiconductor wafer.In the method, the metal conductors are covered by a protective layer and a dielectric layer. Dielectric layer Will be created as a patch Turn, open the cover layer. After that I The cover is then etched up the metal putty to remove the cover layer and the metal guide is released.In the process of metal putty, the cover is bruised onto the side wall of the last pattern, at least one layer is applied. Coated in the pattern and Cover the coat that is re-coated. A method for coating metal layers on the semiconductor wafer bridging structure has been disclosed.In the method, the metal conductors are covered by a protective layer and a dielectric layer. Dielectric layer Will be created as a patch Turn, open the cover layer. After that I The cover is then etched up the metal putty to remove the cover layer and the metal guide is released.In the process of metal putty, the cover is bruised onto the side wall of the last pattern, at least one layer is applied. Coated in the pattern and Cover the coat that is re-coated.
Claims (1)
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH66698A true TH66698A (en) | 2005-01-24 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| ATE470237T1 (en) | A METHOD FOR DEPOSING A METAL LAYER ON A SEMICONDUCTOR INTERCONNECT STRUCTURE WITH A TOP LAYER | |
| WO2007043056A3 (en) | Novel integrated circuit support structures and the fabrication thereof | |
| WO2005060548A3 (en) | Method of preventing damage to porous low-k materials during resist stripping | |
| TW374946B (en) | Definition of structure of dielectric layer patterns and the manufacturing method | |
| DE69636808D1 (en) | Production method of supports in an insulating layer on a semiconductor wafer | |
| EP0887849A3 (en) | Method for fabricating capacitor for semiconductor device | |
| TW200501216A (en) | Organic semiconductor device and method of manufacture of same | |
| EP1022354A3 (en) | Process for coating plastic substrates | |
| WO2010002736A3 (en) | Methods for fabricating line/space routing between c4 pads | |
| SG125931A1 (en) | Method of forming copper interconnects | |
| TW200515478A (en) | Method for fabricating semiconductor device with fine patterns | |
| TW200515501A (en) | Method of improving low-k film property and damascene process using the same | |
| WO2006104817A3 (en) | Method for reducing dielectric overetch when making contact to conductive features | |
| WO2004038809A3 (en) | Formation of contacts on semiconductor substrates | |
| TH66698A (en) | Methods for coating metal layers on covered semiconductor structures | |
| TW200503066A (en) | Process for reworking semiconductor patterned photoresist layer | |
| WO2005122254A3 (en) | Gate stack and gate stack etch sequence for metal gate integration | |
| TW200518875A (en) | Method of reducing pattern effect in CMP process, method of eliminating dishing phenomena after CMP process, and method of CMP rework | |
| WO2003003413A3 (en) | Growing copper vias or lines within a patterned resist using a copper seed layer | |
| TH66699A (en) | Methods for coating metal layers on semiconductor bridging structures. | |
| TW200512926A (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
| ATE375703T1 (en) | MULTI-LAYER CIRCUIT ARRANGEMENT AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF | |
| TW399298B (en) | Manufacturing method of via hole | |
| WO2005045102A3 (en) | Coating of substrates | |
| TW428248B (en) | Structure and method of metal conductive layer and dielectric layer |