TH66699A

TH66699A - Methods for coating metal layers on semiconductor bridging structures.

Info

Publication number: TH66699A
Application number: TH301004088A
Authority: TH
Inventors: จี. มัลโฮตรา นายแซนดรา; เอช. ไซม่อน นายแอนดรูว์
Original assignee: นายดำเนิน การเด่น; นายต่อพงศ์ โทณะวณิก; นายวิรัช ศรีเอนกราธา; นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์
Filing date: 2003-10-31
Publication date: 2005-01-24

Abstract

DC60 (27/01/47) ได้เปิดเผยถึงวิธีการสำหรับการเคลือบชั้นโลหะอยู่บนโครงสร้างเชื่อมต่อของเวเฟอร์สารกึ่ง ตัวนำ ในวิธีการ ตัวนำโลหะ จะถูกหุ้มโดยชั้นไดอิเล็กตริก ชั้นไดอิเล็กตริกจะถูกสร้าง เป็นแพทเทิร์น ให้เปิดตัวนำโลหะ ชั้นรองจะถูกเคลือบหลังจาก นั้นลงบนแพทเทิร์น หลังจากนั้นชั้นรองจะถูกกัดขึ้น รอยฉาบ ด้วยโลหะอาร์กอนเพื่อนำชั้นรองออกและเปิดตัวนำโลหะ ใน กระบวนการของการกัดขึ้นรอย ฉาบด้วยโลหะอาร์กอน ชั้นรองจะถูก เคลือบซ้ำลงบนผนังด้านข้างของแพทเทิร์น สุดท้าย ชั้นเพิ่ม เติม จะถูกเคลือบอยู่ในแพทเทิร์นและหุ้มชั้นรองที่เคลือบซ้ำ ได้เปิดเผยถึงวิธีการสำหรับการเคลือบชั้นโลหะอยู่บนโครงสร้างเชื่อมต่อของเวเฟอร์สารกึ่ง ตัวนำ ในวิธีการ ตัวนำโลหะ จะถูกหุ้มโดยชั้นไดอิเล็กตริก ชั้นไดอิเล็กตริกจะถูกสร้าง เป็นแพทเทิร์น ให้เปิดตัวนำโลหะ ชั้นรองจะถูกเคลือบหลังจาก นั้นลงบนแพทเทิร์น หลังจากนั้นชั้นรองจะถูกกัดขึ้น รอยฉาบ ด้วยโลหะอาร์กอนเพื่อนำชั้นรองออกและเปิดตัวนำโลหะ ใน กระบวนการของการกัดขึ้นรอย ฉาบด้วยโลหะอาร์กอน ชั้นรองจะถูก เคลือบซ้ำลงบนผนังด้านข้างของแพทเทิร์น สุดท้าย ชั้นเพิ่ม เติม จะถูกเคลือบอยู่ในแพทเทิร์นและหุ้มชั้นรองที่เคลือบซ้ำ DC60 (27/01/47) has disclosed a method for coating the metal layer on the bridging structure of the semiconductor wafer. In the method, the metal conductors are shielded by a dielectric layer. The dielectric layer will be created. As a pattern To open the metal conductors The secondary layer will be coated after That onto the pattern The secondary layer is then etched with argon metal to remove the secondary layer and open the metal guide in the process of incrementing. Putting it with argon metal, a secondary layer is applied over the side wall of the final pattern, an additional layer is coated in the pattern and the secondary layer is re-coated. It has revealed a method for coating the metal layer on the bridging structure of the semiconductor wafer. In the method, the metal conductors are covered by a dielectric layer. The dielectric layer will be created. As a pattern To open the metal conductors The secondary layer will be coated after That onto the pattern The secondary layer is then etched with argon metal to remove the secondary layer and open the metal guide in the process of incrementing. Putting it with argon metal, a secondary layer is applied over the side wall of the final pattern, an additional layer is coated in the pattern and the secondary layer is re-coated.

Claims

1. Method for coating metal layers on connector structures for semiconductor wafers. The method consists of steps of: (a) providing a connecting structure consisting of a conductor. Metal covered by a dielectric layer (b) forming a dielectric layer pattern to form a channel. Open the metal guide opener (c) The secondary coating is on the wall and bottom of the opening (d) milling up the metal substrate to open the metal conductor. And at the very least, double coat A partial vice is on the wall tags: