TH90321B - แผ่นรองรับชนิดพื้นผิวขยายสัญญาณรามาน (Raman) และวิธีการเตรียมแผ่นรองรับชนิดพื้นผิวขยายสัญญาณรามาน (Raman) - Google Patents
แผ่นรองรับชนิดพื้นผิวขยายสัญญาณรามาน (Raman) และวิธีการเตรียมแผ่นรองรับชนิดพื้นผิวขยายสัญญาณรามาน (Raman)Info
- Publication number
- TH90321B TH90321B TH602002068F TH0602002068F TH90321B TH 90321 B TH90321 B TH 90321B TH 602002068 F TH602002068 F TH 602002068F TH 0602002068 F TH0602002068 F TH 0602002068F TH 90321 B TH90321 B TH 90321B
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- raman
- preparing
- aluminum oxide
- enhancing substrate
- anodized aluminum
- Prior art date
Links
Abstract
DC60 (01/04/59) การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับแผ่นรองรับชนิดพื้นผิวขยายสัญญาณรามาน ( Raman ) และ วิธีการเตรียมแผ่นรองรับชนิดพื้นผิวขยายสัญญาณรามาน ( Raman) ซึ่งแผ่นรองรับชนิดพื้นผิวขยาย สัญญาณรามานประกอบด้วย แผ่นซิลิกอนเวเฟอร์ ชั้นฟิล์มแม่แบบอโนไดซ์อลูมินัมออกไซด์ และ ชั้นฟิล์มของอนุภาคนาโนของเงินและ วิธีการเตรียมแผ่นรองรับชนิดพื้นผิวขยายสัญญาณรามาน ประกอบด้วยขั้นตอน การเตรียมชั้นฟิล์มแม่แบบอโนไดซ์อลูมินัมออกไซด์บนแผ่นรองรับซิลิกอน เวเฟอร์โดยใช้วิธีทางไฟฟ้าเคมี และ ขั้นตอนการเตรียมชั้นฟิล์มนาโนของเงินบนชั้นฟิล์มแม่แบบ อโนไดซ์อลูมินัมออกไซด์โดยใช้วิธีสะปัตเตอริ่งชนิดดีซีแมกนีตรอน (DC magnetron sputtering) แก้ไข 23/09/2558 การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับแผ่นรองรับชนิดพื้นผิวขยายสัญญาณรามาน ( Raman ) และ วิธีการเตรียมแผ่นรองรับชนิดพื้นผิวขยายสัญญาณรามาน ( Raman ) ซึ่งแผ่นรองรับชนิดพื้นผิวขยาย สัญญาณรามานประกอบด้วย แผ่นซิลิกอนเวเฟอร์ ชั้นฟิล์มแม่แบบอโนไดซ์อลูมินัมออกไซด์ และ ชั้นฟิล์มของอนุภาคนาโนของเงินและ วิธีการเตรียมแผ่นรองรับชนิดพื้นผิวขยายสัญญาณรามาน ประกอบด้วยขั้นตอน การเตรียมชั้นฟิล์มแม่แบบอโนไดซ์อลูมินัมออกไซด์บนแผ่นรองรับซิลิกอน เวเฟอร์โดยใช้วิธีทางไฟฟ้าเคมี และ ขั้นตอนการเตรียมชั้นฟิล์มนาโนของเงินบนชั้นฟิล์มแม่แบบ อโนไดซ์อลูมินัมออกไซด์โดยใช้วิธีสะปัตเตอริ่งชนิดดีซีแมกนีตรอน (DC magnetron sputtering) --------------------------------------- แก้ไขบทสรุปการประดิษฐ์ 01/04/2559 การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับแผ่นรองรับชนิดพื้นผิวขยายสัญญาณราทาน (Raman) และ วิธีการเตรียมแผ่นรองรับชนิดพื้นผิวขยายสัญญาณรามาน (Raman) ซึ่งแผ่นรองรับชนิดพื้นผิวขยาย สัญญาณรามานประกอบด้วย แผ่นซิลิกอนเวเฟอร์ ชั้นฟิล์มแม่แบบอโนไดซ์อลูมินัมออกไซด์ และ ชั้นฟิล์มของอนุภาคนาโนของเงินและ วิธีการเตรียมแผ่นรองรับชนิดพื้นผิวขยายสัญญาณรามาน ประกอบด้วยขั้นตอน การเตรียมชั้นฟิล์มแม่แบบอโนไดซ์อลูมินัมออกไซด์บนแผ่นรองรับซิลิกอน เวเฟอร์โดยใช้วิธีทางไฟฟ้าเคมี และ ขั้นตอนการเตรียมชั้นฟิล์มนาโนของเงินบนชั้นฟิล์มแม่แบบ อโนไดซ์อลูมินัมออกไซด์โดยใช้วิธีสะปัตเตอริ่งชนิดดีซีแมกนีตรอน (DC magnetron sputtering) -------------------------------------------------------- การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับแผ่นรองรับชนิดพื้นผิวขยายสัญญาณราทาน (Raman) และ วิธีการเตรียมแผ่นรองรับชนิดพื้นผิวขยายสัญญาณรามาน (Raman) ซึ่งแผ่นรองรับชนิดพื้นผิวขยาย สัญญาณรามานประกอบด้วย แผ่นซิลิกอนเวเฟอร์ ชั้นฟิล์มแม่แบบอโนไดซ์อลูมินัมออกไซด์ และ ชั้นฟิล์มของอนุภาคนาโนของเงินและ วิธีการเตรียมแผ่นรองรับชนิดพื้นผิวขยายสัญญาณรามาน ประกอบด้วยขั้นตอน การเตรียมชั้นฟิล์มแม่แบบบอโนไดซ์อลูมินัมออกไซด์บนแผ่นรองรับซิลิกอน เวเฟอร์โดยใช้วิธีทางไฟฟ้าเคมี และ ขั้นตอนการเตรียมชั้นฟิล์มนาโนของเงินบนชั้นฟิล์มแม่แบบ อโนไดซ์อลูมินัมออกไซด์โดยใช้วิธีสะปัตเตอริ่งชนิดดีซีแมกนีตรอน (DC magnetron sputtering)
Claims (1)
1. ข้าพเจ้าขอถือสิทธิ์ในแบบผลิตภัณฑ์ ซึ่งได้แก่รูปร่าง ลักษณะของตู้ ดังมีรายละเอียด ตามที่ปรากฎในภาพแสดงแบบผลิตภัณฑ์ที่ได้เสนอมานี้
Publications (4)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH90321S TH90321S (th) | 2008-07-10 |
| TH38456S1 TH38456S1 (th) | 2013-12-13 |
| TH158453A TH158453A (th) | 2016-12-21 |
| TH90321B true TH90321B (th) | 2022-11-25 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW201144854A (en) | Mold, method for producing mold, and method for producing anti-reflection film | |
| JP2011216780A5 (th) | ||
| EP2733734A3 (en) | Multiple bonding layers for thin-wafer handling | |
| PH12014502176A1 (en) | Release film for ceramic green sheet production process | |
| JP2013521366A5 (th) | ||
| TWD153878S1 (zh) | 基板運送用固持構件 | |
| EP2645415A3 (en) | Lead frame, semiconductor device, and method for manufacturing lead frame | |
| TWD161688S (zh) | 半導體製造裝置用晶舟 | |
| WO2013134592A3 (en) | Atomic layer deposition strengthening members and method of manufacture | |
| PH12014502199A1 (en) | Release film for producing green sheet and method of producing release film producing green sheet | |
| WO2012076467A3 (en) | A method to obtain a radiation scattering surface finish on an object | |
| JP2015115404A5 (th) | ||
| JP2013188968A5 (th) | ||
| JP2012054540A5 (ja) | Ｓｏｉ基板の作製方法 | |
| TW201129497A (en) | silicon substrate having nanostructures and method for producing the same and application thereof | |
| MX2013001351A (es) | Proceso para preparar dispositivos y peliculas en base a nanoparticulas conductivas. | |
| JP2015053359A5 (th) | ||
| EP2750211A3 (en) | Encapsulating layer-covered optical semiconductor element, producing method thereof, and optical semiconductor device | |
| WO2012067444A3 (ko) | 산화막이 형성된 도전성 필름 및 그 제조방법 | |
| JP2010251724A5 (th) | ||
| WO2011160814A3 (en) | Method for creating a passivated boron-doped region, especially during production of a solar cell, and solar cell with passivated boron-diffused region | |
| JP2012202801A5 (th) | ||
| WO2012078711A3 (en) | Hydrophilic surfaces and process for preparing | |
| JP2011207754A5 (th) | ||
| JP2013188970A5 (th) |