TH158453A - แผ่นรองรับชนิดพื้นผิวขยายสัญญาณรามาน (Raman) และวิธีการเตรียมแผ่นรองรับชนิดพื้นผิวขยายสัญญาณรามาน (Raman) - Google Patents

Abstract

DC60 (01/04/59) การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับแผ่นรองรับชนิดพื้นผิวขยายสัญญาณรามาน ( Raman ) และ วิธีการเตรียมแผ่นรองรับชนิดพื้นผิวขยายสัญญาณรามาน ( Raman) ซึ่งแผ่นรองรับชนิดพื้นผิวขยาย สัญญาณรามานประกอบด้วย แผ่นซิลิกอนเวเฟอร์ ชั้นฟิล์มแม่แบบอโนไดซ์อลูมินัมออกไซด์ และ ชั้นฟิล์มของอนุภาคนาโนของเงินและ วิธีการเตรียมแผ่นรองรับชนิดพื้นผิวขยายสัญญาณรามาน ประกอบด้วยขั้นตอน การเตรียมชั้นฟิล์มแม่แบบอโนไดซ์อลูมินัมออกไซด์บนแผ่นรองรับซิลิกอน เวเฟอร์โดยใช้วิธีทางไฟฟ้าเคมี และ ขั้นตอนการเตรียมชั้นฟิล์มนาโนของเงินบนชั้นฟิล์มแม่แบบ อโนไดซ์อลูมินัมออกไซด์โดยใช้วิธีสะปัตเตอริ่งชนิดดีซีแมกนีตรอน (DC magnetron sputtering) แก้ไข 23/09/2558 การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับแผ่นรองรับชนิดพื้นผิวขยายสัญญาณรามาน ( Raman ) และ วิธีการเตรียมแผ่นรองรับชนิดพื้นผิวขยายสัญญาณรามาน ( Raman ) ซึ่งแผ่นรองรับชนิดพื้นผิวขยาย สัญญาณรามานประกอบด้วย แผ่นซิลิกอนเวเฟอร์ ชั้นฟิล์มแม่แบบอโนไดซ์อลูมินัมออกไซด์ และ ชั้นฟิล์มของอนุภาคนาโนของเงินและ วิธีการเตรียมแผ่นรองรับชนิดพื้นผิวขยายสัญญาณรามาน ประกอบด้วยขั้นตอน การเตรียมชั้นฟิล์มแม่แบบอโนไดซ์อลูมินัมออกไซด์บนแผ่นรองรับซิลิกอน เวเฟอร์โดยใช้วิธีทางไฟฟ้าเคมี และ ขั้นตอนการเตรียมชั้นฟิล์มนาโนของเงินบนชั้นฟิล์มแม่แบบ อโนไดซ์อลูมินัมออกไซด์โดยใช้วิธีสะปัตเตอริ่งชนิดดีซีแมกนีตรอน (DC magnetron sputtering) --------------------------------------- แก้ไขบทสรุปการประดิษฐ์ 01/04/2559 การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับแผ่นรองรับชนิดพื้นผิวขยายสัญญาณราทาน (Raman) และ วิธีการเตรียมแผ่นรองรับชนิดพื้นผิวขยายสัญญาณรามาน (Raman) ซึ่งแผ่นรองรับชนิดพื้นผิวขยาย สัญญาณรามานประกอบด้วย แผ่นซิลิกอนเวเฟอร์ ชั้นฟิล์มแม่แบบอโนไดซ์อลูมินัมออกไซด์ และ ชั้นฟิล์มของอนุภาคนาโนของเงินและ วิธีการเตรียมแผ่นรองรับชนิดพื้นผิวขยายสัญญาณรามาน ประกอบด้วยขั้นตอน การเตรียมชั้นฟิล์มแม่แบบอโนไดซ์อลูมินัมออกไซด์บนแผ่นรองรับซิลิกอน เวเฟอร์โดยใช้วิธีทางไฟฟ้าเคมี และ ขั้นตอนการเตรียมชั้นฟิล์มนาโนของเงินบนชั้นฟิล์มแม่แบบ อโนไดซ์อลูมินัมออกไซด์โดยใช้วิธีสะปัตเตอริ่งชนิดดีซีแมกนีตรอน (DC magnetron sputtering) -------------------------------------------------------- การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับแผ่นรองรับชนิดพื้นผิวขยายสัญญาณราทาน (Raman) และ วิธีการเตรียมแผ่นรองรับชนิดพื้นผิวขยายสัญญาณรามาน (Raman) ซึ่งแผ่นรองรับชนิดพื้นผิวขยาย สัญญาณรามานประกอบด้วย แผ่นซิลิกอนเวเฟอร์ ชั้นฟิล์มแม่แบบอโนไดซ์อลูมินัมออกไซด์ และ ชั้นฟิล์มของอนุภาคนาโนของเงินและ วิธีการเตรียมแผ่นรองรับชนิดพื้นผิวขยายสัญญาณรามาน ประกอบด้วยขั้นตอน การเตรียมชั้นฟิล์มแม่แบบบอโนไดซ์อลูมินัมออกไซด์บนแผ่นรองรับซิลิกอน เวเฟอร์โดยใช้วิธีทางไฟฟ้าเคมี และ ขั้นตอนการเตรียมชั้นฟิล์มนาโนของเงินบนชั้นฟิล์มแม่แบบ อโนไดซ์อลูมินัมออกไซด์โดยใช้วิธีสะปัตเตอริ่งชนิดดีซีแมกนีตรอน (DC magnetron sputtering)

Claims (3)

: DC60 (01/04/59) การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับแผ่นรองรับชนิดพื้นผิวขยายสัญญาณรามาน ( Raman ) และ วิธีการเตรียมแผ่นรองรับชนิดพื้นผิวขยายสัญญาณรามาน ( Raman) ซึ่งแผ่นรองรับชนิดพื้นผิวขยาย สัญญาณรามานประกอบด้วย แผ่นซิลิกอนเวเฟอร์ ชั้นฟิล์มแม่แบบอโนไดซ์อลูมินัมออกไซด์ และ ชั้นฟิล์มของอนุภาคนาโนของเงินและ วิธีการเตรียมแผ่นรองรับชนิดพื้นผิวขยายสัญญาณรามาน ประกอบด้วยขั้นตอน การเตรียมชั้นฟิล์มแม่แบบอโนไดซ์อลูมินัมออกไซด์บนแผ่นรองรับซิลิกอน เวเฟอร์โดยใช้วิธีทางไฟฟ้าเคมี และ ขั้นตอนการเตรียมชั้นฟิล์มนาโนของเงินบนชั้นฟิล์มแม่แบบ อโนไดซ์อลูมินัมออกไซด์โดยใช้วิธีสะปัตเตอริ่งชนิดดีซีแมกนีตรอน (DC magnetron sputtering) แก้ไข 23/09/2558 การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับแผ่นรองรับชนิดพื้นผิวขยายสัญญาณรามาน ( Raman ) และ วิธีการเตรียมแผ่นรองรับชนิดพื้นผิวขยายสัญญาณรามาน ( Raman ) ซึ่งแผ่นรองรับชนิดพื้นผิวขยาย สัญญาณรามานประกอบด้วย แผ่นซิลิกอนเวเฟอร์ ชั้นฟิล์มแม่แบบอโนไดซ์อลูมินัมออกไซด์ และ ชั้นฟิล์มของอนุภาคนาโนของเงินและ วิธีการเตรียมแผ่นรองรับชนิดพื้นผิวขยายสัญญาณรามาน ประกอบด้วยขั้นตอน การเตรียมชั้นฟิล์มแม่แบบอโนไดซ์อลูมินัมออกไซด์บนแผ่นรองรับซิลิกอน เวเฟอร์โดยใช้วิธีทางไฟฟ้าเคมี และ ขั้นตอนการเตรียมชั้นฟิล์มนาโนของเงินบนชั้นฟิล์มแม่แบบ อโนไดซ์อลูมินัมออกไซด์โดยใช้วิธีสะปัตเตอริ่งชนิดดีซีแมกนีตรอน (DC magnetron sputtering) --------------------------------------- แก้ไขบทสรุปการประดิษฐ์ 01/04/2559 การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับแผ่นรองรับชนิดพื้นผิวขยายสัญญาณราทาน (Raman) และ วิธีการเตรียมแผ่นรองรับชนิดพื้นผิวขยายสัญญาณรามาน (Raman) ซึ่งแผ่นรองรับชนิดพื้นผิวขยาย สัญญาณรามานประกอบด้วย แผ่นซิลิกอนเวเฟอร์ ชั้นฟิล์มแม่แบบอโนไดซ์อลูมินัมออกไซด์ และ ชั้นฟิล์มของอนุภาคนาโนของเงินและ วิธีการเตรียมแผ่นรองรับชนิดพื้นผิวขยายสัญญาณรามาน ประกอบด้วยขั้นตอน การเตรียมชั้นฟิล์มแม่แบบอโนไดซ์อลูมินัมออกไซด์บนแผ่นรองรับซิลิกอน เวเฟอร์โดยใช้วิธีทางไฟฟ้าเคมี และ ขั้นตอนการเตรียมชั้นฟิล์มนาโนของเงินบนชั้นฟิล์มแม่แบบ อโนไดซ์อลูมินัมออกไซด์โดยใช้วิธีสะปัตเตอริ่งชนิดดีซีแมกนีตรอน (DC magnetron sputtering) -------------------------------------------------------- การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับแผ่นรองรับชนิดพื้นผิวขยายสัญญาณราทาน (Raman) และ วิธีการเตรียมแผ่นรองรับชนิดพื้นผิวขยายสัญญาณรามาน (Raman) ซึ่งแผ่นรองรับชนิดพื้นผิวขยาย สัญญาณรามานประกอบด้วย แผ่นซิลิกอนเวเฟอร์ ชั้นฟิล์มแม่แบบอโนไดซ์อลูมินัมออกไซด์ และ ชั้นฟิล์มของอนุภาคนาโนของเงินและ วิธีการเตรียมแผ่นรองรับชนิดพื้นผิวขยายสัญญาณรามาน ประกอบด้วยขั้นตอน การเตรียมชั้นฟิล์มแม่แบบบอโนไดซ์อลูมินัมออกไซด์บนแผ่นรองรับซิลิกอน เวเฟอร์โดยใช้วิธีทางไฟฟ้าเคมี และ ขั้นตอนการเตรียมชั้นฟิล์มนาโนของเงินบนชั้นฟิล์มแม่แบบ อโนไดซ์อลูมินัมออกไซด์โดยใช้วิธีสะปัตเตอริ่งชนิดดีซีแมกนีตรอน (DC magnetron sputtering)ข้อถือสิทธิ์ (ข้อที่หนึ่ง) ซึ่งจะปรากฏบนหน้าประกาศโฆษณา : แก้ไข 23/09/2558

1. แผ่นรองรับชนิดพื้นผิวขยายสัญญาณรามาน ( Raman ) ประกอบด้วย แผ่นซิลิกอนเวเฟอร์ ชั้นฟิล์ม แม่แบบอโนไดซ์อลูมินัมออกไซด์ และชั้นฟิล์มของอนุภาคนาโนของเงิน

2. วิธีการเตรียมแผ่นรองรับชนิดพื้นผิวขยายสัญญาณรามาน ตามข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่ง ประกอบด้วย ขั้นตอนดังนี้ คือ ก. การเตรียมชั้นฟิล์มแม่แบบอโนไดซ์อลูมินัมออกไซด์บนแผ่นรองรับซิลิกอนเวเฟอร์ และ ข. การเตรียมชั้นฟิล์มนาโนของเงินบนชั้นฟิล์มแม่แบบอโนไดซ์อลูมินัมออกไซด์

3. วิธีการเตรียมแผ่นรองรับชนิดพื้นผิวขยายสัญญาณรามาน ตามข้อถือสแท็ก :