Claims (31)
1. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอ ที่ประกอบด้วยขั้นตอนของ A) การจัดหาสารต้นกำเนิดของสารเคลือบที่อุณหภูมิสูงกว่าจุดหลอมเหลวของสารนั้นแต่ต่ำกว่าอุณหภูมิกลายเป็นไอมาตรฐานของสารนั้นอย่างแน่แท้ โดยวิธีนี้จะทำให้สารต้นกำเนิดของสารเคลือบอยู่ในรูปของเหลว B) การดำเนินขั้นตอนต่อไปนี้พร้อมกันไปและอย่างต่อเนื่อง i) การฉีดสารต้นกำเนิดของสารเคลือบที่เป็นของเหลวเข้าไปในช่องระเหยสารให้เป็นไอที่กำหนดไว้ในส่วนที่เป็นผนังรอบนอกอย่างน้อยหนึ่งด้านของสารเคลือบที่เป็นของเหลวนั้นจะเกิดเป็นไอ ii) การปล่อยก๊าซผสมเข้าไปในช่องระเหยสารให้เป็นไอในปริมาณเพียงพอที่จะเพิ่มการเคลื่อนย้ายมวลของไอสารต้นกำเนิดของสารเคลือบและเมื่อเป็นเช่นนี้จึงทำให้สารต้นกำเนิดของสารเคลือบที่เป็นของเหลวเป็นไอได้เร็วขึ้น iii) การผสมสารต้นกำเนิดของสารเคลือบที่เป็นของเหลว, ไอของสารต้นกำเนิดของสารเคลือบและก๊าซผสมเข้าด้วยกันโดยที่รวมถึงการจ่ายสารต้นกำเนิดที่เป็นของเหลวเป็นชั้นบางไปตามผนังช่องดังกล่าว โดยขั้นตอนเหล่านี้สารต้นกำเนิดของสารเคลือบที่เป็นของเหลวจะกลายเป็นไอได้อย่างสมบูรณ์ที่อุณหภูมิต่ำกว่าอุณหภูมิของการกลายเป็นไอมาตรฐานของสารนั้น, เพื่อเตรียมกระแสก๊าซของสารต้นกำเนิดที่กลายเป็นไป ซึ่งมีความเข้มข้นของสารต้นกำเนิดของสารเคลือบสูงและสม่ำเสมอ และ C) การลำเลียงของผสมระหว่างไอสารต้นกำเนิดของสารเคลือบกับก๊าซผสมออกไปจากช่องระเหยสารให้เป็นไอ1. The process for preparing a vaporized substrate consists of the following steps: A) Supplying the substrate at a temperature above its melting point but below its standard vaporization temperature, thereby consolidating the substrate into a liquid form. B) Simultaneously and continuously performing the following steps: i) Injecting the liquid substrate into a designated vaporization channel along at least one outer wall of the vaporized liquid substrate. ii) Introducing a sufficient amount of the gas mixture into the vaporization channel to increase the mass displacement of the substrate vapor and thus accelerate the vaporization of the liquid substrate. iii) Mixing the liquid substrate, substrate vapor, and gas mixture, including the application of a thin layer of liquid substrate along the channel walls. Through these steps, the liquid substrate is completely vaporized at a temperature below its standard vaporization temperature, to prepare a gas stream of the vaporized substrate. This involves a high and uniform concentration of the coating source material, and C) the transport of the mixture of coating source vapor and gas mixture out of the vaporization channel.
2. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอตามข้อถือสิทธิ 1 โดยที่มีการให้ความร้อนแก่สารต้นกำเนิดของสารเคลือบล่วงหน้า ก่อนที่จะฉีดเข้าสู่ช่องทำให้สารกลายเป็นไปแต่เป็นการให้ความร้อนจนถึงอุณหภูมิที่ต่ำกว่าอุณหภูมิการกลายเป็นไอมาตรฐานของสารนั้น2. The process for preparing the vaporized reactant according to claim 1 involves preheating the coating precursor before injecting it into the vaporization channel, but to a temperature below the standard vaporization temperature of that substance.
3. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอตามข้อถือสิทธิ 1 โดยที่มีการให้ความร้อนแก่ผนังของช่องทำให้สารกลายเป็นไอดังกล่าวอย่างน้อยหนึ่งด้าน3. A process for preparing the vaporized reactant according to claim 1, by heating at least one side of the walls of the vaporization channel.
4. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอตามข้อถือสิทธิ 2 โดยที่มีการให้ความร้อนแก่ผนังของช่องทำให้สารกลายเป็นไอดังกล่าวอย่างน้อยหนึ่งด้านจนถึงอุณหภูมิที่สูงกว่าอุณหภูมิที่ให้ความร้อนล่วงหน้าดังกล่าว แต่ต่ำกว่าอุณหภูมิการกลายเป็นไปมาตรฐานของสารต้นกำเนิดของสารเคลือบที่เป็นของเหลว4. A process for preparing the vaporized reactant according to claim 2, whereby at least one side of the walls of such vaporization channel is heated to a temperature higher than the preheating temperature but lower than the standardization temperature of the liquid coating precursor.
5. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอตามข้อถือสิทธิ 1 โดยที่มีการให้ความร้อนแก่ก๊าซผสมล่วงหน้าจนถึงประมาณ อุณหภูมิของช่องที่ทำให้สารกลายเป็นไอ ก่อนที่จะทำการฉีดสารเข้าไปในช่องนั้น5. The process for preparing the reactant in vapor form according to claim 1 involves preheating the gas mixture to approximately the temperature of the vaporization channel before injecting the reactant into that channel.
6. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอตามข้อถือสิทธิ 1 โดยที่มีช่องที่ทำให้สารกลายเป็นไอนี้ ประกอบด้วย เครื่องระเหยแบบแผ่นบางในแนวนอน6. The process for preparing the reactant in vapor form according to claim 1, where the vaporization channel consists of a horizontal thin-plate evaporator.
7. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอตามข้อถือสิทธิ 6 โดยที่เครื่องระเหยแบบแผ่นบางในแนวนอนนั้น รวมถึงช่องทางเข้าด้านบนที่ปลายหนึ่งของเครื่องระเหยแบบแผ่นบางในแนวนอน และช่องทางเข้าด้านล่างที่ปลายเดียวกันของเครื่องระเหย กับช่องทางเข้าด้านบน และมีการฉีดสารต้นกำเนิดของสารเคลือบที่เป็นของเหลวเข้าไปในเครื่องระเหยผ่านช่องทางเข้าด้านบน และปล่อยก๊าซผสมเข้าไปในเครื่องระเหยผ่านช่องทางเข้าด้านล่าง7. The process for preparing the vaporized reactant according to claim 6, whereby a horizontal thin-plate evaporator includes an upper inlet at one end of the horizontal thin-plate evaporator and a lower inlet at the same end as the upper inlet, and a liquid coating starter is injected into the evaporator through the upper inlet and the gas mixture is released into the evaporator through the lower inlet.
8. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอ ประกอบด้วยขั้นตอนของ A) จัดหาสารต้นกำเนิดของสารเคลือบ ซึ่งเลือกมาจากโลหะ หรือที่มีอุณหภูมิสูงกว่าจุดหลอมเหลวของสารนั้น แต่ต่ำกว่าอุณหภูมิกลายเป็นไอมาตรฐานของสารนั้น อย่างแน่แท้ โดยวิธีนี้จะทำให้สารต้นกำเนิดของสารเคลือบอยู่ในรูปของเหลว B) ดำเนินขั้นตอนต่อไปนี้พร้อมกันและอย่างต่อเนื่อง i) ฉีดสารต้นกำเนิดของสารเคลือบที่เป็นของเหลวเข้าไปในช่องระเหยสารให้เป็นไอ โดยที่สารต้นกำเนิดของสารเคลือบจะเกิดเป็นไอ ii) ปล่อยก๊าซผสมเข้าไปในช่องทำให้สารกลายเป็นไอ ในปริมาณเพียงพอที่จะเพิ่มการเคลื่อนย้ายมวลของไอสารต้นกำเนิดของสารเคลือบ และด้วยเหตุนี้จึงเป็นสาเหตุให้เร่งสารต้นกำเนิดของสารเคลือบที่เป็นของเหลวให้การเป็นไอได้เร็วขึ้น iii) ให้ความร้อนแก่สารต้นกำเนิดของสารเคลือบที่เป็นของเหลว ไอของสารต้นกำเนิดของสารเคลือบและก๊าซผสม จนถึงอุณหภูมิที่สูงกว่าอุณหภูมิของขั้นตอน A แต่ต่ำกว่าอุณหภูมิการกลายเป็นไอมาตรฐานของสารต้นกำเนิดของสารเคลือบนี้ และ iv) ผสมสารสารต้นกำเนิดของสารเคลือบ ไอ และก๊าซผสม โดยที่ สารต้นกำเนิดของสารเคลือบที่เป็นของเหลวจะกลายเป็นไออย่างสมบูรณ์ที่อุณหภูมิต่ำกว่าอุณหภูมิการกลายเป็นไอมาตรฐาน เพื่อเตรียมกระแสก๊าซของสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอซึ่งมีความเข้มข้นของสารต้นกำเนิดของสารเคลือบในก๊าซผสมสูงและสม่ำเสมอ C) ลำเลียงกระแสก๊าซของสารเข้าทำปฏิกิริยาออกจากช่องระเหยสารให้เป็นไอ และ D) ทำให้กระแสก๊าซของสารเข้าทำปฏิกิริยาดังกล่าว สัมผัสกับวัสดุรองรับที่เป็นแถบแก้วลอย ซึ่งรักษาระดับอุณหภูมิไว้ที่ 750 องศาฟาเรนไฮท์ เป็นอย่างน้อย8. The process for preparing the reactant in vapor form consists of the following steps: A) Supply the coating source material, selected from metals or materials with a temperature higher than its melting point but lower than its standard vaporization temperature. This ensures the coating source material is in liquid form. B) Perform the following steps simultaneously and continuously: i) Inject the liquid coating source material into the vaporization channel, where it will vaporize; ii) Release a sufficient amount of the gas mixture into the vaporization channel to increase the mass transfer of the coating source vapor and thus accelerate the vaporization of the liquid coating source material; iii) Heat the liquid coating source material, the coating source vapor, and the gas mixture to a temperature higher than the temperature of step A but lower than the standard vaporization temperature of the coating source material; and iv) Mix the coating source material, vapor, and gas mixture, ensuring that the liquid coating source material is completely vaporized at a temperature lower than its standard vaporization temperature. To prepare a gas stream of the reactant in vapor form with a high and uniform concentration of the coating source material in the gas mixture, C) convey the gas stream of the reactant out of the vaporization channel, and D) bring the gas stream of the reactant into contact with the floating glass support strip, which is maintained at a temperature of at least 750 degrees Fahrenheit.
9. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอตามข้อถือสิทธิ 8 โดยที่ การสัมผัสดังกล่าวของกระแสก๊าซของสารเข้าทำปฏิกิริยาดังกล่าวกับวัสดุรองรับเกิดขึ้นในสภาวะที่มีออกซิเจน9. A process for preparing the reactant in vapor form according to claim 8, where such contact of the gas stream of the reactant with the support material occurs in the presence of oxygen.
10. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอตามข้อถือสิทธิ 8 โดยที่ การสัมผัสดังกล่าวของกระแสก๊าซของสารเข้าทำปฏิกิริยาดังกล่าว กับวัสดุรองรับดังกล่าวเกิดขึ้นขณะที่แถบดังกล่าวถูกพยุงไว้บนอ่างของโลหะหลอมเหลว และมีอุณหภูมิในช่วงตั้งแต่ประมาณ 1,110 องศาฟาเรนไฮท์ ถึงประมาณ 1,250 องศาฟาเรนไฮท์10. A process for preparing the vaporized reactant as per claim 8, whereby contact of the vaporized reactant stream with the support material occurs while the strip is supported on a bath of molten metal at a temperature ranging from approximately 1,110 °F to approximately 1,250 °F.
11. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอตามข้อถือสิทธิ 8 โดยที่สารต้นกำเนิดของสารเคลือบนี้เลือกมาจากหมู่ที่ประกอบด้วย ไดเมทธิลทินไดคลอไรด์ เตตราเอทธอกซีไซเลน, ไดเอทธิลทินไดคลอไรด์, ไดบิวทิลทินไดอาซีเตท, เตตราเมทธิลทิน, เมทธิลทิลไตรคลอไรด์, ไตรเอทธิลทินคลอไรด์,ไตรเมทธิลทินคลอไรด์, เตตราบิวทิลติเตเนท, ติเตเนียมเตตราคลอไรด์, ติเตเนียมเตตราไอโซโปรพอกไซด์, ไตรเอทธิลอาลู มินัม, ไดเอทธิลอาลูมินัมคลอไรด์, ไตรเมทธิลอาลูมินัม,อาลูมินัมอาซีติลอาซีโตเนท, อาลูมินัมเอทธิลเลท, ไดเอทธิลไดคลอโรไซเลน, เมทธิลไตรเอทธอกซีไซเลน, ซิงค์อาซีติลอาซีโตเนท, ซิงค์อาซีเตท และของผสมของสารเหล่านี้11. A process for preparing the reactant in vapor form according to claim 8, where the precursor of the coating is selected from a group containing dimethyltin dichloride. Tetraethoxysilane, diethyltin dichloride, dibutyltin diacetate, tetramethyltin, methyl trichloride, triethyltin chloride, trimethyltin chloride, tetrabutyl titanate, titanium tetrachloride, titanium tetraisopropoxide, triethyl aluminum, diethyl aluminum chloride, trimethyl aluminum, aluminum acetyl acetonate, aluminum ethylate, diethyl dichlorosilane, methyl triethoxysilane, zinc acetyl acetonate, zinc acetate, and mixtures of these substances.
12. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอตามข้อถือสิทธิ 11 โดยที่สารต้นกำเนิดของสารเคลือบนี้ คือไดเมทธิลทินไดคลอไรด์12. A process for preparing the reactant in vapor form according to claim 11, where the precursor of the coating is dimethyltin dichloride.
13. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอตามข้อถือสิทธิ 11 โดยที่สารต้นกำเนิดของสารเคลือบนี้ คือไดเมทธิลทินไดคลอไรด์ 95 เปอร์เซ็นต์ โดยน้ำหนัก และเมทธิลไตรคลอไรด์ 5 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก13. A process for preparing the vapor-forming reactants according to claim 11, where the precursor of the coating is 95 percent by weight of dimethyltin dichloride and 5 percent by weight of methyl trichloride.
14. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอตามข้อถือสิทธิ 11 โดยที่ก๊าซ ผสมนี้เลือกมาจากหมู่ที่ประกอบด้วยฮีเลียม, ไนโตรเจน, ไฮโตรเจน อาร์กอน และของผสมของก๊าซเหล่านี้14. A process for preparing the reactants in vapor form according to claim 11, where the gas mixture is selected from groups containing helium, nitrogen, hydrogen, argon, and mixtures of these gases.
15. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอตามข้อถือสิทธิ 11 โดยที่ มีการฉีดสารต้นกำเนิดของสารเคลือบที่เป็นของเหลวเข้าไปในช่องระเหยสารให้เป็นไอ ที่อุณหภูมิตั้งแต่ประมาณ 70 องศาฟาเรนไฮท์ ถึงประมาณ 530 องศาฟาเรนไฮท์15. A process for preparing the vaporized reactant as per claim 11, in which a liquid coating precursor is injected into a vaporization chamber at temperatures ranging from approximately 70°F to approximately 530°F.
16. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอตามข้อถือสิทธิ 11 โดยที่มีการให้ความร้อนแก่สารต้นกำเนิดของสารเคลือบ ไอของสารต้นกำเนิดของสารเคลือบ และก๊าซผสมในช่องระเหยสารให้เป็นไอ จนถึงอุณหภุมิตั้งแต่ประมาณ 95 องศาฟาเรนไฮท์ ถึงประมาณ 555 องศาฟาเรนไฮท์16. A process for preparing the vaporized reactants according to claim 11, by heating the coating source, vaporizing the coating source, and the gas mixture in a vaporization chamber to temperatures ranging from approximately 95°F to approximately 555°F.
17. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอตามข้อถือสิทธิ 11 โดยที่มีการฉีดสารต้นกำเนิดของสารเคลือบที่เป็นของเหลวเข้าไปในช่องระเหยสารให้เป็นไอ ด้วยอัตราตั้งแต่ประมาณ 0.5 ถึงประมาณ 120 ปอนด์ต่อชั่วโมง17. A process for preparing the vaporized reactant according to claim 11, in which a liquid coating precursor is injected into a vaporization chamber at a rate ranging from approximately 0.5 to approximately 120 pounds per hour.
18. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอตามข้อถือสิทธิ 11 โดยที่มีการปล่อยก๊าซผสมเข้าไปในช่องระเหยสารให้เป็นไอ ที่ความดันตั้งแต่ประมาณ 2 ถึงประมาณ 15 ปอนด์ต่อตารางนิ้ว18. A process for preparing the vaporized reactants according to claim 11, in which a gas mixture is introduced into a vaporization chamber at a pressure of approximately 2 to approximately 15 pounds per square inch.
19. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอตามข้อถือสิทธิ 11 โดยที่มีการปล่อยก๊าซผสมเข้าไปในช่องระเหยสารให้เป็นไอ ด้วยอัตราตั้งแต่ประมาณ 100 ถึงประมาณ 400 ลิตรมาตรฐานต่อนาที19. A process for preparing the reactant in vapor form according to claim 11, where the gas mixture is introduced into a vaporization chamber at a rate of approximately 100 to approximately 400 standard liters per minute.
20. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอประกอบด้วยขั้นตอนของ A) ให้สารต้นกำเนิดเลือกมาจากหมู่ที่ประกอบด้วยไดเมทธิลทินไดคลอไรด์ เตตราเอทธอกซีไซเลน ไดเอทธิลทินไดคลอไรด์ ไดบิวทิลทินไดอาซีเตท เตตราเมทธิลทิน เมทธิลทินไตรคลอไรด์ ไตรเอทธิลทินคลอไรด์ ไตรเมทธิลทินคลอไรด์ เตตราบิวทิลทิเตเนทติเตเนียมเตตราคลอไรด์ ติเตเนียมเตตราไอโซโปรพอกไซด์ เตตราเอทธิลอาลูมินัม ไดเอทธิลอาลูมินัมคลอไรด์ไตรเมทธิลอาลูมินัม อาลูมินัมอาซีติล อาซีโตเนท อาลูมินัมเอทธิลเลท ไดเอทธิลไดคลอโรไซเลน เมทธิลไตรเอทธอกซีไซเลนซิงค์อาซีติลอาซีโตเนท ซิงค์โปรปิโอเนท และของผสมของสารเหล่านี้ ที่อุณหภูมิสูงกว่าจุดหลอมเหลวของสาร แต่ต่ำกว่าอุณหภูมิของการกลายเป็นไอมาตรฐานของสารอยู่พอสมควร และอยู่ในช่วงตั้งแต่ประมาณ 70 องศาฟาเรนไฮท์ ถึงประมาณ 530 องศาฟาเรนไฮท์ โดยวิธีนี้จะทำให้สารต้นกำเนิดของสารเคลือบอยู่ในรูปของเหลว B) ดำเนินขั้นตอนต่อไปนี้พร้อมกันและอย่างต่อเนื่อง i) ฉีดสารต้นกำเนิดของสารเคลือบที่เป็นของเหลว ด้วยอัตราตั้งแต่ประมาณ 0.5 ถึงประมาณ 120 ปอนด์ต่อชั่วโมง เข้าไปในช่องระเหยสารให้เป็นไอที่กำหนดส่วนด้วยผนังรอบนอกหนึ่งด้านเป็นอย่างน้อย โดยที่สารต้นกำเนิดของสารเคลือบที่เป็นของเหลวนี้จะเกิดเป็นไอ ii) ปล่อยก๊าซผสมที่เลือกจากหมู่ ที่ประกอบด้วย ฮีเลียมไนโตรเจน ไฮโดรเจน อาร์กอน และของผสมของก๊าซเหล่านี้ เข้าไปยังช่องระเหยสารให้เป็นไอในปริมาณที่อยู่ในช่วงตั้งแต่ประมาณ 25 ถึงประมาณ 500 ลิตรมาตรฐานต่อนาที ที่ความดันตั้งแต่ประมาณ 2 ถึงประมาณ 15 ปอนด์ต่อตารางนิ้ว iii) ให้ความร้อนแก่สารต้นกำเนิดของสารเคลือบที่เป็นของเหลว ไอของสารต้นกำเนิดของสารเคลือบและก๊าซผสม จนถึงอุณหภูมิที่สูงกว่าอุณหภูมิของขั้นตอน A แต่ต่ำกว่าอุณหภูมิการกลายเป็นไอมาตรฐานของสารต้นกำเนิด และอยู่ในช่วงตั้งแต่ประมาณ 95 องศาฟาเรนไฮท์ ถึงประมาณ 555 องศาฟาเรนไฮท์ iv) ทำการผสมสารต้นกำเนิดของสารเคลือบที่เป็นของเหลว ไอของสารต้นกำเนิดของสารเคลือบ และก๊าซผสม รวมทั้งทำการจ่ายสารต้นกำเนิดที่เป็นของเหลวออกเป็นฟิล์มบางตามผนังของช่องดังกล่าวด้วย โดยที่สารต้นกำเนิดของสารเคลือบที่เป็นของเหลวนี้กลายเป็นไออย่างสมบูรณ์ ที่อุณหภูมิต่ำกว่าอุณหภูมิการกลายเป็นไอมาตรฐานของสารนั้น เพื่อเตรียมกระแสก๊าซของสารเข้าทำปฏิกิริยาที่กลายเป็นไอ ซึ่งมีความเข้มข้นของสารต้น กำเนิดของสารเคลือบสูงและสม่ำเสมอ และ C) ทำการส่งกระแสก๊าซของสารเข้าทำปฏิกิริยาจากช่องระเหยสารให้เป็นไอ D) ทำให้กระแสก๊าซของสารตั้งแต่ดังกล่าว สัมผัสกับวัสดุรองรับที่เป็นแบบแก้วลอย ซึ่งรักษาระดับอุณหภูมิไว้ที่ 750 องศาฟาเรนไฮท์ เป็นอย่างต่ำ20. The process for preparing reactants in vapor form consists of the following steps: A) Selection of a precursor from a group containing dimethyltin dichloride, tetraethoxysilane, diethyltin dichloride, dibutyltin diacetate, tetramethyltin, methyltin trichloride, triethyltin chloride, trimethyltin chloride, tetrabutyl titanate, titanium tetrachloride, titanium tetraisopropoxide, tetraethyl aluminum, diethyl aluminum chloride, trimethyl aluminum, aluminum acetyl acetonate, aluminum ethylate, diethyl dichlorosilane, methyl triethoxysilane, zinc acetyl acetonate, zinc propionate, and mixtures of these substances, at a temperature above their melting points. However, it is considerably below the standard vaporization temperature of the substance, ranging from approximately 70 degrees Fahrenheit to approximately 530 degrees Fahrenheit. This method will bring the coating source material into a liquid form. B) Perform the following steps simultaneously and continuously: i) Inject the liquid coating source material at a rate of approximately 0.5 to approximately 120 pounds per hour into a vaporization chamber defined by at least one outer wall, where this liquid coating source material will vaporize. ii) Release a selected gas mixture consisting of helium, nitrogen, hydrogen, argon, and a mixture of these gases into the vaporization chamber in a volume ranging from approximately 25 to approximately 500 standard liters per minute at a pressure ranging from approximately 2 to approximately 15 pounds per square inch. iii) Heat the liquid coating source material, the coating source vapor, and the gas mixture to a temperature higher than the temperature of step A but lower than the standard vaporization temperature of the source material. and within the range of approximately 95 degrees Fahrenheit to approximately 555 degrees Fahrenheit; iv) mixing the liquid, vapor, and gas mixture of the coating source material, and dispensing the liquid source material as a thin film along the walls of the channel, while the liquid coating source material completely vaporizes at a temperature below its standard vaporization temperature, in order to prepare a gas stream of the substance that has vaporized, which has a high and uniform concentration of coating source material; and c) sending the gas stream of the substance into the vaporization channel; and d) bringing the gas stream of the substance into contact with a float glass support material that is maintained at a minimum temperature of 750 degrees Fahrenheit.
21. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอประกอบด้วยขั้นตอนของ A) ให้สารต้นกำเนิดของสารเคลือบที่เป็นโลหะ ซึ่งเลือกมาจากหมู่ที่ประกอบด้วย ไดเมทธิลทินไดคลอไรด์ เตตราเอทธอกซีไซเลน ไดเอทธิลไดคลอไรด์ ไดบิวทิลไดอาซีเตท เตตราเมทธิลทินเมทธิลทินไตรคลอไรด์ ไตรเอทธิลทินคลอไรด์ ไตรเมทธิลทินคลอไรด์ เตตราบิวทิลทิเตเนท ติเตเนียมเตตราคลอไรด์ ติเตเนียมเตตราไอโซโปรพอกไซด์ เตตราเอทธิลอาลูมินัม ไดเอทธิลอาลูมินัมคลอไรด์ ไตรเมทธิลอาลูมินัม อาลูมินัมอาซิติลอาซิโตเนท อาลูมินัมเอทธิลเลท ไดเอทธิลไดคลอโรไซเลน เมทธิลไตรเอทธอกซีไซเลน ซิงค์อาซีติลอาซีโดเนท ซิงค์โปรปิโอเนท และ ของผสมของสารเหล่านี้ ที่อุณหภูมิสูงกว่าจุดหลอมเหลวของสารแต่ต่ำกว่าอุณหภูมิของการกลายเป็นไอมาตรฐานของสารอยู่อย่างแน่แท้ และอยู่ในช่วงตั้งแต่ประมาณ 70 องศาฟาเรนไฮท์ ถึงประมาณ 530 องศาฟาเรนไฮท์ โดยวิธีนี้จะทำให้สารต้นกำเนิดของสารเคลือบอยู่ในรูปของเหลว B) ดำเนินขั้นตอนต่อไปนี้พร้อมกันและอย่างต่อเนื่อง i) ทำการฉีดสารต้นกำเนิดของสารเคลือบชนิดโลหะที่เป็นของเหลว ด้วยอัตราตั้งแต่ประมาณ 0.5 ถึงประมาณ 120 ปอนด์ต่อชั่วโมง เข้าไปในช่องระเหยสารให้เป็นไอ ที่กำหนดส่วนด้วยผนังรอบนอกหนึ่งด้านเป็นอย่างน้อย โดยที่สารต้นกำเนิดของสารเคลือบที่เป็นของเหลวนี้จะเกิดเป็นไอ ii) ปล่อยก๊าซผสมที่เลือกจากหมู่ที่ประกอบด้วย ฮีเลียมไนโตรเจน ไฮโดรเจน อาร์กอน และของผสมของก๊าซเหล่านี้ เข้าไปยังช่องระเหยสารให้เป็นไอ ในปริมาณที่อยู่ในช่วงตั้งแต่ประมาณ 25 ถึง 500 ลิตรมาตรฐานต่อนาที ที่ความดันตั้งแต่ประมาณ 2 ถึงประมาณ 15 ปอนด์ต่อตารางนิ้ว iii) ให้ความร้อนแก่สารต้นกำเนิดของสารเคลือบชนิดโลหะที่เป็นของเหลวไอของสารต้นกำเนิดของสารเคลือบชนิดโลหะ และก๊าซผสม จนถึงอุณหภูมิที่สูงกว่าอุณหภูมิของขั้นตอน A แต่ต่ำกว่าอุณหภุมิการกลายเป็นไอมาตรฐานของสารต้นกำเนิด และอยู่ในช่วงตั้งแต่ประมาณ 95 องศาฟาเรนไฮท์ ถึงประมาณ 555 องศาฟาเรนไฮท์ iv) ทำการผสมสารต้นกำเนิดของสารเคลือบชนิดที่เป็นของเหลวไอของสารต้นกำเนิดของสารเคลือบชนิดโลหะ และก๊าซผสม รวมทั้งทำการจ่ายสารต้นกำเนิดที่เป็นของเหลวออกเป็นฟิล์มบางตามผนังของช่องดังกล่าวด้วย โดยที่สารต้นกำเนิดของสารเคลือบชนิดโลหะที่เป็นของเหลวนี้กลายเป็นไออย่างสมบูรณ์ ที่อุณหภูมิต่ำกว่าอุณหภูมิการกลายเป็นไอมาตรฐานของสารนั้นเพื่อเตรียมกระแสก๊าซของสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอ ซึ่งมีความเข้มข้นของสารต้นกำเนิดของสารเคลือบสูงและสม่ำเสมอ และ C) ทำการส่งกระแสก๊าซของสารเข้าทำปฏิกิริยาออกจากช่องระเหยสารให้เป็นไอ D) ทำให้กระแสก๊าซของสารเข้าทำปฏิกิริยาดังกล่าว สัมผัสกับวัสดุรองรับที่เป็นแถบแก้วลอย ซึ่งรักษาระดับอุณหภูมิไว้ที่ 750 องศาฟาเรนไฮท์ เป็นอย่างต่ำ21. The process for preparing the reactants in vapor form consists of the following steps: A) Providing a metal precursor for the coating, selected from a group consisting of dimethyltin dichloride, tetraethoxysilane, diethyl dichloride, dibutyl diacetate, tetramethyltin, methyltin trichloride, triethyltin chloride, trimethyltin chloride, tetrabutyl titanate, titanium tetrachloride, titanium tetraisopropoxide, tetraethyl aluminum, diethyl aluminum chloride, trimethyl aluminum, aluminum acetyl acetone, aluminum ethylate, diethyl dichlorosilane, methyl triethoxysilane, zinc acetyl acetone, zinc propionate, and mixtures of these. At a temperature well above the melting point of the substance but well below its standard vaporization temperature, ranging from approximately 70°F to approximately 530°F, the source material for the coating is brought into a liquid state. B) Perform the following steps simultaneously and continuously: i) Inject the liquid metallic coating source material at a rate of approximately 0.5 to approximately 120 pounds per hour into a vaporization chamber partitioned by at least one outer wall, where the liquid coating source material will vaporize. ii) Release a selected gas mixture consisting of helium, nitrogen, hydrogen, argon, and a mixture of these gases into the vaporization chamber at a volume ranging from approximately 25 to 500 standard liters per minute at a pressure ranging from approximately 2 to approximately 15 pounds per square inch. iii) Heat the liquid metallic coating source material, the vaporized source material, and the gas mixture to a temperature well above the temperature of step A but well below the source material's standard vaporization temperature. The temperature ranges from approximately 95°F to approximately 555°F. iv) The liquid source material for the coating, the vaporized source material for the metallic coating, and the gas mixture are mixed, and the liquid source material is dispensed as a thin film along the walls of the channel. The liquid metallic coating source material is completely vaporized at a temperature below its standard vaporization temperature to prepare a gas stream of reactant in vapor form with a high and uniform concentration of coating source material. c) The gas stream of reactant is discharged from the vaporization channel. d) The gas stream of reactant is brought into contact with a floating glass support strip, which is maintained at a minimum temperature of 750°F.
22. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอตามข้อถือสิทธิ 21 โดยที่ช่องระเหยสารให้เป็นไอนั้น ประกอบด้วย เครื่องระเหยแบบแผ่นบางในแนวนอน22. The process for preparing the reactants in vapor form according to claim 21, where the vaporization channel consists of a horizontal thin-plate evaporator.
23. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอตามข้อถือสิทธิ 22 โดยที่เครื่องระเหยแบบแผ่นบางในแนวนอนนั้น มีส่วนประกอบที่รวมถึง ช่องทางเข้าด้านบนที่ปลายข้างหนึ่งของเครื่องระเหยแบบแผ่นบางในแนวนอน และช่องทางเข้าด้านล่างที่ปลายเดียวกันของเครื่องระเหย เมื่อเทียบกับช่องทางเข้าด้านบน โดยที่มีการฉีดสารต้นกำเนิดของสารเคลือบที่เป็นของเหลวเข้าไปในเครื่องระเหย ผ่านช่องทางเข้าด้านบนและมีการปล่อยก๊าซผสมเข้าไปในเครื่องระเหยผ่านช่องทางเข้าด้านล่างอีกด้วย23. The process for preparing the vaporized reactant according to claim 22, whereby a horizontal thin-plate evaporator is constructed with components including an upper inlet at one end of the horizontal thin-plate evaporator and a lower inlet at the same end of the evaporator relative to the upper inlet, where a liquid coating starter is injected into the evaporator through the upper inlet and the gas mixture is released into the evaporator through the lower inlet.
24. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอตามข้อถือสิทธิ 23 โดยที่ก๊าซผสมนี้เลือกมาจากหมู่ที่ประกอบด้วยฮีเลียม ไนโตรเจน และของผสมของก๊าซนั้น24. A process for preparing the reactants in vapor form according to claim 23, where the gas mixture is selected from groups containing helium, nitrogen, and a mixture of those gases.
25. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอประกอบด้วยขั้นตอนของ A) ให้ไดเมทธิลทินไดคลอไรด์ ที่อุณหภูมิในช่วงตั้งแต่ประมาณ 225 องศาฟาเรนไฮท์ ถึงประมาณ 375 องศาฟาเรนไฮท์ โดยวิธีนี้จะทำให้ไดเมทธิลทินไดคลอไรด์อยู่ในรูปของเหลว B) ดำเนินขั้นตอนต่อไปนี้พร้อมกันและอย่างต่อเนื่อง i) ทำการฉีดไดเมทธิลทินไดคลอไรด์ ที่เป็นของเหลวเข้าไปในช่องระเหยสารให้เป็นไอ ด้วยอัตราประมาณ 1 ถึงประมาณ 75 ปอนด์ต่อชั่วโมง เข้าไปในเครื่องระเหยแบบแผ่นบางในแนวนอนที่กำหนดบางส่วน ด้วยผนังรอบนอกอย่างน้อยหนึ่งด้านซึ่งไดเมทธิลทินไดคลอไรด์ที่เป็นของเหลวนั้นจะเกิดเป็นไอสาร ii) ปล่อยก๊าซผสมที่เลือกจากกลุ่มที่ประกอบด้วย ฮีเลียมไนโตรเจน และของผสมของก๊าซทั้งสองเข้าไปยังเครื่องระเหยแบบแผ่นบางในแนวนอน ด้วยปริมาณในช่วงตั้งแต่ 25 ถึงประมาณ 500 ลิตรมาตรฐานต่อนาที ที่ความดันตั้งแต่ประมาณ 2 ถึงประมาณ 15 ปอนด์ต่อตารางนิ้ว ดังนี้ แล้วจะทำให้ไดเมทธิลทินไดคลอไรด์ที่เป็นของเหลวกลายเป็นไอได้เร็วขึ้น iii) ให้ความร้อนแก่ไดเมทธิลไดคลอไรด์ที่เป็นของเหลว ไอของไดเมทธิลทินไดคลอไรด์ และก๊าซผสมจนถึงอุณหภูมิที่สูงกว่าอุณหภูมิของขั้นตอน A แต่ต่ำกว่าอุณหภูมิการกลายเป็นไอมาตรฐานของไดเมทธิลทินไดคลอไรด์ และอยู่ในช่วงตั้งแต่ประมาณ 250 องศาฟาเรนไฮท์ ถึงประมาณ 400 องศาฟาเรนไฮท์ iv) ผสมไดเมทธิลไดคลอไรด์ที่เป็นของเหลว ไอของไดเมทธิลทินไดออลไรด์ และก๊าซผสม โดยที่รวมถึงการจ่ายไดเมทธิลทินไดคลอไรด์ที่เป็นของเหลว ออกเป็นฟิล์มบางตามผนังของเครื่องระเหยดังกล่าว โดยวิธีนี้ไดเมทธิลไดคลอไรด์ที่เป็นของเหลวกลายเป็นไออย่างสมบูรณ์แล้วที่อุณหภูมิต่ำกว่าอุณหภูมิการกลายเป็นไอมาตรฐานของสารนี้ เพื่อเตรียมกระแสก๊าซของสารเข้าทำปฏิกิริยาที่เป็นไอ ซึ่งมีความเข้มข้นของไดเมทธิลทินไดคลอไรด์สูงและสม่ำเสมอในก๊าซผสม C) ทำการส่งกระแสก๊าซของสารเข้าทำปฏิกิริยาออกจากเครื่องระเหยแบบแผ่นบางในแนวนอนและให้สัมผัสกับวัสดุรองรับ25. The process for preparing the reactant in vapor form consists of the following steps: A) Heating dimethyltin dichloride at temperatures ranging from approximately 225°F to approximately 375°F, thereby consolidating it into a liquid form; B) Performing the following steps simultaneously and continuously: i) Injecting the liquid dimethyltin dichloride into the vaporization chamber at a rate of approximately 1 to approximately 75 pounds per hour into a partially defined horizontal thin-plate evaporator with at least one outer wall around which the liquid dimethyltin dichloride will vaporize; ii) Discharging a selected gas mixture from groups consisting of helium, nitrogen, and a mixture of both gases into the horizontal thin-plate evaporator at a rate ranging from 25 to approximately 500 standard liters per minute. At pressures ranging from approximately 2 to approximately 15 pounds per square inch, the liquid dimethyltin dichloride is vaporized more rapidly. iii) Heat the liquid dimethyltin dichloride, dimethyltin dichloride vapor, and gas mixture to a temperature higher than the temperature of step A but lower than the standard vaporization temperature of dimethyltin dichloride, ranging from approximately 250°F to approximately 400°F. iv) Mix the liquid dimethyl dichloride, dimethyltin dichloride vapor, and gas mixture, including the application of a thin film of liquid dimethyltin dichloride along the walls of the evaporator. In this way, the liquid dimethyl dichloride has completely vaporized at a temperature lower than its standard vaporization temperature, in order to prepare the gas stream for the vapor reaction. C) The reaction gas stream is directed out of the horizontal thin-plate evaporator and comes into contact with the support material.
26. กระบวนการเคลือบสารเคลือบบนแก้ว ที่ประกอบด้วย A) ทำให้เกิดกระแสก๊าซของสารเข้าทำปฏิกิริยาที่ทำให้เป็นไอ รวมทั้งของผสมของไอของไดเมทธิลทินไดคลอไรด์ และก๊าซผสม ที่เตรียมได้ตามข้อถือสิทธิ 25 และ B) ทำให้กระแสก๊าซของสารเข้าทำปฏิกิริยาดังกล่าว สัมผัสกับวัสดุรองรับที่เป็นแถบแก้วลอย ซึ่งรักษาระดับอุณหภูมิไว้ที่ 750 องศาฟาเรนไฮท์ เป็นอย่างน้อย26. The coating process on glass consists of A) the introduction of a vaporized gas stream, including a mixture of dimethyltin dichloride vapor and a gas mixture prepared according to claim 25, and B) the introduction of this vaporized gas stream into contact with a float glass substrate maintained at a temperature of at least 750 degrees Fahrenheit.
27. กระบวนการเคลือบสารเคลือบบนแก้ว ตามข้อถือสิทธิ 26 โดยที่การสัมผัสดังกล่าวของกระแสก๊าซของสารเข้าทำปฏิกิริยาดังกล่าวกับแถบแก้ว เกิดขึ้นในสภาวะที่มีออกซิเจน และขณะที่แถบดังกล่าวถูกพยุงอยู่บนล่างของโลหะหลอมเหลว และมีอุณหภูมิในช่วงตั้งแต่ประมาณ 1,100 องศาฟาเรนไฮท์ ถึงประมาณ 1,250 องศาฟาเรนไฮท์27. The coating process on glass, as per claim 26, whereby the contact of the gas stream of the reacting substance with the glass strip occurs in the presence of oxygen, while the strip is supported on top of molten metal, and the temperature ranges from approximately 1,100 °F to approximately 1,250 °F.
28. กระบวนการสำหรับเคลือบสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอประกอบด้วยขั้นตอน A) ให้ของผสมที่ประกอบด้วยไดเมทธิลทินไดคลอไรด์ 95 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก และเมทธิลทินไตรคลอไรด์ 5 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก ที่อุณหภูมิในช่วงตั้งแต่ประมาณ 225 องศาฟาเรนไฮท์ ถึงประมาณ 375 องศาฟาเรนไฮท์ โดยวิธีนี้จะทำให้ของผสมอยู่ในรูปของเหลว B) ดำเนินขั้นตอนต่อไปนี้พร้อมกัน และอย่างต่อเนื่อง i) ทำการฉีดไดเมทธิลทินไดคลอไรด์-เมทธิลไตรคลอไรด์ที่เป็นของเหลวเข้าไปในช่องระเหยสารให้เป็นไอ ด้วยอัตราประมาณ 1 ถึงประมาณ 75 ปอนด์ ต่อชั่วโมง เข้าไปในเครื่องระเหยแบบแผ่นบางในแนวนอนที่กำหนดส่วน ด้วยผนังรอบนอกอย่างน้อยหนึ่งด้าน โดยที่ของผสมที่เป็นของเหลวนั้นจะเกิดเป็นไอสาร ii) ปล่อยก๊าซผสมที่เลือกจากกลุ่มที่ประกอบด้วย ฮีเลียม ไนโตรเจน และของผสมของก๊าซทั้งสองเข้าไปยังเครื่องระเหยแบบแผ่นบางในแนวนอน ด้วยปริมาณในช่วงตั้งแต่ 25 ถึงประมาณ 500 ลิตรมาตรฐานต่อนาที ที่ความดันตั้งแต่ประมาณ 2 ถึงประมาณ 15 ปอนด์ต่อตารางนิ้ว ดังนี้แล้วจะทำให้ของผสมที่เป็นของเหลวกลายเป็นไอได้เร็วขึ้น iii) ให้ความร้อนแก่ของผสม ของไดเมทธิลทินไดคลอไรด์-เมทธิลทินไตรคลอไรด์ ที่เป็นของเหลว ของผสมของไดเมทธิลทินไดคลอไรด์-เมทธิลทินไตรคลอไรด์ ที่กลายเป็นไอ และก๊าซผสมจนถึงอุณหภูมิที่สูงกว่าอุณหภูมิของขั้นตอน A และอยู่ในช่วงตั้งแต่ประมาณ 250 องศาฟาเรนไฮท์ ถึงประมาณ 400 องศาฟาเรนไฮท์ iv) ผสมของผสมของไดเมทธิลทินไดคลอไรด์-เมทธิลทินไตรคลอไรด์ที่เป็นของเหลว ไดเมทธิลทินไดคลอไรด์-เมทธิลทินไตรคลอไรด์ที่กลายเป็นไอแล้ว และก๊าซผสมโดยที่รวมถึงการจ่ายไดเมทธิลทินไดคลอไรด์-เมทธิลทินไตรคลอไรด์ที่เป็นของเหลว ออกเป็นฟิล์มบางตามผนังของเครื่องระเหยดังกล่าว โดยวิธีนี้ ของผสมของไดเมทธิลทินไดคลอไรด์-เมทธิลทินไตรคลอไรด์ที่เป็นของเหลวกลายเป็นไออย่างสมบูรณ์แล้ว เพื่อเตรียมกระแสก๊าซของสารเข้าทำปฏิกิริยาที่เป็นที่มีความเข้มข้นสูงและสม่ำเสมอ ซึ่งประกอบด้วย ไดเมทธิลทินไดคลอไรด์ 95 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก และเมทธิลทินไตรคลอไรด์ 5 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก C) ทำการส่งกระแสก๊าซของสารเข้าทำปฏิกิริยาออกจาก เครื่องระเหยแบบแผ่นบางในแนวนอนและให้สัมผัสกับวัสดุรองรับ28. The process for vaporization of the reactant consists of the following steps: A) Introducing a mixture consisting of 95 percent by weight of dimethyltin dichloride and 5 percent by weight of methyltin trichloride at temperatures ranging from approximately 225°F to approximately 375°F, thereby vaporizing the mixture. B) Simultaneously and continuously performing the following steps: i) Injecting the liquid dimethyltin dichloride-methyl trichloride mixture into the vaporization chamber at a rate of approximately 1 to approximately 75 pounds per hour into a sectioned horizontal thin-plate evaporator with at least one outer wall, where the liquid mixture is vaporized. ii) Discharging a selected gas mixture from a group consisting of helium, nitrogen, and a mixture of both gases into the horizontal thin-plate evaporator at a volume ranging from 25 to approximately 500 standard liters per minute at a pressure ranging from approximately 2 to approximately 15 pounds per square inch. This will accelerate the vaporization of the liquid mixture. iii) Heat the liquid dimethyltin dichloride-methyltin trichloride mixture, the vaporized dimethyltin dichloride-methyltin trichloride mixture, and the gas mixture to a temperature higher than the temperature of step A, ranging from approximately 250°F to approximately 400°F. iv) Mix the liquid dimethyltin dichloride-methyltin trichloride mixture, the vaporized dimethyltin dichloride-methyltin trichloride mixture, and the gas mixture, including the application of a thin film of liquid dimethyltin dichloride-methyltin trichloride to the walls of the evaporator. In this way, the liquid dimethyltin dichloride-methyltin trichloride mixture has been completely vaporized, in order to prepare a highly concentrated and uniform gas stream of the reactant, which consists of: Dimethyltin dichloride 95 percent by weight and methyltin trichloride 5 percent by weight. C) The reaction gas stream is fed from a horizontal thin-plate evaporator into contact with the support material.
29. กระบวนการเคลือบสารเคลือบทินออกไซด์บนแก้ว ซึ่งประกอบด้วย A) การทำให้เกิดกระแสก๊าซของสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอ รวมทั้งไดเมทธิลทินไดคลอไรด์-เมทธิลทินไตรคลอไรด์ และของผสมของก๊าซผสมที่เตรียมได้จากตามข้อถือสิทธิ 28 และ B) ทำให้กระแสก๊าซของสารเข้าทำปฏิกิริยาดังกล่าว สัมผัสกับวัสดุรองรับแก้วลอย ในสภาวะที่มีออกซิเจน ขณะที่แถบดังกล่าวถูกพยุงไว้บนอ่างโลหะหลอมเหลว ที่อุณหภูมินช่วงตั้งแต่ประมาณ 1,100 องศาฟาเรนไฮท์ ถึงประมาณ 1,250 องศาฟาเรนไฮท์29. The process of coating tin oxide glazes onto glass consists of A) the generation of a vapor stream of reactants including dimethyltin dichloride-methyltin trichloride and a mixture of gases prepared according to claim 28, and B) the contact of this vapor stream with a glass float support in the presence of oxygen while the float is supported in a molten metal bath at temperatures ranging from approximately 1,100 °F to approximately 1,250 °F.
30. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอตามข้อถือสิทธิ 27 โดยที่มีการใช้กระแสก๊าซของสารเข้าทำปฏิกิริยาที่เป็นไอ เพื่อก่อรูปเป็นสารเคลือบบนแก้ว ด้วยอัตราการเติบโต ถึงประมาณ 2,200 อังสตรอมต่อวินาที30. A process for preparing the vaporized reactant according to claim 27, in which a gaseous stream of the vaporized reactant is used to form a coating on glass, with a growth rate of approximately 2,200 angstroms per second.
31. กระบวนการเคลือบสารเคลือบทินออกไซด์บนแก้ว ตามข้อถือสิทธิ 29 โดยที่มีการใช้กระแสก๊าซของสารเข้าทำปฏิกิริยาที่กลายเป็นไอ เพื่อก่อรูปสารเคลือบทินออกไซด์เคลือบลงบนแถบแก้ว ด้วยอัตราการเติบโตถึงประมาณ 2,200 อังสตรอมต่อวินาที31. The process of coating tin oxide coatings on glass, as per claim 29, involves the use of a gas vaporization reaction to form a tin oxide coating onto a glass strip at a growth rate of approximately 2,200 angstroms per second.