TH9846A - วิธีการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอที่ใช้? ในการเคลือบ ด้วยไอสารเคมี - Google Patents

Abstract

ในการประดิษฐ์นี้มีการเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาที่กลายเป็นไอซึ่งมีประโยชน์ในการเคลือบด้วยไอสารเคมีลงบนผิววัสดุรองรับที่กำลังร้อนโดยเริ่มต้นด้วยการให้ความร้อนแก่สารต้นกำเนิดของสารเคลือบที่เป็นของเหลว, การฉีดสารต้นกำเนิดของสารเคลือบที่เป็นของเหลวเข้าไปในช่องทำให้สาร กลายเป็นไอ,การปล่อยก๊าซผสมเข้าสู่ช่องทำให้สารกลายเป็นไอพร้อมกัน, การให้ความร้อนแก่ของเหลว และก๊าซผสมจนทำให้ของเหลวกลายเป็นไอ ที่อุณหภูมิต่ำกว่าอุณหภูมิกลายเป็นไอมาตรฐานของสารนั้น และการผสมไอสารต้นกำเนิดของสารเคลือบและก๊าซผสมให้ทั่วถึง เพื่อผลิตกระแสสารเข้าทำปฏิกิริยาที่กลายเป็นไอสำหรับทำให้เกิดการสลายด้วยความร้อนที่ผิวของวัสดุรองรับที่กำลังร้อนเครื่องระเหยแบบแผ่นบางในแนวนอน เป็นช่องทำให้สารกลายเป็นไอชนิดที่เหมาะสมเป็นพิเศษสำหรับกระบวนการของการประดิษฐ์นี้

Claims (31)

1. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอ ที่ประกอบด้วยขั้นตอนของ A) การจัดหาสารต้นกำเนิดของสารเคลือบที่อุณหภูมิสูงกว่าจุดหลอมเหลวของสารนั้นแต่ต่ำกว่าอุณหภูมิกลายเป็นไอมาตรฐานของสารนั้นอย่างแน่แท้ โดยวิธีนี้จะทำให้สารต้นกำเนิดของสารเคลือบอยู่ในรูปของเหลว B) การดำเนินขั้นตอนต่อไปนี้พร้อมกันไปและอย่างต่อเนื่อง i) การฉีดสารต้นกำเนิดของสารเคลือบที่เป็นของเหลวเข้าไปในช่องระเหยสารให้เป็นไอที่กำหนดไว้ในส่วนที่เป็นผนังรอบนอกอย่างน้อยหนึ่งด้านของสารเคลือบที่เป็นของเหลวนั้นจะเกิดเป็นไอ ii) การปล่อยก๊าซผสมเข้าไปในช่องระเหยสารให้เป็นไอในปริมาณเพียงพอที่จะเพิ่มการเคลื่อนย้ายมวลของไอสารต้นกำเนิดของสารเคลือบและเมื่อเป็นเช่นนี้จึงทำให้สารต้นกำเนิดของสารเคลือบที่เป็นของเหลวเป็นไอได้เร็วขึ้น iii) การผสมสารต้นกำเนิดของสารเคลือบที่เป็นของเหลว, ไอของสารต้นกำเนิดของสารเคลือบและก๊าซผสมเข้าด้วยกันโดยที่รวมถึงการจ่ายสารต้นกำเนิดที่เป็นของเหลวเป็นชั้นบางไปตามผนังช่องดังกล่าว โดยขั้นตอนเหล่านี้สารต้นกำเนิดของสารเคลือบที่เป็นของเหลวจะกลายเป็นไอได้อย่างสมบูรณ์ที่อุณหภูมิต่ำกว่าอุณหภูมิของการกลายเป็นไอมาตรฐานของสารนั้น, เพื่อเตรียมกระแสก๊าซของสารต้นกำเนิดที่กลายเป็นไป ซึ่งมีความเข้มข้นของสารต้นกำเนิดของสารเคลือบสูงและสม่ำเสมอ และ C) การลำเลียงของผสมระหว่างไอสารต้นกำเนิดของสารเคลือบกับก๊าซผสมออกไปจากช่องระเหยสารให้เป็นไอ

2. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอตามข้อถือสิทธิ 1 โดยที่มีการให้ความร้อนแก่สารต้นกำเนิดของสารเคลือบล่วงหน้า ก่อนที่จะฉีดเข้าสู่ช่องทำให้สารกลายเป็นไปแต่เป็นการให้ความร้อนจนถึงอุณหภูมิที่ต่ำกว่าอุณหภูมิการกลายเป็นไอมาตรฐานของสารนั้น

3. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอตามข้อถือสิทธิ 1 โดยที่มีการให้ความร้อนแก่ผนังของช่องทำให้สารกลายเป็นไอดังกล่าวอย่างน้อยหนึ่งด้าน

4. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอตามข้อถือสิทธิ 2 โดยที่มีการให้ความร้อนแก่ผนังของช่องทำให้สารกลายเป็นไอดังกล่าวอย่างน้อยหนึ่งด้านจนถึงอุณหภูมิที่สูงกว่าอุณหภูมิที่ให้ความร้อนล่วงหน้าดังกล่าว แต่ต่ำกว่าอุณหภูมิการกลายเป็นไปมาตรฐานของสารต้นกำเนิดของสารเคลือบที่เป็นของเหลว

5. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอตามข้อถือสิทธิ 1 โดยที่มีการให้ความร้อนแก่ก๊าซผสมล่วงหน้าจนถึงประมาณ อุณหภูมิของช่องที่ทำให้สารกลายเป็นไอ ก่อนที่จะทำการฉีดสารเข้าไปในช่องนั้น

6. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอตามข้อถือสิทธิ 1 โดยที่มีช่องที่ทำให้สารกลายเป็นไอนี้ ประกอบด้วย เครื่องระเหยแบบแผ่นบางในแนวนอน

7. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอตามข้อถือสิทธิ 6 โดยที่เครื่องระเหยแบบแผ่นบางในแนวนอนนั้น รวมถึงช่องทางเข้าด้านบนที่ปลายหนึ่งของเครื่องระเหยแบบแผ่นบางในแนวนอน และช่องทางเข้าด้านล่างที่ปลายเดียวกันของเครื่องระเหย กับช่องทางเข้าด้านบน และมีการฉีดสารต้นกำเนิดของสารเคลือบที่เป็นของเหลวเข้าไปในเครื่องระเหยผ่านช่องทางเข้าด้านบน และปล่อยก๊าซผสมเข้าไปในเครื่องระเหยผ่านช่องทางเข้าด้านล่าง

8. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอ ประกอบด้วยขั้นตอนของ A) จัดหาสารต้นกำเนิดของสารเคลือบ ซึ่งเลือกมาจากโลหะ หรือที่มีอุณหภูมิสูงกว่าจุดหลอมเหลวของสารนั้น แต่ต่ำกว่าอุณหภูมิกลายเป็นไอมาตรฐานของสารนั้น อย่างแน่แท้ โดยวิธีนี้จะทำให้สารต้นกำเนิดของสารเคลือบอยู่ในรูปของเหลว B) ดำเนินขั้นตอนต่อไปนี้พร้อมกันและอย่างต่อเนื่อง i) ฉีดสารต้นกำเนิดของสารเคลือบที่เป็นของเหลวเข้าไปในช่องระเหยสารให้เป็นไอ โดยที่สารต้นกำเนิดของสารเคลือบจะเกิดเป็นไอ ii) ปล่อยก๊าซผสมเข้าไปในช่องทำให้สารกลายเป็นไอ ในปริมาณเพียงพอที่จะเพิ่มการเคลื่อนย้ายมวลของไอสารต้นกำเนิดของสารเคลือบ และด้วยเหตุนี้จึงเป็นสาเหตุให้เร่งสารต้นกำเนิดของสารเคลือบที่เป็นของเหลวให้การเป็นไอได้เร็วขึ้น iii) ให้ความร้อนแก่สารต้นกำเนิดของสารเคลือบที่เป็นของเหลว ไอของสารต้นกำเนิดของสารเคลือบและก๊าซผสม จนถึงอุณหภูมิที่สูงกว่าอุณหภูมิของขั้นตอน A แต่ต่ำกว่าอุณหภูมิการกลายเป็นไอมาตรฐานของสารต้นกำเนิดของสารเคลือบนี้ และ iv) ผสมสารสารต้นกำเนิดของสารเคลือบ ไอ และก๊าซผสม โดยที่ สารต้นกำเนิดของสารเคลือบที่เป็นของเหลวจะกลายเป็นไออย่างสมบูรณ์ที่อุณหภูมิต่ำกว่าอุณหภูมิการกลายเป็นไอมาตรฐาน เพื่อเตรียมกระแสก๊าซของสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอซึ่งมีความเข้มข้นของสารต้นกำเนิดของสารเคลือบในก๊าซผสมสูงและสม่ำเสมอ C) ลำเลียงกระแสก๊าซของสารเข้าทำปฏิกิริยาออกจากช่องระเหยสารให้เป็นไอ และ D) ทำให้กระแสก๊าซของสารเข้าทำปฏิกิริยาดังกล่าว สัมผัสกับวัสดุรองรับที่เป็นแถบแก้วลอย ซึ่งรักษาระดับอุณหภูมิไว้ที่ 750 องศาฟาเรนไฮท์ เป็นอย่างน้อย

9. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอตามข้อถือสิทธิ 8 โดยที่ การสัมผัสดังกล่าวของกระแสก๊าซของสารเข้าทำปฏิกิริยาดังกล่าวกับวัสดุรองรับเกิดขึ้นในสภาวะที่มีออกซิเจน

10. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอตามข้อถือสิทธิ 8 โดยที่ การสัมผัสดังกล่าวของกระแสก๊าซของสารเข้าทำปฏิกิริยาดังกล่าว กับวัสดุรองรับดังกล่าวเกิดขึ้นขณะที่แถบดังกล่าวถูกพยุงไว้บนอ่างของโลหะหลอมเหลว และมีอุณหภูมิในช่วงตั้งแต่ประมาณ 1,110 องศาฟาเรนไฮท์ ถึงประมาณ 1,250 องศาฟาเรนไฮท์

11. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอตามข้อถือสิทธิ 8 โดยที่สารต้นกำเนิดของสารเคลือบนี้เลือกมาจากหมู่ที่ประกอบด้วย ไดเมทธิลทินไดคลอไรด์ เตตราเอทธอกซีไซเลน, ไดเอทธิลทินไดคลอไรด์, ไดบิวทิลทินไดอาซีเตท, เตตราเมทธิลทิน, เมทธิลทิลไตรคลอไรด์, ไตรเอทธิลทินคลอไรด์,ไตรเมทธิลทินคลอไรด์, เตตราบิวทิลติเตเนท, ติเตเนียมเตตราคลอไรด์, ติเตเนียมเตตราไอโซโปรพอกไซด์, ไตรเอทธิลอาลู มินัม, ไดเอทธิลอาลูมินัมคลอไรด์, ไตรเมทธิลอาลูมินัม,อาลูมินัมอาซีติลอาซีโตเนท, อาลูมินัมเอทธิลเลท, ไดเอทธิลไดคลอโรไซเลน, เมทธิลไตรเอทธอกซีไซเลน, ซิงค์อาซีติลอาซีโตเนท, ซิงค์อาซีเตท และของผสมของสารเหล่านี้

12. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอตามข้อถือสิทธิ 11 โดยที่สารต้นกำเนิดของสารเคลือบนี้ คือไดเมทธิลทินไดคลอไรด์

13. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอตามข้อถือสิทธิ 11 โดยที่สารต้นกำเนิดของสารเคลือบนี้ คือไดเมทธิลทินไดคลอไรด์ 95 เปอร์เซ็นต์ โดยน้ำหนัก และเมทธิลไตรคลอไรด์ 5 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก

14. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอตามข้อถือสิทธิ 11 โดยที่ก๊าซ ผสมนี้เลือกมาจากหมู่ที่ประกอบด้วยฮีเลียม, ไนโตรเจน, ไฮโตรเจน อาร์กอน และของผสมของก๊าซเหล่านี้

15. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอตามข้อถือสิทธิ 11 โดยที่ มีการฉีดสารต้นกำเนิดของสารเคลือบที่เป็นของเหลวเข้าไปในช่องระเหยสารให้เป็นไอ ที่อุณหภูมิตั้งแต่ประมาณ 70 องศาฟาเรนไฮท์ ถึงประมาณ 530 องศาฟาเรนไฮท์

16. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอตามข้อถือสิทธิ 11 โดยที่มีการให้ความร้อนแก่สารต้นกำเนิดของสารเคลือบ ไอของสารต้นกำเนิดของสารเคลือบ และก๊าซผสมในช่องระเหยสารให้เป็นไอ จนถึงอุณหภุมิตั้งแต่ประมาณ 95 องศาฟาเรนไฮท์ ถึงประมาณ 555 องศาฟาเรนไฮท์

17. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอตามข้อถือสิทธิ 11 โดยที่มีการฉีดสารต้นกำเนิดของสารเคลือบที่เป็นของเหลวเข้าไปในช่องระเหยสารให้เป็นไอ ด้วยอัตราตั้งแต่ประมาณ 0.5 ถึงประมาณ 120 ปอนด์ต่อชั่วโมง

18. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอตามข้อถือสิทธิ 11 โดยที่มีการปล่อยก๊าซผสมเข้าไปในช่องระเหยสารให้เป็นไอ ที่ความดันตั้งแต่ประมาณ 2 ถึงประมาณ 15 ปอนด์ต่อตารางนิ้ว

19. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอตามข้อถือสิทธิ 11 โดยที่มีการปล่อยก๊าซผสมเข้าไปในช่องระเหยสารให้เป็นไอ ด้วยอัตราตั้งแต่ประมาณ 100 ถึงประมาณ 400 ลิตรมาตรฐานต่อนาที

20. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอประกอบด้วยขั้นตอนของ A) ให้สารต้นกำเนิดเลือกมาจากหมู่ที่ประกอบด้วยไดเมทธิลทินไดคลอไรด์ เตตราเอทธอกซีไซเลน ไดเอทธิลทินไดคลอไรด์ ไดบิวทิลทินไดอาซีเตท เตตราเมทธิลทิน เมทธิลทินไตรคลอไรด์ ไตรเอทธิลทินคลอไรด์ ไตรเมทธิลทินคลอไรด์ เตตราบิวทิลทิเตเนทติเตเนียมเตตราคลอไรด์ ติเตเนียมเตตราไอโซโปรพอกไซด์ เตตราเอทธิลอาลูมินัม ไดเอทธิลอาลูมินัมคลอไรด์ไตรเมทธิลอาลูมินัม อาลูมินัมอาซีติล อาซีโตเนท อาลูมินัมเอทธิลเลท ไดเอทธิลไดคลอโรไซเลน เมทธิลไตรเอทธอกซีไซเลนซิงค์อาซีติลอาซีโตเนท ซิงค์โปรปิโอเนท และของผสมของสารเหล่านี้ ที่อุณหภูมิสูงกว่าจุดหลอมเหลวของสาร แต่ต่ำกว่าอุณหภูมิของการกลายเป็นไอมาตรฐานของสารอยู่พอสมควร และอยู่ในช่วงตั้งแต่ประมาณ 70 องศาฟาเรนไฮท์ ถึงประมาณ 530 องศาฟาเรนไฮท์ โดยวิธีนี้จะทำให้สารต้นกำเนิดของสารเคลือบอยู่ในรูปของเหลว B) ดำเนินขั้นตอนต่อไปนี้พร้อมกันและอย่างต่อเนื่อง i) ฉีดสารต้นกำเนิดของสารเคลือบที่เป็นของเหลว ด้วยอัตราตั้งแต่ประมาณ 0.5 ถึงประมาณ 120 ปอนด์ต่อชั่วโมง เข้าไปในช่องระเหยสารให้เป็นไอที่กำหนดส่วนด้วยผนังรอบนอกหนึ่งด้านเป็นอย่างน้อย โดยที่สารต้นกำเนิดของสารเคลือบที่เป็นของเหลวนี้จะเกิดเป็นไอ ii) ปล่อยก๊าซผสมที่เลือกจากหมู่ ที่ประกอบด้วย ฮีเลียมไนโตรเจน ไฮโดรเจน อาร์กอน และของผสมของก๊าซเหล่านี้ เข้าไปยังช่องระเหยสารให้เป็นไอในปริมาณที่อยู่ในช่วงตั้งแต่ประมาณ 25 ถึงประมาณ 500 ลิตรมาตรฐานต่อนาที ที่ความดันตั้งแต่ประมาณ 2 ถึงประมาณ 15 ปอนด์ต่อตารางนิ้ว iii) ให้ความร้อนแก่สารต้นกำเนิดของสารเคลือบที่เป็นของเหลว ไอของสารต้นกำเนิดของสารเคลือบและก๊าซผสม จนถึงอุณหภูมิที่สูงกว่าอุณหภูมิของขั้นตอน A แต่ต่ำกว่าอุณหภูมิการกลายเป็นไอมาตรฐานของสารต้นกำเนิด และอยู่ในช่วงตั้งแต่ประมาณ 95 องศาฟาเรนไฮท์ ถึงประมาณ 555 องศาฟาเรนไฮท์ iv) ทำการผสมสารต้นกำเนิดของสารเคลือบที่เป็นของเหลว ไอของสารต้นกำเนิดของสารเคลือบ และก๊าซผสม รวมทั้งทำการจ่ายสารต้นกำเนิดที่เป็นของเหลวออกเป็นฟิล์มบางตามผนังของช่องดังกล่าวด้วย โดยที่สารต้นกำเนิดของสารเคลือบที่เป็นของเหลวนี้กลายเป็นไออย่างสมบูรณ์ ที่อุณหภูมิต่ำกว่าอุณหภูมิการกลายเป็นไอมาตรฐานของสารนั้น เพื่อเตรียมกระแสก๊าซของสารเข้าทำปฏิกิริยาที่กลายเป็นไอ ซึ่งมีความเข้มข้นของสารต้น กำเนิดของสารเคลือบสูงและสม่ำเสมอ และ C) ทำการส่งกระแสก๊าซของสารเข้าทำปฏิกิริยาจากช่องระเหยสารให้เป็นไอ D) ทำให้กระแสก๊าซของสารตั้งแต่ดังกล่าว สัมผัสกับวัสดุรองรับที่เป็นแบบแก้วลอย ซึ่งรักษาระดับอุณหภูมิไว้ที่ 750 องศาฟาเรนไฮท์ เป็นอย่างต่ำ

21. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอประกอบด้วยขั้นตอนของ A) ให้สารต้นกำเนิดของสารเคลือบที่เป็นโลหะ ซึ่งเลือกมาจากหมู่ที่ประกอบด้วย ไดเมทธิลทินไดคลอไรด์ เตตราเอทธอกซีไซเลน ไดเอทธิลไดคลอไรด์ ไดบิวทิลไดอาซีเตท เตตราเมทธิลทินเมทธิลทินไตรคลอไรด์ ไตรเอทธิลทินคลอไรด์ ไตรเมทธิลทินคลอไรด์ เตตราบิวทิลทิเตเนท ติเตเนียมเตตราคลอไรด์ ติเตเนียมเตตราไอโซโปรพอกไซด์ เตตราเอทธิลอาลูมินัม ไดเอทธิลอาลูมินัมคลอไรด์ ไตรเมทธิลอาลูมินัม อาลูมินัมอาซิติลอาซิโตเนท อาลูมินัมเอทธิลเลท ไดเอทธิลไดคลอโรไซเลน เมทธิลไตรเอทธอกซีไซเลน ซิงค์อาซีติลอาซีโดเนท ซิงค์โปรปิโอเนท และ ของผสมของสารเหล่านี้ ที่อุณหภูมิสูงกว่าจุดหลอมเหลวของสารแต่ต่ำกว่าอุณหภูมิของการกลายเป็นไอมาตรฐานของสารอยู่อย่างแน่แท้ และอยู่ในช่วงตั้งแต่ประมาณ 70 องศาฟาเรนไฮท์ ถึงประมาณ 530 องศาฟาเรนไฮท์ โดยวิธีนี้จะทำให้สารต้นกำเนิดของสารเคลือบอยู่ในรูปของเหลว B) ดำเนินขั้นตอนต่อไปนี้พร้อมกันและอย่างต่อเนื่อง i) ทำการฉีดสารต้นกำเนิดของสารเคลือบชนิดโลหะที่เป็นของเหลว ด้วยอัตราตั้งแต่ประมาณ 0.5 ถึงประมาณ 120 ปอนด์ต่อชั่วโมง เข้าไปในช่องระเหยสารให้เป็นไอ ที่กำหนดส่วนด้วยผนังรอบนอกหนึ่งด้านเป็นอย่างน้อย โดยที่สารต้นกำเนิดของสารเคลือบที่เป็นของเหลวนี้จะเกิดเป็นไอ ii) ปล่อยก๊าซผสมที่เลือกจากหมู่ที่ประกอบด้วย ฮีเลียมไนโตรเจน ไฮโดรเจน อาร์กอน และของผสมของก๊าซเหล่านี้ เข้าไปยังช่องระเหยสารให้เป็นไอ ในปริมาณที่อยู่ในช่วงตั้งแต่ประมาณ 25 ถึง 500 ลิตรมาตรฐานต่อนาที ที่ความดันตั้งแต่ประมาณ 2 ถึงประมาณ 15 ปอนด์ต่อตารางนิ้ว iii) ให้ความร้อนแก่สารต้นกำเนิดของสารเคลือบชนิดโลหะที่เป็นของเหลวไอของสารต้นกำเนิดของสารเคลือบชนิดโลหะ และก๊าซผสม จนถึงอุณหภูมิที่สูงกว่าอุณหภูมิของขั้นตอน A แต่ต่ำกว่าอุณหภุมิการกลายเป็นไอมาตรฐานของสารต้นกำเนิด และอยู่ในช่วงตั้งแต่ประมาณ 95 องศาฟาเรนไฮท์ ถึงประมาณ 555 องศาฟาเรนไฮท์ iv) ทำการผสมสารต้นกำเนิดของสารเคลือบชนิดที่เป็นของเหลวไอของสารต้นกำเนิดของสารเคลือบชนิดโลหะ และก๊าซผสม รวมทั้งทำการจ่ายสารต้นกำเนิดที่เป็นของเหลวออกเป็นฟิล์มบางตามผนังของช่องดังกล่าวด้วย โดยที่สารต้นกำเนิดของสารเคลือบชนิดโลหะที่เป็นของเหลวนี้กลายเป็นไออย่างสมบูรณ์ ที่อุณหภูมิต่ำกว่าอุณหภูมิการกลายเป็นไอมาตรฐานของสารนั้นเพื่อเตรียมกระแสก๊าซของสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอ ซึ่งมีความเข้มข้นของสารต้นกำเนิดของสารเคลือบสูงและสม่ำเสมอ และ C) ทำการส่งกระแสก๊าซของสารเข้าทำปฏิกิริยาออกจากช่องระเหยสารให้เป็นไอ D) ทำให้กระแสก๊าซของสารเข้าทำปฏิกิริยาดังกล่าว สัมผัสกับวัสดุรองรับที่เป็นแถบแก้วลอย ซึ่งรักษาระดับอุณหภูมิไว้ที่ 750 องศาฟาเรนไฮท์ เป็นอย่างต่ำ

22. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอตามข้อถือสิทธิ 21 โดยที่ช่องระเหยสารให้เป็นไอนั้น ประกอบด้วย เครื่องระเหยแบบแผ่นบางในแนวนอน

23. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอตามข้อถือสิทธิ 22 โดยที่เครื่องระเหยแบบแผ่นบางในแนวนอนนั้น มีส่วนประกอบที่รวมถึง ช่องทางเข้าด้านบนที่ปลายข้างหนึ่งของเครื่องระเหยแบบแผ่นบางในแนวนอน และช่องทางเข้าด้านล่างที่ปลายเดียวกันของเครื่องระเหย เมื่อเทียบกับช่องทางเข้าด้านบน โดยที่มีการฉีดสารต้นกำเนิดของสารเคลือบที่เป็นของเหลวเข้าไปในเครื่องระเหย ผ่านช่องทางเข้าด้านบนและมีการปล่อยก๊าซผสมเข้าไปในเครื่องระเหยผ่านช่องทางเข้าด้านล่างอีกด้วย

24. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอตามข้อถือสิทธิ 23 โดยที่ก๊าซผสมนี้เลือกมาจากหมู่ที่ประกอบด้วยฮีเลียม ไนโตรเจน และของผสมของก๊าซนั้น

25. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอประกอบด้วยขั้นตอนของ A) ให้ไดเมทธิลทินไดคลอไรด์ ที่อุณหภูมิในช่วงตั้งแต่ประมาณ 225 องศาฟาเรนไฮท์ ถึงประมาณ 375 องศาฟาเรนไฮท์ โดยวิธีนี้จะทำให้ไดเมทธิลทินไดคลอไรด์อยู่ในรูปของเหลว B) ดำเนินขั้นตอนต่อไปนี้พร้อมกันและอย่างต่อเนื่อง i) ทำการฉีดไดเมทธิลทินไดคลอไรด์ ที่เป็นของเหลวเข้าไปในช่องระเหยสารให้เป็นไอ ด้วยอัตราประมาณ 1 ถึงประมาณ 75 ปอนด์ต่อชั่วโมง เข้าไปในเครื่องระเหยแบบแผ่นบางในแนวนอนที่กำหนดบางส่วน ด้วยผนังรอบนอกอย่างน้อยหนึ่งด้านซึ่งไดเมทธิลทินไดคลอไรด์ที่เป็นของเหลวนั้นจะเกิดเป็นไอสาร ii) ปล่อยก๊าซผสมที่เลือกจากกลุ่มที่ประกอบด้วย ฮีเลียมไนโตรเจน และของผสมของก๊าซทั้งสองเข้าไปยังเครื่องระเหยแบบแผ่นบางในแนวนอน ด้วยปริมาณในช่วงตั้งแต่ 25 ถึงประมาณ 500 ลิตรมาตรฐานต่อนาที ที่ความดันตั้งแต่ประมาณ 2 ถึงประมาณ 15 ปอนด์ต่อตารางนิ้ว ดังนี้ แล้วจะทำให้ไดเมทธิลทินไดคลอไรด์ที่เป็นของเหลวกลายเป็นไอได้เร็วขึ้น iii) ให้ความร้อนแก่ไดเมทธิลไดคลอไรด์ที่เป็นของเหลว ไอของไดเมทธิลทินไดคลอไรด์ และก๊าซผสมจนถึงอุณหภูมิที่สูงกว่าอุณหภูมิของขั้นตอน A แต่ต่ำกว่าอุณหภูมิการกลายเป็นไอมาตรฐานของไดเมทธิลทินไดคลอไรด์ และอยู่ในช่วงตั้งแต่ประมาณ 250 องศาฟาเรนไฮท์ ถึงประมาณ 400 องศาฟาเรนไฮท์ iv) ผสมไดเมทธิลไดคลอไรด์ที่เป็นของเหลว ไอของไดเมทธิลทินไดออลไรด์ และก๊าซผสม โดยที่รวมถึงการจ่ายไดเมทธิลทินไดคลอไรด์ที่เป็นของเหลว ออกเป็นฟิล์มบางตามผนังของเครื่องระเหยดังกล่าว โดยวิธีนี้ไดเมทธิลไดคลอไรด์ที่เป็นของเหลวกลายเป็นไออย่างสมบูรณ์แล้วที่อุณหภูมิต่ำกว่าอุณหภูมิการกลายเป็นไอมาตรฐานของสารนี้ เพื่อเตรียมกระแสก๊าซของสารเข้าทำปฏิกิริยาที่เป็นไอ ซึ่งมีความเข้มข้นของไดเมทธิลทินไดคลอไรด์สูงและสม่ำเสมอในก๊าซผสม C) ทำการส่งกระแสก๊าซของสารเข้าทำปฏิกิริยาออกจากเครื่องระเหยแบบแผ่นบางในแนวนอนและให้สัมผัสกับวัสดุรองรับ

26. กระบวนการเคลือบสารเคลือบบนแก้ว ที่ประกอบด้วย A) ทำให้เกิดกระแสก๊าซของสารเข้าทำปฏิกิริยาที่ทำให้เป็นไอ รวมทั้งของผสมของไอของไดเมทธิลทินไดคลอไรด์ และก๊าซผสม ที่เตรียมได้ตามข้อถือสิทธิ 25 และ B) ทำให้กระแสก๊าซของสารเข้าทำปฏิกิริยาดังกล่าว สัมผัสกับวัสดุรองรับที่เป็นแถบแก้วลอย ซึ่งรักษาระดับอุณหภูมิไว้ที่ 750 องศาฟาเรนไฮท์ เป็นอย่างน้อย

27. กระบวนการเคลือบสารเคลือบบนแก้ว ตามข้อถือสิทธิ 26 โดยที่การสัมผัสดังกล่าวของกระแสก๊าซของสารเข้าทำปฏิกิริยาดังกล่าวกับแถบแก้ว เกิดขึ้นในสภาวะที่มีออกซิเจน และขณะที่แถบดังกล่าวถูกพยุงอยู่บนล่างของโลหะหลอมเหลว และมีอุณหภูมิในช่วงตั้งแต่ประมาณ 1,100 องศาฟาเรนไฮท์ ถึงประมาณ 1,250 องศาฟาเรนไฮท์

28. กระบวนการสำหรับเคลือบสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอประกอบด้วยขั้นตอน A) ให้ของผสมที่ประกอบด้วยไดเมทธิลทินไดคลอไรด์ 95 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก และเมทธิลทินไตรคลอไรด์ 5 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก ที่อุณหภูมิในช่วงตั้งแต่ประมาณ 225 องศาฟาเรนไฮท์ ถึงประมาณ 375 องศาฟาเรนไฮท์ โดยวิธีนี้จะทำให้ของผสมอยู่ในรูปของเหลว B) ดำเนินขั้นตอนต่อไปนี้พร้อมกัน และอย่างต่อเนื่อง i) ทำการฉีดไดเมทธิลทินไดคลอไรด์-เมทธิลไตรคลอไรด์ที่เป็นของเหลวเข้าไปในช่องระเหยสารให้เป็นไอ ด้วยอัตราประมาณ 1 ถึงประมาณ 75 ปอนด์ ต่อชั่วโมง เข้าไปในเครื่องระเหยแบบแผ่นบางในแนวนอนที่กำหนดส่วน ด้วยผนังรอบนอกอย่างน้อยหนึ่งด้าน โดยที่ของผสมที่เป็นของเหลวนั้นจะเกิดเป็นไอสาร ii) ปล่อยก๊าซผสมที่เลือกจากกลุ่มที่ประกอบด้วย ฮีเลียม ไนโตรเจน และของผสมของก๊าซทั้งสองเข้าไปยังเครื่องระเหยแบบแผ่นบางในแนวนอน ด้วยปริมาณในช่วงตั้งแต่ 25 ถึงประมาณ 500 ลิตรมาตรฐานต่อนาที ที่ความดันตั้งแต่ประมาณ 2 ถึงประมาณ 15 ปอนด์ต่อตารางนิ้ว ดังนี้แล้วจะทำให้ของผสมที่เป็นของเหลวกลายเป็นไอได้เร็วขึ้น iii) ให้ความร้อนแก่ของผสม ของไดเมทธิลทินไดคลอไรด์-เมทธิลทินไตรคลอไรด์ ที่เป็นของเหลว ของผสมของไดเมทธิลทินไดคลอไรด์-เมทธิลทินไตรคลอไรด์ ที่กลายเป็นไอ และก๊าซผสมจนถึงอุณหภูมิที่สูงกว่าอุณหภูมิของขั้นตอน A และอยู่ในช่วงตั้งแต่ประมาณ 250 องศาฟาเรนไฮท์ ถึงประมาณ 400 องศาฟาเรนไฮท์ iv) ผสมของผสมของไดเมทธิลทินไดคลอไรด์-เมทธิลทินไตรคลอไรด์ที่เป็นของเหลว ไดเมทธิลทินไดคลอไรด์-เมทธิลทินไตรคลอไรด์ที่กลายเป็นไอแล้ว และก๊าซผสมโดยที่รวมถึงการจ่ายไดเมทธิลทินไดคลอไรด์-เมทธิลทินไตรคลอไรด์ที่เป็นของเหลว ออกเป็นฟิล์มบางตามผนังของเครื่องระเหยดังกล่าว โดยวิธีนี้ ของผสมของไดเมทธิลทินไดคลอไรด์-เมทธิลทินไตรคลอไรด์ที่เป็นของเหลวกลายเป็นไออย่างสมบูรณ์แล้ว เพื่อเตรียมกระแสก๊าซของสารเข้าทำปฏิกิริยาที่เป็นที่มีความเข้มข้นสูงและสม่ำเสมอ ซึ่งประกอบด้วย ไดเมทธิลทินไดคลอไรด์ 95 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก และเมทธิลทินไตรคลอไรด์ 5 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก C) ทำการส่งกระแสก๊าซของสารเข้าทำปฏิกิริยาออกจาก เครื่องระเหยแบบแผ่นบางในแนวนอนและให้สัมผัสกับวัสดุรองรับ

29. กระบวนการเคลือบสารเคลือบทินออกไซด์บนแก้ว ซึ่งประกอบด้วย A) การทำให้เกิดกระแสก๊าซของสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอ รวมทั้งไดเมทธิลทินไดคลอไรด์-เมทธิลทินไตรคลอไรด์ และของผสมของก๊าซผสมที่เตรียมได้จากตามข้อถือสิทธิ 28 และ B) ทำให้กระแสก๊าซของสารเข้าทำปฏิกิริยาดังกล่าว สัมผัสกับวัสดุรองรับแก้วลอย ในสภาวะที่มีออกซิเจน ขณะที่แถบดังกล่าวถูกพยุงไว้บนอ่างโลหะหลอมเหลว ที่อุณหภูมินช่วงตั้งแต่ประมาณ 1,100 องศาฟาเรนไฮท์ ถึงประมาณ 1,250 องศาฟาเรนไฮท์

30. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอตามข้อถือสิทธิ 27 โดยที่มีการใช้กระแสก๊าซของสารเข้าทำปฏิกิริยาที่เป็นไอ เพื่อก่อรูปเป็นสารเคลือบบนแก้ว ด้วยอัตราการเติบโต ถึงประมาณ 2,200 อังสตรอมต่อวินาที

31. กระบวนการเคลือบสารเคลือบทินออกไซด์บนแก้ว ตามข้อถือสิทธิ 29 โดยที่มีการใช้กระแสก๊าซของสารเข้าทำปฏิกิริยาที่กลายเป็นไอ เพื่อก่อรูปสารเคลือบทินออกไซด์เคลือบลงบนแถบแก้ว ด้วยอัตราการเติบโตถึงประมาณ 2,200 อังสตรอมต่อวินาที