TW200907004A - Photosensitive adhesive composition, film-like adhesive, adhesive sheet, adhesive pattern, semiconductor wafer with adhesive layer, semiconductor device and semiconductor device manufacturing method - Google Patents

Photosensitive adhesive composition, film-like adhesive, adhesive sheet, adhesive pattern, semiconductor wafer with adhesive layer, semiconductor device and semiconductor device manufacturing method Download PDF

Info

Publication number
TW200907004A
TW200907004A TW097110786A TW97110786A TW200907004A TW 200907004 A TW200907004 A TW 200907004A TW 097110786 A TW097110786 A TW 097110786A TW 97110786 A TW97110786 A TW 97110786A TW 200907004 A TW200907004 A TW 200907004A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
adhesive
adhesive composition
resin
photosensitive
photosensitive adhesive
Prior art date
Application number
TW097110786A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuyuki Mitsukura
Takashi Kawamori
Takashi Masuko
Shigeki Katogi
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Chemical Co Ltd filed Critical Hitachi Chemical Co Ltd
Publication of TW200907004A publication Critical patent/TW200907004A/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J179/00—Adhesives based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen, with or without oxygen, or carbon only, not provided for in groups C09J161/00 - C09J177/00
    • C09J179/04—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C09J179/08—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J4/00—Adhesives based on organic non-macromolecular compounds having at least one polymerisable carbon-to-carbon unsaturated bond ; adhesives, based on monomers of macromolecular compounds of groups C09J183/00 - C09J183/16
    • C09J4/06—Organic non-macromolecular compounds having at least one polymerisable carbon-to-carbon unsaturated bond in combination with a macromolecular compound other than an unsaturated polymer of groups C09J159/00 - C09J187/00
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/68—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the catalysts used
    • C08G59/686—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the catalysts used containing nitrogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00—Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/02—Non-macromolecular additives
    • C09J11/06—Non-macromolecular additives organic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J163/00—Adhesives based on epoxy resins; Adhesives based on derivatives of epoxy resins
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/04—Chromates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
    • H10W76/40—Fillings or auxiliary members in containers, e.g. centering rings
    • H10W76/42—Fillings
    • H10W76/47—Solid or gel fillings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2666/00—Composition of polymers characterized by a further compound in the blend, being organic macromolecular compounds, natural resins, waxes or and bituminous materials, non-macromolecular organic substances, inorganic substances or characterized by their function in the composition
    • C08L2666/02—Organic macromolecular compounds, natural resins, waxes or and bituminous materials
    • C08L2666/14—Macromolecular compounds according to C08L59/00 - C08L87/00; Derivatives thereof
    • C08L2666/22—Macromolecular compounds not provided for in C08L2666/16 - C08L2666/20
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
    • H10W72/874—On different surfaces
    • H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
    • H10W90/732—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between stacked chips
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
    • H10W90/734—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
    • Y10T428/24851—Intermediate layer is discontinuous or differential

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Description

200907004 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 關如種感光性黏著劑組成物 薄片、黏者劑圖型、附黏著劑層半 、及半導體裝置之製造方法。 【先前技術】 在半導體封裝等之半導體裝置 件與半導體元件搭載用支撐基材之 著劑。於此黏著劑係從半導體裝置 以充分確保耐焊錫回流性之耐熱性 於半導體晶圓等貼黏薄膜狀之黏著 法，此時，爲減少對黏著體之熱損 近年，隨著電子零件之高性能化、 各種形態之半導體封裝，依半導體 裝而製程之簡化的方法，除上述特 形成能之黏著劑。就可形成黏著劑 備感光性功能之感光性黏著劑。所 分會進行化學變化，於水溶液或有 化的功能。若使用具有此感光性之 可介由光罩而曝光’以顯像液而形 細之黏著劑圖型。 構成具有如此之圖型形成功能 ，至今，考慮耐熱性’而使用聚醯 、薄膜狀黏著劑、黏著 導體晶圓、半導體裝置 的製造中，於半導體元 黏合係自以往即使用黏 之信賴性而言，要求用 或耐濕信賴性。又，有 劑的步驟進行黏合之方 傷，要求低溫黏附性。 高功能化，已提出具有 裝置之功能、形態及組 性外，尙尋求具備圖型 圖型者而言，已知有具 謂感光性係照射光之部 機溶劑中不溶化或可溶 感光性黏著劑組成物， 成圖型，俾可形成高精 之感光性黏著劑的材料 亞胺樹脂前驅體（聚醯 -5- 200907004 胺酸）或聚醯亞胺樹脂爲底材之材料（例如參照專利文獻 1 〜3 )。 專利文獻1 :特開2 0 0 0 - 2 9 0 5 0 1號公報 專利文獻2:特開2001-329233號公報 專利文獻3 :特開平1 1 -24257號公報 【發明內容】 發明之揭示 發明欲解決之課題 但，上述材料係就耐熱性而言優，但使用前者之聚醯 胺酸時，熱閉環醯亞胺化時，使用後者之聚醯亞胺樹脂之 情形，係加工時，因分別需要3 00 t以上之高溫，於周邊 材料的熱損傷大，又，易產生熱應力等之問題。 又，嘗試藉於含有聚醯亞胺樹脂等之黏著劑中調配熱 硬化性樹脂而進行交聯，俾改良低溫加工性及焊錫耐熱性 。但，在如此之方法中，係要對於以鹼顯像性之圖型形成 性及於被黏附物之低溫貼黏性的兩者同時達成高的程度乃 很困難。又，上述習知之材料係要於圖型形成後之再熱壓 接性及硬化後達成非常高的黏著力乃很難。進一步，就賦 予對鹼顯像液之溶解性之目的，在使用具有羧基或羥基等 之親水性取代基的熱塑性樹脂之系中，爲提升黏著性或耐 濕性，若添加咪唑衍生物等之硬化觸媒，有操作時間大幅 降低等之問題。 本發明係有鑑於上述習知技術存在之問題而構成者， -6- 200907004 圖型形成性、圖型形成後之黏著性、黏著後之耐熱性及耐 濕信賴性優’形成爲薄膜狀時係於低溫貼黏性亦優之感光 性黏著劑組成物、使用此之薄膜狀黏著劑、黏著薄片、黏 著圖型、附黏著劑層之半導體晶圓、半導體裝置及半導體 裝置之製造方法。 用以解決課題之手段 爲達成上述目的，本發明係提供一種感光性黏著劑組 成物，其爲含有：（A )鹼可溶性樹脂、（B )環氧樹脂、 (C )輻射線聚合性化合物及、（D )光引發劑之感光性黏 著劑組成物，其特徵爲該（D )光引發劑係至少含有（D 1 )光引發劑，其爲藉由輻射線之照射來顯現促進該環氧樹 脂之聚合及/或硬化反應之機能的光引發劑。 此處，所謂促進環氧樹脂之聚合，意指以低於環氧基 單獨的溫度進行反應，或以短時間進行凝膠化。
若依本發明之感光性黏著劑組成物，藉由具有上述構 成’可滿足圖型形成性、圖型形成後之低溫短時間硬化性 及黏著性、黏著後之耐熱性及耐濕信賴性，以及形成爲薄 膜狀時，係於低溫貼黏性之全部。又，若依本發明，藉由 上述（A) 、 ( B )、及（C)以及含有（D1)成分之（D )成分之組合，俾可實現發揮上述效果同時在室溫之貯存 安定性亦優之感光性黏著劑組成物。 又在本發明之感光性黏著劑組成物，（D1 )光引發劑 係藉由輻射線之照射以產生鹼之化合物。此時，可進一步 200907004 提升於感光性黏著劑組成物之被黏附物的高溫黏著性及耐 濕信賴性。認爲此理由係從上述化合物所生成之鹼有效率 地作用爲環氧樹脂之硬化觸媒’俾可更進一步提升交聯密 度。 又，若依上述之感光性黏著劑組成物，可使環氧樹脂 有效率地反應，可更降低高溫放置時之釋氣。 又，於感光性黏著劑組成物所含有之（A )鹼可溶性 之樹脂具有鹼可溶性基之羧基及/或羥基時，若此等之基 的含有比率變高，擔心硬化後之吸濕率的上昇及吸濕後之 黏著力之降低。然而，若依上述之感光性黏著劑組成物， 可調配藉由輻射線之照射來產生鹼基之化合物，俾降低上 述羧基及/或羥基與環氧樹脂的反應後殘存之羧基及/或羥 基，可以更高水準使耐濕信賴性及黏著性與圖型形成性倂 存。 在本發明之感光性黏著劑組成物中，（D 1 )光引發劑 係宜具有肟酯基及/或嗎啉環之化合物。此時’可更提昇 熱分解起始溫度。 在本發明之感光性黏著劑組成物中，從提高圖型形成 性之觀點係宜（D 1 )光引發劑相對於波長3 6 5 nm之光的 分子吸光係數爲l〇〇〇ml/g. cm以上。 在本發明之感光性黏著劑組成物中，從降低釋氣級提 高高溫接著性之觀點係宜（D 1 )光引發劑減少5%質量之 溫度爲1 5 0 °C以上。 此處，所謂光引發劑減少5%質量之溫度係使用光引 -8- 200907004 發劑微分熱熱重量问時測疋裝置（SII、Nanotechnology 製：TG/DTA63 00 )，在昇溫速度10°C /分、氮氣流（ 4 0 0 m 1 /分）下測定時減少5 %質量之溫度。 本發明之感光性黏著劑組成物含有上述（D 1 )光引發 劑時可滿足圖型形成性、圖型形成後之黏著性、黏著後之 耐熱性及耐濕信賴性，以及形成爲薄膜狀時係於低溫貼黏 性之全部。 又，可發揮上述效果之理由，本發明人等認爲上述構 成係保存安定性佳，可更減少黏著後之熱處理所產生的釋 氣，同時並形成爲薄膜狀時，可以塗佈乾燥溫度充分抑制 反應進行。 又在本發明之感光性黏著劑組成物中，（D 1 )光引發 劑係宜以下述構造式（1-1 )所示之化合物及/或以下述構 造式（1-2)所示之化合物及/或以下述構造式（Ϊ-3)所示 之化合物。 -9- 200907004 [化1]
進而在本發明之感光性黏著劑組成物中，從 貼黏性之觀點宜（A )鹼可溶性樹脂之玻璃轉 1 5 0 °C以下。 又在本發明之感光性黏著劑組成物中，（A 性樹脂宜爲具有殘基及/或羥基之樹脂。 一般，若上述之基的含有比率變高，擔心硬 濕率的上昇及吸濕後之黏著力的降低。然而，若 之感光性黏著劑組成物，藉由調配上述（D 1 )成 降低上述羧基及/或羥基與環氧樹脂的反應後殘 (1-3) 提高低溫 多溫度爲 )鹼可溶 化後之吸 依本發明 分，俾可 存之羧基 -10- 200907004 及/或羥基，並可以更高水準使耐濕信賴性及黏著性與圖 型形成性倂存。 又在本發明之感光性黏著劑組成物中，宜（A )鹼可 溶性樹脂係聚醯亞胺樹脂。此時可更提昇圖型形成性。 進一步，宜上述聚醯亞胺樹脂係使四羧酸二酐、與分 子中具有羧基及/或羥基之二胺反應所得之聚醯亞胺樹脂 〇 又，宜上述聚醯亞胺樹脂係使四羧酸二酐、與以下述 構造式（3)所示之芳香族二胺及/或以下述構造式（4) 所示之芳香族二胺反應所得到之聚醯亞胺樹脂。 [化4]h2n
(3) [化5]
H2N
nh2
HOOC
COOH (4) 又本發明係提供一 明之感光性黏著劑組成 若依本發明之薄膜 種薄膜狀黏著劑，其係使上述本發 物成形爲薄膜狀而成者。 狀黏著劑’藉由本發明之感光性黏 -11 - 200907004 著劑組成物所構成，可滿足圖型形成性、圖型形成後之黏 著性、黏著後之耐熱性及耐濕信賴性，以及低溫貼黏性之 全部，並可謀求半導體裝置之組裝製程的效率化及半導體 裝置之信賴性提昇。 又本發明係提供一種黏著薄片，其特徵爲具備··基材 ，與由設置於該基材之一面上之上述本發明之黏著劑組成 物所成黏著劑層。 若依本發明之黏著薄片，藉由本發明之感光性黏著劑 組成物所構成，可滿足圖型形成性、圖型形成後之黏著性 、黏著後之耐熱性及耐濕信賴性，以及低溫貼黏性之全部 ，並可謀求半導體裝置之組裝製程的效率化及半導體裝置 之信賴性提昇。 又本發明係提供一種黏著薄片，其係具有將上述之薄 膜狀黏著劑與切割（dicing)薄片層合而成的層合構造。 若依上述之黏著薄片，藉由具有上述構造，可滿足圖 型形成性、圖型形成後之黏著性、黏著後之耐熱性及耐濕 信賴性，以及低溫貼黏性之全部，實現黏晶切割。藉此， 可謀求半導體裝置之組裝製程的效率化及半導體裝置之信 賴性提昇。 又本發明係提供一種黏著劑圖型，其特徵爲，將由上 述本發明之感光性黏著劑組成物所成之黏著劑層形成於被 黏附物（adher end )上，使該黏著劑層介由光罩曝光，將 曝光後之該黏著劑層藉由鹼顯影液進行顯影處理而形成。 本發明之黏著劑圖型，藉由從本發明之感光性黏著劑 -12- 200907004 組成物所形成者，可得到高精細化以及優異之黏著性且在 黏著後係可得到優異之耐熱性及耐濕信賴性。 又本發明係提供一種附黏著劑層半導體晶圓，其係具 備半導體晶圓，與由設置於該半導體晶圓之一面上之上述 本發明的感光性黏著劑組成物所構成的黏著劑層。 若依本發明之附黏著劑層半導體晶圓，藉由具備本發 明之感光性黏著劑組成物所構成的黏著劑層，俾可形成黏 著劑層之圖型，同時圖型形成後之黏著性、黏著後之耐熱 性及耐濕信賴性優’故可謀求半導體裝置之組裝製程的效 率化及半導體裝置之信賴性提昇。 又’本發明係提供一種半導體裝置，其特徵在於藉由 上述本發明之感光性黏著劑組成物而黏著半導體元件與半 導體元件搭載用支持構件而成者。 本發明之半導體裝置係從藉由半導體元件與半導體元 件搭載用支撐構件，由圖型形成性、圖型形成後之黏著性 '黏著後之耐熱性（亦即高溫黏著性）及耐濕信賴性優之 感光性黏者劑組成物來黏合，故亦可充分對應於製造製程 的簡略化’且可具備優異之信賴性。 又本發明係提供一種半導體裝置之製造方法，其特徵 爲具有如下之步驟’即使用上述本發明之感光性黏著劑組 成物’黏者半導體兀件與半導體元件搭載用支持構件。 若依本發明之半導體裝置的製造方法，因使用本發明 之感光性黏著劑組成物’故可提供具有優異信賴性之半導 體裝置。又’若依本發明之半導體裝置的製造方法，可信 -13- 200907004 賴性佳地製造具有各種功能、形態之半導體裝置。 發明之效果 若依本發明’可提供一種圖型形成性、圖型形成後之 黏著性、黏著後之耐熱性及耐濕信賴性優，形成爲薄膜狀 時係於低溫貼黏性亦優之感光性黏著劑組成物、使用此之 薄膜狀黏著劑'黏著薄片、黏著圖型、附黏著劑層之半導 體晶圓、半導體裝置及半導體裝置之製造方法。 用以實施發明之最佳形態 以下，視情況一邊參照圖面一邊詳細說明有關本發明 之適當實施形態。又，圖面中，同一或相當部分係賦予同 一符號，省略重複之說明。又，上下左右等之位置關係只 要無特別聲明，依據圖面所示之位置關係。進一步，圖面 之尺寸比率係不限定於圖示之比率。 本發明之感光性黏著劑組成物，其係含有：（A )鹼 可溶性樹脂、（B )環氧樹脂、（C )轄射線聚合性化合物 、與（D )光引發劑，其特徵在於：（D )光引發劑係至 少含有（D 1 )藉由輻射線之照射來顯現可促進（B )環氧 樹脂之聚合及/或硬化反應之功能的光引發劑。 構成本發明之感光性黏著劑組成物的（A )鹼可溶性 之樹脂，係可舉例如鹼可溶性基、具體上係具有羧基及/ 或羥基之熱塑性樹脂。如此之熱塑性樹脂係可舉例如聚醯 亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚醚醯亞胺 -14- 200907004 樹脂、聚胺基甲酸酯醯亞胺樹脂、聚 胺樹脂、矽氧烷聚醯亞胺樹脂、聚酯 之共聚物、其等之前驅體（聚醯胺酸 脂、聚颯樹脂、聚苯並噁唑、聚醚颯 脂、甲酚酚醛清漆樹脂、聚苯撐基硫 聚醚酮樹脂、重量平均分子量爲1萬 烯酸共聚物等。此等係可一種單獨使 使用。 又，依需要而於此等之外亦可添 之上述樹脂。 又，（A )鹼可溶性之樹脂係就 而言，宜具有羧基之樹脂。進一步， 脂係宜爲於末端或側鏈具有鹼可溶性 溶性基爲羥基時，宜爲酚性羥基。 本發明之薄膜狀黏著劑於晶圓背 制半導體晶圓之翹曲觀點，宜爲 2 0〜150°C，尤宜爲 25〜100°C。爲可 故宜使薄膜狀黏著劑之Tg爲150°C 感光性黏著劑組成物之（A )鹼可溶 溫度（Tg )宜爲150°C以下，更宜爲--2 0〜8 0 °C。若（A )鹼可溶性之樹脂纪 晶圓背面的貼黏溫度超過200°C之可 面貼合後的翹曲有易發生之傾向，若 階段狀態之薄膜表面的沾黏性太強， 胺基甲酸酯醯胺醯亞 醯亞胺樹脂、或其等 )之外，尙有苯氧樹 樹脂、酚酚醛清漆樹 醚樹脂、聚酯樹脂、 〜100萬之（甲基）丙 用或組合兩種以上而 加不具有鹼可溶性基 可得到良好之顯像性 (A)鹼可溶性之樹 基之樹脂。又，鹼可 面的貼黏溫度係從抑 20〜200 °C ，更宜爲 在上述溫度之貼黏， 以下。因此，使用於 性的樹脂之玻璃轉移 20〜l〇〇°C，尤宜爲 3 τ g超過1 5 0 °c，於 能性變高，於晶圓背 Tg不足- 20°c，於B 有處理性變差之傾向 -15- 200907004 。決定後述之聚醯亞胺樹脂的組成時，宜以其Tg成爲 1 5 (TC以下之方式進行設計。 又，（A )鹼可溶性之樹脂的重量平均分子量係宜控 制於10000〜300000之範圍內，更宜爲10000〜100000，尤 宜爲10000〜80000。若重量平均分子量在上述範圍內，使 感光性黏著劑組成物形成片狀或薄膜狀時之強度，可撓性 、及沾黏性變良好，又，因熱時流動性變佳，故可確保於 基板表面之配線段差的良好埋入性。又，若上述重量平均 分子量不足1 0000，有薄膜形成性變差之傾向，若超過 3 00000，熱時之流動性變差，對於基板上之凹凸的埋入性 有降低之傾性，又，（a )鹼可溶性之樹脂對鹼顯像液之 溶解性有降低之傾向。 藉由使（A )鹼可溶性之樹脂的Tg及重量平均分子量 爲上述範圍內，俾可抑制晶圓背面之貼黏溫度至很低，同 時亦可降低使半導體元件黏著固定於半導體元件搭載用支 撐構件時之加熱溫度（黏晶溫度），可抑制半導體元件之 翹曲的增大。又，可有效地賦予本發明之特徵的黏晶時之 流動性或顯像性。 又，所謂上述之Tg係使（A )鹼可溶性之樹脂進行薄 膜化時之主分散峯値溫度’使用Rheometrics公司製黏彈 性分析計「RS A-2」（商品名）’以昇溫速度5 °C /分、頻 率1HZ、測定溫度-150~3 00 °C之條件進行測定，測定Tg 附近之tan 6峯値溫度’以此作爲主分散溫度。又，所謂 上述重量平均分子量係使用島津製作所社製高速液體色層 -16- 200907004 分析「C-R4A」（商品名），而以聚苯乙烯換算所測定時 之重量平均分子量。 又，（A )鹼可溶性之樹脂係就耐熱性及黏著性而言 ，宜爲聚醯亞胺樹脂。聚醯亞胺樹脂係例如使四羧酸二酐 與二胺以公知之方法縮合反應來得到。亦即，在有機溶劑 中，使四羧酸二酐與二胺以等莫耳，或依需要而相對於四 羧酸二酐之合計l.Omol’二胺之合計宜爲〇.5〜2.0mol，更 宜爲以〇 _ 8 ~ 1 . 0 mo 1的範圍調整組成比（各成分之添加順序 係任意），以反應溫度8 0 °C以下，宜以0〜6 (TC加成反應 。隨反應進行，反應液之黏度徐緩地上昇，生成聚醯亞胺 樹脂的前驅體之聚醯胺酸。又，爲抑制黏著劑組成物之各 特性的降低，故上述四羧酸二酐係宜以乙酸酐進行再結晶 精緻處理者。 又，有關上述縮合反應中之四羧酸二酐與二胺的組成 比，相對於四羧酸二酐之合計1 · 〇m〇l，若二胺之合計超過 2 .Omol，於所得到之聚醯亞胺樹脂中有胺末端之聚醯亞胺 寡聚物的量變多之傾向，聚醯亞胺樹脂之重量平均分子量 變小，含有黏著劑組成物之耐熱性的各種特性有降低之傾 向。 又，所得到之聚醯亞胺樹脂的重量平均分子量成爲 1000 0〜3 00000，宜適當決定四羧酸二酐與二胺之饋入的組 成比。 聚醯亞胺樹脂係可使上述反應物（聚醯胺酸）脫水閉 環而得到。脫水閉環係可以加熱處理之熱閉環法、使用脫 -17- 200907004 水劑之化學閉環法等。 使用來作爲聚醯亞胺樹脂的原料之四羧酸二酐並無特 別限定，可舉例如均苯四甲酸二酐、3,3’，4,4’-聯苯基四羧 酸二酐、2,2’，3,3’-聯苯基四羧酸二酐、2,2-雙（3,4-二羧 基苯基）丙烷二酐、2,2-雙（2,3-二羧基苯基）丙烷二酐 、1,1-雙（2,3-二羧基苯基）乙烷二酐、1，1-雙（3,4-二羧 基苯基）乙烷二酐、雙（2,3-二羧基苯基）甲烷二酐、雙 (3,4-二羧基苯基）甲烷二酐、雙（3,4-二羧基苯基）颯 二酐、3,4,9，10-芘四羧酸二酐、雙（3,4-二羧基苯基）醚 二酐、苯-1,2,3,4-四羧酸二酐、3,4,3’，4’-二苯甲酮四羧酸 二酐、2,3,2’，3’-二苯甲酮四羧酸二酐、3,3,3’，4’-二苯甲 酮四羧酸二酐、1,2,5,6-萘四羧酸二酐' 1,4,5,8-萘四羧酸 二酐、2,3,6,7-萘四羧酸二酐、1,2,4,5-萘四羧酸二酐、 2.6- 二氯萘-1，4,5,8-四羧酸二酐、2,7-二氯萘-1，4,5,8-四羧 酸二酐、2,3,6,7-四氯萘-1,4,5,8-四羧酸二酐、菲-1,8,9，10-四羧酸二酐、吡嗪-2,3,5,6-四羧酸二酐、噻吩- 2.3.5.6- 四羧酸二酐、2,3,3’，4’-聯苯基四羧酸二酐、 3,4,3’，4’-聯苯基四羧酸二酐、2,3,2’，3’-聯苯基四羧酸二 酐、雙（3,4-二羧基苯基）二甲基矽烷二酐、雙（3,4-二 羧基苯基）甲基苯基矽烷二酐、雙（3,4-二羧基苯基）二 苯基矽烷二酐、1,4-雙（3,4-二羧基苯基二甲基甲矽烷基 )苯二酐、1，3-雙（3,4-二羧基苯基）-1,1 ,3,3-四甲基二環 己烷二酐、對苯撐基雙（偏苯三甲酸酐）、亞乙基四羧酸 二酐、1,2,3,4-丁烷四羧酸二酐、十氫萘-1,4,5,8-四羧酸二 -18- 200907004 酐、4,8-二甲基-1，2,3,5,6,7-六氫萘-1，2,5,6-四羧酸二酐、 環戊烷-1,2,3,4-四羧酸二酐、吡咯烷-2,3,4,5-四羧酸二酐 、1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐、雙（外型-雙環〔2,2,1〕庚 烷-2,3-二羧酸二酐、雙環-〔2,2,2〕-辛-7-烯-2,3,5,6-四羧 酸二酐、2,2-雙（3，4-二羧基苯基）丙烷二酐、2,2-雙〔4-(3,4-二羧基苯基）苯基〕丙烷二酐、2,2-雙（3,4-二羧基 苯基）六氟丙烷二酐、2,2-雙〔4- (3,4-二羧基苯基）苯 基〕六氟丙烷二酐、4,4’-雙（3,4-二羧基苯氧基）二苯基 硫醚二酐、I,4-雙（2_羥基六氟異丙基）苯雙（偏苯三甲 酸酐）、1，3-雙（2-羥基六氟異丙基）苯雙（偏苯三甲酸 酐）、5- (2,5-二氧四氫呋喃基）-3-甲基-3-環己烯-1,2-二 羧酸二酐、四氫呋喃-2,3,4,5-四羧酸二酐、以下述通式（5 )所示之四羧酸二酐等。 [化6]
〔式中，a表示2〜20之整數〕 以上述通式（5 )所示之四羧酸二酐，例如可從單氯 化偏苯三甲酸酐及對應之二醇進行合成。具體上係可舉例 如I,2-(亞乙烯）雙（偏苯三甲酸酐）、：1,3-(三亞甲基 -19- 200907004 )雙（偏苯三甲酸酐）、1,4-(四亞甲基）雙（偏苯三甲 酸酐）、：1,5-(五亞甲基）雙（偏苯三甲酸酐）、1,6-( 六亞甲基）雙（偏苯三甲酸酐）、1，7-(七亞甲基）雙（ 偏苯三甲酸酐）、：1,8-(八亞甲基）雙（偏苯三甲酸酐） 、1,9-(九亞甲基）雙（偏苯三甲酸酐）、1，1〇-(十亞甲 基）雙（偏苯三甲酸酐）、：1,12-(十二亞甲基）雙（偏苯 三甲酸酐）、：1 , 1 6 -(十六亞甲基）雙（偏苯三甲酸酐）、 1，1 8 -(十八亞甲基）雙（偏苯三甲酸酐）等。 又，四羧酸二酐係從對溶劑賦予良好的溶解性及耐濕 信賴性之觀點，宜爲以下述式（6 )或（7 )所示之四羧酸 [化7]
〇 0
[化8]
如以上之四羧酸二酐係可一種單獨使用或組合兩種以 上而使用。 -20- 200907004 可使用來作爲上述聚醯亞胺樹脂的原料之二胺宜爲以 下述式（8) 、 （9) 、 （10)或（11)所示之芳香族二胺 。此等以下述式（8 )〜（U )所示之二胺係宜爲全二胺之 1〜5 0莫耳％。藉此，而可於鹼顯像液中調製可溶之聚醯亞 胺樹脂。 [化9]
COOH (8 ) [化 10] h2n CH,—— NH,
HOOC
\^^COOH (9) [化 11]
h2n. NH-
HO (1 0) (1 可使用來作爲上述聚醯亞胺樹脂的原料之其他的二胺 -21 - 200907004 並無特別限定，可舉例如鄰苯二胺、間苯二胺、對苯二胺 、3,3’ -二胺基二苯基醚、3,4’ -二胺基二苯基醚、4,4’-二 胺基二苯基醚、3,3’-二胺基二苯基甲烷、3,4’·二胺基二苯 基甲烷、4,4’-二胺基二苯基醚甲烷、雙（4-胺基- 3,5-二甲 基苯基）甲烷、雙（4-胺基-3,5-二異丙基苯基）甲烷、 3,3’-二胺基二苯基二氟甲烷、3,4’-二胺基二苯基二氟甲烷 、4,4’-二胺基二苯基二氟甲烷、3,3’-二胺基二苯基颯、 3,4’ -二胺基二苯基颯、4,4’ -二胺基二苯基颯、3,3’ -二胺 基二苯基硫醚、3,4’-二胺基二苯基硫醚、4,4’-二胺基二苯 基硫醚、3,3’ -二胺基二苯基酮、3,4’ -二胺基二苯基酮、 4,4’-二胺基二苯基酮、2,2-雙（3-胺基苯基）丙烷、2,2’-雙（3，4’-二胺基二苯基）丙烷、2,2-雙（4-胺基苯基）丙 烷、2,2 -雙（3-胺基苯基）六氟丙烷、2,2 -雙（3,4’-二胺 基二苯基）六氟丙烷、2,2-雙（4-胺基苯基）六氟丙烷、 1.3- 雙（3-胺基苯氧基）苯、1,4-雙（3-胺基苯氧基）苯、 1.4- 雙（4-胺基苯氧基）苯、3,3’- ( 1,4-苯撐基雙（1-甲 基乙叉基））雙苯胺、3,4’- (U4-苯撐基雙（1-甲基乙叉 基））雙苯胺、4,4’-(1,4-苯撐基雙（1-甲基乙叉基）） 雙苯胺、2，2-雙（4-(3-胺基苯氧基）苯基）丙烷、2,2-雙 (4- (3-胺基苯氧基）苯基）六氟丙烷、2,2-雙（4- (4-胺 基苯氧基）苯基）六氟丙烷、雙（4-(3-胺基苯氧基）苯 基）硫醚、雙（4- ( 4-胺基苯氧基）苯基）硫醚、雙（4-(3-胺基苯氧基）苯基）颯、雙（4- ( 4-胺基苯氧基）苯 基）颯、3，3 ’ -二羥基-4,4 ’ -二胺基聯苯基、3 , 5 -二胺基安 -22 - 200907004 息香酸等之芳香族二胺、1,3-雙（胺基甲基）環己烷、 2,2-雙（4-胺基苯氧基苯基）丙烷、以下述通式（12)所 示之脂肪族醚二胺、以下述通式（1 3 )所示之脂肪族二胺 、以下述通式（1 4 )所示之矽氧烷二胺等。 [化 13] H2N—Q1—fo—Q2)^-〇—q3-nh2 (12) 〔式中，Q1、Q2及Q3係分別獨立地表示碳數1〜1〇之烷撐 基，b表示2〜8〇之整數〕 [化 14] H2N-fcH2·)—NH2 (13) Ο 〔式中，C表示5〜20之整數〕 [化 15]Q5H2N—Q4 - ii-IQ6 Q7 I ·〇—Si- Q8 -q9-nh 2 (14) 〔式中，Q4及Q9係分別獨立地表示亦可具有碳數1〜5之 烷撐基或取代基之苯撐基，Q5、Q6、Q7及Q8係分別獨立 -23- 200907004 地表示碳數1〜5之烷撐基、苯基、苯氧基，d表示1〜5之 整數〕 以上述通式（1 2 )所示之脂肪族醚二胺，具體上可舉 例如以下述式： [化 16]
HsN-fCHz^O-rCHz^TO-tCHz^-NHz 邮彻辦他古04CH古CKCH古NH2 ffel^CH^O-fCHa^-OTCHzVO-^HsVO'fCHiVNHz H2N-iCHz)j{-〇4CH2V}r〇'^H2V^^2 Mw=350 H2N"fCH2^-f-〇-4CH2)i}；' 〇·(〇Ηζ^ΝΗ2 Mw=750 H2N-fCH23i-F(HCH2)7^-〇-fCH£^rNH2 Mw=1100 H2N*(CH2^T〇-(CH2^^-〇-fCH2^-NH2 Mw=2100
HsN-CHCCHs^CHz^O-CHiCHsHCHz^-O-ecHz^CHCCHa^NHs Mw=230 H2N-CH(CH3HCH2幷〇-CH(CH3HCH2>^~〇4CH2fCH(CH3)-NH2 Mw=400
HzN-CHiCHsHCi^^Eo-CHiCHsKCH^ 〇-tCH2K35(CH3f-NH2 Mw=2000 所示之脂肪族二胺之外，尙可舉例如以下述通式（1 5 )所 示之脂肪族醚二胺。 [化 17]
NH
CH3 I ch3 ch3 2—CHCH2--("Ο—CHCH2-)j'0—CHCHj
•NH 2 (15) 〔式中，e表示0〜80之整數〕 以上述通式（1 3 )所示之脂肪族二胺具體上可舉例如 1，2 -二胺基乙烷、1 , 3 -二胺基丙烷、1，4 -二胺基丁烷、1 , 5 - 二胺基戊烷、1，6-二胺基己烷、1,7-二胺基庚烷、1,8-二胺 基辛烷、1，9 -二胺基壬烷、1，1 0 -二胺基癸烷、1，11 -二胺基 -24 - 200907004 十一碳烷、1,12 -二胺基十二碳烷、1，2 -二胺環己烷等。 以上述通式（1 4 )所示之矽氧烷二胺具體上係就式（ 14)中之d爲1者，可舉例如1,1，3,3-四甲基-1,3-雙（4-胺基苯基）二矽氧烷、1,1,3,3_四苯氧基-1,3-雙（4-胺基 乙基）二矽氧烷、1，1,3,3 -四苯基-1,3 -雙（2 -胺基乙基） 二矽氧烷、1,1,3,3 -四苯基-1,3 -雙（3 -胺基丙基）二矽氧 烷、1 , 1，3,3 -四甲基-1 , 3 -雙（2 -胺基乙基）二矽氧烷、 1,1,3,3-四甲基-1,3-雙（3-胺基丙基）二矽氧烷、1,1,3,3-四甲基-1,3 -雙（2-胺基丁基）二矽氧烷、1，3 -二甲基-1,3-二甲氧基-1，3-雙（4-胺基丁基）二矽氧烷等，就d爲2者 ，1，1,3, 3, 5, 5-六甲基-1,5-雙（3-胺基丙基）三矽氧烷、 1.1.5.5- 四苯基-3,3-二甲基-1,5_雙（3-胺基丙基）三矽氧 烷、1,1,5,5 -四苯基_3,3_二甲氧基- Id -雙（4_胺基丁基） 三矽氧烷、1,1,5,5-四苯基-3,3-二甲氧基-1,5-雙（5-胺基 戊基）三矽氧烷、1,1,5,5-四甲基-3, 3-二甲氧基-1,5-雙（ 2-胺基乙基）三矽氧烷、1,1,5,5-四甲基-3,3-二甲氧基- 1.5- 雙（4-胺基丁基）三矽氧烷、1,1，5,5-四甲基-3,3-二甲 氧基-1,5-雙（5-胺基戊基）三矽氧烷、1,1,3,3,5,5-六甲 基-1,5 -雙（3 -胺基乙基）三矽氧烷、1,1,3,3,5,5 -六乙基-1,5 -雙（3 -胺基丙基）三矽氧烷、1,1,3,3,5,5-六丙基-1,5-雙（3-胺基丙基）三矽氧烷等。 上述二胺係可一種單獨使用或組合兩種以上而使用。 又，上述聚醯亞胺樹脂係可一種單獨使用或依需要而 組合（b 1 e n d )兩種以上而使用。 -25- 200907004 又’如上述般，決定聚醯亞胺樹脂之組成時 Tg成爲150 °C以下之方式進行設計，聚醯亞胺樹 的二胺，宜使用以上述通式（1 5 )所示之脂肪族 以上述通式（1 5 )所示之脂肪族醚二胺具體上係 Sun Techno Chemical (股）製 Jeffamine D-230 D-2000 ' D-4000 、 ED-600 、 ED-900 、 ED-2000 、 、BASF (股）製聚醚胺 D-230、D-400、D-2000 烷撐基二胺等之脂肪族二胺。此等之二胺係宜爲 1〜80莫耳％，更宜爲5〜60莫耳％。若此量不足1 有低溫黏著性、熱時流動性的賦予變困難之傾向 若超過80莫耳％，聚醯亞胺樹脂之Tg太低，有 自己支撐性的傾向。 聚醯亞胺樹脂係可藉由四羧酸二酐與具有羧 之二胺的反應來得到，藉此，於聚醯亞胺係可導 二胺之羧基。使用聚醯亞胺樹脂作爲（A)鹼可 脂時，藉適當調整二胺之種類及其饋入比、反應 以Tg爲150 °C以下、Mw爲5000〜150000之聚醯 尤佳。 在本發明之感光性黏著劑組成物中’ （A ) 量係從圖型形成性及黏著性之觀點’宜以感光性 成物之固形分全量作爲基準而爲5~90重量％ 20〜80重量％。若此含量不足20重量％，有損及 性之傾向，若超過80重量％ ’有圖型形成性及黏 之傾向。 ，宜以其 脂之原料 醚二胺。 可舉例如 .D-400 、 EDR-148 等之聚氧 全二胺之 莫耳％， ，另外， 損薄膜之 基與胺基 入源自於 溶性之樹 條件等， 亞胺樹脂 成分之含 黏著劑組 ，更宜爲 圖型形成 著性降低 -26- 200907004 於本發明所使用之（B )環氧樹脂宜於分子內至少含 有2個以上之環氧基者，就硬化性或硬化物特性而言，更 宜爲酚之縮水甘油基醚型之環氧樹脂。如此之樹脂係可舉 例如雙酚A型（或AD型、S型、F型）的縮水甘油基醚 、添加氫之雙酚A型的縮水甘油基醚、環氧乙烷加成物雙 酚A型的縮水甘油基醚、環氧丙烷加成物雙酚A型的縮 水甘油基醚、酚酚醛清漆樹脂之縮水甘油基醚、甲酚酚醛 清漆樹脂之縮水甘油基醚、雙酚A酚醛清漆樹脂之縮水甘 油基醚、萘樹脂之縮水甘油基醚、3官能型（或4官能型 )的縮水甘油基醚、二環戊二烯酚樹脂之縮水甘油基醚、 偶體酸之縮水甘油基酯、3官能型（或4官能型）的縮水 甘油基胺、萘樹脂之縮水甘油基胺等。此等係可一種單獨 使用或組合兩種以上而使用。 又，（B)環氧樹脂係使用使雜質離子之鹼金屬離子 、鹼土族金屬離子、鹵素離子、尤其鹵素離子或水解性氯 等降低至3 0 Op pm以下之高純度品，但從防止電子遷移或 防止金屬導體電路的腐蝕之觀點，佳。 在本發明之感光性黏著劑組成物中，（B )成分之含 量係相對於（A)成分100重量份宜爲0.1〜200重量份， 更宜爲2〜50重量份。若此含量超過200重量份，於鹼水 溶液之溶解性降低，有圖型形成性降低之傾向。另外，若 上述含量不足2重量份，有高溫黏著性變低之傾向。 於本發明之感光性黏著劑組成物中依需要而可含有環 氧樹脂之硬化劑。此硬化劑可舉例如酚系化合物、脂肪族 -27- 200907004 胺、脂環族胺、芳香族聚胺、聚醯胺、脂肪族酸酐、脂環 族酸酐、芳香族酸酐、二氰二醯胺、有機酸二聯胺、三氟 化硼胺錯合物、咪唑類、第3級胺等。此等之中，宜爲酚 系化合物，更宜於分子中具有至少2個以上之酚性羥基的 酚系化合物。如此之化合物係可舉例如酚酚醛清漆、甲酚 酚醛清漆、第三丁基酚酚醛清漆、二環戊二烯甲酚酚醛清 漆、二環戊二烯酚酚醛清漆、二甲苯改性酚酚醛清漆、萘 酚系化合物、三酚系化合物、四酚酚醛清漆、雙酚A酚醛 清漆、聚對乙烯基酚、酚芳烷基樹脂等。此等之中，數目 平均分子量宜爲400〜1500之範圍內者。藉此，半導體裝 置組裝加熱時可抑制半導體元件或裝置等之污染的原因之 加熱時的釋氣。 進一步，在本發明之感光性黏著劑組成物中依需要而 含有硬化促進劑。此硬化促進劑係只要爲使環氧樹脂硬化 即可，無特別限定，可舉例如咪唑類、二氰二醯胺衍生物 、二羧酸二聯胺、三苯基磷、四苯基磷鑰四苯基硼酸鹽、 2-己基-4-甲基咪唑-四苯基硼酸酯、丨，8_二偶氮雙環〔 5_4.0〕i 碳烯-7 -四苯基硼酸酯、以加熱產生鹼之胺基 甲酸酯系鹼產生劑等。感光性黏著劑組成物中之硬化促進 劑的含量係相對於環氧樹脂1 000質量份宜爲0.〇1~5〇重 量份。 又’本發明之感光性黏著劑組成物所含有的（C )輻 射線聚合性化合物係只要爲藉紫外線或電子束等之輻射線 的照射進行聚合及/或硬化之化合物即可，無特別限制。 -28 - 200907004 輻射線聚合性化合物之具體例可舉例如丙烯酸甲酯、甲基 丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯 、甲基丙烯酸丁酯、丙烯酸2 -乙基己酯、甲基丙烯酸2 -乙 基己酯、戊烯基丙烯酸酯、四氫糠基丙烯酸酯、四氫糠基 甲基丙烯酸酯、二乙二醇二丙烯酸酯、三乙二醇二丙烯酸 酯、四乙二醇二丙烯酸酯、二乙二醇二甲基丙稀酸醋、三 乙二醇二甲基丙烯酸酯、四乙二醇二甲基丙烯酸酯、三羥 甲基丙烷二丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、三羥甲 基丙烷二甲基丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三甲基丙烯酸醋、 1，4-丁二醇二丙烯酸酯、ι，6-己二醇二丙烯酸酯、i,4_丁二 醇二甲基丙烯酸酯、1，6-己二醇二甲基丙烯酸酯、季戊四 醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、季戊四醇三甲基丙 烯酸酯、季戊四醇四甲基丙烯酸酯、二季戊四醇六丙儲酸 醋、二季戊四醇六甲基丙烯酸酯、苯乙烯、二乙烯基苯、 4 -乙儲基甲苯、4 -乙烯基吡啶、N -乙烯基吡咯烷酮、2_羥 乙基丙烯酸酯、2_羥乙基甲基丙烯酸酯、丨，3_丙烯醯氧_2_ 翔基丙丨兀、1，2_甲基丙燦醯氧_2_經基丙院、亞甲基雙丙稀 醯胺、N，N -二甲基丙烯醯胺、甲基丙烯醯胺、三（ /3-經基乙基）三聚異氰酸酯之二丙烯酸酯、三（羥基 乙基）異氰酸酯之二丙烯酸酯、以下述通式（16)所示之 化合物、環氧基丙烯酸酯、胺基甲酸酯丙烯酸酯或胺基甲 酸酯甲基丙烯酸酯、及尿素丙烯酸醋等。 -29- 200907004 [化 18] R41 ^C^C— Q— il o-(ch2ch2o
R42 (式中，R41及R42係分別獨立地表示氫元子或甲 g分別獨立地表示1以上之整數） 上述之胺基甲酸酯丙烯酸酯或胺基甲酸酯甲 酯係藉由例如二醇類、以下述通式（1 7 )所示之 化合物、及以下述通式（1 8 )所示之化合物之反 k 06) 基，f及 基丙烯酸 異氰酸酯 應來生成 [化 19] (NCO)h
OCN—R43—NCO (17) 〔式中，R43係表示碳數1〜30之2價或3價的窄 表示0或1〕 機基，η [化 20] R44H2C=c—C—Ο—R45-〇HΟ (18) 不氫原子或甲基’ R45係表示亞甲 基或丙撐 基〕 -30- 200907004 上述尿素甲基丙烯酸酯係藉由例如以下述式（19)所 示之二胺與以下述通式（20)所示之化合物之反應來生成 [化 21] Η2Ν—R46—NH2 (19) 〔式中，R4 6係表示碳數2〜30之2價的有機基〕 [化 22]
〔式中，η表示〇或1〕 對如以上之化合物之外，含有官能基之乙烯基共聚物 使具有至少一個之乙烯性不飽和基、與環氧乙烷環、異氰 酸酯基、羥基、及羧基等之官能基的化合物加成反應而得 到，且於側鏈具有乙烯性不飽和基之輻射線聚合性共聚物 等。 此等之輻射線聚合性化合物係可一種單獨使用或組合 兩種以上而使用。其中以上述通式（16)所示之輻射線聚 合化合物係就充分賦予硬化後之耐溶劑性而言，佳，胺基 甲酸酯丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯及三聚異氰酸酯改性丙烯 酸酯係就充分賦予硬化後之高黏著性而言，佳。 -31 - 200907004 在本發明之感光性黏著劑組成物中，（c )成分之含 量相對於（A )成分100重量份宜爲20~200重量份，更宜 爲30〜100重量份。若此含量超過200重量份，藉聚合熱 熔融時之流動性會降低，熱壓接時之黏著性有降低之傾向 。另外，若不足5重量份，曝光所產生之光硬化後的耐溶 劑性變低，有很難形成圖型之傾向。 本發明之感光性黏著劑組成物所含有之（D 1 )藉由輻 射線之照射來顯現促進前述環氧樹脂之聚合及/或硬化反 應之功能的光引發劑。可舉例如藉輻射線照射而產生鹼之 光鹼產生劑、藉輻射線照射而產生酸之光酸產生劑等。 在本發明之感光性黏著劑組成物中係宜使用光鹼產生 劑作爲（D 1 )成分。此時，可進一步提昇於感光性黏著劑 組成物之被黏附物的高溫黏著性及耐濕信賴性。認爲此理 由係從上述化合物所產生之鹼可有效率地作用爲環氧樹脂 之硬化觸媒，俾可更進一步提高交聯密度。 又，藉由於感光性黏著劑組成物含有光鹼產生劑，可 提昇交聯密度，並可更降低高溫放置時之釋氣。 又，於感光性黏著劑組成物所含有之（A )鹼可溶性 的樹脂具有鹼可溶性基之羧基及/或羥基時，若此等之基 的含有比率變高，恐硬化後之吸濕率的上昇及吸濕後之黏 著力降低。對此，若依上述感光性黏著劑組成物’藉由調 配可以輻射線之照射產生鹼的化合物，俾可降低上述羧基 及/或羥基與環氧樹脂的反應後殘存之羧基及/或羥基’並 可以更高水準使耐濕信賴性及黏著性與圖型形成性倂存。 -32- 200907004 又，光鹼產生劑只要爲輻射線照射時產生鹼的化合物 即可，並無特別限制。所產生之鹼一般係可使用酸解離常 數之對數的P K a値作爲鹼性之指標’在水溶液中之Ρ κ a値 宜爲7以上之鹼，更宜爲8以上之鹼。 於如此之輻射線照射時所產生之鹼可舉例如咪唑、 2，4-二甲基咪唑、1-甲基咪唑等之咪唑衍生物、六氫化吡 嗪（Piperazine) '2,5 -二甲基六氫化吡嗪等之六氫化吡嗪 衍生物、六氫化卩比D定、1，2 _二甲基六氫化卩比D定等之六氫化 吡啶衍生物、卟啉衍生物、三甲基胺、三乙基胺、三乙醇 胺等之三烷基胺衍生物、4-甲基胺基吡啶、4_二甲基胺基 吡啶等之於4位上胺基或烷基胺基進行取代之吡啶衍生物 、毗咯、正甲基吡咯等之吡咯衍生物、三乙二胺、〗，8 -二 偶氮雙環（5.4.0)十一碳稀_1(DBU)等之脂環式胺衍生 物、苯甲基甲基胺、苯甲基二甲基胺、苯甲基二乙基胺等 之苯甲基胺衍生物、嗎啉衍生物、1級烷基胺等。 使如上述之鹼藉輻射線照射而產生之光鹼產生劑’可 使用可舉例如 Journal of Phototpolymer Science and Technology 12 卷、313 〜314 項（1999 年）或 Chemistry of Materials 11卷’ 170~176項（1999年）寺所g己載之4級 銨鹽衍生物。此等係受活性光線之照射生成高鹼性的三烷 基胺，故最適於（B )成分之環氧樹脂的硬化。 又，光鹼產生劑係可使用 Journal of American Chemical S ociety 1 1 8 卷 1 2 9 2 5 頁（1 9 9 6 年）或 P o 1 y m e r Journal 28卷7 9 5頁（1 996年）等所記載之胺基甲酸衍生 -33- 200907004 物。 又’藉活性光線的照射產生之1級胺基的肟衍生物、 光自由基產生劑所市售的2 -甲基-1- (4•(甲基硫）苯基 )-2 -嗎琳基丙垸-1-嗣（ciba Specialty Chemical 公司製、 1“3(：11“ 907)、2-苯甲基-2-二甲基胺基-1-(4-嗎啉基苯 基）-丁酮-1 (Ciba Specialty Chemical 公司製、Irgacure 369) 、3,6-雙-(2甲基-2嗎啉基-丙醯基）-9-N-辛基咔唑 (ADEKA公司製、Optomer -N-1414)、六芳基雙咪唑衍 生物（鹵素、烷氧基、硝基、氰基等之取代基被苯基取代 )、苯並異噁唑酮衍生物等。 又，光鹼產生劑係亦可使用於高分子之主鏈及/或側 鏈導入產生鹼之基的化合物。此時之分子量係從作爲黏著 劑之黏著性、流動性之觀點，宜重量平均分子量爲 1000〜100000，更宜爲 5000〜30000。 上述光驗產生劑係以在室溫下不照射輻射線之狀態， 不顯示與（B )成分之環氧樹脂反應，故具有在室溫之貯 存安定性非常優之特徵。 在本發明所使用之上述（D 1 )光引發劑係從耐熱性之 觀點，宜爲具有以下述通式（2 1 )所示之肟酯基的化合物 、及/或以下述通式（22)或以下述通式（23)所示之嗎 啉環之化合物。此等之化合物係可一種單獨使用亦可組合 而使用。 -34- 200907004 [化 23]
/ R52 =N—Ο—C—R53
II o (21) [化 24] 0 CH； R^-C—i-N I CH,
(22) [化 25] Α~λ iH3 ii ? ?H3/-\ °\ /N~f—C-R55-C—0-/ b (23) ch3 ch3 N~/ 〔式中’ R51及R52係分別獨立地表示氫原子、碳數I〜7 之烷基、或含有芳香族系烴基的有機基，R53係表示碳數 1〜7之烷基、或含有芳香族系烴基的有機基。又，式中 R54及R55表示含有芳香族系烴基的有機基。〕 上述芳香族系烴基並無特別限制，但可舉例如苯基、 萘基、苯偶因衍生物、昨唑衍生物、硫離蒽酮衍生物、及 二苯甲酮衍生物等。又，芳香族系烴基亦可具有衍生物。 進一步，上述（D1 )光引發劑係宜對於波長3 65 nm 之光的分子吸光係數爲l〇〇〇ml/g · cm以上。又，分子吸 光係數係調製試樣之0.001重量％乙腈溶液，對於此溶液 使用分光光度計（曰立High technologies公司製、「11-3 3 1 0」（商品名））而測定吸光度來求出。 -35- 200907004 又，上述（D 1 )光引發劑係就降低釋氣及高溫黏著性 提昇而言，宜5%質量減少溫度爲150°C以上者。光引發劑 之5 %質量減少溫度係意指使用微分熱熱重量同時測定裝 置（SII、Nano technolgy 製：TG/DTA63 00 )，以昇溫速 度l〇°C /分、氮氣流（400ml/分）下測定時之試樣時之5% 質量減少溫度。 作爲上述（D 1 )光引發劑尤佳者係具有肟酯基及/或 嗎啉環之化合物，對於波長3 65nm之光的分子吸光係數爲 1 〇 0 0 m 1 / g · c m以上且5 %質量減少溫度爲1 8 0 °C以上之化 合物。 如此之（D 1 )光引發劑係可舉例如以下述構造式（；[_ 1 )所示之化合物、以下述構造式（1-2 )所示之化合物、 及以下述構造式（I - 3 )所示之化合物。 -36- 200907004 [化 26]
(Μ) [化 27]
此等之化合物係可一種單獨使用亦可組合而使用。 又，除了使用藉輻射線照射產生鹼之光鹼產生劑外， 尙可藉光Fleece移位、光Cleisen移位、Curtius移位、 Stevens移位等之反應而產生鹼，可進行（B)成分之環氧 樹脂的硬化。 本發明之感光性黏著劑組成物含有光鹼產生劑時，可 依需要而倂用增感劑。此增感劑可舉例如樟腦驅、苯甲基 、二乙醯基、苯甲基二甲基縮醛、苯甲基二乙基縮醛、苯 甲基（2 -甲氧基乙基）縮醒、4,4’-二甲基苯甲基_二甲基 -37- 200907004 縮醛、蒽醌、卜氯蒽醌、2-氯蒽醌、1，2-苯並蒽醌、1-羥 基蒽醌、1-甲基蒽醌、2 -乙基蒽醌、1-溴蒽醌、硫離蒽酮 、2 -異丙基硫離蒽酮、2 -硝基硫離蒽酮、2 -甲基硫離蒽酮 、2,4-二甲基硫離蒽酮、2,4-二乙基硫離蒽酮、2,4-二異丙 基硫離蒽酮、2-氯-7-三氟甲基硫離蒽酮、硫離蒽酮-l〇，l〇-二氧化物、硫離蒽酮-1 0-氧化物、苯偶因甲基醚、苯偶因 乙醚、異丙基醚、苯偶因異丁基醚、二苯甲酮、雙（4_二 甲基胺基苯基）酮、4,4’-雙二乙基胺基二苯甲酮、含疊氮 基之化合物等。此等係可單獨使用或兩種類以上倂用而使 用。 本發明之感光性黏著劑組成物含有具肟酯基及/或嗎 啉環之化合物作爲（D 1 )成分時，於感光性黏著劑組成物 中可更進一步含有其他之光引發劑。使用感光性黏著劑組 成物作爲膜厚3〇μιη以下之黏著劑層時，亦可單獨含有具 肟醋基及/或嗎啉環之化合物，但形成膜厚5〇μιη以上之黏 著劑層時係宜倂用其他之光引發劑。 其他之先引發劑宜於300〜500nm具有吸收者，更宜進 一步藉光照射而進行交聯化者。 如此之光引發劑係可舉例如2_苯甲基-2-二甲基胺-^ (4_嗎咐基苯基）-丁酮_〗、2,2•二甲氧基-丨，2_二苯基乙 烷-1-酮、1-羥基-環己基-苯基-酮、2·甲基_：!_ ( 4_ (甲基 硫）苯基）_2_嗎啉基丙酮-丨、2,4_二乙基硫離蒽酮、2_乙 基蒽酮、菲醌等之芳香族酮、苯甲基二甲基縮醛等之苯甲 基衍生物、2-(鄰氯苯基）_4,5_二苯基咪唑偶體、2_ (鄰 -38- 200907004 氯苯基）-4,5-二（間甲氧基苯基）咪π坐偶體、2-(鄰氟苯 基）-4,5-苯基咪唑偶體、2-(鄰甲氧基苯基）-4,5-二苯基 咪唑偶體、2-(對甲氧基苯基）-4,5-二苯基咪唑偶體、 2,4-二（對甲氧基苯基）-5 -苯基咪唑偶體、2- (2,4 -二甲 氧基苯基）-4,5 -二苯基咪唑偶體等之2,4,5 -三芳基咪唑偶 體、9 -苯基吖啶、1，7 -雙（9，9 ’ -吖啶基）庚烷等之吖啶衍 生物、雙（2,6-二甲氧基苯甲醯基）_2,4,4-三甲基-戊基磷 氧化物、雙（2,4,6-三甲基苯甲醯基）_苯基磷氧化物等之 雙醯基磷氧化物等之中的U V照射而光退色之化合物。此 等係可單獨使用或組合兩種類以上而使用。 在本發明之感光性黏著劑組成物中，（D )成分之含 量係無特別限定，但相對於（B )成分1 〇 〇重量份，宜爲 0.0 1〜5 0重量份。 進一步’在本發明之感光性黏著劑組成物中，亦可使 用塡充劑。上述塡充劑係可舉例如銀粉、金粉、銅粉、鎳 粉等之金屬塡充劑、氧化鋁、氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸 釣、碳酸鎂、砂酸釣、砂酸鎂、氧化耗、氧化鎂、氧化銘 、氮化銘、結晶性二氧化砂、非晶性二氧化砂、氮化硼、 氧化鈦、玻璃、氧化鐵、陶瓷等之無機塡充劑、碳、橡膠 系塡充劑等之有機塡充劑等，無關種類、形狀等而可使用 ，無特別限制。 上述塡充劑係可依所希望之功能而分開使用。例j % # 屬塡充劑係於感光性黏著劑組成物中賦予導電性、_丨專_ 性、搖變性等之目的而添加，非金屬無機塡充劑係就對黏 -39- 200907004 著劑層賦予熱傳導性、低熱膨脹性、低吸濕性 添加，有機塡充劑係就對黏著劑層賦予韌性等 加。此等金屬塡充劑、無機塡充劑、或有機塡 種單獨使用或組合兩種以上而使用。其中，可 體裝置用黏者材料所尋求之導電性、熱傳導性 性、絕緣性等而言，宜爲金屬塡充劑、無機塡 性之塡充劑，在無機塡充劑或絕緣性之塡充劑 樹脂凡立水之分散性良好，且可賦予熱時高 曰’更宜爲二氧化砂薄膜及/或氧化銘塡充劑。 上述塡充劑之平均粒徑宜爲1〇μιη以下， 30μιη以下’更宜平均粒徑爲5μιη以下，最大| 以下。若平均粒徑超過10 μη!，且平均粒徑超連 難得到破壞韌性提昇之效果的傾向。下限無特 —般任一者均爲Ο.ΟΟΙμιη。 上述塡充劑係宜滿足平均粒徑宜1 Ομιη以 徑30μιη以下之兩者。若使用最大粒徑爲30μιη 粒徑超過1 Ομιη之塡充劑，有很難得到高的黏 向。又，若使用平均粒徑爲1 〇 μιη以下’但若 徑超過30μηι之塡充劑，粒徑分布變廣’有黏 現參差不齊之傾向，同時加工感光性黏著劑組 狀而使用時，表面變粗，有黏著力降低之傾向 上述塡充劑之平均粒徑及最大粒徑之測定 例如使用掃描型電子顯微鏡（SEM )，而測定 的塡充劑粒徑之方法等。使用SEM之測定方 等之目的而 之目的而添 充劑係可一 賦予於半導 、低吸濕特 充劑或絕緣 之中宜對於 之黏著力而 最大粒徑爲 ί徑爲2 0 μ m ! 3 0 μ m，很 別限制，但 下、最大粒 以下但平均 著強度之傾 使用最大粒 著強度易出 成物成薄膜 〇 方法係可舉 200個左右 法可舉例如 -40- 200907004 使用黏著劑層而使半導體元件與半導體搭載用支撐構件黏 著之後，加熱硬化（宜爲150~200°C、1〜10小時），以製 作試樣，切割此試樣之中心部分’以SEM觀察其截面之 方法等。此時，粒徑30μιη以下之塡充劑的存在機率宜爲 全塡充劑的8 0 %以上。 在本發明之感光性黏著劑組成物中，上述塡充劑之含 量係依據賦予之特性、或功能來決定’但相對於樹脂成分 與塡充劑之合計宜爲1〜50重量％ ’更宜爲2〜40重量％， 最宜爲5〜30重量％。藉由增量塡充劑，謀求高彈性率化， 可有效率地提昇切割性（切割機刃之切割性）、線黏性（ 超音波效率）、熱時之黏著強度。使塡充劑增量至必要以 上，有損及熱壓著性之傾向，故塡充劑之含量宜規定於上 述之範圍內。爲求取所求得之特性的均衡，決定最適塡充 劑含量。使用塡充劑時之混合、混練係可使一般之攪拌機 、石磨機、三根輥、球磨機等之分散機適當組合而實施。 於本發明之感光性黏著劑組成物中爲使異種材料間之 界面結合良好，亦可添加各種偶合劑。偶合劑可舉例如矽 烷系、鈦系、鋁係等，其中就效果高之點，宜爲矽烷系偶 合劑。上述偶合劑之使用量係從其效果或耐熱性及成本之 方面，相對於所使用之（A )鹼可溶性的樹脂1 00重量份 ，宜爲0.01〜2 0重量份。 在本發明之感光性黏著劑組成物中，係爲吸附離子性 雜質，使吸濕時之絕緣信賴性良好，亦可進一步添加離子 捕捉劑。如此之離子捕捉劑係無特別限制，可舉例如三嗪 -41 - 200907004 硫醇化合物、用以防止雙酚系還原劑等之銅進行離子化而 溶出之抗銅害劑爲人所知之化合物、鉻系、銻鉍系鎂锆化 合物等之無機離子吸附劑等。上述離子捕捉劑之使用量係 從添加之效果或耐熱性、成本等而言，相對於（A )鹼可 溶性的樹脂1 0 0重量份，宜爲0.0 1 ~ 1 0重量份。 圖1係表不本發明之薄膜狀黏著劑的一實施形態之模 式截面圖。 圖1所示之薄膜狀黏著劑（黏著薄膜）1係使上述感 光性黏著劑組成物成形爲薄膜狀者。圖2係表示本發明之 黏著薄片的一實施形態的模式截面圖。圖2所示之黏著薄 片1 00係由基材3、與設於此之一方面上的黏著薄膜1所 構成的黏著劑層來構成。圖3係表示本發明之黏著薄片的 另一實施形態的模式截面圖。圖3所示之黏著薄片1 1 0係 由基材3、與設於此之一方面上的黏著薄膜1所構成的黏 著劑層與覆蓋膜2來構成。 一種薄膜狀黏著劑1，其係可以如下方法來得到，該 方法係使含有：（A)鹼可溶性樹脂、（B )環氧樹脂、（ C )輻射線聚合性化合物、及含有（D 1 )藉由輻射線之照 射來顯現促進環氧樹脂之聚合及/或硬化反應之功能的光 引發劑之（D )光引發劑、以及、依需要所添加之其他的 成分於有機溶劑中進行混合，混練混合液而調製凡立水， 於基材3上形成此凡立水之層，藉加熱乾燥凡立水層之後 ’除去基材3之方法。此時’未除去基材3而亦可以黏者 薄片100、110之狀態保存及使用。 -42- 200907004 上述之混合及混練係可使一般之攪拌機、石磨機、三 根輥、球磨機等之分散機適當組合而實施。又，於乾燥中 以（B )環氧樹脂等之熱硬化性樹脂不充分反應之溫度， 且以溶劑充分揮發之條件乾燥。具體上，一般藉由6 0〜1 8 0 °C、0.1〜9 0分鐘加熱，俾乾燥凡立水層。乾燥前之上述凡 立水層的較佳厚度爲1~1〇〇μπι。若此厚度不足Ιμιη，有損 及黏著固定功能之傾向，若超過ΙΟΟμιη，有後述之殘存揮 發成分變多之傾向。 所得到之凡立水層的較佳殘存揮發成分爲1 〇重量％以 下。若此殘存揮發成分超過1 〇重量％，組裝加熱時之溶劑 揮發所產生的發泡爲原因，於黏著劑層內部空穴不易殘存 ，有損耐濕信賴性之傾向，又，有污染加熱時所產生之揮 發成分造成的周邊材料、或構件的可能性亦變高之傾向。 又，上述殘存揮發成分之測定條件係如下般。亦即，對於 切割成5 0 m m X 5 0 m m大小之薄膜狀黏著劑，以初期之質量 爲Ml，使此薄膜狀黏著劑在160 °C之烘箱中加熱3小時後 之質量爲M2， 〔 （M2-M1) /Ml〕xl〇〇 =殘存揮發成分（ % )時之値。 又，所謂上述之熱硬化性樹脂不充分反應之溫度，具 體上係使用DSC (例如Perkin Elmer公司製「DSC-7型」 (商品名）），試樣量：10mg、昇溫速度：5°C /分、測定 環境：空氣之條件所測定時之反應熱的峯値溫度以下之溫 度。 使用於凡立水之調製的有機溶劑亦即凡立水溶劑係只 -43- 200907004 要爲可使材料均一地溶解或分散者，並無特別限定。可舉 例如一甲基甲醯胺、甲苯、苯、二甲苯、甲乙酮、四氫呋 喃、乙基溶纖劑、乙基溶纖劑乙酸酯、二噁烷、環己酮、 乙酸乙酯、及N-甲基-吡咯烷酮等。 基材3係只要爲可承受上述乾燥條件者即可，無特別 限制。例如’可使用聚酯薄膜、聚丙烯薄膜、聚對苯二甲 酸乙二酯薄膜、聚醯亞胺薄膜、聚醚醯亞胺薄膜、聚醚萘 酸醋薄膜、甲基戊烯薄膜作爲基材3。作爲基材3之薄膜 係亦可爲組合2種以上之多層薄膜，亦可表面被聚矽氧系 、二氧化矽系等之離型劑等處理者。 又’亦可層合本發明之薄膜狀黏著劑1與切割薄片， 形成黏著薄片。上述切割薄片係於基材上設有黏著劑層之 薄片’上述黏著劑層係亦可爲感壓型或輻射線硬化型之任 一者。又’上述之基材宜爲可展開之基材。藉由形成如此 之黏著薄片，可得到一倂具有作爲黏晶薄膜之功能與作爲 切割薄片之功能的切割黏晶一體型黏著薄片。 就上述切割黏晶一體型黏著薄片而言具體上如圖4所 示般，可舉例如基材薄膜7、黏著劑層6及本發明之薄膜 狀黏著劑1依此順序所形成之黏著薄片1 20。 圖6係表示本發明之附黏著劑層半導體晶圓的一實施 形態之上面圖，圖6係沿著圖5之IV-IV線的端面圖。圖 5、6所示之附黏著劑層半導體晶圓20係具備半導體晶圓 8、與由設於其一者面上之上述感光性黏著劑組成物所構 成之薄膜狀黏著劑（黏著劑層）！。 -44- 200907004 附黏著劑層半導體晶圓20係於半導體晶圓8上藉一 邊加熱薄膜狀黏著劑1 一邊積層來得到。薄膜狀黏著劑1 係由上述感光性黏著劑組成物所構成之薄膜，故例如可於 室溫（2 5 °C )〜1 5 0 °C左右的低溫貼黏於半導體晶圓8。 圖7、圖9係表示本發明之黏著劑圖型的一實施形態 之上面圖，圖8係沿著圖7之V-V線的端面圖，圖1 〇係 沿著圖9之VI-VI線的端面圖。於圖7、8、9、10所示之 黏著劑圖型1 a及1 b係在作爲被黏附物之半導體晶圓8上 ，以具有沿著略正方形之邊的圖型或正方形之圖型的方式 來形成。 黏著圖型1 a及1 b係使由感光性黏著劑組成物所構 成之黏著劑層1形成於作爲被黏附物之半導體晶圓8上而 得到附黏著劑層半導體晶圓2 0，使黏著劑層1介由光罩而 曝光’使曝光後之黏著劑層1藉鹼顯像液進行顯像處理來 形成。又’藉此，可得到形成黏著圖型1 a、1 b之附黏著 劑層半導體晶圓20a、20b。 就本發明之薄膜狀黏著劑的用途而言，使用圖面而具 體地說明有關具備薄膜狀黏著劑之半導體裝置。又，近年 已提出各種構造之半導體裝置，不限定於以下說明之構造 的半導體裝置。 圖11係表示本發明之半導體裝置的一實施形態之模 式截面圖。在圖11所示之半導體裝置200中，半導體元 件12係介由本發明之薄膜狀黏著劑1而黏著於半導體元 件搭載用支撐構件13,半導體元件12之連接端子（未圖 -45- 200907004 示）係藉由線路14而與外部連接端子（未圖示）電氣連 接，藉密封材1 5而密封。 又圖12係表示本發明之半導體裝置的另一實施形態 之模式截面圖。在圖12所示之半導體裝置210中，第一 段之半導體元件1 2a係介由本發明之薄膜狀黏著劑1而黏 著於形成端子16之半導體元件搭載用支撐構件13,第一 段之半導體元件12a之上進一步介由本發明之薄膜狀黏著 劑1而黏著於第二段之半導體元件12b。第一段之半導體 元件12a及第二段之半導體元件12b之連接端子（未圖示 )係藉由線路14而與外部連接端子（未圖示）電氣連接 ，藉密封材而密封。如此，本發明之薄膜狀黏著劑係亦可 適宜使用於複數重疊半導體元件之構造的半導體裝置。 圖π及圖12所示之半導體裝置（半導體封裝）係例 如使圖9所示之半導體晶圓 20b沿著虛線D而切割，使 切割後之附薄膜狀黏著劑之半導體元件加熱壓接於半導體 元件搭載用支撐構件1 3而連接兩者，其後，可藉由線黏 合步驟、依需要而以密封材所產生之密封步驟等的步驟來 得到。上述加熱壓接之加熱溫度一般爲20〜2 5〇°C，荷重一 般爲0.01〜20kgf，加熱時間一般爲0.1 -3 00秒。 【實施方式】 實施例 以下，依據實施例及比較例而更具體地說明本發明， 但本發明係不限定於以下之實施例。 -46- 200907004 (聚醯亞胺PI-1的合成） 於具備攪拌機、溫度計、冷卻管、及氮取代裝置之燒 瓶內饋入3 ,5 -二胺基安息香酸（分子量152.2、以下稱爲 「DABA」）1.89g、脂肪族醚二胺（BASF公司製r d-400 」（商品名）、分子量 452.4) 15.21g、l，l，3，3 -四甲基-1,3-雙（4-胺基苯基）二矽氧烷（信越化學製「lp_7100」 (商品名）、分子量248.5) 0.39g、及N -甲基_2_吡咯院 酮（以下稱爲「NMP」）U6g。 然後’使上述燒瓶在冷浴中冷卻4,4，-氧二酞酸二酐 (分子里326.3，以下稱爲「〇DpA」）16 88旦，同時並於 於燒瓶內少量少里地添加。添加終了後，進一步在室溫 25°C )下攪拌5小時。 其次，於上述燒瓶上安裝附有水分接受器之回流冷卻 ’一邊吹入氮氣，一邊昇溫至180〇c
亞胺樹脂之T g爲5 5 t 器，加入二甲苯7〇g， 而保持其溫度5小時 (聚醯亞胺PI - 2的合成） 於具備攪拌機、 溫度計、及氮取代裝置之燒瓶內饋入 -47- 200907004 5,5’-亞甲基-雙（鄰氨基苯甲酸）（Anthranilic acid)( 分子量286.3、以下稱爲「MBAA」）2.16g、脂肪族醚二 胺（「D-400」）15.13g、1，1，3,3-四甲基雙（4_ 胺基 苯基）二矽氧院（「LP-7100」）1.63g、及 NMP 115g。 然後，使上述燒瓶在冷浴中冷卻ODPA 16.51g,同時 並於該燒瓶內少量少量地添加。添加終了後，進—步在室 溫下攪拌5小時。其次，於該燒瓶上安裝附有水分接受器 之回流冷卻器，加入—甲苯81g，一邊吹入氮氣，一邊昇 溫至1 8 0 °C而保持其溫度5小時，使水及二甲苯共沸除去 。使如此所得到之溶液冷卻至室溫後，投入於蒸飽水中而 再沉澱，得到聚醯亞胺樹脂（以下稱爲聚醯亞胺PI _ 2 )。 測定所得到之聚醯亞胺樹脂的GPC後，以聚苯乙燦換算 ’爲Mw = 3 000〇。所得到之聚醯亞胺樹脂之Tg爲31。(：。 (聚醯亞胺PI-3的合成） 於具備攪拌機、溫度計、及氮取代裝置之燒瓶內饋入 2,2’-雙（4-(4-胺基苯氧基）苯基）丙烷（分子量410、 以下稱爲「ΒΡΑΑ」）20.5g、及 NMP l〇lg。 然後’使上述燒瓶在冷浴中冷卻1,2-(乙烯基）雙（ 偏苯三甲酸酐）（分子量410.3、以下稱爲「EBTA」） 2 0.5 g ’同時並於該燒瓶內少量少量地添力D。添加終了後 ’進一步在室溫下攪拌5小時。其次，於該燒瓶上安裝附 有水分接受器之回流冷卻器，加入二甲苯67g，一邊吹入 热氣’一邊昇溫至1 8 0 C而保持其溫度5小時，使水及二 -48- 200907004 甲苯共沸除去。使如此所得到之溶液冷卻至室溫後，投入 於蒸餾水中而再沉澱，得到聚醯亞胺樹脂（以下稱爲聚醯 亞胺PI-3)。測定所得到之聚醯亞胺樹脂的GPC後’以 聚苯乙嫌換算，爲Mw = 98000。所得到之聚醯亞胺樹脂之 Tg 爲 180。。。 (實施例1~7及比較例1~4 ) 分別使用上述之聚醯亞胺-1〜3，以下述表1所示之組 成比（單位：質量份）調配各成分，得到感光性黏著劑組 成物（黏著劑層形成用凡立水）。 又，表1及表2中之各成分的記號係意指下述者。 E-3708: Dacil-Cytec公司製、環氧基丙烯酸酯。 U-2PPA :新中村化學公司製、胺基甲酸酯丙烯酸酯。 YDF-8170 ：東都化成公司製、雙酚F型環氧樹脂。 BEO-60E ：新日本理化公司製、雙酚A雙（三乙二醇縮水 甘油基醚）醚。
Tris P-PA :本州化學公司製、三酣化合物（α,α, α’-三 (4-羥基酚）-1-乙基-4-異丙基苯）。 R972 :日本Aerosil公司製、疏水性揮發二氧化矽（平均 粒徑約1 6 n m )。 1-819: Ciba Specialty Chemicals 公司製、雙（2,4,6-三甲 基苯甲醯基）-苯基磷氧化物（5 %重量減少溫度：2 1 0 °C、 3 6 5 nm之分子吸光係數：23 00ml/g. cm)。 I-OXE01 ： Ciba Specialty Chemicals 公司製、2,4-二甲氧 -49- 200907004 基-1，2-二苯基乙烷-卜酮、1，2-辛二酮，1-〔4-(苯基硫）-,2- ( 0-苯甲醯基肟）〕、含肟酯基的光引發劑（5%重量 減少溫度：220°C、3 65nm之分子吸光係數：7000ml/g · cm )。 I-OXE02 : Ciba Specialty Chemicals 公司製、乙酮、1-〔 9 -乙基-6- (2 -甲基苯甲醯基）-9H -咔唑-3-基〕-,1-(0 -乙 醯基肟）、含肟酯基的化合物（5%重量減少溫度：3 70 °C 、365nm之分子吸光係數：7700ml/g. cm)。 1-907: Ciba Specialty Chemicals 公司製、2 -甲基- l-〔 4-(甲基硫）苯基〕-2-嗎啉基丙烷、含嗎啉環之光引發劑（ 5%重量減少溫度：220 °C、3 6 5 nm之分子吸光係數： 45 Oml/g · cm )。 N-1919: ADEKA公司製、構造未揭示、含肟酯基之光引 發劑（5 %重量減少溫度：2 8 0 °C、3 6 5 nm之分子吸光係數 :4 5 0 0 m 1 / g · cm)。 11414:八0£1<：八公司製、3,6-雙-(2甲基-2嗎啉基-丙醯 基）-9 - N -辛基咔π坐、含嗎啉基之光引發劑（5 %重量減少 溫度：350 T：、365nm之分子吸光係數：2000ml/g. cm) ο OXAZ: Aldrich公司製、3 -苯基-5-異噁唑酮、含脂酯基之 化合物（5 %重量減少溫度：1 4 0 °C、3 6 5 nm之分子吸光係 數：< 1 Oml/g · cm )。 NMP:關東化學公司製、N -甲基-2-吡咯烷酮 -50- 200907004 又，光引發劑之5 %重量減少溫度係值 量同時測定裝置（SII、Nano technolgy製 )，以氮氣流：400ml/分之條件下所測定之 用微分熱熱重 ：TG/DTA63 0 0 値。 -51 - 200907004 【1槲1 實施例 Γ**· ! 100 o ο m ο ΙΟ m I I 1 1 CO 211 <D 1 100 o ο 1〇 ο ιη ie> Cvi I 1 1 t— -1 212 ΙΩ 100 1 o 寸 ο ΙΟ ο l〇 CM 1 1 210 寸 100 1 〇 ο ο ΙΟ to CM I 1 1 1 200 CO 1 100 o ο ιη ο ιο l〇 C>i r— ! 1 1 1 210 CM 1 100 o ο ιο ο ιο in in t— ! 1 1 1 203 r— 100 I o ο ΙΤ) ο ιο u> I I CO 1 1 1 200 調配 r~ 丄 a Csl I a E—3708 U-2PPA YDF-8170 ΒΕΟ-60 巨 < a I a u w J- R-972 1-819 I -OXEOI I -OXE02 I -907 a) r· 0) Τ Ι z ! N-1 41 4 NMP 聚醯亞胺 輻射線聚合性 化合物 環氧樹脂 硬化劑 塡充劑 光引發劑 塗佈溶劑 -52- 200907004 [表2] 配合 比較例 1 2 3 4 聚醯亞胺 PI-1 一 — 一 100 Ρί-2 100 - 100 ΡΙ-3 一 100 — — 輻射線聚合性 化合物 Ε-3708 40 - 40 40 U—2ΡΡΑ 40 一 40 40 環氧樹脂 YDF-8170 5 5 5 5 BEO-60E 10 10 10 10 硬化劑 Trls P — PA 5 5 5 5 塡充劑 R-972 5 5 5 5 光引發劑 1-819 3 - 1.5 一 OXAZ — 一 1.5 3 塗佈溶劑 NMP 270 200 254 245 使所得到之黏著劑層形成用凡立水以乾燥後之膜厚成 爲5 Ομιη之方式，分別塗佈於基材（剝離劑處理PET薄膜 )上，在烘箱中以8 0 °C加熱3 0分鐘，繼而以1 2 0 °C加熱 3 〇分鐘，得到於基材上形成黏著劑層而成之實施例1〜7及 比較例1-4之黏著薄片。 <低溫貼黏性之評估> 在載置於支撐台上之矽晶圓（6英吋徑、厚400μιη) 之背面（與支撐台相反側之面），藉由使黏著劑層爲矽晶 側而以輥（溫度l〇〇°C、線壓4kgf/cm、輸送速度0.5m/分 )加壓於實施例1〜7及比較例1 -4所得到之黏著薄片俾進 -53- 200907004 行層合。然後，剝離基材（PET薄膜）’於黏著劑層上使 厚80μιη、寬l〇mm、長40mm之聚醯亞胺薄膜（宇部興產 公司製，「U p i 1 e X」（商品名））以與上述同樣的條件藉 醌進行加壓而層合。對於如此做法所準備之試樣’使用流 變儀（東洋製機製作所公司製，「STROGRAPH E-S」（ 商品名）），在室溫進行90°剝離’測定黏著劑層-Upilex 間之剝離強度。依據其測定結果’以剝離強度爲2N/cm以 上之試樣爲A’並以不足2N/cm之g式樣爲B而進行評估。 其結果表示表3及表4。 <圖型形成形之評估> 使黏著薄片於矽晶圓（6英吋徑、厚40〇μηι )上’實 施例1〜7及比較例1、3、4之黏著薄片係以溫度1 0 〇 °C， 比較例2之黏著薄片係以溫度3 0 0 °C ’使黏著劑層爲矽晶 圓側而以輥進行加壓（線壓4kgf/cm、輸送速度〇·51»/分） 俾進行層合。 然後，於基材（PET薄膜）上載置負型圖型用掩膜（ 曰立化成公司製，「No.G-2」（商品名））’以局精度平 行曝光機（OAK製作所製、「EXM-1 172-B-oo」（商品名 ))以5 00mJ/cm2進行曝光，在80°C之加熱板上放置約 3 0秒。 然後，除去基材（PET薄膜）’使用輸送帶式顯像機 (Yako公司製），而以氫氧化四甲基銨（TMAH) 2.38質 量％溶液作爲顯像液’以溫度28°C、 噴塗壓0.18MPa的 -54- 200907004 條件進行噴塗顯像後，以溫度23 °c之純水以噴塗壓 0.0 2 MP a的條件進行水洗。顯像後以目視確認是否形成線 寬/間隙寬=200μιη/400μπΐ之圖型’以形成圖型時作爲A， 未形成圖型時作爲B而進行評估。其結果表示於表3及4 中。 <感度之評估> 使黏著薄片於矽晶圓（6英吋徑、厚400μπΐ)上，實 施例1〜7及比較例1、3、4之黏著薄片係以溫度1 0 0 °C， 比較例2之黏著薄片係以溫度3 0 0 °C，使黏著劑層爲矽晶 圓側而以輥進行加壓（線壓4kgf/cm、輸送速度〇.5m/分） 俾進行層合。 然後’於基材（PET薄膜）上載置階段性光透過量減 少之被通稱爲階變表（Step tablet)之光罩（日立化成工 業公司製’ 「Photek 41 step density tablet 」（商品名） )作爲負型圖型用掩膜，以高精度平行曝光機（OAK製作 所製、「EXM-1172-B-oo」（商品名））以 500mJ/cm2 進 行曝光’在8 0 °C之加熱板上放置約3 〇秒。 然後’除去基材（PET薄膜），使用輸送帶式顯像機 (Yako公司製）’而以氫氧化四甲基銨（tmAH) 2.38質 直％溶液作爲顯像液，以溫度2 6艺、噴塗壓〇 .丨8 M p a的條 件進行噴塗顯像後，以溫度2 3 C之純水以噴塗壓〇 · 〇 2 Μ p a 的條件進行水洗。顯像後，繼而，藉由測定形成於矽晶圓 上之硬化膜的階變表之段數，俾評估黏著薄片之光感度。 -55- 200907004 依據其測定結果，以殘存段數爲25段數以上時作爲A， 2 5段數以下時作爲B而進行評估。其結果表示於表3及4 < 2 6 0 °C剝離強度之測定（高溫時之黏著性的評估）> 使砂晶圓（6英吋徑、厚400μιη)半切割至5mmx5mm 之大小且深1 80μιη。其後，使黏著薄片於已半切割處理之 矽晶圓上，實施例1 ~7及比較例1、3、4之黏著薄片係以 溫度l〇〇°C，比較例2之黏著薄片係以溫度3 00°C，使黏 著劑層爲矽晶圓側而以輥進行加壓（線壓4kgf/cm、輸送 速度0.5m/分）俾進行層合。繼而，使所得到之試樣以高 精度平行曝光機（〇AK製作所製、「EXM-1172-B-oo」（ 商品名））以5 00mJ/Cm2進行曝光，在80°C之加熱板上放 置約3 0秒。然後，除去基材（PET薄膜），使試樣個片 化成 5mmx5mmo 使已個片化之附黏著劑層的矽晶圓，於玻璃基板（ 10mmxl0mmx0.55mm)上，以黏著劑層爲玻璃基板側而載 置，以2kgf加壓，同時並以120 °C壓接10秒。使如此所 得到之試驗片在烘箱中以1 2 0 °c、3小時之條件加熱硬化 。其後，使試驗片於2 6 0 °C之熱盤上加熱1 0秒，使用圖 13所示之剝離強度測定裝置，而以測定速度：0.5mm/Sec 的條件測定在26(TC之矽晶圓的剝離強度，以此時之値作 爲2 60 °C剝離強度（吸濕前）。又，吸濕後之260 t剝離 強度係使已加熱硬化之試驗片在85°C /85%RH之恆溫恆濕 -56- 200907004 槽中放置4 8小時後’與上述同樣做法而測定在2 6 0 °C之剝 離強度。其等之結果表示於表3及表4中。 又，在圖1 3所示之剝離強度測定裝置中’係於已安 裝有推拉力計31之桿的前端上取手32以支點33之四周 設計成可變換角度。繼而’ 2 6 0 °C剝離強度的測定係具有 突起部之矽晶圓3 4與玻璃基板3 5介由黏著劑層1而黏著 之試驗片載置於260 °C之熱盤36上’以對矽晶圓34之突 起部扣上取手3 2之狀態，使取手3 2以0 · 5 mm/秒移動時 的剝離應力以推拉力計31進行測定。 <黏著劑硬化物之5%重量減少溫度> 使黏著薄片於矽晶圓（6英吋徑、厚400μιη)上’實 施例1〜7及比較例1、3、4之黏著薄片係以溫度1 〇〇°C， 比較例2之黏著薄片係以溫度3 00°C，使黏著劑層爲矽晶 圓側而以輥進行加壓（線壓4kgf/cm、輸送速度0.5m/分） 俾進行層合。 然後，使所得到之試樣藉高精度平行曝光機（OAK製 作所製、rEXM-1172-B-cx>」（商品名））以 500mJ/cm2 進行曝光，在8 0°C之加熱板上放置約3 0秒。然後，除去 基材（P E T薄膜），在烘箱中以1 2 0 °C、3小時之條件加 熱硬化。使已硬化之黏著劑從矽晶圓上削去，使用微分熱 熱重量同時測定裝置（SII Nano technolgy製：「TG/DTA 63 0 0」（商品名）），以氮氣流：400ml/分之條件下測定 5 %重量減少溫度。其等之結果表示於表3及4中。 -57- 200907004 [表3] 圖型形成性 感度 260。。剝離強度 (MPa) 吸濕前
A
A
A 吸濕後 0.7 5%重量減少溫度(。〇
331 321 實施例 4- 5 6 7 A A A A A A A A B A A A 0.8 0.8 1.0 1.0 0.6 0.6 0.8 0.8 320 340 340 340 读4]
產業上之利用可能性 若依本發明，可提供一種圖型形成性、圖型形成後之 黏著性、黏著後之耐熱性及耐濕信賴性優，形成爲薄膜狀 時係於低溫貼黏性亦優之感光性黏著劑組成物、使用此之 薄膜狀黏著劑、黏著薄片、黏著圖型、附黏著劑層之半導 體晶圓、半導體裝置及半導體裝置之製造方法。 -58- 200907004 【圖式簡單說明】 圖1係表示本發明之薄膜狀黏著劑之一實施形態的模 式截面圖。 圖2係表示本發明之黏著薄片之一實施形態的模式截 面圖。 圖3係表示本發明之黏著薄片之另一實施形態的模式 截面圖。 Η 4係表不本發明之黏著薄片之另一貫施形細的模式 截面圖。 圖5係表示本發明之附黏著劑層半導體晶圓的一實施 形態之上面圖。 圖6係沿圖5之iv-IV線的端面圖。 圖7係表示本發明之黏著劑圖型的一實施形態之上面 圖。 ， 圖8係沿圖7之v-V線的端面圖。 Η 9係表示本發明之黏著劑圖型的一實施形態之上面 圖。 圖1 〇係沿圖9之VI-VI線的端面圖。 圖11係表示本發明之半導體裝置的一實施形態之模 式截面圖。 圖1 2係表示本發明之半導體裝置的另之一實施形態 之模式截面圖。 圖1 3係表示剝離強度測定裝置之槪略圖。 -59 - 200907004 【主要元件符號說明】 1 :薄膜狀黏著劑 1 a :黏著劑圖型 1 b :黏著劑圖型 2 :覆蓋膜 3 :基材 6 :黏著劑層 7 :基材薄膜 8 :半導體晶圓 1 2 :半導體元件 12a :半導體元件 12b :半導體元件 13:半導體元件搭載用支撐構件 1 4 :線路 1 5 :密封材 16 :端子 20a, 2 0b :附黏著劑層之半導體晶圓 3 1 :推拉力計 3 2 :取手 3 3 :支點 34 :矽晶圓 3 5 :玻璃基板 36 :熱盤 100,1 10 :黏著片 -60-

Claims (1)

  1. 200907004 十、申請專利範圍 1 . 一種感光性黏著劑組成物，其爲含有：（A)鹼可溶性 樹脂 (B) 環氧樹脂 (C) 輻射線聚合性化合物及 (D) 光引發劑，之感光性黏著劑組成物，其特徵爲， 該（D)光引發劑，至少含有（D1)光引發劑，其爲藉由輻射 線之照射來顯現促進該環氧樹脂之聚合及/或硬化反應之 機能的光引發劑。（Japanese specification[0096]) 2.如申請專利範圍第1項之感光性黏著劑組成物，其 中該（D 1)光引發劑係藉由輻射線之照射以產生鹼基之化合 物。 3 .如申請專利範圍第〗或2項之感光性黏著劑組成物， 其中該（D 1 )光引發劑係具有肟酯基及/或嗎啉環之化合物。 4.如申請專利範圍第1〜3項中任一項之感光性黏著 劑組成物’其中該（D1)光引發劑之相對於波長3 65nm之光 的分子吸光係數（extinction coefficient)爲 1 000ml/g. cm以上。 5 ·如申請專利範圍第1〜4項中任一項之感光性黏著 劑組成物，其中使該（D1)光引發劑減少5%質量之溫度爲 1 5 0 °C以上。 6.如申請專利範圍第1〜5項中任一項之感光性黏著 劑組成物，其中該（D1)光引發劑係下述構造式（1_1)所示化 合物及/或下述構造式（I-2)所示化合物及/或下述構造式 -61 - 200907004 3)所示化合物 [化1] Mb2] c6h13 \ c= (Μ)
    (I-2)
    7.如申請專利範圍第1〜6項中任一項之感光性黏著 劑組成物，其中該（A)鹼可溶性樹脂之玻璃轉移溫度爲 1 5 0 °C以下。 8 .如申請專利範圍第1〜7項中任一項之感光性黏著劑 組成物，其中該（A)鹼可溶性樹脂爲具有羧基及/或羥基之 樹脂。 9 ·如申請專利範圍第1〜8項中任一項之感光性黏著 -62- 200907004 劑組成物，其中該（A)鹼可溶性樹脂係聚醯亞胺樹脂。 1 〇 ·如申請專利範圍第9項之感光性黏著劑組成物， 其中該聚醯亞胺樹脂係使四殘酸二酐，與分子中具有殘基 及/或經基之二胺反應所得聚醯亞胺樹脂。 1 1 ·如申請專利範圍第丨3或14項之感光性黏著劑組成 物’其中該聚醯亞胺樹脂，係使四羧酸二酐，與下述構造 式（3)所示芳香族二胺及/或下述構造式（4)所示芳香族二胺 反應所得聚醯亞胺樹脂。 [化4]
    [化5] H2N
    nh2 〔4) 1 2 . —種薄膜狀黏著劑，其係使如申請專利範圍第1〜 1 1項中任一項之感光性黏著劑組成物成形爲薄膜狀而成者 13.—種黏著薄片，其特徵爲具備：基材’與由設置 -63- 200907004 於該基材一面上之如申請專利範圍第1〜11項中任一項之 黏著劑組成物所成黏著劑層。 14_一種具有將如申請專利範圍第12項之薄膜狀黏著 劑與切割（dicing)薄片層合而成的層合構造之黏著薄片。 1 5 · —種黏著劑圖型，其特徵爲，將由如申請專利範 圍第1〜Π項之感光性黏著劑組成物所成黏著劑層形成於 被黏附物（adherend)上’使該黏著劑層介由光罩曝光，將 曝光後之該黏著劑層藉由鹼顯影液進行顯影處理而形成。 16.—種附黏著劑層半導體晶圓，其特徵爲具備：半 導體晶圓，與由設置於該半導體晶圓一面上之如申請專利 範圍第1〜11項中任一項之感光性黏著劑組成物所成黏著 劑層。 1 7 · —種半導體裝置，其特徵爲，藉由如申請專利範 圍第1〜1 1項中任一項之感光性黏著劑組成物黏著半導體 元件與半導體元件搭載用支持構件者。 18.—種半導體裝置之製造方法，其特徵爲具有，使 用如申請專利範圍第1〜1 1項中任一項之感光性黏著劑組 成物，黏著半導體元件與半導體元件搭載用支持構件之步 驟。 -64 -
TW097110786A 2007-04-04 2008-03-26 Photosensitive adhesive composition, film-like adhesive, adhesive sheet, adhesive pattern, semiconductor wafer with adhesive layer, semiconductor device and semiconductor device manufacturing method TW200907004A (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007098356 2007-04-04
JP2007239909 2007-09-14

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW200907004A true TW200907004A (en) 2009-02-16

Family

ID=39830609

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW097110786A TW200907004A (en) 2007-04-04 2008-03-26 Photosensitive adhesive composition, film-like adhesive, adhesive sheet, adhesive pattern, semiconductor wafer with adhesive layer, semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20100143673A1 (zh)
EP (1) EP2135910A4 (zh)
JP (1) JP5093229B2 (zh)
KR (2) KR101256332B1 (zh)
TW (1) TW200907004A (zh)
WO (1) WO2008123110A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI620019B (zh) * 2012-05-17 2018-04-01 Taiyo Ink Mfg Co Ltd 鹼顯影型之熱硬化性樹脂組成物、印刷配線板
TWI658063B (zh) * 2012-12-21 2019-05-01 Hitachi Chemical Dupont Microsystems, Ltd. 感光性樹脂組成物、使用其的圖案硬化膜的製造方法、圖案硬化膜及半導體裝置

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5368666B2 (ja) * 2005-05-09 2013-12-18 積水化学工業株式会社 液晶表示素子の製造方法
WO2008041646A1 (fr) * 2006-10-04 2008-04-10 Hitachi Chemical Company, Ltd. Pâte résineuse pour fixation de puce, procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur et dispositif semi-conducteur
KR20120085313A (ko) * 2007-06-06 2012-07-31 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 감광성 접착제 조성물, 필름상 접착제, 접착 시트, 접착제 패턴의 형성방법, 접착제층 부착 반도체 웨이퍼, 반도체 장치, 및, 반도체 장치의 제조방법
KR101184467B1 (ko) * 2008-01-16 2012-09-19 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 감광성 접착제 조성물, 필름상 접착제, 접착 시트, 접착제 패턴, 접착제층 부착 반도체 웨이퍼, 반도체 장치, 및, 반도체 장치의 제조방법
US20110159238A1 (en) * 2008-08-27 2011-06-30 Takashi Kawamori Photosensitive adhesive composition, photosensitive film adhesive, adhesive pattern, semiconductor wafer with adhesive, semiconductor device and electronic component
JP2010189485A (ja) * 2009-02-16 2010-09-02 Lintec Corp 接着剤組成物、接着シートおよび半導体装置の製造方法
JP2010189484A (ja) * 2009-02-16 2010-09-02 Lintec Corp 接着剤組成物、接着シートおよび半導体装置の製造方法
WO2011001942A1 (ja) * 2009-06-30 2011-01-06 日立化成工業株式会社 感光性接着剤、並びにそれを用いたフィルム状接着剤、接着シート、接着剤パターン、接着剤層付半導体ウェハ及び半導体装置
JP5488086B2 (ja) * 2009-07-22 2014-05-14 日立化成株式会社 感光性接着剤組成物、感光性エレメント、レジストパターンの製造方法及び接着体の製造方法
KR101791710B1 (ko) * 2009-10-19 2017-10-30 도레이 카부시키가이샤 감광성 접착제 조성물, 감광성 접착제 시트 및 이들을 이용한 반도체 장치
JP5742501B2 (ja) * 2011-06-17 2015-07-01 日立化成株式会社 接着剤層付き半導体チップの製造方法及び半導体装置の製造方法
JP2013068797A (ja) * 2011-09-22 2013-04-18 Hitachi Chemical Co Ltd 感光性接着剤組成物、これを用いた感光性エレメント、レジストパターンの形成方法及び被接着部材の接着方法
JP5564028B2 (ja) * 2011-11-07 2014-07-30 積水化学工業株式会社 液晶滴下工法用シール剤、上下導通材料及び液晶表示素子
JP5644896B2 (ja) * 2012-07-04 2014-12-24 大日本印刷株式会社 粘接着層及び粘接着シート
JP6266960B2 (ja) * 2013-11-21 2018-01-24 東京応化工業株式会社 感エネルギー性組成物
JP6605821B2 (ja) * 2014-03-14 2019-11-13 株式会社Ａｄｅｋａ 感光性樹脂組成物
KR102630893B1 (ko) 2015-11-25 2024-01-31 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 감광성 수지 조성물 및 이로부터 제조된 경화막
WO2017090879A1 (en) * 2015-11-25 2017-06-01 Rohm And Haas Electronic Materials Korea Ltd. Photosensitive resin composition and cured film prepared therefrom
KR102504338B1 (ko) * 2015-12-03 2023-02-28 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 감광성 수지 조성물 및 이를 이용한 유기 절연막
JP6751312B2 (ja) * 2016-06-02 2020-09-02 日東電工株式会社 真空プロセス用粘着テープ
JP6785122B2 (ja) * 2016-10-24 2020-11-18 東京応化工業株式会社 感光性組成物、及び硬化膜の形成方法
CN110178050A (zh) * 2017-05-19 2019-08-27 沃克斯国际有限公司 具有自动机动化和应用控制的wifi和蓝牙智能室内/室外天线
KR102386491B1 (ko) * 2018-04-20 2022-04-14 후지필름 가부시키가이샤 도열층, 감광층, 감광성 조성물, 도열층의 제조 방법, 및 적층체와 반도체 디바이스
KR20210146882A (ko) * 2019-03-27 2021-12-06 도레이 카부시키가이샤 감광성 수지 조성물, 감광성 수지 시트, 중공 구조의 제조 방법 및 전자 부품
KR102814936B1 (ko) * 2020-12-17 2025-05-29 세키스이가세이힝코교가부시키가이샤 적층판, 빌드업층이 형성된 적층판, 금속박이 형성된 적층판, 및 회로 기판
JP2023010237A (ja) * 2021-07-09 2023-01-20 イビデン株式会社 配線基板及び配線基板の製造方法
KR102378082B1 (ko) * 2021-09-23 2022-03-24 박성호 Dfr 필름 제조 방법
KR102673269B1 (ko) * 2022-01-10 2024-06-05 삼성에스디아이 주식회사 감광성 수지 조성물, 이를 이용한 감광성 수지막 및 반도체 장치

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH089643B2 (ja) * 1987-07-06 1996-01-31 富士写真フイルム株式会社 光重合性組成物
US4950581A (en) * 1987-07-06 1990-08-21 Fuji Photo Film Co., Ltd. Photopolymerizable composition
JPH1124257A (ja) 1997-07-04 1999-01-29 Hitachi Chem Co Ltd 感光性ポリイミド前駆体組成物及びそれを用いたパターン製造法
JP2000290501A (ja) 1999-04-05 2000-10-17 Nitto Denko Corp 感光性ポリイミド樹脂前駆体及び接着剤
JP4135793B2 (ja) * 1999-12-03 2008-08-20 日本化薬株式会社 樹脂組成物、ソルダーレジスト樹脂組成物及びこれらの硬化物
NL1016815C2 (nl) * 1999-12-15 2002-05-14 Ciba Sc Holding Ag Oximester-fotoinitiatoren.
JP4748292B2 (ja) 2000-03-15 2011-08-17 信越化学工業株式会社 フィルム状電子部品用接着剤及び電子部品
TW574263B (en) * 2001-06-28 2004-02-01 Dainippon Ink & Chemicals Active energy ray-curable polyimide resin composition
DE10237950A1 (de) * 2002-08-20 2004-03-11 Tesa Ag UV-initiiert thermisch vernetzte Acrylathaftklebemassen
EP1857276A3 (en) * 2002-09-30 2007-12-05 FUJIFILM Corporation Planographic printing plate precursor
CA2505893A1 (en) * 2002-12-03 2004-06-17 Ciba Specialty Chemicals Holding Inc. Oxime ester photoinitiators with heteroaromatic groups
WO2005019231A1 (ja) * 2003-06-05 2005-03-03 Kaneka Corporation ホスファゼン化合物、及び感光性樹脂組成物並びにその利用
TWI349677B (en) * 2004-03-30 2011-10-01 Nippon Steel Chemical Co Photosensitive resin composition and color filter using the same
JP4570999B2 (ja) * 2004-03-30 2010-10-27 新日鐵化学株式会社 感光性樹脂組成物及びそれを用いたカラーフィルター
JP2006023419A (ja) * 2004-07-07 2006-01-26 Shin Etsu Chem Co Ltd 液晶表示セル用シール剤組成物
JP2006124531A (ja) * 2004-10-29 2006-05-18 Shin Etsu Chem Co Ltd 異方導電性接着剤
JP2006330301A (ja) * 2005-05-25 2006-12-07 Shin Etsu Chem Co Ltd 液晶表示素子用シール剤組成物
KR100996780B1 (ko) * 2005-07-05 2010-11-25 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 감광성 접착제 조성물, 및 이것을 이용하여 얻어지는 접착필름, 접착 시트, 접착제층 부착 반도체 웨이퍼,반도체장치 및 전자부품
US7582398B2 (en) * 2007-06-13 2009-09-01 Xerox Corporation Inkless reimageable printing paper and method
US8449635B2 (en) * 2007-12-06 2013-05-28 Saint-Gobain Abrasives, Inc. Abrasive articles and methods for making same
KR101184467B1 (ko) * 2008-01-16 2012-09-19 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 감광성 접착제 조성물, 필름상 접착제, 접착 시트, 접착제 패턴, 접착제층 부착 반도체 웨이퍼, 반도체 장치, 및, 반도체 장치의 제조방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI620019B (zh) * 2012-05-17 2018-04-01 Taiyo Ink Mfg Co Ltd 鹼顯影型之熱硬化性樹脂組成物、印刷配線板
TWI658063B (zh) * 2012-12-21 2019-05-01 Hitachi Chemical Dupont Microsystems, Ltd. 感光性樹脂組成物、使用其的圖案硬化膜的製造方法、圖案硬化膜及半導體裝置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20100009537A (ko) 2010-01-27
KR20120073358A (ko) 2012-07-04
KR101256332B1 (ko) 2013-04-18
KR101175401B1 (ko) 2012-08-20
EP2135910A4 (en) 2012-02-29
US20100143673A1 (en) 2010-06-10
EP2135910A1 (en) 2009-12-23
JP5093229B2 (ja) 2012-12-12
WO2008123110A1 (ja) 2008-10-16
JPWO2008123110A1 (ja) 2010-07-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW200907004A (en) Photosensitive adhesive composition, film-like adhesive, adhesive sheet, adhesive pattern, semiconductor wafer with adhesive layer, semiconductor device and semiconductor device manufacturing method
JP5120378B2 (ja) 感光性接着剤組成物、フィルム状接着剤、接着シート、接着剤パターンの形成方法、接着剤層付半導体ウェハ、半導体装置、及び、半導体装置の製造方法
CN101910350B (zh) 感光性粘接剂组合物、膜状粘接剂、粘接片、粘接剂图案、带有粘接剂层的半导体晶片、半导体装置及半导体装置的制造方法
TWI411655B (zh) A photosensitive adhesive composition, a film-like adhesive using the same, an adhesive sheet, an adhesive pattern, a semiconductor wafer with an adhesive layer, and a semiconductor device
TWI306886B (zh)
JP6436081B2 (ja) 感光性樹脂組成物、フィルム状接着剤、接着シート、接着剤パターン、接着剤層付半導体ウェハ及び半導体装置
JP5830830B2 (ja) 感光性接着剤組成物、それを用いたフィルム状接着剤、接着シート、接着剤層付半導体ウェハ、半導体装置、感光性接着剤組成物及びフィルム状接着剤の製造方法、並びに接着剤パターンの形成方法
JP5663826B2 (ja) 接着シート、接着剤層付半導体ウェハ、並びに半導体装置及びその製造方法
JP5712475B2 (ja) 感光性接着剤組成物、並びにそれを用いたフィルム状接着剤、接着シート、接着剤パターン、接着剤層付半導体ウェハ及び半導体装置。
JP5332419B2 (ja) 感光性接着剤組成物、フィルム状接着剤、接着シート、接着剤パターン、接着剤層付半導体ウェハ、半導体装置、及び、半導体装置の製造方法
TWI613517B (zh) 感光性樹脂組成物、薄膜狀黏著劑、黏著片、黏著劑圖案、附有黏著劑層之半導體晶圓及半導體裝置
TW200941548A (en) Photosensitive adhesive, semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
JP5994266B2 (ja) 感光性樹脂組成物、フィルム状接着剤、接着シート、接着剤パターン、接着剤層付半導体ウェハ、及び半導体装置