TW201100480A - Electrically conductive polymer compositions for coating applications - Google Patents

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acid
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Tami Janene Faircloth
Che-Hsiung Hsu
Daniel David Lecloux
Hjalti Skulason
Gordana Srdanov
Charles D Lang
Michel Dubeau
Nancy L Gin
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Du Pont
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201100480 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 . 本發明一般關於作為塗層應用之半水性導電聚合物組减 • 物。本發明亦關於電子裝置，其包含自該組成物製成之 層。 本專利申請案依據35 U.S.C. § 119(e)主張2〇〇9年3月12 曰所提出之美國臨時申請案第61/159,624號之優先權，其 以引用方式完整併入本說明書中。 〇 【絲技術】 電子裝置界定一產品類別，該類產品包括活性層。有機 電子裝置具有至少一有機活性層。此裝置轉換電能為輻軻 月b、如發光一極體、透過電子程序之偵測訊號，轉換輻射 能為電能，如光伏打電池，或包括一層或多層有機半導體 層。 有機發光二極體（0LED)係有機電子裝置，其包括能夠 〇 冑致發光的有機層。包含導電聚合物的OLED可具有下列 組態： 陽極/電洞注入層/EL材料/陰極 於電極間另有其他層。—般而言，陽極為具有將電洞生 入EL材料之能力的任何材料，舉例來說，如銦/錫氧化物 (m>)°該陽極係'視需要地支撐在玻璃或塑膠基板。EL發 光材料包括螢光化合物、螢光與麟光金屬複體、共梃聚合 &及^混合物。—般而言’陰極可為具有將電子注入肌材 料之此力的任何材料（舉例來說，如G或如）。具有在⑺2 147037.doc 201100480 至10- S/Cm範圍之低傳導性導電聚合物常用作為直接舆如 1丁0之‘電、無機氧化物陽極直接接觸的電洞注入層。 對於經改善之電洞注入層材料有持續的需求。 【發明内容】 提供一種組成物，其包含已分散於其中之水： (a) 至少一經摻雜至少一多氟化酸性聚合物之導電较合 物， (b) 非傳導性氧化物奈米粒子； (c) 至少一高沸點有機液體；及 (d) 至少一低沸點有機液體。 在另一實施例中，提供一種自上述組成物形成之薄膜。 在另實施例中，提供包括至少一層包含該上述薄厲之 電子裝置。 ' 【實施方式】 此文描述許多態樣與實施例且僅作為例示性而非限制 性。在閱讀本說明書後，熟悉該項技藝者將可認知到在不 偏離本發明之範疇下，亦可能有其他態樣與實施例。 任何一個或多個實施例之其它特徵及效益將於下文紂對 本發明的詳細描述及申請專利範圍中顯而易見。實施方式 首先提出術語之定義及闡明，接著依序說明經摻雜之導電 聚合物、非傳導性氧化物奈米粒子、高沸點有機液體、低 沸點有機液體、導電聚合物組成物之製備、電洞注入層、 電子農置，以及最後為實例。 I用於專利說明書及申請專利範圍術語之定義及闞明 147037.doc 201100480 在提出下述實施例之細節前’先對某些術語加以定義或 闡明。 • 術語「導體」及其變體意指具有電子特性之層材料、堪 件或結構，以使電流流經此層狀材料、構件或結構，電位 不會實質下降。該術語係意指包含半導體。在某些實施例 中，導體將形成具有至少10_7S/cm導電性之層。 當術語「導電」指材料時，該術語意指在材料固有地或 本質上能夠導電’不需要額外添加碳黑或導電金屬粒子。 術語「聚合物」意指具有至少一重複單體單位之材料。 該術語包括具有僅有一型或種類之單體單位的同元聚合 物，或具有兩種或多種不同單體單位的共聚物，該共聚物 係從不同種類之單體單位形成。 術語「酸性聚合物」意指具有酸基的聚合物。 術語「酸基」意指能夠離子化以捐贈氫離子予布氏鹼 (Bronstedbase)的基團。 ❹.術语「多氟化」意指其中至少7〇%與碳鍵結之有效氫已 被氟取代之化合物。 術°°儿王氟化J及「全氟化」可替換地使用，意指化 合物，其中與碳鍵結之所有的可用氫被氟取代。 該組成物可包括—種或更多種不同導電聚合物及一種或 更多種不同的多氟化酸聚合物。 摻雜」私稱導電聚合物時，係意在指稱該導電 聚口物、有聚合性相對離子，以平衡該傳導性聚合物的電 荷。 147037.doc 201100480 術语「經摻雜之傳導性聚合物」意指該導電聚合物及與 該導電聚合物有關的該聚合性相對離子。 術語「層」及術語「膜」可替換地使用，且係指被覆所 要區域之塗層。該術語並未受限於大小。該區域可以大到 如覆蓋一整個裝置，或小到如一指定功能性區域，如實際 視覺顯示區域’或者該區域可如單—次像素般地小。可藉 由任何傳統沉積技術（❹，氣相沉積、液相沉積（連續及 不連續技術）及熱轉印來形成層及薄膜。 術叩不米粒子」係指具有粒子尺寸不大於50 nm之材 料該粒子尺寸係在累積50°/。體積分佈尺寸而決定。 術語「水性」係指含有-大部份水的液體，及在一實施 例中，至少約為40重量％的水；在某些實施例中，至少約 為60重量％的水。 當術語「電洞傳輸」指稱層、材料、構件或結構時，係 思指該層、材料、構件或結構有助於正電荷以相對來說呈 效率且電荷損失小而通過該層、材料、構件或結構之厚产 ,術語「電子傳輸」係指稱層、材料、構件或結構q 二材：、組成或結構引起或促進負電荷遷移通過此層 件或結構，進人另-層、材料、構件或結構。 ^有機電子裝置」意在指稱包括—❹個半導❾ 轉換置。有機電子裝置包括，但不限於:⑴將電; 亍写…射處的裝置(例如：發光二極體、發光二極❹ 。—極體雷射或照明面板)、(2)透過電子製程偵測， I47037.doc 201100480 號的裝置(例如··編器、光導電池、光阻器、光控開 關、光電晶體、光電管、紅外線(「IR」)偵測器或生物感 測器）、（3)將輻射能轉換成電能的裝置（例如：光伏打裝置 或太陽能電池)及⑷包括一或多個電子組件的裝置，該電 子組件包括-或多個有機半導體層（例如：電晶體或 體）。 如本文所用之術語「包含」、「包括」、「具有」或其任何 其他變型意指涵蓋非排他性的包括物。例如，含有清單列 士的複數元件的製程、方法、製品或裝置不-定僅限於清 早t所列出的這些元件而已，而是可以包括未明確列出但 部疋該製程、方法、製品或設裝置固有的其他元件。此 夕「卜’除非另有明確相反陳述，否則「或」係指包含性的 「或」，而不是指排他性的「或」。例如：以下任一者即滿
足條件A或B : A是真（或存在的）且B是偽（或不存在的），A 是偽（或不存在的）且B是真（或存在的），以及入和8都是真 (或存在的卜 〃 又使用「一 J或「一個」來描述本文所述的元件和組 件。這樣做僅#是為了方便，並且對本發明範脅提供—般 性的意義。除非很明顯地另指他意，這種描述應被理解為 包括一個或至少一個，並且該單數也同時包括複數。 對應於元素週期表中之行的族編號使用如ac 好⑽办〇奴〇/(：72咖如7 ，第81版（2〇⑼_2〇〇1)中 記载之「新符號」慣用語。 除非另外加以定義，否則此處使用的所有技術與科學術 147037.doc 201100480 語與-般熟習該技藝者通常所理解的含義相同。在式中， 字母Q、R、T、W、x、係肖以標明該式中定義之原 子或基團。所有其他字母係用以標明為慣用之原子符號:、 在元素週期表中同攔對應之同族代號，使用「新符號:慣 H ^n,CRC Handbook of Chemistry and ΡΗγ5ί〇3%%ν^ (2000)。 在本文未描述之範圍内，許多關於特定材料、加工行為 — cessing aet)及電路的細節係習知的，且可在有機發光 一極體顯不器、井指目丨丨哭 . 九偵測盗、先伏打及半傳導性構件技術領 域的教科書及其他來源中找到。 2.摻雜之導電聚合物 該組成物可包含經摻雜— t雜種或多種不同的多氟化酸性聚 合物之一種或多種導電聚合物。 a·導電聚合物 任何導電聚合物均可用Μ #n & J J用於該新組成物^在某些實施例 中’ 5亥導電聚合物舍形+ . 物會形成具有導電率大於1〇-7 S/cm的薄 膜。 適合作為新組成物之傳導性聚合物，係自至少—單體製 t ’其單體當單獨聚合時，形成導電同S聚合物。本文 中’此單體稱為「傳暮 二 蜍丨生刖驅早體」。虽其單體單獨聚合 形成非導電之同亓；^人k 「 丨】凡忒合物，稱為「非傳導性前驅單體 該傳導性聚合物可為同 u π氟合物或共聚物。適合用於新組 之傳導性共聚物，係自二種或多種傳導性前驅單體， 自一種或多種傳導性前驅單體及—種❹種非傳導性前 147037.(30, 201100480 驅單體之組合所製成。 在某些實施例中， 吩、料、苯胺及傳導&聚合物自至}—種選自°塞 語「多環芳香#二族之傳導性前驅單體製成。術 由-或多個鍵結：聯=多於一個芳環的化合物。可藉 起。術語「芳if ▲該4環，或者可將該等環稠合在-化合物具有至括芳香雜環。「多環雜芳族」 Ο ❹ 吩= = 合物係…1選㈣ 成。本文中，從這也單體=及多環芳香族之前驅單體製 聚（州、聚（碎吩聚合物分別稱為聚嗟吩、 物。術語「多環芳香Γ:各、聚笨胺及多環芳香族聚合 物。可藉由-或多個鏈 、们方銥的化合 融合在-起使其變成⑽ I切，或者可將該等環 環。「多環雜環芳環」意指在包括雜芳 二，.在—_成該導電聚
其中： 147037.doc 0) 201100480 Q係選自於由S、Se和Te所組成的群組； R在每次出現係分別選出為相同或相異，且係選自氫、 烷基、烯基、烷氧基、烷醯基、烷硫基、芳氧基、烷 硫烷基、烷芳基、芳烷基、胺基、烷胺基、二烷胺 基、芳基、烷亞續醯基、烷氧烷基、烷磺醯基、芳硫 基、芳亞磺醯基、烷氧羰基、芳磺醯基、丙烯酸、磷 酸、膦酸、鹵素、硝基、氰基、羥基、環氧基、矽 烧、石夕氧烧、醇、苄基、緩酸酯（鹽）、鱗、謎敌酸酯 (鹽）、醯胺磺酸酯（鹽）、醚磺酸酯（鹽）、酯磺酸酯（鹽） 及胺甲酸酯；或兩個R1基團可一起形成烷基或伸烯基 鏈構成一3、4、5、6或7員芳環或脂環，該環可視情 況包括一個或多锢二價氮、硒、碲、硫或氧原子。 如本文中所使用，街語「烷基」指衍生自脂族烴的基 團’且包括可為未取代或取代的直鏈、支鏈及環狀基。術 語「雜烧基」係意在栺稱烷基基團，其中在該烷基基團内 的一或多個碳原子經另一原子取代，如：氮、氧、硫及類 似者。術語「伸烷基」指具有兩個鍵結點的烷基基團。 如本文中所使用，術語「烯基」指衍生自具有至少—個 碳-碳雙鍵之脂族烴的基團，且包括可為未取代或取代的 直鏈、支鏈及環狀基。術語「雜烯基」係意在指稱烯基基 團，其中在該烯基基團内的一或多個碳原子經另一原子取 代，如：氮、氧、硫及類似者。術語「伸烯基」指具有兩 個鍵結點的烯基基圑。 如本文中所使用，列取代基基團術語所指之式如下： 147037.doc 10 201100480 「醇」 「醯胺基」 「醯胺磺酸酯(鹽)」 「苄基」 「羧酸S旨(鹽)」 「趟J 「醚羧酸酯(鹽)」 「醚磺酸酯(鹽)」 「酉旨續酸S旨(鹽)」 「續酿亞胺」 胺甲酸酯」 -r3-oh -R3-C(0)N(R6)R6 -R3-C(0)N(R6) r4- so3z -ch2-c6h5 -r3-c(o)o-z 或-r3-o-c(o)-z -R3-(0-R5)p-0-R5 -r3-0-r4-c(0)0-z 或-r3-〇-r4-〇-c(o)-z -r3-o-r4-so3z
-R3-0-C(0)-R4-S03Z -r3-so2-nh- so2-r5 -r3-o-c(o)-n(r6)2 其中所有「R」基於每次出現為相同或相異，且： R3係單鍵或伸貌基 R4係伸烧基 R5係烷基 〇 R6係氫或烷基 P係〇或從1至20之整數 Z係Η、鹼金屬、鹼土金屬、州115)4或尺5 上述任何基團可進一步為未取代或取代，且任何基團可 具有F取代一個或多個氫，包括全氟化基團。在某些實施 例中，該烷基及伸烷基具有1至20個碳原子。 在某些實施例中，在單體中，兩個R1 一起形成_w_ (CY Y )m-W-，其中瓜係二或 3，W係 0、s、Se、P〇、NR6， Y1於每次出現為相同或相異，且係氫或氟，且Υ2於每次出 147037.doc • 1ί - 201100480 現為相同或相異且係由選自、r^ ^ 11鹵素、烷基、醇、醯胺磺 酸酯（鹽）、苄基、羧酸酯（醆、Λ, ; (鹽）、醚、醚羧酸酯（鹽）、醚磺酸 醋（鹽）、酯磺酸酯（鹽）及胺曱酴 * 士 V甘 取f醆知，其中Y基團可部分或完 全氟化。在某些實施例中，所古# 所有Y均為氫。在某些實施例 中，該聚合物係聚（3,4-伸乙-_ y \、 V乙—乳基噻吩）。在某些實施例 中’至少一γ基團不為氫。 ^ 在某些貫施例中，至少一 Y基 團係具有F取代至少一個氫之 土 L之取代基。在某些實施例中， 至少一Y基團係全氣化。 在某些實施例中’該單體具有式I(a):
da) 其中： Q係選自於由S、Se和Te所組成的群組； R7在每次出現係相同或相異，且係選自[烷基、雜 基、烯基、雜烯基、醇、醯胺磺酸酷（鹽）、Ϊ基、缓 酸醋（鹽）、醚、醚羧酸醋（鹽）、醚磺酸醋（鹽）、酿磺 酸酷（鹽）及胺甲酸自旨，但至少-R7不為氫，且 m係2或3。 在式I⑷的某些實施例中，瓜係2，—r7係超過5個碳原 子之烷基，且所有其他R7係氫。 在式I⑷的某些實施例中’至少—R7基團係敦化。在某 J47037.doc 12 201100480 些實施财，至少一R7基目具有至少一個氧取代基。在某 些實施例中，該R7基團係完全氟化。 在式“句的某些實施例中，在單體之稠合脂環上之R7取 _ 縣提供單體在水中改善之溶解度，且在氟化酸性聚合物 存在下促進聚合作用。 在式1(勾的某些實施例中，m係2，一R7係磺酸_伸丙基_ 謎亞甲基且所有其他R7為氫。在某些實施例中’以係2， ❹ -R7係丙基令伸乙基，且所有其他r7為氫。*某此實施 例中，m係2, 一R7係甲氧基且所有其他R7為氫。在某些實 施例中，—R7係石黃酸二氟亞甲基酉旨亞甲基（_CH2_〇_c⑼_ CFySChH)，且所有其他R7為氫。 在某些貫施例中’在新組成物中涵蓋用以形成導電聚合 物之吡咯單體包含式Π如下。
R2 其中式II : R1在每次出現係分別選出為相同或相異且係選自氫、烧 基、烯基、炫氧基、烧醯基、燒硫基、芳氧基、烧硫 烷基、院芳基、芳炫基、胺基、院胺基、二烧胺某、 芳基、烧亞石黃醒基、院氧烧基、烧石黃醯基、芳石^、 芳亞續酿基、烧氧幾基、芳伽基、丙稀酸、填i、 147037.doc -13· 201100480 膦酸、齒素、硝基、氰基、幾基、環氧基、石夕燒、石夕 氧烧、醇、节基、繞酸酷（鹽）、喊、醯胺石黃酸醋 (鹽）、醚缓酸脂（鹽）、醚磺酸醋（鹽）、龍續酸醋…及 胺甲酸醋；或兩個W基團可_起形成伸院基或^基 鏈構成-3、4、5、6或7員芳環或脂環，該環可視情 況包括-個或多個二價氮、硫、砸、蹄或氧原子；且 R2在每次出現係分別選出為相同或相異且係選自氫、烷 基、烯基、芳基、烷醯基、烷硫烷基、烷芳基、芳= 基、胺基、環氧基、石夕貌、石夕氧烧、醇、节基、敌酸 醋（鹽）、醚、醚羧酸酿（鹽）、醚磺酸醋（鹽）、酿磺酸 酯（鹽）及胺甲酸酯。 在某些實施例中，R1在每次出現係相同或相異且分別選 自氫、烷基、烯基、烷氧基、環烷基、環烯基、醇、苄 基、羧酸酯（鹽）、醚、醯胺磺酸酯（鹽）、醚羧酸酯（鹽）、醚 磺酸酯（鹽）、酯磺酸酯（鹽）、胺甲酸酯、環氧基、石夕烧、 石夕氧烧及經以一個或多個續酸、羧酸、丙烯酸、碟酸、麟 酸、素、硝基、氰基、羥基、環氧基、矽烷或矽氧烷之 部分予以取代之炫基。 在某些實施例中，R2係選自氫、烷基及經以—個或多個 磺酸、羧酸、丙炼酸、麟酸、膦酸、_素、氮基、經某、 環氧基、矽烷或矽氧烷之部分予以取代之烧基。 在某些實施例中’該吼洛單體係未取代且R^〇R2兩者均 為氫。 在某些實施例中，兩個R1 —起形成6_或7_員脂環，其進 147037.doc -14· 201100480 一步以選自烷基、雜烷基、醇、苄基、羧酸酯（鹽）、_、 醚羧酸酯（鹽）、醚磺酸酯（鹽）、酯磺酸酯（鹽）及胺甲酸墙之 基團取代。這些基團可改善該單體及所得聚合物之溶解 度。在某些實施例中’兩個R1 —起形成6-或7-員脂環，其 進一步以烷基取代。在某些實施例中，兩個R1 —起形成6_ 或7-員脂環，其進一步以具有至少1個碳原子之烷基取 代。 在某些實施例中’兩個R1 —起形成-〇-(CHY)m-〇-，其中 m係2或3，且Y在每次出現係相同或相異且選自氫、烷 基、醇、苄基、羧酸酯（鹽）、醯胺磺酸酯（鹽）、醚、醚羧 酸酯（鹽）、醚磺酸酯（鹽）、酯磺酸酯（鹽）及胺曱酸酯。在某
施例中’至少一 Y基團係全氟化。
物之苯胺單體包含式ΠΙ如下。
其中： a係0或1至4整數； b係1至5整數，但汪+ by ; 147037.doc •15- 201100480
Rl在每二欠出現係分別選出為相同或相異且係選自氫、炫 基、烯基、烧氧基、燒酸基、烧硫基、芳氧基、烧硫 烧基烧芳基、芳烧基、胺基、烧胺基、二烧胺基、 芳基、烷亞％醯基、烷氧烷基、烷磺醯基、芳硫基、 芳亞石黃醯基、焼氧幾基、芳績醯基、丙烯酸、構酸、 鱗酸、齒素、硝基、氰基、經基、環氧基、石夕烷、石夕 氧烧醇苄基、竣酸酯（鹽）、醚、醚幾酸酯（鹽）、 醯胺磺酸醋（鹽）、醚磺酸醋（鹽）、醋磺酸酿（鹽^及胺 曱酸醋；或兩個Rl基團可一起形成伸烧基或伸稀基鏈 構成-3、4、5、6或7員芳環或脂環，該環可視情況 包括一個或多個二價氮、硫或氧原子。 在聚合時，該苯胺單體單元可具有如下所示之式…⑷ 或式IV(b)，或兩式之組合。 (R1)a
其中，a、b及R1如上所定義。 在某些實施例中’該苯胺單體係未取代且a=〇 147037.doc -16 - 201100480 中’ a不為〇且至少一…係氟化 R1係全氟化。 在某些實 在某些實施例 施例中，至少_ 物之稠例中，在新組成物中涵蓋用以形成導電聚合 + 一 σ夕％雜芳環單體具有二㈣多個稠合芳環，其中 單體具S'雜芳環。在某些實施例中，該稠合多環雜芳環
其中： Q係 S、Se、Te或 NR6 ; R6係氫或烷基； R、R、R10及r〗1在每次出現係分別選出為相同或相異 且係選自氫、烷基、烯基、烷氧基、烷醯基、烷硫 〇 基、芳氧基、烷硫烷基、烷芳基、芳烷基、胺基、烷 胺基、二烷胺基、芳基、烷亞磺醢基、烷氧烷基、烷 磺醯基、芳硫基、芳亞磺醯基、烷氧羰基、芳磺醯 基、丙烯酸、磷酸'膦酸、鹵素、硝基、腈、氰基、 羥基、環氧基、矽烷、矽氧烷、醇、苄基、羧酸酯 (鹽）、醚、醚羧酸酯（鹽）、醯胺磺酸酯（鹽）' 醚磺酸 酯（鹽）、酯磺酸酯（鹽）及胺曱酸酯；且 R8和R9、R9和R10及Ri(^Rn中至少有一組一起形成伸烯 基鏈構成5或6員芳環，該環可視情況包含一個或多個 147037.doc -17- 201100480 二價氮、硫、硒、碲或氧原子。 有由式 v(h)、 在某些實施例中，該稠合多環雜芳環單體 V(a)、V(b)、V(c)、V(d)、V(e)、V(f)、V(g) V(i)、V(j)及V(k)所組成的群組選出之式：
(Vc)
(Vg) 147037.doc -18- 201100480
其中： Q係 S、Se、Te 或 ΝΗ ;且 Ο
T在每次出現係相同或相異且係選自S、NR6、〇、 SiR62、Se、Te及 PR6 ; Y係N ;且 r6係氫或烷基。 該稠合多環雜芳環單體可進一步以選自烷基、雜烷基、 醇、苄基、羧酸酯（鹽）、醚、醚羧酸酯（鹽）、醚磺酸酯 (鹽）、酯磺酸酯（鹽）及胺甲酸酯之基團所取代。在某此實 施例中，該取代基係氟化。在某些實施例中，該取代基係 完全氟i化。 在某些實施例中，該稠合多環雜芳環單體係噻吩并（噻 吩）。該化合物已討論於，舉例來說，Macr〇m〇lecuies， 5746-5747 (2001); AMacromolecules, 35, 7281-7286 (2002) 〇 在某些實施例中，該嗟吩并（嘆吩）係選㈣吩并（a㈣ 吩、噻吩并（3,2-b)嗟吩及π塞吩并（3,4_b)嗟吩。在某些實施 例中，該噻吩并(噻吩)單體係進一步以至少一選自烷基、 雜烧基、醇 '节基、缓酸酿（鹽）、㉟、鱗缓酸醋（鹽^鍵 147037.doc •19· 201100480 績酸酯（鹽）、酯石黃酸酯（鹽）及胺甲酸酿之基團所取代。在 某些實施例中，該取代基係氟化。在某些實施例中，該取 代基係完全氟化。 在某些實施例中，在新組成物中涵蓋用以形成聚合物之 多環雜芳環單體包含式VI :
其中： Q係 S、Se、Te 或 NR6 ; T係選自 S、NR6、〇、SiR62、Se、Te 及 PR6 ; E係選自伸烯基、伸芳基及雜伸芳基； R6係氫或烧基； R12在每次出現係相同或相異且係選自氫、烷基、稀 基、烷氧基、烷醢基、烷硫基、芳氧基、烷硫烷 基、烧芳基、芳烧基、胺基、烧胺基、二烧胺基、 芳基、烷亞磺醯基、烷氧烷基、烷磺醯基、芳硫 基、方亞％酿基、烧氧幾基、芳續酿基、丙焊酸、 磷酸、膦酸、鹵素、硝基、腈、氰基、羥基、環氧 基、矽烷、矽氧烷 '醇、苄基、羧酸酯（鹽）、醚、 醚羧酸酯（鹽）、醯胺磺酸酯（鹽）、醚磺酸酯（鹽）、 酯磺酸酯（鹽）及胺甲酸酯；或兩個R12基團可一起形 147037.doc -20. 201100480 2燒基，烯基鏈構成3、4、5、6或7員芳環或 展該環可視博況包括一個或多個二價氮、碎、 硒、碲或氧原子。 、，7丨L、 _，某些實施例中，該導電聚合物係前驅單體及至少一第 二單體之共聚物。可使用任何類型的第二單體，只要不會 T利地影響共聚物的所需特性即可。在某些實施例中，依 皁體=元總數，所包含該第二單體不大於聚合物鄕。在 $ -只施例中’依單體單元總數’所包含該第二單體不大 於聚合物30%。在某些實施例中，依單體單元總數，所包 含該第二單體不大於聚合物1 0%。 第二單體的例示性類型包括但不限於烯基、炔基、伸芳 基及雜伸芳基。第二單體的實例包括但不限於，苐、噁二 唑、噻二唑、苯并噻二唑、伸苯基伸乙烯、伸苯基伸乙 炔、°比。疋、一氮雜苯、三氮雜苯，這些均可進一步被取 代。 Q 在某些實施例中，可藉由首先形成中間體前驅單體而製 成該等共聚物，該中間體前驅單體具有結構A-B-C，其中 A和C表示可為相同或相異的前驅單體，而b表示第二單 體。可使用標準的有機合成技術製備該A-B-C中間體前驅 單體，如 Yamamoto、Stille、Grignard置換反應（metathesis)、 Suzuki及Negishi耦合法。接著，藉由將該中間體前驅單體 獨氧化聚合，或者與一或多個前驅單體氧化聚合而形成該 共聚物。 在某些實施例中，該導電聚合物係選自於由聚噻吩、聚 147037.doc -21 - 201100480 吡咯、聚合性稠合之多環雜芳族、其共聚物及其組合所組 成的群組。 在某些實施例中’該導電聚合物係選自於由聚（3 4_伸乙 二氧基噻吩）、未取代聚吡咯、聚（噻吩并（2,3-b)噻吩）、聚 (4-胺基吲哚）、聚（7-胺基吲哚）、聚（噻吩并（3,2_b)噻吩）及 聚（噻吩并（3,4-b)噻吩）所組成的群組。 b.多氟化酸性聚合物 該多氟化酸性聚合物（「HFAP」）可為任何多氟化且具有 酸性質子的酸基之聚合物。該酸基提供可離子化質子。在 某些實施例中，該酸性質子具有pKa少於3。在某些實施例 中，該酸性質子具有PKa少於〇。在某些實施例中，該酸性 質子具有PKa少於-5。該酸基可直接附接至該聚合物主 鏈，或可附接至聚合物主鏈上之側鏈。酸基的實例包括但 不限於，羧酸基、磺酸基、磺醯亞胺基、磷酸基、膦酸基 及其組合。該酸基全部可為相同的，或者該聚合物可具有 多於一種的酸基。在某些實施例中，該酸基係選自於由磺 酸基、磺醯胺基及其組合所組成的群組。 … 在某些實施财，該HFAP係至少8〇%氟化；在某些實施 例中則為至少90%氟化；在某些實施例中則為至少95%氣 化；在某些實施例中則為完全氟化。 某些實施例中，該HFAp係水溶性。在某些實施 ^ Λ ^^八卩係可分散在水中。在某些實施例中，該HFj =有機冷劑可濕性。該術語「有機溶劑可濕性」係指材^ /成為薄膜時，與有機溶劑具有不大於6〇。接觸角。^ H7037.doc -22- 201100480 某些實施财，可驗材料形朗膜，料薄膜可被苯基 己烷以不大於55。的接觸角弄渴。、 土 P 用於測量接觸角的方法 已眾所在某些實施财，可濕性材料可 成’該聚合酸本身係非可濕性，但有選擇性添加物，即可 使其具可濕性。 適合的聚合物主鏈實例包括但不限於聚烯煙、聚丙婦酸 酯、聚甲基丙烯酸 '聚醯亞胺、聚醯胺、聚芳醯胺、聚丙
婦醯胺、聚苯乙婦及其共聚物’其所有均為多氣化；在某 些實施例中則為完全氟化。 在一實施例中，該酸基係磺酸基或磺醯亞胺基。磺醯亞 胺基具有式如下：
-S〇2~NH-S〇2-R 其中R係烷基。 在實施例中，該酸基係位於氟化侧鏈上。在一實施例 中’該氟化側鏈係選自烷基基團、烷氧基基團、醯胺基基 團、謎基團及其組合，其所有均為完全氟化。 在一實施例中’該HFAP具有多氟化烯烴主鏈、帶有懸 垂之多氟化烷基磺酸酯（鹽）、多氟化醚磺酸酯（鹽）、多氟 化醋磺酸酯（鹽）或多氟化醚磺酿亞胺基團。在一實施例 中’該HFAP係具有全氟-醚-磺酸側鏈之全氟烯烴。在一實 施例中’該聚合物係1，1_二氟乙烯及2-(1,1-二氟-2-(三氟曱 基）烯丙氧基）-1，1,2,2-四氟乙烷蟥酸的共聚物。在一實施 例中’該聚合物係乙烯及2-(2-(1,2,2-三氟乙烯氧基）-M，2,3,3,3-六氟丙氧基）_ι，ι，2,2-四氟乙烷蟥酸的共聚物。 147037.doc -23- 201100480 此等共聚物可製成如同對應磺醯氟聚合物般，然後再轉變 成續酸的形式。 在一實施例中，該HFAP係氟化及部分磺化之聚（伸芳其 醚砜）之同元聚合物或共聚物。該共聚物可為團聯共聚物 (block copolymer) 〇 在一實施例中，該HFAP係具有式IX的烊缺 令式入的嶮醯亞胺聚合 物：
(IX) 其中：
Rf係選自多氟化伸烷基、多氟化雜伸烷基 基及多氟化雜伸芳基’其可經以—個或 代；且 、多氟化伸芳 多個醚氧所取 η係至少為4。 在式IX的一實施例中，Rf係全氟烷基基 中，Rf係全氟丁基基團。在一實施例中， 一實施例中，n係大於1〇。 團。在一實施例 Rf包含醚氧。在 在一實施例中，該HFAP包括多氟化 式X的側鏈： 聚合物主鏈及具有 OR15-S〇2-NH-(S02-N-S02-N)a-S〇2R16 其中： 147037.doc 24· (X) 201100480 R15係多氟化伸烷基基團或多氟化雜伸烷基基® R10係多氟化烷基或多氟化芳基基團；且 a為0或為1至4的整數。 在一實施例中，該HFAP具式XI : (CF2-CF2)c-(CF2-CF> η (XI) 0 ο (CF2-CF-0)c-(CF2)c-S〇2-N-(S〇2-(CF2)c-so2-N)c-S〇2R16
Η H 16
R 其中： R16係多氟化烷基或多氟化芳基基團； c係分別為0或為1至3的整數；且 η係至少為4。 HFAP的合成已描述於下列文獻中，如A. Feiring et al_，J. Fluorine Chemistry 2000, 105, 129-135; A. Feiring et al., Macromolecules 2000, 33, 9262-9271; D. D. Desmarteau, J. Fluorine Chem. 1995, 72, 203-208; A. J. Appleby et al., J.
Electrochem· Soc. 1993, 140(1), 109-111 ;和 Desmarteau，U.S. Patent 5,463,005。 在一實施例中，該HFAP亦包含源自至少一多氟化乙烯 性不飽和化合物之重複單位。該全氟烯烴包含2至20個碳 原子。代表性全氟烯烴包括但不限於四氟乙烯、六氟丙 浠、全氟-(2,2-二甲基-1，3-二氧雜環戊烯）、全氟_(2_亞甲 147037.doc -25- 201100480 基-4-甲基-1，3-二氧雜環戊烷）、CF2=CFO(CF2)tCF=CF2 , 其中t係1或2，且Rf|，0CF=CF2，其中Rf，，係自1至約ι〇個碳 原子之飽和全氟烷基基團。在一實施例中，共單體係四象 乙烯。 在一實施例中’該HFAP係膠體形成聚合酸。如本文所 運用方式，術語「膠體形成」係指不能溶於水中的材料， 且當該材料分散於水性介質中時會形成膠體。該等膠體形 成聚合酸通常具有範圍在約10,000至約4,〇〇〇 〇〇〇的分子 1在實施例中，該等聚合酸具有約1〇〇,〇〇〇至約 2,000,000的分子量。膠體粒子大小通常在2奈米⑷至約 140 nm的範圍間。在—實施例中，該等膠體具有粒徑為2⑽ 至約30 nm。任何具有酸性質子之多氟化膠體形成聚合材 料均可使用。 上文所述之某些聚合物可為非酸性形態，例如鹽類、酯 類或磺醯氟化物。為了傳導性組成物製備，所述之該等聚 合物皆會轉變成酸性形式，這一點容後再述。 在某些實施例中，HFAP包含下式所表示之多氣化碳主 鏈及側鏈 -(〇-CF2CFRf3)a-〇.CF2CFRf4S03E5 其中Rf及Rf4係分別選自F、CI或具有原子之 多氟化烷基，a=〇、1或2，及E5。在一些情況中，E5可 為陽離子’例如Li、Na或K，且被轉換至酸性形態。 某一貫靶例中，该HFAP可為美國專利第3,282,875號 及美國專利第4,358,545和4,94G，525號揭露之聚合物。在某 147037.doc •26· 201100480 些實施例中，該HFAP包含全氟碳主鏈及以下式表示之側鏈 -o-cf2cf(cf3)-o-cf2cf2so3e5 其中E5係定義如上。此類HFAP於美國專利第3,282,875 號中揭露，且可藉由四氟乙烯（TFE)及全氟化乙烯醚 CF2=CF-0-CF2CF(CF3)-0-CF2CF2S02F、全氟（3,6-二噁-4- 曱基-7-辛烯磺醯氟）(PDMOF)之共聚合作用，接著藉由水 解磺醯氟化物基團轉換至磺酸基團，以及必要時之離子交 換以轉換它們至所需離子形態而製成。於美國專利案第 4,3 58,545號及第4,940,525號所揭示之類型的聚合物的實例 具有側鏈-0-CF2CF2S03E5，其中E5為如上所定義之。該聚 合物可藉由四氟乙烯（TFE)和全氟化乙烯醚CF2=CF-0-CF2CF2S02F、全氟（3-氧-4-戊烯磺醯氟）(P〇PF)的共聚合作 用，然後再藉由水解作用，及根據需要的進一步離子交換 作用而製成。 一種HFAP係市售水性Nafion®分散液，來自E. I. du Pont de Nemours and Company(Wilmington，DE)。 c.經摻雜之導電聚合物之製備 經摻雜之導電聚合物係藉由在水性媒介中於存有 HFAP(或多種HFAP)下將前驅單體（或多種單體）氧化聚合作 用形成。該聚合作用已於公開之美國專利申請案第 2004/0102577號、第 2004/0127637號及第 2005/205860號中 說明。 3.非傳導性氧化物奈米粒子 該氧化物奈米粒子係非傳導性，且具有粒子尺寸不大於 147037.doc -27- 201100480 5〇 nm。在某些實施例中，該粒子尺寸係不大於⑽nm ;在 某些實施例中，不大於丨〇 nm ;在某些實施例中，不大於 5 nm ° 亥氧化物可為單一氧化物或二種或多種氧化物混合物。 奈米粒子形狀舉例來說可為球狀、延長狀、鍵狀、針狀、 芯-外殼奈米粒子或其組合。 "非傳導选氧化物奈米粒子之實例包括但不限於氧化石夕、 氧化鈦、氧化锆、三氧化鉬、氧化釩、氧化鋁、氧化辞、 氧化彭、氧化紀、氧化絶、氧化銅、氧化錫、氧化銻、氧 化组及其類似物。在某些實施例中，該非傳導性氧化物奈 米粒子係選自於由二氧化 _ 群組。 —氧化鈦及其組合所組成的 該氧化物奈米粒子可藉由„定之氧化物及多重成 化物蒸發製成，或藉由例 鈕制々^ 例如四虱化矽之無機化合物氣相水 解I成。亦可藉由使用可水解 * ^ . 7 t 解金屬化合物、特別為不同元 素烧氧化物之溶膠凝膠化學絮 裏成精由水解和聚縮作用应 應以形成多重組成及多維網絡氧化物。 4·高沸點有機液體 該術語「高沸點有機液體 ,^ 體」係指於室溫下為液體且沸點 大於1 60 C之有機化合物。 币.，-占 於170。。；在某些實施例中 T K點係大 大於18〇°C。該高沸點有機沽 體可洛於、互溶或分散在火 機液 中。南滞點有機液體之誉7 , 括但不限於乙二醇、丙二醆_ 有機液體之實例包 呼、一甲亞石風、二甲其L r搞& 低分子量聚（乙二醇）、N_曱 —· 土 -胺、 17疋嗣及其混合物。可使用 H7037.doc -28. 201100480 二種或多種此液體之混合物。 該南'弗點有機液體通常係以組成物總重量之4 0至7 0重量 /〇的1存在於組成物中；在某些實施例中，$〇至重量 %。 5.低沸點有機液鱧 «亥術5吾「低沸點有機液體」係指於室溫下為液體且砩點 小於150。。之有機化合物。在某些實施例+，該沸點係小 於130°C ;在某些實施例中，小於。在某些實减例 中°亥'弗點係大於70 C。該低沸點有機液體可溶於、互溶 或刀政在水中。低沸點有機液體之實例包括但不限於異丙 醇、正丙醇、；U曱基_2_丙醇、丙二醇丙基醚、丙二醇單曱 ㈣乙_及其混合物。可使用二種或多種此液體之混合 物。 該低沸點有機液體通常係以組成物總重量之5至2〇重量 %的$存在於組成物中；在某些實施例中則為⑺至。重量 % 〇 6·半水性導電聚合物組成物之製備 在下列討論中，該經摻雜之傳導性聚合體、非傳導性氧 化物奈米粒子、高沸點有機液體及低沸點有機液體均以單 數表示。然而，應可理解任何或所有這些可使用多於一 個。 新導電聚合物組成物係藉由首先形成經摻雜之傳導性聚 合物，接著依任何順序加入氧化物奈米粒子及有機液體。 氧化物奈米粒子可直接以固體加入經摻雜之傳導性聚合 I47037.doc -29- 201100480 物。在某些實施例中，該氧 孔化物奈未粒子係分散在水性容 液’且此分散液與經摻雜
^ ^ , 得導性聚合物分散液混合。I 化物不米粒子和經摻雜之尊 電t 5物重量比係大於1:4 J_ 」 在某些實施例中，重量比範圍在ι:3至。 南濟點有機液體可預器 頂吧且一起加入至經摻雜之傳導性裝 s物分散液，可於負作私太、丨， 、 物不米粒子加入前或後加入。免 機液體可分別加入。在某些實施例中，高彿时 士 '、於低'弗點有機液體前加人或與低彿點有機液體同 〇 ^ 在某些實施例中’低沸點有機液體係於高沸點亦 機液體前加入或與高彿點有機液體同時加入。本領域的一 ^技術人員認識到溶劑和組成物間相容性可支配加入順 序0 、 組成物中總溶劑量不大於組成物總重量之80重量％。 一在某些實施例中，ρΗ於無機粒子加人之前或之後增加。 工摻雜之傳導性聚合物及無機奈米粒子之分散液在形成ρ Η 二2至中性pH仍為穩定。在加入奈米粒子前，藉由陽離爷 又換樹月日的處理來調整該邱值。在某些實施例中，藉由恭 y 驗I1 生水陡/合液來調整該阳值。驗性陽離子可為，但不民 於鹼金屬、驗土金屬、銨及烧基銨。在某些實施例中， 鹼金屬優於鹼土金屬陽離子。 自本文揭不之新半水性傳導性組成物製成之薄膜，在τ 文柄為本文揭示之新薄膜」。該肖膜可使用任何液相冗 和技術製成’包括連續式及不連續式技術。連續式沉積梭 術包括但不限於旋轉塗布、凹版塗布、簾式塗布、浸潰塗 147037.doc -30- 201100480 布、狹縫模具式塗布（slot-die coating)、喷塗及連續式哨_ 嘴塗布。不連續式沉積技術包括但不限於，噴墨印刷、凹 „ 版印刷及網板印刷。 在某些實施例中，新薄膜係以狹缝模具式塗布製成。狹 缝模具式塗布係將液體材料施用至底材之一種基本方法。 塗布液體從儲液槽藉由壓力經過狹縫壓出，且經轉移至移 動基板。實務上，狹縫部分通常遠小於儲液槽，且定向與 〇 基板移動方向垂直。狹縫模具式塗布具有許多變化，包括 模具本身的設計、模具對基板的定向、模具至基板之距離 及產生壓力使液體從狹縫壓出之方法。狹缝模具式塗布通 常視作以模具「對著」基板塗布，且事實上藉由塗布用液 體的緩衝與基板分離。 在過去，以多氟化酸性聚合物摻雜之傳導性聚合物水性 之刀散液無法成功地進行狹縫模具式塗布。所得之薄膜常 為不連續或不規則。此外，由於傳導性聚合物薄膜的低界 〇 面能，薄膜無法用有機溶劑或聚合物溶液以狹縫模具式塗 布進行包覆塗布。讓人驚奇且未預知的是，頃發現本文揭 示之新組成物可用狹缝模具式塗布器塗布，以形成平滑、 連續之薄膜。即使基板具有實質不均一的表面，仍可形成 °羞薄膜此外，本文揭示之新薄膜可用許多慣用之具 有高表面張力有機溶劑之活性材料包覆。以溶劑接觸角觀 點來看特別讓人驚奇，如具有肌表面之己烧或二甲苯， 仍非常地高。 7·電洞注入層 147037.doc -31 · 201100480 在本發明另-實施財，提供由包含新傳導性聚合物•且 成物之水性分散液所沉積之電洞注入層。該術語「電洞注 入層」或「電洞注入材料」係意指導電性或半傳導性材料 且在於有機電子裝置中可具有一種或多種功能，包括作不 限於下層平面化、電荷傳輸和/或電荷注入性質、清⑹ 氧或金屬離子之雜質，及其他態樣，以促進或改善有^ 子裝置的性能。該術語「層」與術語「薄膜」係可交替使 用，且指於所需區域覆蓋之塗布物。該術語並未受限於大 小。該區域可以大到如覆蓋一整個裝置，或小到如一指定 功能性㈣，如實際視覺顯示區域，或者該區域可如 次像素般地小。可藉由任何傳統沉積技術（例如，氣相冗 積、液相沉積（連續及不連續技術）及熱轉印來形成層及薄 膜。連續式沉積技術包括但不限於，旋塗、凹版塗布、簾 塗、塗、狹缝式模具塗布、喷塗及連續式噴条 連續式沉積技術包括但不限於，喷 、" 板印刷。 ❹印刷、凹版印刷及網 新傳導性聚合物組成物之乾燥薄膜通常不再能分散於水 中。因此’電洞注入層可被應用於多層薄層。此外，該電 洞注入層可被-層不同的水溶性或水分散性材料包覆:而 不會遭到損壞。 以新傳導性聚合物製成之電洞注入層可使用電洞傳輸材 :包覆，以形成不…洞注入/電洞傳輪雙層 OHL”在某些實施例中，兩層均藉由狹縫模且式塗 布‘形成。此不連續HIL/HTL雙層在有機電子農置中具實用 147037.doc -32- 201100480 I"例如·發光二極體、光伏打電池及印刷有機電晶體。 8·電子裝置 • 在本發明另—實施例巾，提供電子裝置，位在兩電接觸 ' _ 3至v種電活性層，其中該裝置進一步包括新電 ::入層。當術語「電活性」係指層或材料時，該術語 二活性」意指在指展現電子或電輻射特性的層或材料。 電’舌!生層材料可發射輻射，或當接收輻射時展現出電子_ 電洞對的濃度變化。 〇 如圖1所不，裝置1 00之一實施例具有陽極層11 0、電洞 層120電洞傳輸層1 30、光活性層140、視需要之電 入/傳輸層150及陰極層ι6〇。本文說明之不連續雙層 作用如120及130層。 9 /裝置可包括支撐件或基板（未示出），該支撑件或基板 可鄰接於該陽極層11G或該陰極層_。最常見的情形:該 支撐件係鄰接於該陽極層11〇。該支撐件可為撓性或剛 〇 性、有機或無機。支撐件材料的實例包括但不限於，玻 璃、陶瓷、金屬及塑膠薄膜。 該陽極層110係電極，對於注入電洞而言，該陽極層 比該陰極層160更有效率。該陽極可包括含有金屬、混合 至屬σ金、金屬氧化物或混合氧化物的材料。合適的材 料包括’第2族元素（即，Be、Mg、ca、Sr、Ba、Ra)、第 U族元素、第4族中的元素、第5族中的元素、第6族中的 元素及第8族至第丨〇族的過渡元素之混合氡化物。若該陽 極層U〇係透光層，則可使用第12族、第13族及第14族元 147037.doc -33- 201100480 素的混合氧北物’如銦錫氧化物。正如本文所運用方式， 術§吾「合專j化物」係指具有兩個或多個不 β丨有離子的氧 化物’其係選自第2族元素或第12族、第13族或第μ族元 素。用於陽趣層110之材料的某些非限制性 列注特定實例包 括但不限於，銦錫氧化物（「ΙΤ0」）、銦鋅氧化物、銘錫 氧化物、金、銀、銅及鎳。該陽極亦可包括有機材料，尤 其是導電聚合物’如聚苯胺，該導電聚合物包含實例性材 料’如Nat㈣第357卷第477_479頁（1992年6月U日）之 「FleXible light-emitting diodes made fr〇m e〇nduc㈣ ―」中所述。該陽極及該陰極之至少—者應該為至少 部分透明的，以觀察到所產生的光。 y 可藉由化學或物理氣相沉積法或旋模法形成該陽極層 ⑴。化學I相沉積可如下列方式執行：電漿增強化學氣 相沉積（「PECVD」）或金屬有機化學氣相㈣ (「MOCVD」）。物理氣相沉積可包括所有形式的喷鍍，包 括離子束噴邂，以及電子束（e_beamm鑛和電阻蒸鑛。特 定形式的物理氣相沉積包括射頻⑻磁控賤錄及感應輕合 電漿物理氣湘沉積（「IMIM>VD」）。上述該等沉積技術在 半導體製造技術領域中已廣為人知。 在一實施例中，該陽極層110於微影光刻（mh〇graphic) 操作期間關案化。該圖案可根據所需而改變。可藉由， 例如，施用薄-電接觸層材料之前，在第一挽性複合障壁 結構域行況積圖案化光罩或光阻的模式形成該等層。或 者，该等層可施用成—整體層(亦稱為毯式沉積”及隨後 147037.doc •34- 201100480 使用例如圖案化光阻層及濕式化學或乾式化學蝕刻技術圖 案化。亦可使用本技術中已廣為人知的其它圖案化方法。 電洞注入層120係自本文揭示之新半水性傳導性聚合物 組成物所製成。摻雜HFAP之傳導性聚合物組成物所製成 之電洞注入層，通常不具有機溶劑可濕性。本文揭示之電 洞注入層可較具可濕性，且因此更易以非極性有機溶劑塗 布下一層。電洞注入層可使用各種熟悉技藝者熟知之技術 沉積在基板上。在某些實施例中，藉由新半水性傳導性聚 合物組成物之狹縫模具式塗布形成電洞注入層。 電洞傳輸層130係存在於電洞注入層12〇及電活性層ι4〇 之間。這層可包含電洞傳輸材料。電洞傳輸層的電洞傳輸 材料之實例已概述，例如Kirk_〇thmer Encyc丨。pedia Qf
Chemical Technology, Fourth Edition, Vol. 18, p. 837-860, 1996 ,由Y. Wang所撰。電洞傳輸小分子及聚合物兩者皆 可使用。通常使用之電洞傳輸分子包括但不限於：4,4,，4"_ 二（N，N-二苯基-胺基）-三苯胺（TDATA) ; 4,4'，4"-三（1^-3-甲 苯基-N-苯基-胺基）-三苯胺（MTDATA) ; N，N'-二苯基-N，N'-雙（3 -甲基苯基）-[1，1’-聯苯]_4,4'-二胺（TPD) ; 4，4'-雙（〇卡 唾-9-基）聯本（CBP); 1,3-雙（味。坐_9_基）苯（mcp); ι，ι_雙 [(二-4-甲苯胺基）苯基]環己烷（Tapc) ; N，N'-雙（4-甲基苯 基）-N，N'-雙（4-乙基苯基）_[ι，ιι_(3,3·-二曱基）聯苯]_4,4，-二 胺（ETPD);肆-(3•甲基苯基）_队队]^'，]\['-2,5-伸苯二胺 (PDA) ; α-苯基-4-N，N-二苯基胺基苯乙烯（Tps) ; p_(二乙 基胺基）苯甲搭二苯基腙（DEH);三苯基胺（τρα);雙[4- I47037.doc -35- 201100480 (Ν,Ν-二乙基胺基）-2-甲基苯基](4-甲基苯基）甲烷 (ΜΡΜΡ) ; 1-苯基-3-[ρ-(二乙基胺基）苯乙烯基]-5-[ρ-(二乙 胺基）苯基]吡唑啉（PPR或DEASP) ; 1，2-反式-雙（9Η-咔唑_ 9-基）環丁烷（DCZB) ; Ν，Ν，Ν，，Ν'-肆（4-曱基苯基）-(1，1，-聯笨 基）-4,4'-二胺（ΤΤΒ) ; Ν，Ν’-雙（萘-1-基）_ν，Ν，_ 雙-(苯基）聯苯 胺（α-ΝΡΒ);及紫質化合物，如銅酞菁。一般常用的電祠 傳輸聚合物包括但不限於，聚乙烯基咔唑、（苯基甲基）聚 矽烷、聚（二氧噻吩）、聚笨胺及聚吡咯。亦可能藉由將電 洞傳輸分子摻雜入聚合物咋而獲得電洞傳輸聚合物，其中 該等電洞傳輪分子諸如上逑所提及之該等電洞傳輸分子， 該等聚合物如聚苯乙烯及聚碳酸酯。在一些情況中，使用 三芳胺聚合物，尤其係三芳胺_苐共聚物。在一些情況 中，該等聚合物及該等共聚物係可交聯的。可交聯電洞傳 輸聚合物的實例可在下列專利中找到：例如已公告之美國 專利申請案第2〇〇5_〇18 減;及已公告之PCT申請案w〇 2005/052027。在草此眚始士 在杲二貫施例中，該電洞傳輪層摻雜有？_摻 雜劑，如四氟四氰基對 3,4，m m 及 ^3,4,9，1G_ 四緩 _ 在某些實施例中，該電 右掌此山 以傳輸層包含電洞傳輸聚合物。 在某些貝施例中，該電洞 人铷爹甘L 电寻輸♦合物係二笨乙烯基芳基化 5物。在某些實施例中， 環。在某些實施例中，”二基菩:有兩個或多個稍合芳 之該術語「莘」，俘h )。如本文中使用 排列之廖_稠合苯環。 一個或^個直線 I47037.doc * 36- 201100480 在某些實施例中，該電洞傳輪聚合物係芳基胺聚合物。 在某些貫施例中，係為第及芳基胺單體共聚物。 〃在某上實施例中’該聚合物具有可交聯基團。在某些實 1中&耳汁可藉由熱處理和/或$露於或可見轄射能 :達成可父聯基團實例包括但不限於乙烯基、丙烯酸 西曰王氟乙稀鱗、L苯并_3,4_環丁貌、石夕氧烧及甲酿。可 交聯聚合物在溶液製程〇LED之成形加工可具有益處。應 〇帛水^性聚合物材料形成層’該層在沉積後可被轉換至不 可溶薄膜，此應用可使多層溶液製程〇LED裝置成形加工 不會有層溶解問題。 可交聯聚合物實例可參見於例如已公告之美國專利申請 案第20〇5-0184287號及已公告之PCT申請案第w〇 2〇〇5/〇52〇27 號。 在某些實施例中，該電洞傳輸層包含聚合物係為9,9_二 烧基第及二笨基胺之共聚物·在某些實施例中，該聚合物 Q 係9,9_二烷基第及4,4'·雙（二苯基胺基）聯苯之共聚物。在 某些實施例中，該聚合物係9,9-二烷基之薙及TPB共聚 物。在某些實施例中，該聚合物係9,9-二烷基苐及NPB之 共聚物。在某些實施例中，該聚合物係選自（乙烯基苯基） 二苯基胺及9,9-二苯乙烯基苐或9,9-二（乙烯基节基）苐的第 三共單體製成。 電洞傳輸層130可使用各種熟悉技藝者熟知之技術形 成。在某些實施例中，該層係藉由液相沉積形成。在某些 實施例中，該層係藉由狹縫模具式塗布形成。 147037.doc -37- 201100480 根據該裝置之應用，光活性層140可以是以施加電壓啟 動之發光層（如在發光二極體或發光電化學電池中）以及在 具有或沒有施加偏壓下回應輻射能和產生訊號之物質層 (如在光偵測器中）。在一實施例中，該感光材料係一有機 電致發光（「EL」）材料。任何EL材朴皆可使用在該等裝置 中，該等EL材料包括但不限於，小型分子有機螢光化合 物、螢光與磷光金屬錯合物、共軛笟合物和其混合物。螢 光化合物之實例包括但不侷限於屈（chrysenes)、芘（pyrenes)、 花（perylenes)、紅螢稀（rubrenes)、香豆素（coumarins)、蒽 (anthracenes)、α塞二 °坐（thiadiazoles)、其衍生物及其混合 物。金屬錯合物之實例包括但不限於金屬鉗螯合類咢辛化 合物（metal chelated oxinoid compounds)，如三（8-經基啥 啉）鋁（Alq3);環金屬化銥及鉑電激發光化合物，如，在 ?611'〇乂等人之美國專利第6,670,645號：及已公開之？(：丁專利 申請案第WO 03/063555及 WO 2004/016710號中所述之銥 與苯基吡啶、苯基喹啉或苯基嘧啶g己位基之錯合物，如已 公開之PCT專利申請案第WO 03/008424、WO 03/091688及 WO 03/040257號中所述之有機金屬偺合物及其混合物。在 某些情況下，使做為摻雜劑之小分爷螢光或有機金屬材料 與主體材料一起沉積，以改善製程及/或電子特性。共軛 聚合物之實例包括但不限於聚（伸苯基伸乙烯）、聚苐、聚 (螺雙苐）、聚噻吩、聚（對-伸苯基）、其共聚物及其混合 物。 光活性層140可使用各種熟悉技藝者熟知之技術形成， 147037.doc -38- 201100480 包括液相沉積、氣相沉積及熱轉印。在某些實施例中，該 層係由液相沉積形成。 視需要之層150可作用促進電子傳輸及作為電洞注入層 或限制層’以避免層界面的激子焊熄。較佳的是，這層促 使電子移動及減少激子淬息。可用於視需要之電子傳輸層 1 50之電子傳輸層材料之實例包括金屬钳螯合類号辛化合 物，包括金屬喧琳衍生物，如三（8-經基啥琳配基）銘 〇 (A1Q)、雙（2_甲基_8_喹啉配基）(p_苯基酚配基）鋁（BA][q)、 肆-(8-羥基喹啉配基）铪（HfQ)及肆_(8_羥基喹啉配基）錯 (ZrQ);及唑化合物如2_(4_聯苯基第三丁苯基> 1，3,4-噁二唑（pBD)、3_(4_聯苯基）_4_苯基_5_(4_第三丁苯 基）-1，2,4-三唾（TAZ)及三（苯基_2_苯并咪唑）苯 (TPBI);喹噁啉衍生物，如2,3_雙（4_氟苯基）喹噁啉；啡 啉’如4,7-二苯基_ι，10_啡啉（DpA)及2,9二甲基_4,7_二笨 基-1，10-啡啉（DDPA);及其混合物。在某些實施例中，該 〇 電子傳輸層進—步包含η-摻雜劑。η-摻雜劑之實例包括但 不限於Cs或其他鹼金屬。 電子傳輸層可使用各種熟悉技藝者熟知之技術形 成，包括液相沉積、氣相沉積及熱轉印。在某些實施例 中’該層係由液相沉積形成。 陰極160係電極’對於注人電子或負電荷載子特別地有 效率。陰極可為任何金屬或非金屬，其具有的功函數低於 陽極用於陰極的材料可選自第1族（例如Li、cs)的鹼金 屬第2族（驗土）金屬、第12族金屬，包括稀土元素及鋼族 147037.doc -39- 201100480 元素）及锕系。可使用如銘、銦、鈣、鋇、釤足鎂，以及 組合之材料。含Li之有機金屬化合物、UF、Li2〇、含以 有機五屬化α物、CsF、Cs2G^CS2C〇^可沉積於有機層 和陰極層間，以降低操作電壓。該層可稱作電子注入層。 陰極層160通常係藉由化學或物理氣相沉積製程形成。 在某些實施例中，該陰極層將如上文參考陽極層ιι〇討論 一樣圖案化。 裝置中其他層’在考慮此層作用功能上，可為任何已知 對此層具實用性之材料製成。 在某些貫施例中，在接觸層16〇上沉積封裝層（未示 出），以防止不需要的成分’如水及氧進入裝置ι〇〇中。2 4組成對該有機層13〇可造成有害效應。在—實施例中， =裝層係障壁層或薄膜。在—實施例中’該封裳層係玻 蓺中已錄應理解装置100可包括額外層。可使用技 β中已知或他種之其他層此外，任何上述該等曆 :或多個次層，或可㈣狀構造。對於每—組= D所選擇的材料較佳的是於裝置操作性壽命考量； ^工時間及複雜度因素和其他熟悉本技術者所^旦: ''目標取得平衡’提供具有高裝置效率。應轉， :成分、成分組態及組成識別的過程，對於熟悉此= 者而言為例行之事。 項技術 有機層可應絲自存於適#溶狀溶液或分心 知用之塗布或印刷技術’包括但不 又愛、捲對 !47037^〇〇 -40- 201100480 捲（roll-to-roll)技術、狹缝模具式塗布、喷墨印刷、連續 式噴嘴印刷、網板印刷、凹版印刷及其類似物。不同液相 沉積方法可用於不同層。 .用於液相沉積方法，熟諳此技藝者可容易決定針對特定 化合物或相關種類化合物之適當溶劑。用於某些應用，較 佳的是將化合物溶於非水性溶劑。此種非水性溶劑可為相 對地極性，如〇1至(：2()醇、醚及酸式酯，或可為相對非極 0 性如（^至烷或芳烴，如甲苯、二曱苯、三氟甲笨及 其類似物。其他適合用於製造液體組成物之液體，如本文 揭示之包a新化合物之溶液或分散液，包括但不限於氯化 火二（如—氯甲烧、氯仿、氯苯）、芳族烴（如取代及未取代曱 本和曱本），包括二氣甲苯）、極性溶劑（如四氫tr夫喃 (THP)、N-甲基吡咯啶酮）酯（如乙酸乙酯）醇（異丙醇）、酮 (環戊酮）及其混合物。光活性材料之適合溶劑已於例如已 公開之PCT申請案第W0 2007/145979號中說明。 〇 在某些實施例中，藉由該緩衝層、該電洞傳輸層及該光 活性層之液相沉積或該電子傳輸層、該電子注入層及該陰 極之氣相沉積來製造該裝置。在某些實施例中，電洞注入 及電洞傳輸層係藉由狹縫模具式塗布製造，且光活性層係 藉由印刷方法製造。 在一實施例中，不同的層所具有的厚度範圍如下：陽極 110為50G至5000 A ’在-實施例中為i綱至2刪A ;電洞 /主入層120為50至2000 A，在一實施例中為2〇〇至1〇〇〇 乂； 電洞傳輸層130為避扇以，在—實施射為·至膽乂； 147037.doc -41 - 201100480 光活性層14〇為10至2〇〇〇 A，在一實施例中為100至1000 A ; 電子傳輸層150為50至2000 A，在一實施例中為1〇〇至1〇〇〇 A; 陰極Ϊ60為200至10000 A，在一實施例中為3〇〇至5〇〇〇 所需層厚度之比例將視使用之材質確切本質而定。
於操作中，來自適當電力供給（未顯示）的電壓會施加I «亥裒置100包流因此檢越流過該裝置1 〇〇之該等層。電子_ 進入該有機聚合物層’釋出質子。在一些〇led中，稱岛 主動矩陣OLED顯示器，光活性有機薄膜的個別沉積可令 別藉由電流通過激發，致使個別像素的光發射。在—生 中，稱為被動矩陣〇LED顯示器，光活性有機薄膜: >儿積可由電接觸層之列與行所激發。 儘管類似或等效於此處所說明之方法及材料可用於實踐 式本發明，但適當的方法及材料說明如下。所有公開 :A1利申吻案、專利及此處提及的其他參考文獻，均像 的參考資料。發生矛盾的情況下，以本說明書為 此外’材料、方法與實例僅係說 質，其意指不在限制拘束。 二：，本發明之特定特徵為清楚起見而在上文及下文 例内容中說明，亦可結合成單-實施例而提 供相反地，為簡化起見而在 發明之各項特f Α例内容中說明的本 外，所提及i匕^刀開提供或提供於任何次組合中。另 每—數值 範圍内的數值包括在該範圍内的每個及 實例 147037.doc •42· 201100480 實例1 此實例說明聚吡咯（PPy)水性分散液製備，係於TFE(四 氟乙烯）和PSEPVE(全氟-3,6-二噁-4-甲基-7-辛烯確酸）之共 聚物（即全氟化聚合酸）之存在下製造。 25% (w/w)聚（TFE-PSEPVE)膠體分散液係使用類似於美 國專利第6，150,426號實例1第2部份之步驟製造，惟溫度係 約 270°C。 該聚（TFE-PSEPVE)具有酸當量（EW)為1000。EW意指每 莫耳磺酸基團之聚合物公克重量。將該分散液用於吡咯聚 合作用前以水稀釋至10_9% (w/w)。 吡咯單體係於聚（TFE-PSEPVE)分散液之存在下聚合傣 如已公開美國專利申請案第2005-0205860號說明。聚合作 用成份具有莫耳數比為：聚（TFE-PSEPVE):吡咯=3.4 ; Na2S2〇8 ·· β比 s各=1.〇 ; Fe2(S〇4)3 :吼11 各=〇.1。讓反應進行30 分鐘。水性PPy/聚（TFE-PSEPVE)分散液接著打入三支依枣 相連之管柱。三支管柱分別含Dowex M-3 1、Dowex M-43 及Dowex M-31 Na+。三支Dowex離子交換樹脂係來自美國 密西根州Midland的Dow Chemicals Company。經離子樹月旨 處理之分散液接著於5,000 psi下以微射流處理器 (Microfluidizer Processor M-110Y)(Microfluidics, Massachusetts, USA) 通過一次而微流體化。微流體化分散液接著過濾及脫氣。 分散液pH以標準pH計測量為3 · 5，且固體以重量分析法須J 得為7% w/w。分散液固體係經摻雜之導電聚合物ppy/装 (TFE-PSEPVE)。從分散液旋塗、且接著在惰氣環境下以 147037.doc -43- 201100480 275°C供烤30分鐘之薄膜，在室溫具有1·〇χ1〇_7 S/cm傳導 性。 實例2 本實例說明用於形成電洞注入層（HIL)之狹縫模具式塗 層配矿。 含7% w/w的PPy/p-(TFE-PSEPVE)水性導電聚合物分散 液係用於與石夕奈米粒子、丙二醇（PG)、丙二醇丙基醚 (PGPE )以形成HIL狹縫模具式塗層組成物。本實例使用之 石夕奈米粒子分散液來自Nissan Chemical Company之ip人（異 丙醇）-ST-S。IPA-ST-S含26.6% w/w梦奈米粒子於IPA中。 石夕粒子·尺寸以Microtrac「超奈米（nano-ultra)」動態光散射 法測量。結果發現50%的矽粒子尺寸係7.1 nm(奈米）或小 於此夜。矽分散液接著與PPy/聚（TFE-PSEPVE)分散液、丙 二醇（PG)、丙二醇丙基醚（PGPE)混合以達到所需相對於總 固體之氧化矽重量百分比。此概述於表1。PG和PGPE分別 保持在組成物總重量之55% w/w和15% w/w。IPA因[PA-ST-S分散液而存在，且IPA重量百分比隨矽的量增加而增 加。為了說明，在加入1.2 g IPA-ST-S、55 g PG及15 g PGPE前’ 2〇.0%矽組成物首先藉由混合18.3 g 7% λυ/w PPy/p-(TFE-PSEPVE)分散液與1;1·5 g去離子水而製成。攪 拌混合物以確認組成分有均勻地混合。 表1中概述之五種組成物以設定在75 mm(微米）狹缝寬及 75 μηι塗層間隙之塗層器進行狹缝模具式塗層。塗層II在 6’’x6"破璃板上以所需迷度移動，且液體輸送速率達4〇 nm 147037.doc -44- 201100480 (奈米）厚。6”χ6”玻璃含16片1.5 cmxl.5 cm方格。各方格含 次像素，其中各像素係172 mmx32 mm ITO銦-錫-氧化物 (ITO)表面。HIL塗層板係用以比較實例A和B及實例3至 表1 :狹缝模具式塗層配方 總固體之矽 重量％ PPy/p- (TFE/PSEPVE) (W°/〇) 氧化矽 (W%) PG (W%) PGPE (W%) 水 (W%) IPA (W%) 0 1.6 0 55.0 15.0 28.4 0 20.0 1.28 0.32 54.5 14.9 28.2 0.87 25.0 1.20 0.40 55.0 15.0 27.3 1.1 33.3 1.06 0.53 55.0 15.0 26.8 1.47 50.0 0.8 0.8 55.0 15.0 26.2 2.20
比較實例A和B 比較實例A和B係兩片來自實例2、分別含0%及20%固體 基底矽之HIL塗層板，以0.5% w/w HT-1(HTL聚合物）p-二 甲苯溶液作狹缝模具式塗層。狹缝-塗層器也設定在75 μηι 狹缝寬及75 μιη塗層間隙，且在不同速度和液體輸送速率 下移動，以在含HIL板上形成HTL薄膜，但無法在HIL上製 出連續性HTL，如表2概述。在比較實例Α中，沒有矽即不 會有HT薄膜形成。在比較實例B中，薄膜破裂且為不連 續，僅塗覆50%塗層區域。 實例3至5 這些實例說明HTL(電洞傳輸層）聚合物溶液在含25%、 33.3%和50%固體基底矽的HIL上之塗層。 實例3、4及5係三片來自實例2、分別含25%、33.3%及 50%固體基底矽之HIL塗層板，以0.5% w/w HT-1 p-二曱苯 147037.doc •45- 201100480 溶液作狹縫模具式塗層。狹縫-塗層器也設定在75 μιη狭縫 寬及75 μηι塗層間隙，且在不同移動速度和液體輸送速率 下移動’以在含HIL板上形成HTL薄膜。25 nm的HTL薄膜 厚度可容易達皮以製造不連續HIL/HTL雙層，如表2中概 述。比較實例B及實例3至5說明在實例2中說明之狹縫 模具式塗層配方在有最低矽濃度下之實用性。在此實施例 中’最低矽濃度係在PPy/p(TFE~PSEPVE)/HIL之矽為-25% w/w範圍。 表2 :雙層塗層 實例 總固體之矽％ w/w固體 HTL厚度 比較A 0 未有層形成 比較B 20 不連續層 實例3 25 ' 25 nm 實例4 ~333~_ ~ 25 nm 實例5 ^0 25 nm 實例6 本實例說明藉由使用具有分散在乙二醇中的矽作為傳導 性聚合物配方之狹縫模具式塗層來製備HIL/HTL不連續雙 層。 PPy/p-(TFE-PSEPVE)水性導電聚合物分散液依實例1中 所述之步驟製備。分散液的pH使用標準pH計測量為3.5， 且固體百分比以重量分析法測得為7。該固體係PPy/p-(TFE-PSEPVE)導電聚合物。從分散液旋塗、且接著在惰 氣環境下以275°C烘烤30分鐘之薄膜，在室溫具有6.5xi〇-3 S/cm傳導性。 含7% w/w的PPy/聚（TFE-PSEPVE)用於與矽奈米粒子、 147037.doc -46- 201100480 丙二醇（PG)、丙二醇丙基醚（PGPE)形成HIL狹缝模具式塗 層組成物。本實例使用之矽奈米粒子分散液來自Nissan
Chemical Company之EG-ST。EG-ST含21.2% w/w石夕奈米粒 子於乙二醇中。石夕粒子大小以]yjicrotrac「超奈米（nan〇_ ultra)」動態光散射法測量。結果發現5〇%體積的矽在累積 性50°/。體積分布具有粒子尺寸約為3.9奈米（nm)，如表3所 示0
表3 .在累積％體積分布下之粒子尺寸（nm)的總結 試驗進行# 5% 16% 第1次 3.310 3.500 EG-ST AS-IS 第2次 3.300 3.470 21.2% 第3次 3.270 3.410 平均 3.293 3.460 第1次 3.270 3.410 以EG稀釋至 第2次 3.260 3.390 10.6% 第3次 3.260 3.380 平均 3.263 3.393 第1次 3.270 3.410 以EG稀釋至 第2次 3.270 3.420 5.3% 第3次 3.270 3.410 平均 3.270 3.413 50% 4.000 3.920 3.770 3.897 3.790 3.720 3.700 3.737 3.780 3.800 3.780 3.787 _84% T650 4.460 4.210 4.440 4060 4.140 4.120 4.173 ?.270 4.280 4.260 4.270 95% 5.150 4.860 4.430 4.813 4.530 4.360 4.340 4.410 4.560 4.590 4.550 4.567
首先以11 g去離子水加入17.1 g PPy/p-(TFE-PSEPVE)分 散液。依序加入1.9 g EG-ST、55 g伸丙基PG及15 g丙二醇 丙基醚（PGPE)。所得之分散液含丨.2% w/w PPy/p-(TFE-PSEPVE)、0.40% w/w石夕、1.5% w/w 乙二醇、26.9% w/w 水、15¾ w/w PGPE及55% w/w PG。石夕含量為總固體之 25°/。w/w。氧化物奈米粒子（矽）對於經掺雜之傳導性聚合 物[PPy/p-(TFE-PSEPVE)]之重量比為1:3。分散液以設定在 75 μπι(微米）狹缝寬及75 μιη塗層間隙之塗層器進行狹縫模 147037.doc -47- 201100480 具式塗層。塗層器於6 ” x 6"玻璃板上以14 mm/秒移動，且 8.1 mL/秒輸送速率，以達到40 nm (奈米）厚度。6”χ6π玻璃 含16片1.5 cmxl.5 cm方格。各方格含次像素，其中各像素 係172 mm><32 mm ITO銦-錫-氧化物（ITO)表面。狹縫模具 式塗層HIL板在以0.5% w/w HT-1之p-二甲苯溶液狹缝模具 式塗層前，首先在空氣中於70°C烘烤3分鐘。塗層器設定 在50 μιη(微米）狹縫寬及60 μιη塗層間隙，且在經HIL塗層 之6πχ6”板上以20 mm/秒移行，且14 mL/秒液體輸送速率 下，以達到25 nm(奈米）厚度。含板之HIL/HTL不連續雙層 接著於275°C烘烤30分鐘。圖1和2顯示在板上之不連 續雙層方格及次像素。 實例7 本實例說明溶液製造、具有藍色發光體、使用狹缝模具 式塗層HIL/HTL雙層有機發光二極體裝置效能。 於實例6中所製備之玻璃平板上之HIL(40 nm)/HTL(25 nm)不連續雙層，係於有機溶劑媒介中的1.1 5% w/w螢光主 體：藍色螢光摻雜劑發光層溶液1 3 :1以進行旋塗。該主體 係蒽衍生物。此材料舉例來說已在美國專利第7,〇23,013號 說明。該摻雜劑係芳基胺化合物。此材料舉例來說在已公 開之美國專利申請第2006/0033421號中說明。該有機溶劑介 質係溶劑混合物，如已公開之PCT申請案第WO 2007/145979 號中說明。該發光層接著在140°C烘烤1 〇分鐘以移除溶 劑。層厚度約為35 nm。基材接著遮罩並置於真空箱中。 作為電子傳輸層之15 nm厚之金屬啥配基衍生物層藉由 147037.doc -48- 201100480 熱蒸發沉積，之後沉積一層0.7 nm氯化铯，及100 nm銘陰 極層。使用玻璃蓋、吸氣包及紫外線硬化型（UV curable) 環氧化物封裝該等裝置。發光二極體樣品藉由量測（1)電 流-電壓（I-V)曲線、（2)電激發光輻射強度相對電壓，及（3) 電激發光光譜相對電壓，予以特徵化。所有三種測量值均 同時進行，並由電腦控制。裝置在特定電壓之電流效率 (cd/A)，係藉由LED電激發光輻射強度除以運作該裝置所 需電流強度測得。能源效率（Lm/W)係電流效率除以操作電 壓。結果如表4所示，顯示由狹缝模具式塗層製造之 HIL/HTL不連續雙層可應用於溶液製程OLED。 表4 :裝置結果 電硫效率 (光度/安培） 量子效率(％) CIEY 電壓(伏特） T50⑻ @353〇〇 nits 5.7 5.2 0.138 5.3 94 除非特別註明，否則所有數據@1000尼特；CIEY係依 CM.E.色度標度（Commission Internationale de L'Eclairage, Q 1931)y轴顏色座標；T50 (h)為@ 24°C達到起始亮度50°/〇的 時間（小時）。 應注意的是，上面在一般性描述或實例中所述之活動不 是都是必要的，一部份具體活動可以是不必要的，並且除 了所述的那些活動以外，可執行一個或多個其他活動。此 外，所列活動順序不必然是執行這些活動的順序。 在上述說明中，已描述關於具體實施例之概念。然而， 本領域普通技術人員應理解在不脫離本發明範圍的情況 147037.doc -49- 201100480 下，可進行各種修改和變更，請參閱以下申請專利範圍所 逑。於是’將該說明書及圖式視為描述用而非限定用，以 及所有這樣的修改意欲包含於本發明之範圍内。 前文已針對特定實施例之效益、其他優點及問題解決方 案加以闡述 '然而’效益、優點、問題解決方案，以及可 能產生或彰顯任何這些效益、優點或問題解決方案的任何 特徵，不可解釋為是任何或所有專利中請範圍之關鍵、必 需或基本特徵。 應當理解到，亦可以在單—實施例中以組合方式提供為 了清楚說明而在個別實施例之上下文中描述的某些特徵。 反之，為了簡明扼要之故，本說明書所描述各別實例可以 分別提供’或以任何次組合的方式提供之。 本文所指定之各種範圍内的數值的使用係恰如所述之範 圍内的最小值及最大值的近似值，其使用「約為」作表 不。以此方式，上文及下文所述之範圍可作些微變動，只 要數值在該等範圍内，該等些微變動的數值實質上達到相 同結果。同理，所告知之此等範圍意指作為連續性的範 圍，該連續性範圍包括最小平均值及最大平均值之間的每 一數值，包含分數值，當一數值之某些分量與不同數值之 分量混合時，會產生該等分數值。再者，當揭示較廣及較 窄範圍時’該等範圍仍在本發明的意圖之内，以相符一範 圍中的最小值與另一範圍中的最大值，且反之亦然。 【圖式簡單說明】 本發明係以實例說明並非限制於所附圖式。 147037.doc -50- 201100480 圖1係有機電子裝置的示意圖。 熟習此項技術者將暸解圖式中之物件係為達成簡單及清 楚之目的而說明的且未必按比例繪製。例如，圖中某些物 件尺寸相對於其它物件可能被誇大，以協助增進實施例之 【主要元件符號說明】 100 電子裝置 110 陽極層 120 電洞注入層 130 電洞傳輸層 140 光活性層 150 視需要之電子注入/傳 160 陰極層 輸層
Ο 147037.doc •51·

Claims (1)

  1. 201100480 七、申請專利範圍： 1· 一種組成物，其包含已分散於其中之水： (a) 至少一經摻雜至少一多氟化酸性聚合物之導電聚合 物， * (b) 非傳導性氧化物奈米粒子， (c) 至少一高沸點有機液體，及 (d) 至少一低沸點有機液體。 2. >申請專利範圍第丄項所述之組成物，#中該導電聚合 物係選自於由聚噻吩、聚（硒吩）、聚（碲吩卜聚π比咯、 聚苯胺、多環芳香族聚合物、其共聚物及其組合所組成 的群組。 如申切專利範圍第2項所述之組成物，其中該導電聚合 物係選自於由聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯、聚合物稠合之 夕環雜環芳香族、其共聚物及其組合所組成的群組。 汝申印專利範圍第3項所述之組成物，其中該導電聚合 Q 物係選自於由未取代聚苯胺、聚（3,4-伸乙基二氧基噻 吩）、未取代聚吡咯、聚（4_胺基吲哚）、聚（7_胺基吲 朵）、聚（噻吩并（2,3-b)噻吩）、聚（噻吩并（3,2-b)噻吩）及 來（塞吩并（3,4-b)嘴吩）所組成的群組。 5’如申請專利範圍第1項所述之組成物，其中該多氟化酸 性聚合物係至少9〇%氟化。 6·如申請專利範圍第1項所述之組成物’其中該多氟化酸 & 4合物係選自磺酸及磺醢亞胺。 7 女口 » 主 ' 甲s青專利範圍第1項所述之組成物，其中該多氟化酸 147037.doc 201100480 性聚合物係具有全氟-醚-磺酸側鏈之全氟烯烴。 8. 如申請專利範圍第1項所述之組成物，其中該多氟化酸 性聚合物係選自於由1，1->一·氟乙稀和2-(1，1_二氟_2_(三氣 曱基）烯丙氧基）-^2,2-四氟乙磺酸之共聚物以及乙烯和 2_(2-(1，2,2-三氟乙烯氧基）-1，1，2,3,3,3 -六氟丙氧基）_ 1，1，2,2-四氟乙磺酸之共聚物所組成的群组。 9. 如申請專利範圍第1項所述之組成物，其中該多氟化酸 性聚合物係選自於由四氟乙烯和全氟（3，6-二》惡-4-曱基-7-辛烯磺酸）之共聚物以及四氟乙烯和全氟〇_噁_4戊烯 磺酸）之共聚物所組成的群組。 1 〇·如申請專利範圍第1項所述之組成物，其中該非傳導性 氧化物奈米粒子係選自於由二氧化矽、二氧化鈦及其組 合所組成的群組。 如申請專利範圍第1項所述之組成物 其中該高沸點有
    物所組成的群組。
    醇單甲基醚乙酸酯及其混合物所組成 的群組。
    所述之組成物，其中該氧化物奈 聚合物的重量比係大於L4且小於 147037.doc 201100480 14.如申請專利範圍第1項所述之組成物，其中該高沸點有 機液體通常於組成物中的量，以組成物總重量為基準之 40%至 70% w/w。 .I5.如申凊專利範圍第1項所述之組成物，其中該低沸點有 機液體通常於組成物中的量，以組成物總重量為基準之 5%至 20% w/w。 16. —種薄膜，其係以申請專利範圍第丨項所述之組成物液 相沉積製成者。 1 7.如f睛專利範圍第16項所述之薄膜，其中該薄膜係以狹 缝模具式塗層（slot-die coating)製成。 18. -種電子裝置，其包含至少一組成物製成之層，該組成 物包含已分散於其中之水： (a) 至少一經摻雜至少一多氟化酸性聚合物之導電聚合 物， (b) 非傳導性氧化物奈米粒子， Q (c)至少一高沸點有機液體，及 (d)至少—低沸點有機液體。 19.如申請專利範圍第18項所述之裝置，其包含—陽極、一 電洞注入層、一光活性層及一陰極。 20如中#專利範圍第18項所述之裝置，其中該層係—電洞 注入層。 21·如申請專利範圍第綱所述之裝置，其巾該組成物主要 由已分散於其中之水組成： (a)至ν —經摻雜至少一多氟化酸性聚合物之導電聚合 147037.doc 201100480 物， (b)非傳導性氧化物奈米粒子， (C)至少一高沸點有機液體，及 (d)至少一低沸點有機液體。 22.如申請專利範圍第20項所述之裝置，其進一步包含一電 洞傳輸層。 23 ·如申請專利範圍第22項所述之裝置，其中該電洞注入層 及該電洞傳輸層係以狹縫模具式塗層形成。 147037.doc
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI417331B (zh) * 2011-06-13 2013-12-01 Univ Nat Taiwan 高分子組成物、異質界面結構及其光電元件
TWI710607B (zh) * 2015-07-17 2020-11-21 日商日產化學工業股份有限公司 含有電洞載子化合物和聚合物酸的組成物，以及其用途
TWI791711B (zh) * 2017-12-15 2023-02-11 日商日產化學股份有限公司 有機光電轉換元件之電洞捕集層用組成物

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5915056B2 (ja) * 2011-09-28 2016-05-11 コニカミノルタ株式会社 透明電極の製造方法および有機電子デバイスの製造方法
DE102013112253A1 (de) * 2013-11-07 2015-05-07 Osram Oled Gmbh Optoelektronisches Bauelement, Verfahren zum Betreiben eines optoelektronischen Bauelementes und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes
KR20160091362A (ko) * 2013-11-27 2016-08-02 코닝 인코포레이티드 반전도성 중합체의 향상된 유동 반응기 합성
EP3325560A4 (en) * 2015-07-17 2019-03-27 Nissan Chemical Corporation Nonaqueous ink compositions containing metal nanoparticles for use in organic electronics
WO2017021763A1 (en) * 2015-08-06 2017-02-09 Salim Zuñiga Elizabeth Issa
CN108463517B (zh) * 2016-01-20 2021-09-28 日产化学工业株式会社 包含过渡金属络合物的非水性油墨组合物及其在有机电子学中的用途
KR102186093B1 (ko) * 2016-11-07 2020-12-03 주식회사 엘지화학 코팅 조성물 및 이를 포함하는 유기전계 발광소자
US20190359832A1 (en) * 2017-01-18 2019-11-28 Nissan Chemical Corporation Charge transporting varnish and charge transporting thin film using the same
CN106893456A (zh) * 2017-04-05 2017-06-27 潍坊海通新材料科技有限公司 一种高稳定性聚噻吩抗静电涂布液及其制备方法
CN108986951A (zh) * 2018-06-07 2018-12-11 太仓萃励新能源科技有限公司 一种水性导电浆料

Family Cites Families (159)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3282875A (en) 1964-07-22 1966-11-01 Du Pont Fluorocarbon vinyl ether polymers
US4358545A (en) 1980-06-11 1982-11-09 The Dow Chemical Company Sulfonic acid electrolytic cell having flourinated polymer membrane with hydration product less than 22,000
US4433082A (en) 1981-05-01 1984-02-21 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for making liquid composition of perfluorinated ion exchange polymer, and product thereof
US5378402A (en) 1982-08-02 1995-01-03 Raychem Limited Polymer compositions
US4552927A (en) 1983-09-09 1985-11-12 Rockwell International Corporation Conducting organic polymer based on polypyrrole
JPS62119237A (ja) 1985-11-20 1987-05-30 Agency Of Ind Science & Technol 導電性有機高分子化合物用ド−パント
US4731408A (en) 1985-12-20 1988-03-15 Polaroid Corporation Processable conductive polymers
US4940525A (en) 1987-05-08 1990-07-10 The Dow Chemical Company Low equivalent weight sulfonic fluoropolymers
US4795543A (en) 1987-05-26 1989-01-03 Transducer Research, Inc. Spin coating of electrolytes
US5160457A (en) 1987-08-07 1992-11-03 Allied-Signal Inc. Thermally stable forms of electrically conductive polyaniline
US5069820A (en) 1987-08-07 1991-12-03 Allied-Signal Inc. Thermally stable forms of electrically conductive polyaniline
JPH01132052A (ja) 1987-08-10 1989-05-24 Nitto Denko Corp 導電性有機重合体電池
DE3843412A1 (de) 1988-04-22 1990-06-28 Bayer Ag Neue polythiophene, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung
FR2632979B1 (fr) 1988-06-16 1990-09-21 Commissariat Energie Atomique Procede de preparation d'un polymere conducteur mixte ionique et electronique et polymeres obtenus par ce procede
US4973391A (en) 1988-08-30 1990-11-27 Osaka Gas Company, Ltd. Composite polymers of polyaniline with metal phthalocyanine and polyaniline with organic sulfonic acid and nafion
JPH02249221A (ja) 1989-03-23 1990-10-05 Asahi Glass Co Ltd 固体電解コンデンサ
GB8909011D0 (en) 1989-04-20 1989-06-07 Friend Richard H Electroluminescent devices
EP0440957B1 (de) 1990-02-08 1996-03-27 Bayer Ag Neue Polythiophen-Dispersionen, ihre Herstellung und ihre Verwendung
DE69110922T2 (de) 1990-02-23 1995-12-07 Sumitomo Chemical Co Organisch elektrolumineszente Vorrichtung.
US5185100A (en) 1990-03-29 1993-02-09 Allied-Signal Inc Conductive polymers formed from conjugated backbone polymers doped with non-oxidizing protonic acids
BE1008036A3 (fr) 1990-08-30 1996-01-03 Solvay Melanges de polymeres polaires et de polymeres conducteurs dedopes, procedes d'obtention de ces melanges et utilisation de ces melanges pour fabriquer des dispositifs electroniques optoelectriques, electrotechniques et electromecaniques.
FR2666443A1 (fr) 1990-08-31 1992-03-06 Commissariat Energie Atomique Materiau a base de polymere conducteur electronique comprenant des particules magnetiques et son procede de fabrication.
JP3056522B2 (ja) 1990-11-30 2000-06-26 三菱レイヨン株式会社 金属―導電性高分子複合微粒子及びその製造方法
US5463005A (en) 1992-01-03 1995-10-31 Gas Research Institute Copolymers of tetrafluoroethylene and perfluorinated sulfonyl monomers and membranes made therefrom
JPH05255576A (ja) 1992-03-12 1993-10-05 Nippon Chibagaigii Kk 面状発熱体及びその製造法
EP0593111B1 (en) 1992-10-14 1998-06-17 Agfa-Gevaert N.V. Antistatic coating composition
DE4334390C2 (de) 1993-10-08 1999-01-21 Nat Science Council Verfahren zur Herstellung eines verarbeitbaren, leitfähigen, kolloidalen Polymeren
US5537000A (en) 1994-04-29 1996-07-16 The Regents, University Of California Electroluminescent devices formed using semiconductor nanocrystals as an electron transport media and method of making such electroluminescent devices
JP2001506393A (ja) 1994-09-06 2001-05-15 フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ 導電性ポリマー製の透明な構造を付与した電極層を有するエレクトロルミネセント装置
US5567356A (en) 1994-11-07 1996-10-22 Monsanto Company Emulsion-polymerization process and electrically-conductive polyaniline salts
JP3798484B2 (ja) 1995-11-15 2006-07-19 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 架橋導電性ポリマー及びその前駆物質
DE19543205A1 (de) 1995-11-20 1997-05-22 Bayer Ag Zwischenschicht in elektrolumineszierenden Anordnungen enthaltend feinteilige anorganische Partikel
US5798170A (en) 1996-02-29 1998-08-25 Uniax Corporation Long operating life for polymer light-emitting diodes
DE19627069A1 (de) 1996-07-05 1998-01-08 Bayer Ag Elektrolumineszierende Anordnungen unter Verwendung von lamellaren Elektroden
WO1998016581A1 (en) 1996-10-15 1998-04-23 E.I. Du Pont De Nemours And Company Compositions containing particles of highly fluorinated ion exchange polymer
EP0953213A2 (en) 1996-11-12 1999-11-03 International Business Machines Corporation Patterns of electrically conducting polymers and their application as electrodes or electrical contacts
CA2704986C (fr) 1996-12-30 2013-04-09 Hydro-Quebec Utilisation d'un compose ionique derive du malononitrile comme photoinitiateur, amorceur radicalaire ou catalyseur dans les procedes de polymerisation, ou comme colorant cationique
DE69808241T2 (de) 1997-01-22 2003-08-07 E.I. Du Pont De Nemours And Co., Wilmington Mit fluorverbindungen aufgepfropften polymerisaten
DE69835366T2 (de) 1997-03-31 2007-07-19 Daikin Industries, Ltd. Verfahren zur herstellung von perfluorvinylethersulfonsäure-derivaten
US6599631B2 (en) 2001-01-26 2003-07-29 Nanogram Corporation Polymer-inorganic particle composites
US6303238B1 (en) 1997-12-01 2001-10-16 The Trustees Of Princeton University OLEDs doped with phosphorescent compounds
WO1999023672A1 (en) 1997-11-05 1999-05-14 Koninklijke Philips Electronics N.V. Conjugated polymer in an oxidized state
DE19757542A1 (de) 1997-12-23 1999-06-24 Bayer Ag Siebdruckpaste zur Herstellung elektrisch leitfähiger Beschichtungen
AU2492599A (en) 1998-02-02 1999-08-16 Uniax Corporation Organic diodes with switchable photosensitivity
US6866946B2 (en) 1998-02-02 2005-03-15 Dupont Displays, Inc. High resistance polyaniline useful in high efficiency pixellated polymer electronic displays
US6100324A (en) 1998-04-16 2000-08-08 E. I. Du Pont De Nemours And Company Ionomers and ionically conductive compositions
JP3937113B2 (ja) 1998-06-05 2007-06-27 日産化学工業株式会社 有機−無機複合導電性ゾル及びその製造法
US6210790B1 (en) 1998-07-15 2001-04-03 Rensselaer Polytechnic Institute Glass-like composites comprising a surface-modified colloidal silica and method of making thereof
US6830828B2 (en) 1998-09-14 2004-12-14 The Trustees Of Princeton University Organometallic complexes as phosphorescent emitters in organic LEDs
US6097147A (en) 1998-09-14 2000-08-01 The Trustees Of Princeton University Structure for high efficiency electroluminescent device
US6187522B1 (en) 1999-03-25 2001-02-13 Eastman Kodak Company Scratch resistant antistatic layer for imaging elements
US20040217877A1 (en) 1999-05-04 2004-11-04 William Kokonaski Flexible electronic display and wireless communication system
CN101312235B (zh) 1999-05-13 2010-06-09 普林斯顿大学理事会 基于电致磷光的极高效有机发光器件
US20020099119A1 (en) 1999-05-27 2002-07-25 Bradley D. Craig Water-borne ceramer compositions and antistatic abrasion resistant ceramers made therefrom
KR100302326B1 (ko) 1999-06-09 2001-09-22 윤덕용 폴리비닐알콜-실란커플링제를 이용한 무-유기 공중합체 및 그의제조방법
US6324091B1 (en) 2000-01-14 2001-11-27 The Regents Of The University Of California Tightly coupled porphyrin macrocycles for molecular memory storage
US6620494B2 (en) 1999-07-03 2003-09-16 Ten Cate Enbi B.V. Conductive roller
WO2001038219A1 (en) 1999-11-24 2001-05-31 Tda Research, Inc. Combustion synthesis of single walled nanotubes
JP3656244B2 (ja) 1999-11-29 2005-06-08 株式会社豊田中央研究所 高耐久性固体高分子電解質及びその高耐久性固体高分子電解質を用いた電極−電解質接合体並びにその電極−電解質接合体を用いた電気化学デバイス
JP4357781B2 (ja) 1999-12-01 2009-11-04 ザ、トラスティーズ オブ プリンストン ユニバーシティ 有機ｌｅｄ用燐光性ドーパントとしての式ｌ２ｍｘの錯体
US6821645B2 (en) 1999-12-27 2004-11-23 Fuji Photo Film Co., Ltd. Light-emitting material comprising orthometalated iridium complex, light-emitting device, high efficiency red light-emitting device, and novel iridium complex
JP2001270999A (ja) 2000-01-19 2001-10-02 Mitsubishi Rayon Co Ltd 架橋性導電性組成物、耐水性導電体及びその形成方法
KR20010095437A (ko) 2000-03-30 2001-11-07 윤덕용 발광물질/점토 나노복합소재를 이용한 유기 전기 발광 소자
US6706963B2 (en) 2002-01-25 2004-03-16 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic cell interconnection
JP2001325831A (ja) 2000-05-12 2001-11-22 Bando Chem Ind Ltd 金属コロイド液、導電性インク、導電性被膜及び導電性被膜形成用基底塗膜
US20020038999A1 (en) 2000-06-20 2002-04-04 Yong Cao High resistance conductive polymers for use in high efficiency pixellated organic electronic devices
US20020036291A1 (en) 2000-06-20 2002-03-28 Parker Ian D. Multilayer structures as stable hole-injecting electrodes for use in high efficiency organic electronic devices
US6632472B2 (en) 2000-06-26 2003-10-14 Agfa-Gevaert Redispersable latex comprising a polythiophene
KR100847904B1 (ko) 2000-06-26 2008-07-23 아그파-게바에르트 폴리티오펜을 포함하는 재분산성 라텍스
US6670645B2 (en) 2000-06-30 2003-12-30 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electroluminescent iridium compounds with fluorinated phenylpyridines, phenylpyrimidines, and phenylquinolines and devices made with such compounds
US20020121638A1 (en) 2000-06-30 2002-09-05 Vladimir Grushin Electroluminescent iridium compounds with fluorinated phenylpyridines, phenylpyrimidines, and phenylquinolines and devices made with such compounds
JP5241053B2 (ja) 2000-08-11 2013-07-17 ザ、トラスティーズ オブ プリンストン ユニバーシティ 有機金属化合物及び放射移行有機電気燐光体
JP2002082082A (ja) 2000-09-07 2002-03-22 Matsushita Refrig Co Ltd 臭気センサー及びその製造方法
JP4154139B2 (ja) 2000-09-26 2008-09-24 キヤノン株式会社 発光素子
JP4154140B2 (ja) 2000-09-26 2008-09-24 キヤノン株式会社 金属配位化合物
US6515314B1 (en) 2000-11-16 2003-02-04 General Electric Company Light-emitting device with organic layer doped with photoluminescent material
EP1231251A1 (en) 2001-02-07 2002-08-14 Agfa-Gevaert Thin film inorganic light emitting diode
GB2390094B (en) 2001-02-08 2004-11-10 Asahi Chemical Ind Organic domain/inorganic domain hybrid material and use thereof
US6756474B2 (en) 2001-02-09 2004-06-29 E. I. Du Pont De Nemours And Company Aqueous conductive dispersions of polyaniline having enhanced viscosity
DE10126860C2 (de) 2001-06-01 2003-05-28 Siemens Ag Organischer Feldeffekt-Transistor, Verfahren zu seiner Herstellung und Verwendung zum Aufbau integrierter Schaltungen
US6784016B2 (en) 2001-06-21 2004-08-31 The Trustees Of Princeton University Organic light-emitting devices with blocking and transport layers
US6875523B2 (en) 2001-07-05 2005-04-05 E. I. Du Pont De Nemours And Company Photoactive lanthanide complexes with phosphine oxides, phosphine oxide-sulfides, pyridine N-oxides, and phosphine oxide-pyridine N-oxides, and devices made with such complexes
DE60214418T2 (de) 2001-07-13 2007-05-03 E.I. Du Pont De Nemours And Co., Wilmington Verfahren zur auflösung von hochfluorierten ionenaustauscherpolymeren
US6777515B2 (en) 2001-07-13 2004-08-17 I. Du Pont De Nemours And Company Functional fluorine-containing polymers and ionomers derived therefrom
KR20040018467A (ko) 2001-07-18 2004-03-03 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 이민 리간드와의 발광 란탄족 착물 및 이러한 착물을사용하여 제조된 장치
JP4619000B2 (ja) 2001-07-27 2011-01-26 マサチューセッツ インスティテュート オブ テクノロジー 電池構造、自己組織化構造、及び関連方法
US6627333B2 (en) 2001-08-15 2003-09-30 Eastman Kodak Company White organic light-emitting devices with improved efficiency
US7112368B2 (en) 2001-11-06 2006-09-26 E. I. Du Pont De Nemours And Company Poly(dioxythiophene)/poly(acrylamidoalkyslufonic acid) complexes
US7166368B2 (en) 2001-11-07 2007-01-23 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electroluminescent platinum compounds and devices made with such compounds
WO2003046540A1 (en) 2001-11-30 2003-06-05 Acreo Ab Electrochemical sensor
EP1326260A1 (en) 2001-12-11 2003-07-09 Agfa-Gevaert Material for making a conductive pattern
CA2455844A1 (en) 2001-12-26 2003-07-31 Viacheslav A. Petrov Electroluminescent iridium compounds wiht fluorinated phenylpyridines, phenylpyrimidines, and phenylquinolines and devices made with such compounds
JP2003217862A (ja) 2002-01-18 2003-07-31 Honda Motor Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
EP1483320A2 (en) 2002-03-01 2004-12-08 E.I. Du Pont De Nemours And Company Printing of organic conductive polymers containing additives
US6923881B2 (en) 2002-05-27 2005-08-02 Fuji Photo Film Co., Ltd. Method for producing organic electroluminescent device and transfer material used therein
JP4288895B2 (ja) 2002-06-04 2009-07-01 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンスの製造方法
US20040004433A1 (en) 2002-06-26 2004-01-08 3M Innovative Properties Company Buffer layers for organic electroluminescent devices and methods of manufacture and use
JP3606855B2 (ja) 2002-06-28 2005-01-05 ドン ウン インターナショナル カンパニー リミテッド 炭素ナノ粒子の製造方法
KR101178006B1 (ko) 2002-07-19 2012-08-28 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 유기 전기발광 소자 및 유기 발광 매체
US7087348B2 (en) * 2002-07-26 2006-08-08 A123 Systems, Inc. Coated electrode particles for composite electrodes and electrochemical cells
US6963005B2 (en) 2002-08-15 2005-11-08 E. I. Du Pont De Nemours And Company Compounds comprising phosphorus-containing metal complexes
US7118836B2 (en) 2002-08-22 2006-10-10 Agfa Gevaert Process for preparing a substantially transparent conductive layer configuration
JP2004082395A (ja) 2002-08-23 2004-03-18 Eamex Co 積層体形成方法及び積層体
US7307276B2 (en) 2002-08-23 2007-12-11 Agfa-Gevaert Layer configuration comprising an electron-blocking element
US6977390B2 (en) 2002-08-23 2005-12-20 Agfa Gevaert Layer configuration comprising an electron-blocking element
AU2002337064A1 (en) 2002-09-02 2004-03-19 Agfa-Gevaert New 3,4-alkylenedioxythiophenedioxide compounds and polymers comprising monomeric units thereof
JP4464277B2 (ja) * 2002-09-24 2010-05-19 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 導電性有機ポリマー／ナノ粒子複合材料およびその使用方法
US7317047B2 (en) 2002-09-24 2008-01-08 E.I. Du Pont De Nemours And Company Electrically conducting organic polymer/nanoparticle composites and methods for use thereof
US7371336B2 (en) * 2002-09-24 2008-05-13 E.I. Du Pont Nemours And Company Water dispersible polyanilines made with polymeric acid colloids for electronics applications
CA2499364A1 (en) 2002-09-24 2004-04-08 E. I. Du Pont De Nemours And Company Water dispersible polyanilines made with polymeric acid colloids for electronics applications
WO2004029128A2 (en) 2002-09-24 2004-04-08 E.I. Du Pont De Nemours And Company Water dispersible polythiophenes made with polymeric acid colloids
US6717358B1 (en) 2002-10-09 2004-04-06 Eastman Kodak Company Cascaded organic electroluminescent devices with improved voltage stability
US6793197B2 (en) 2003-01-30 2004-09-21 Fisher Controls International, Inc. Butterfly valve
US7390438B2 (en) 2003-04-22 2008-06-24 E.I. Du Pont De Nemours And Company Water dispersible substituted polydioxythiophenes made with fluorinated polymeric sulfonic acid colloids
WO2004105150A1 (en) 2003-05-19 2004-12-02 E.I. Dupont De Nemours And Company Hole transport composition
JP2007528907A (ja) 2003-06-27 2007-10-18 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー トリフルオロスチレン含有化合物、およびポリマー電解質膜におけるそれらの使用
JP4983021B2 (ja) 2003-09-08 2012-07-25 住友金属鉱山株式会社 透明導電積層体とそれを用いた有機ｅｌ素子、及びそれらの製造方法
US7618704B2 (en) 2003-09-29 2009-11-17 E.I. Du Pont De Nemours And Company Spin-printing of electronic and display components
US7105237B2 (en) 2003-10-01 2006-09-12 The University Of Connecticut Substituted thieno[3,4-B]thiophene polymers, method of making, and use thereof
TWI365218B (en) 2003-11-17 2012-06-01 Sumitomo Chemical Co Conjugated oligomers or polymers based on crosslinkable arylamine compounds
US20050209392A1 (en) 2003-12-17 2005-09-22 Jiazhong Luo Polymer binders for flexible and transparent conductive coatings containing carbon nanotubes
US7960587B2 (en) 2004-02-19 2011-06-14 E.I. Du Pont De Nemours And Company Compositions comprising novel compounds and electronic devices made with such compositions
US7365230B2 (en) 2004-02-20 2008-04-29 E.I. Du Pont De Nemours And Company Cross-linkable polymers and electronic devices made with such polymers
US7112369B2 (en) 2004-03-02 2006-09-26 Bridgestone Corporation Nano-sized polymer-metal composites
US7250461B2 (en) * 2004-03-17 2007-07-31 E. I. Du Pont De Nemours And Company Organic formulations of conductive polymers made with polymeric acid colloids for electronics applications, and methods for making such formulations
US7351358B2 (en) 2004-03-17 2008-04-01 E.I. Du Pont De Nemours And Company Water dispersible polypyrroles made with polymeric acid colloids for electronics applications
US7338620B2 (en) * 2004-03-17 2008-03-04 E.I. Du Pont De Nemours And Company Water dispersible polydioxythiophenes with polymeric acid colloids and a water-miscible organic liquid
WO2005090446A1 (en) 2004-03-18 2005-09-29 Ormecon Gmbh A composition comprising a conductive polymer in colloidal form and carbon
US20050222333A1 (en) 2004-03-31 2005-10-06 Che-Hsiung Hsu Aqueous electrically doped conductive polymers and polymeric acid colloids
US7455793B2 (en) 2004-03-31 2008-11-25 E.I. Du Pont De Nemours And Company Non-aqueous dispersions comprising electrically doped conductive polymers and colloid-forming polymeric acids
US7354532B2 (en) * 2004-04-13 2008-04-08 E.I. Du Pont De Nemours And Company Compositions of electrically conductive polymers and non-polymeric fluorinated organic acids
US7023013B2 (en) 2004-06-16 2006-04-04 Eastman Kodak Company Array of light-emitting OLED microcavity pixels
US7378040B2 (en) 2004-08-11 2008-05-27 Eikos, Inc. Method of forming fluoropolymer binders for carbon nanotube-based transparent conductive coatings
KR20070102661A (ko) 2004-09-24 2007-10-19 플렉스트로닉스, 인크 광기전 전지에서의 헤테로 원자를 갖는 위치 규칙적폴리(3-치환 티오펜)
US7211824B2 (en) 2004-09-27 2007-05-01 Nitto Denko Corporation Organic semiconductor diode
US7388235B2 (en) 2004-09-30 2008-06-17 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy High electron mobility transistors with Sb-based channels
US7569158B2 (en) 2004-10-13 2009-08-04 Air Products And Chemicals, Inc. Aqueous dispersions of polythienothiophenes with fluorinated ion exchange polymers as dopants
KR101334442B1 (ko) 2004-12-30 2013-12-02 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 유도화된 3,4-알킬렌디옥시티오펜 단량체, 그의 제조 방법,및 그의 용도
US7985490B2 (en) 2005-02-14 2011-07-26 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Composition of conducting polymer and organic opto-electronic device employing the same
US7593004B2 (en) 2005-06-02 2009-09-22 Eastman Kodak Company Touchscreen with conductive layer comprising carbon nanotubes
US7645497B2 (en) 2005-06-02 2010-01-12 Eastman Kodak Company Multi-layer conductor with carbon nanotubes
US7727421B2 (en) 2005-06-27 2010-06-01 E. I. Du Pont De Nemours And Company Dupont Displays Inc Electrically conductive polymer compositions
KR101294892B1 (ko) 2005-06-27 2013-08-09 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 전기 전도성 중합체 조성물
US7638072B2 (en) 2005-06-27 2009-12-29 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electrically conductive polymer compositions
EP1897096A4 (en) 2005-06-28 2009-08-12 Du Pont TRANSPARENT LADDER WITH HIGH WORKING FUNCTION
WO2007002738A2 (en) 2005-06-28 2007-01-04 E. I. Du Pont De Nemours And Company Bilayer anode
WO2007002740A2 (en) 2005-06-28 2007-01-04 E. I. Du Pont De Nemours And Company Buffer compositions
US8216680B2 (en) 2006-02-03 2012-07-10 E I Du Pont De Nemours And Company Transparent composite conductors having high work function
WO2007120143A1 (en) 2006-04-18 2007-10-25 E. I. Du Pont De Nemours And Company High energy-potential bilayer compositions
US20080067473A1 (en) 2006-06-05 2008-03-20 Walker Dennis D Liquid composition for deposition of organic active materials
US8153029B2 (en) 2006-12-28 2012-04-10 E.I. Du Pont De Nemours And Company Laser (230NM) ablatable compositions of electrically conducting polymers made with a perfluoropolymeric acid applications thereof
US20080191172A1 (en) 2006-12-29 2008-08-14 Che-Hsiung Hsu High work-function and high conductivity compositions of electrically conducting polymers
US20080251768A1 (en) 2007-04-13 2008-10-16 Che-Hsiung Hsu Electrically conductive polymer compositions
US20080283800A1 (en) 2007-05-18 2008-11-20 Che Hsiung Hsu Electrically conductive polymer compositions and films made therefrom
US8241526B2 (en) 2007-05-18 2012-08-14 E I Du Pont De Nemours And Company Aqueous dispersions of electrically conducting polymers containing high boiling solvent and additives
CN101688052A (zh) * 2007-07-27 2010-03-31 E.I.内穆尔杜邦公司 包含无机纳米颗粒的导电聚合物的含水分散体
KR100881234B1 (ko) 2007-11-30 2009-02-05 제일모직주식회사 수분산 전도성 고분자 화합물 및 이를 포함하는 유기 광전소자
WO2009117460A1 (en) * 2008-03-19 2009-09-24 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electrically conductive polymer compositions and films made therefrom
US8461758B2 (en) * 2008-12-19 2013-06-11 E I Du Pont De Nemours And Company Buffer bilayers for electronic devices

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI417331B (zh) * 2011-06-13 2013-12-01 Univ Nat Taiwan 高分子組成物、異質界面結構及其光電元件
TWI710607B (zh) * 2015-07-17 2020-11-21 日商日產化學工業股份有限公司 含有電洞載子化合物和聚合物酸的組成物，以及其用途
TWI710608B (zh) * 2015-07-17 2020-11-21 日產化學工業股份有限公司 適合於在有機電子中使用的非水性組成物
TWI791711B (zh) * 2017-12-15 2023-02-11 日商日產化學股份有限公司 有機光電轉換元件之電洞捕集層用組成物

Also Published As

Publication number Publication date
CN102349115B (zh) 2013-06-19
KR20140134728A (ko) 2014-11-24
WO2010105140A2 (en) 2010-09-16
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KR101561402B1 (ko) 2015-10-16
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JP2012520381A (ja) 2012-09-06
EP2406796A2 (en) 2012-01-18
KR101560859B1 (ko) 2015-10-19
WO2010105140A3 (en) 2011-01-13
KR20110129461A (ko) 2011-12-01
US20120175596A1 (en) 2012-07-12

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