TW201700681A - 糊狀接著劑組成物、半導體裝置、半導體裝置之製造方法、及散熱板之接著方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之糊狀接著劑組成物含有金屬粒子(A)及藉由加熱而聚合之化合物(B)，藉由熱處理使上述金屬粒子(A)發生燒結而形成粒子連結結構，於測定頻率1Hz之條件進行動態黏彈性測定時，於140℃~180℃之溫度區域內，具有10℃以上的剪切彈性模數為5,000Pa以上且100,000Pa以下之溫度幅度，於去除上述金屬粒子(A)後，在180℃、2小時之條件進行加熱而獲得之試樣之不溶於丙酮的比例為5重量%以下。

Description

糊狀接著劑組成物、半導體裝置、半導體裝置之製造方法、及散熱板之接著方法
本發明係關於一種糊狀接著劑組成物、半導體裝置、半導體裝置之製造方法、及散熱板之接著方法。
作為用以製作糊狀接著劑組成物之樹脂組成物，例如有使用含有金屬粒子之樹脂組成物之情形。作為關於此種糊劑之技術，例如可列舉專利文獻1中所記載者。專利文獻1中記載有一種熱硬化性樹脂組成物，其含有(A)平板型銀微粒子、(B)平均粒徑0.5~30μm之銀粉、及(C)熱硬化性樹脂。
專利文獻1：日本特開2014-194013號公報
本發明人於使用含有金屬粒子之糊狀接著劑組成物而製作接著劑層時，就提高導熱率之觀點等而言，研究了使金屬粒子發生燒結。然而，於該情形時，有難以於接著劑層之面方向之中心部與周邊部均勻地進行燒結的隱憂。於形成大面積之接著劑層之情形時，擔憂此種課題變得特別明顯。
根據本發明，提供一種糊狀接著劑組成物，其含有：金屬粒子(A)、及藉由加熱而聚合之化合物(B)，藉由熱處理使上述金屬粒子(A)發生燒結而形成粒子連結結構，於測定頻率1Hz之條件進行動態黏彈性測定時，於140℃~180℃之溫度區域內，具有10℃以上的剪切彈性模數為5,000Pa以上且100,000Pa以下之溫度幅度，於去除上述金屬粒子(A)後，在180℃、2小時之條件進行加熱而獲得之試樣之不溶於丙酮的比例為5重量%以下。
又，根據本發明，提供一種半導體裝置，其具備：基材、及半導體元件該半導體元件經由上述糊狀接著劑組成物之熱處理體即接著劑層，而搭載於上述基材。
又，根據本發明，提供一種半導體裝置之製造方法，其包括如下步驟：經由上述糊狀接著劑組成物，將半導體元件搭載於基材上之步驟；及將上述糊狀接著劑組成物進行加熱之步驟。
又，根據本發明，提供一種散熱板之接著方法，其包括如下步驟：經由上述糊狀接著劑組成物，將散熱板接著於半導體裝置之步驟；及將上述糊狀接著劑組成物進行加熱之步驟。
根據本發明，可提高接著劑層之面方向之中心部與周邊部之金屬粒子的燒結均勻性。
10‧‧‧晶粒黏著層
20‧‧‧半導體元件
30‧‧‧基材
32‧‧‧晶片座
34‧‧‧外引線
40‧‧‧接合線
50‧‧‧密封樹脂
52‧‧‧焊接球
100‧‧‧半導體裝置
上述目的、及其他目的、特徵及優點係藉由以下所述之較佳之實施形態、及其所附隨之以下圖式而進一步明確。
圖1係表示本實施形態之半導體裝置的剖面圖。
圖2係表示圖1所示之半導體裝置之變形例的剖面圖。
以下，使用圖式對實施形態進行說明。再者，於所有圖式中，對於相同之構成要素標記相同之符號，並適當省略說明。
又，於本說明書中，「~」只要未特別預先說明，則表示以上至以下。
本實施形態之糊狀接著劑組成物含有金屬粒子(A)、及藉由加熱而聚合之化合物(B)。又，糊狀接著劑組成物藉由熱處理使金屬粒子(A)發生燒結而形成粒子連結結構。又，當糊狀接著劑組成物於測定頻率1Hz之條件進行動態黏彈性測定時，在140℃~180℃之溫度區域內，具 有10℃以上的剪切彈性模數為5,000Pa以上且100,000Pa以下之溫度幅度。又，糊狀接著劑組成物於去除金屬粒子(A)後，在180℃、2小時之條件進行加熱而獲得之試樣之不溶於丙酮的比例為5重量%以下。
如上所述，於使糊狀接著劑組成物中所含有之金屬粒子燒結而製作接著劑層時，有難以於接著劑層之面方向之中心部與周邊部均勻地進行燒結之情形。又，於形成大面積之接著劑層作為用以將例如一邊為5mm以上之大面積之半導體元件接著之晶粒黏著層(die attach layer)時，有接著劑層之中心部與周邊部的燒結進行程度之不均變得更加明顯之擔憂。鑒於此方面，本發明人對可提高接著劑層之面方向之中心部與周邊部的燒結均勻性之糊狀接著劑組成物進行了研究。
本發明人進行努力研究，結果新發現：藉由使糊狀接著劑組成物中含有金屬粒子(A)及藉由加熱而聚合之化合物(B)，且如上所述般控制糊狀接著劑組成物之黏彈性行為、及於規定條件下測定之不溶於丙酮的比例，可提高金屬粒子(A)之燒結均勻性。本實施形態之糊狀接著劑組成物係基於此種新穎之見解而實現者。因此，根據本實施形態，可提高接著劑層之面方向之中心部與周邊部之金屬粒子之燒結均勻性。
以下，對本實施形態之糊狀接著劑組成物、半導體裝置、及其製造方法進行詳細說明。
首先，對糊狀接著劑組成物進行說明。
本實施形態之糊狀接著劑組成物含有金屬粒子(A)、及藉由加熱而聚合之化合物(B)。本實施形態之糊狀接著劑組成物例如為用於形成「用以將半導體元件接著於其他構造體之晶粒黏著層」的晶粒黏著糊。作為其他 構造體並無特別限定，例如可列舉：配線基板或引線框架等基材、或半導體元件、散熱板、磁屏等。又，糊狀接著劑組成物例如亦可用於形成將散熱板接著於該等其他構造體之接著劑層。再者，上述其他構造體較佳為於本發明之糊狀接著劑組成物接觸之部分具備與本發明之糊劑燒結時促進接著之銀等之被膜。
本實施形態之糊狀接著劑組成物，當於測定頻率1Hz之條件進行動態黏彈性測定時，在140℃~180℃之溫度區域內，具有10℃以上的剪切彈性模數為5,000Pa以上且100,000Pa以下之溫度幅度W。藉此，如上所述，可提高接著劑層之面方向之中心部與周邊部之金屬粒子(A)之燒結均勻性。尤其是使用此種糊狀接著劑組成物，並且如下所述般藉由未達200℃之低溫條件之熱處理進行金屬粒子(A)之燒結，藉此使金屬粒子(A)之燒結於接著劑層之面方向之中心部與周邊部更均勻地進行。
於在高溫條件進行糊狀接著劑組成物中所含有之金屬粒子之燒結時，有於接著劑層之中心部與周邊部其進行程度產生不均之擔憂。然而，迄今為止，有難以藉由低溫條件下之熱處理使金屬粒子之燒結均勻且充分地進行之情形。認為其原因在於：於低溫條件下之熱處理中，金屬粒子之燒結因糊狀接著劑組成物中所含有之其他成分而受到阻礙等。
根據本實施形態，糊狀接著劑組成物於進行動態黏彈性測定時，於140℃~180℃之溫度區域內，具有10℃以上的剪切彈性模數為5,000Pa以上且100,000Pa以下之溫度幅度W。藉此，於進行燒結時，金屬粒子(A)彼此容易推開其他成分而相互接觸。因此，即便於藉由例如未達200℃之低溫條件之熱處理進行金屬粒子(A)之燒結之情形時，亦不會阻礙金屬粒子(A) 之燒結，且可獲得以可保持金屬粒子(A)之均勻之分散性之方式調整糊狀接著劑組成物之黏彈性之一定之溫度區域。雖然未必明確，但基於此種原因，認為可使金屬粒子(A)之燒結於接著劑層之面方向之中心部與周邊部均勻地進行。
於本實施形態中，就提高燒結之均勻性之觀點而言，上述溫度幅度W更佳為15℃以上，尤佳為20℃以上，進而較佳為25℃以上。另一方面，上述溫度幅度W之上限值並無特別限定，可設為40℃以下，就半導體裝置之生產性之觀點而言，更佳為35℃以下。藉由如此控制上述溫度幅度之上限值及下限值，可更適宜地形成高導熱性之金屬粒子之連結結構。
於本實施形態中，對於糊狀接著劑組成物之動態黏彈性測定例如可使用流變計(HAAKE RheoWin，Thermo Scientific公司製造)於測定頻率1Hz、升溫速度5℃/分鐘、測定溫度範圍25℃~250℃之條件進行。
包含上述溫度幅度W之糊狀接著劑組成物之黏彈性行為例如可藉由調整糊狀接著劑組成物中所含有之成分之種類或調配比率而控制。於本實施形態中，特別重要的是藉由加熱而聚合之化合物(B)之種類或調配比率。又，認為配合金屬粒子(A)或化合物(B)而調整例如硬化劑(C)之種類或調配比率等，亦可成為影響上述溫度幅度W之因素。推測適當選擇該等各成分之種類或調配比率而以熱處理時化合物(B)可聚合為直鏈狀之方式構成糊狀接著劑組成物對於將上述溫度幅度W控制為所需範圍內而言非常重要。
又，本實施形態之糊狀接著劑組成物於去除金屬粒子(A)後於180℃、2小時之條件進行加熱而獲得之試樣之不溶於丙酮的比例為5 重量%以下。藉此，如上所述，可提高接著劑層之面方向之中心部與周邊部之金屬粒子(A)之燒結均勻性。於加熱後之不溶於丙酮的比例為5重量%以下之糊狀接著劑組成物中，關於藉由加熱而聚合之化合物(B)，推測進行直鏈狀之聚合反應而非三維交聯。於該情形時，可抑制因三維交聯之樹脂而阻礙金屬粒子(A)之燒結。雖然未必明確，但基於此種原因，認為金屬粒子(A)之燒結均勻性提高。
於本實施形態中，例如可藉由如下方式測定上述不溶於丙酮的比例。首先，藉由離心分離及115網目(網眼125μm)之過濾器進行過濾而自糊狀接著劑組成物中去除金屬粒子(A)。繼而，將去除金屬粒子(A)後之糊狀接著劑組成物於180℃、2小時之條件進行加熱而獲得測定試樣。繼而，精確稱取測定試樣約100g並投入至裝有液溫25℃之丙酮約900g之密閉容器中後振盪20分鐘，將所獲得之丙酮溶液、及使用丙酮約100g沖洗該密閉容器內而獲得之丙酮溶液，利用115網目(網眼125μm)之JIS標準篩網進行篩分。繼而，使上述篩網整體通過丙酮約100g。繼而，使篩網上之殘留物風乾後，測定該殘留物之重量。根據測定結果，算出殘留物相對於測定試樣整體之比率(重量%)，將其設為不溶於丙酮的比例(重量%)。
糊狀接著劑組成物之上述不溶於丙酮的比例例如可藉由調整糊狀接著劑組成物中所含有之成分之種類或調配比率而控制。於本實施形態中，特別重要的是藉由加熱而聚合之化合物(B)之種類或調配比率。又，認為配合金屬粒子(A)或化合物(B)而調整例如硬化劑(C)之種類或調配比率等亦可成為影響上述不溶於丙酮的比例之因素。推測適當選 擇該等各成分之種類或調配比率而以熱處理時化合物(B)可聚合為直鏈狀之方式構成糊狀接著劑組成物對於將上述不溶於丙酮的比例控制為所需範圍內而言非常重要。
本實施形態之糊狀接著劑組成物較佳為例如對於將塗佈其所獲得之塗佈膜自25℃以升溫速度5℃/分鐘升溫至250℃後於250℃、2小時之條件進行加熱而獲得之膜，厚度方向之導熱率為15W/mK以上。藉此，可提高使用糊狀接著劑組成物所獲得之接著層之導熱性。因此，可有助於提高由該接著層所構成之電子零件之散熱性。於本實施形態中，上述厚度方向之導熱率更佳為50W/mK以上，尤佳為60W/mK以上。另一方面，厚度方向之導熱率之上限值並無特別限定，例如可設為200W/mK以下。再者，上述厚度方向之導熱率例如可藉由調整糊狀接著劑組成物中所含有之成分之種類或調配比率而控制。
本實施形態之糊狀接著劑組成物較佳為例如對於將塗佈其所獲得之塗佈膜自25℃以升溫速度5℃/分鐘升溫至250℃後於250℃、2小時之條件進行加熱而獲得之膜，面方向之體積電阻率為25×10-6Ω．cm以下。藉此，可提高使用糊狀接著劑組成物所獲得之接著層之導電性。於本實施形態中，上述面方向之體積電阻率更佳為15×10-6Ω．cm以下，尤佳為8×10-6Ω．cm以下。再者，上述面方向之體積電阻率例如可藉由調整糊狀接著劑組成物中所含有之成分之種類或調配比率而控制。
再者，該面方向之體積電阻率之下限值並無特別限定，例如為0.01×10-6Ω．cm以上。
本實施形態之糊狀接著劑組成物較佳為例如減少5%重量之 溫度為100℃以上且180℃以下。藉此，可進一步促進金屬粒子(A)之燒結。因此，可進一步提高使用糊狀接著劑組成物所獲得之接著層之導熱性或導電性。於本實施形態中，就提高經時穩定性及燒結性之平衡之觀點而言，尤佳為上述減少5%重量之溫度為100℃以上且160℃以下。再者，減少5%重量之溫度例如可藉由調整糊狀接著劑組成物中所含有之成分之種類或調配比率而控制。又，於本實施形態中，例如可藉由對糊狀接著劑組成物10mg於氮氣環境或空氣環境、升溫速度5℃/分鐘之條件進行TG/DTA(熱重量/示差熱分析)測定，而測定糊狀接著劑組成物的減少5%重量之溫度。
以下，對構成本實施形態之糊狀接著劑組成物之各成分進行說明。
(金屬粒子(A))
糊狀接著劑組成物中所含有之金屬粒子(A)係藉由對糊狀接著劑組成物進行熱處理而發生燒結從而形成粒子連結結構。即，於將糊狀接著劑組成物加熱而獲得之接著劑層中，金屬粒子(A)彼此相互熔合而存在。藉此，對於將糊狀接著劑組成物加熱而獲得之接著劑層，可提高其導熱性或導電性、與基材或半導體元件、散熱板等之密合性。
金屬粒子(A)之形狀並無特別限定，例如可列舉球狀、薄片狀、及鱗片狀等。於本實施形態中，更佳為金屬粒子(A)包含球狀粒子。藉此，可提高金屬粒子(A)之燒結性。又，亦可有助於提高燒結之均勻性。又，就降低成本之觀點而言，亦可採用金屬粒子(A)包含薄片狀粒子之態樣。進而，就提高成本之降低與燒結之均勻性之平衡之觀點而言，金屬粒子(A)亦可包含球狀粒子及薄片狀粒子之兩者。
於本實施形態中，金屬粒子(A)例如可將球狀粒子及薄片狀粒子合計含有金屬粒子(A)整體之90重量%以上且100重量%以下，更佳為含有95重量%以上。藉此，可更有效地提高燒結之均勻性。又，就進一步提高燒結之均勻性之觀點而言，金屬粒子(A)例如更佳為含有金屬粒子(A)整體之90重量%以上且100重量%以下之球狀粒子，進而較佳為含有95重量%以上。
金屬粒子(A)例如含有選自由Ag(銀)、Au(金)、及Cu(銅)所組成之群中之一種或兩種以上。藉此，可提高金屬粒子(A)之燒結性，而有效地提高使用糊狀接著劑組成物所獲得之接著劑層之導熱性及導電性。金屬粒子(A)除上述材料以外，例如亦可為了促進燒結、或低成本化等而含有除Ag、Au、及Cu以外之金屬成分。
金屬粒子(A)例如可含有碳。金屬粒子(A)所含有之碳係作為金屬粒子(A)發生燒結時之燒結助劑而發揮功能。因此，可提高金屬粒子(A)之燒結性。此處，所謂金屬粒子(A)含有碳，包括含有於金屬粒子(A)之內部之情形、或物理性或化學性地吸附於金屬粒子(A)之表面之情形。
作為金屬粒子(A)含有碳之情形之一例，可列舉使含有碳之潤滑劑附著於金屬粒子(A)之態樣。作為此種潤滑劑，例如可列舉：高級脂肪酸、高級脂肪酸金屬鹽、高級脂肪醯胺、及高級脂肪酸酯。潤滑劑之含量相對於金屬粒子(A)整體例如較佳為0.01質量%以上且5質量%以下。藉此，可使碳作為燒結助劑有效地發揮功能，並且抑制導熱性之降低。
金屬粒子(A)之平均粒徑(D50)之下限值例如為0.1μm 以上。又，金屬粒子(A)之平均粒徑(D50)之上限值為10μm以下。藉由金屬粒子(A)之平均粒徑(D50)為上述下限值以上，可抑制比表面積之過度增大，而抑制因接觸熱電阻所導致之導熱性之降低。又，藉由金屬粒子(A)之平均粒徑(D50)為上述上限值以下，可提高金屬粒子(A)間之燒結性。又，就提高糊狀接著劑組成物之滴塗性之觀點而言，金屬粒子(A)之平均粒徑(D50)更佳為0.6μm以上且2.7μm以下，尤佳為0.6μm以上且2.0μm以下。再者，金屬粒子(A)之平均粒徑(D50)例如可使用市售之雷射式粒度分佈計(例如島津製作所(股份)製造，SALD-7000等)進行測定。
又，金屬粒子(A)之最大粒徑並無特別限定，例如可設為1μm以上且50μm以下，更佳為3μm以上且30μm以下，尤佳為4μm以上且18μm以下。藉此，可更有效地提高燒結均勻性與滴塗性之平衡。
再者，於本說明書中，上述上限值及下限值可適當組合，而決定金屬粒子(A)之平均粒徑(D50)等。
糊狀接著劑組成物中之金屬粒子(A)之含量例如相對於糊狀接著劑組成物整體，較佳為80重量%以上，更佳為85重量%以上。藉此，可提高金屬粒子(A)之燒結性，而有助於提高導熱性及導電性。另一方面，糊狀接著劑組成物中之金屬粒子(A)之含量例如相對於糊狀接著劑組成物整體，較佳為95重量%以下，尤佳為90重量%以下。藉此，可有助於提高糊狀接著劑組成物整體之塗佈作業性、或接著劑層之機械強度等。再者，於本說明書中，所謂相對於糊狀接著劑組成物整體之含量，於含有溶劑之情形時，係指相對於糊狀接著劑組成物中之除溶劑以外之成分整體之含量。
(藉由加熱而聚合之化合物(B))
藉由加熱而聚合之化合物(B)例如可包含選自分子內僅具有一個自由基聚合性雙鍵之化合物(B1)、及分子內僅具有一個環氧基之化合物(B2)中之一種或兩種以上。藉此，可於對糊狀接著劑組成物進行熱處理時使上述化合物(B)聚合為直鏈狀。因此，可提高燒結之均勻性及滴塗性之平衡。於上述所例示者中，就降低使用糊狀接著劑組成物所獲得之接著劑層之體積電阻率之觀點而言，更佳為至少包含上述化合物(B1)。
分子內僅具有一個自由基聚合性雙鍵之化合物(B1)例如可包含選自分子內僅具有一個(甲基)丙烯醯基((meta)acrylic group)之化合物、分子內僅具有一個乙烯基之化合物、分子內僅具有一個烯丙基之化合物、分子內僅具有一個順丁烯二醯亞胺基之化合物、分子內僅具有一個順丁烯二酸基之化合物中之一種或兩種以上。於本實施形態中，就更有效地提高燒結均勻性之觀點而言，更佳為至少包含分子內僅具有一個(甲基)丙烯醯基之化合物。作為分子內僅具有一個(甲基)丙烯醯基之化合物，例如可包含分子內僅具有一個(甲基)丙烯醯基之(甲基)丙烯酸酯等。
分子內僅具有一個自由基聚合性雙鍵之化合物(B1)中所包含之(甲基)丙烯酸酯例如可包含選自下述式(1)所表示之化合物、及下述式(2)所表示之化合物中之一種或兩種以上。藉此，可更有效地提高燒結之均勻性。
上述式(1)中，R11為氫或甲基，R12為含OH基之碳數1~20之一價有機基。R12亦可含氧原子、氮原子、及磷原子中之一種或兩種以上。上述式(1)所表示之化合物並無特別限定，例如可包含選自如下化合物中之一種或兩種以上：1,4-環己烷二甲醇單丙烯酸酯、丙烯酸2-羥基乙酯、甲基丙烯酸2-羥基乙酯、丙烯酸2-羥基丙酯、甲基丙烯酸2-羥基丙酯、丙烯酸2-羥基丁酯、甲基丙烯酸2-羥基丁酯、丙烯酸2-羥基-3-苯氧基丙酯、琥珀酸2-丙烯醯氧基乙酯、琥珀酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯、六氫鄰苯二甲酸2-丙烯醯氧基乙酯、六氫鄰苯二甲酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯、鄰苯二甲酸2-丙烯醯氧基乙酯、鄰苯二甲酸2-丙烯醯氧基乙基-2-羥基乙酯、酸式磷酸2-丙烯醯氧基乙酯、及酸式磷酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯。於本實施形態中，例如可採用包含如1,4-環己烷二甲醇單丙烯酸酯所例示般於R12中含有環狀結構之化合物、或如琥珀酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯所例示般於R12中含有羧基之化合物之情形作為較佳態樣之一例。
式(2)中，R21為氫或甲基，R22為不含OH基之碳數1~20之一價有機基。R22亦可含氧原子、氮原子、及磷原子中之一種或兩種以上。 上述式(2)所表示之化合物並無特別限定，例如可包含選自如下化合物中之一種或兩種以上：甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸正丁酯、甲基丙烯酸異丁酯、甲基丙烯酸第三丁酯、丙烯酸異戊酯、甲基丙烯酸2-乙基己酯、甲基丙烯酸異癸酯、丙烯酸正月桂酯、甲基丙烯酸正月桂酯、甲基丙烯酸正十三烷基酯、丙烯酸正硬脂酯、甲基丙烯酸正硬脂酯、丙烯酸異硬脂酯、乙氧基二乙二醇丙烯酸酯、丁氧基二乙二醇甲基丙烯酸酯、甲氧基三乙二醇丙烯酸酯、2-乙基己基二乙二醇丙烯酸酯、甲氧基聚乙二醇丙烯酸酯、甲氧基聚乙二醇甲基丙烯酸酯、甲氧基二丙二醇丙烯酸酯、甲基丙烯酸環己酯、丙烯酸四氫糠酯、甲基丙烯酸四氫糠酯、甲基丙烯酸苄酯、丙烯酸苯氧基乙酯、甲基丙烯酸苯氧基乙酯、苯氧基二乙二醇丙烯酸酯、苯氧基聚乙二醇丙烯酸酯、壬基苯酚環氧乙烷改質丙烯酸酯、苯基苯酚環氧乙烷改質丙烯酸酯、丙烯酸異莰酯、甲基丙烯酸異莰酯、甲基丙烯酸二甲胺基乙酯、甲基丙烯酸二乙胺基乙酯、甲基丙烯酸二甲胺基乙酯四級化物、甲基丙烯酸縮水甘油酯、及新戊二醇丙烯酸苯甲酸酯。於本實施形態中，例如可採用包含如甲基丙烯酸苯氧基乙酯及甲基丙烯酸環己酯所例示般於R22中含有環狀結構之化合物、或如甲基丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸正月桂酯、及甲基丙烯酸正月桂酯所例示般R22為直鏈狀或支鏈狀之烷基之化合物之情形作為較佳態樣之一例。
於本實施形態中，就提高燒結均勻性或機械強度等各種特性之平衡之觀點而言，可採用分子內僅具有一個自由基聚合性雙鍵之化合物(B1)中所含之(甲基)丙烯酸酯例如同時包含上述式(1)所表示之化合物、及上述式(2)所表示之化合物之態樣。另一方面，上述化合物(B1)亦可 僅包含上述式(1)所表示之化合物、及上述式(2)所表示之化合物中之任一者。
分子內僅具有一個環氧基之化合物(B2)例如可包含選自如下化合物中之一種或兩種以上：正丁基縮水甘油醚、新癸酸(versatic acid)縮水甘油酯、環氧苯乙烷、乙基己基縮水甘油醚、苯基縮水甘油醚、丁基苯基縮水甘油醚、及甲酚基縮水甘油醚。於該等中，就提高燒結均勻性、導熱性、導電性等之平衡之觀點而言，可列舉至少包含甲酚基縮水甘油醚之情況作為較佳態樣之一例。
於本實施形態中，例如可採用包含上述化合物(B2)且不含分子內具有兩個以上環氧基之化合物(B3)之態樣。所謂不含上述化合物(B3)，例如指上述化合物(B3)相對於藉由加熱而聚合之化合物(B)整體之含量為0.01重量%以下之情形。又，於一併含有上述化合物(B2)與上述化合物(B3)之情形時，就提高燒結之均勻性與滴塗性之平衡之觀點而言，可列舉將上述化合物(B3)之含量設為上述化合物(B)整體之超過0.01重量%且60重量%以下之情形作為較佳態樣之一例。
藉由加熱而聚合之化合物(B)例如較佳為不含分子內具有兩個以上自由基聚合性雙鍵之化合物、或分子內具有兩個以上環氧基之化合物。藉此，可使上述化合物(B)聚合為直鏈狀，可有助於提高燒結之均勻性。另一方面，上述化合物(B)亦可含有分子內具有兩個以上自由基聚合性雙鍵之化合物、或分子內具有兩個以上環氧基之化合物。於含有分子內具有兩個以上自由基聚合性雙鍵之化合物、或分子內具有兩個以上環氧基之化合物之情形時，將該等之合計含量設為上述化合物(B)整體之超過 0重量%且5重量%以下為佳。藉此，可抑制於化合物(B)所生成之聚合結構中大量組入三維交聯結構之情況，因此可抑制因三維交聯結構而阻礙金屬粒子(A)之燒結之情況。
糊狀接著劑組成物中所含有之藉由加熱而聚合之化合物(B)之含量例如相對於糊狀接著劑組成物整體較佳為5重量%以上，更佳為8重量%以上，尤佳為10重量%以上。藉此，可更有效地提高燒結之均勻性。又，亦可有助於提高接著劑層之機械強度等。另一方面，糊狀接著劑組成物中所含有之上述化合物(B)之含量例如相對於糊狀接著劑組成物整體較佳為20重量%以下，更佳為18重量%以下，尤佳為15重量%以下。藉此，可有助於提高金屬粒子(A)之燒結性。
(硬化劑(C))
糊狀接著劑組成物例如可含有硬化劑(C)。作為硬化劑(C)，只要為促進藉由加熱而聚合之化合物(B)之聚合反應者，則無特別限定。藉此，可促進上述化合物(B)之聚合反應，有助於提高使用糊狀接著劑組成物所獲得之機械特性。
另一方面，於本實施形態中，就提高燒結均勻性、導熱性、導電性等之平衡之觀點而言，例如亦可採用於糊狀接著劑組成物中不含硬化劑(C)之態樣。所謂於糊狀接著劑組成物中不含硬化劑(C)，例如指硬化劑(C)相對於藉由加熱而聚合之化合物(B)100重量份之含量為0.01重量份以下之情形。
硬化劑(C)例如可包含具有3級胺基之化合物。藉此，例如於藉由加熱而聚合之化合物(B)包含分子內具有環氧基之化合物之情形 時，可促進該化合物(B)聚合為直鏈狀。關於具有3級胺基之化合物，例如可列舉：苄基二甲基胺(BDMA)等3級胺類，2-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑(EMI24)等咪唑類，吡唑、3,5-二甲基吡唑、吡唑啉等吡唑類，三唑、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、1,2,3-苯并三唑等三唑類，咪唑啉、2-甲基-2-咪唑啉、2-苯基咪唑啉等咪唑啉類，可包含選自該等中之一種或兩種以上。藉此，例如於藉由加熱而聚合之化合物(B)包含分子內具有環氧基之化合物之情形時，可選擇性地促進環氧基之單獨開環聚合。於該等中，就提高燒結均勻性、導熱性、導電性等之平衡之觀點而言，可列舉至少含有咪唑類之情況作為較佳態樣之一例。
硬化劑(C)例如可含有自由基聚合起始劑。藉此，例如於藉由加熱而聚合之化合物(B)包含分子內具有自由基聚合性雙鍵之化合物之情形時，可促進該化合物(B)聚合。自由基聚合起始劑例如可包含選自如下化合物中之一種或兩種以上：過氧化辛醯、過氧化月桂醯、過氧化硬脂醯、過氧化2-乙基己酸1,1,3,3-四甲基丁酯、過氧化草酸、2,5-二甲基-2,5-二(2-乙基己醯基過氧基)己烷、過氧化2-乙基己酸1-環己基-1-甲基乙酯、過氧化2-乙基己酸第三己酯、過氧化2-乙基己酸第三丁酯、過氧化間甲苯甲醯、過氧化苯甲醯、過氧化甲基乙基酮、過氧化乙醯、氫過氧化第三丁基、過氧化二第三丁基、氫過氧化異丙苯、過氧化二異丙苯、過氧化苯甲酸第三丁酯、過氧化對氯苯甲醯、及過氧化環己酮。
又，於本實施形態之糊狀接著劑組成物含有具有環氧基之化合物(上述分子內僅具有一個環氧基之化合物(B2)、分子內具有兩個以上環氧基之化合物(B3)等)之情形時，可含有引起該環氧部位之硬化之成 分作為硬化劑(C)。
具體而言，可含有雙酚A、雙酚F、雙酚S、聯苯酚、苯基苯酚等化合物、或苯酚酚醛清漆型樹脂等作為硬化劑(C)。
糊狀接著劑組成物中所含有之硬化劑(C)之含量例如相對於藉由加熱而聚合之化合物(B)100重量份可設為25重量份以下。尤其於包含分子內僅具有一個自由基聚合性雙鍵之化合物(B1)作為上述化合物(B)之情形時，就提高燒結均勻性之觀點而言，較佳為將相對於上述化合物(B)100重量份之硬化劑(C)之含量設為5重量份以下，更佳為設為3重量份以下，尤佳為設為1重量份以下。又，糊狀接著劑組成物中所含有之硬化劑(C)之含量相對於上述化合物(B)100重量份可設為0重量份以上。就提高糊狀接著劑組成物之機械特性之觀點而言，例如可將相對於上述化合物(B)100重量份之硬化劑(C)之含量設為0.1重量份以上。
(聚合抑制劑(D))
糊狀接著劑組成物例如可含有聚合抑制劑(D)。作為聚合抑制劑(D)，使用抑制糊狀接著劑組成物中所含有之化合物之聚合反應之化合物。藉此，可進一步提高糊狀接著劑組成物之保管特性。聚合抑制劑(D)並無特別限定，例如可包含選自如下化合物中之一種或兩種以上：由對苯二酚、對第三丁基鄰苯二酚、及單第三丁基對苯二酚所例示之對苯二酚類，由對苯二酚單甲醚、及二對甲酚所例示之酚類，由對苯醌、萘醌、及對甲基苯醌所例示之醌類，以及由環烷酸銅(copper naphthenate)所例示之銅鹽。
糊狀接著劑組成物中之聚合抑制劑(D)之含量例如相對於藉由加熱而聚合之化合物(B)100重量份，較佳為0.0001重量份以上，更 佳為0.001重量份以上。藉此，可有助於提高燒結之均勻性。又，可更有效地提高糊狀接著劑組成物之保管特性。另一方面，糊狀接著劑組成物中之聚合抑制劑(D)之含量例如相對於上述化合物(B)100重量份，較佳為設為0.5重量份以下，更佳為設為0.1重量份以下。藉此，可提高接著劑層之機械強度等。
本實施形態之糊狀接著劑組成物例如可含有溶劑。藉此，可提高糊狀接著劑組成物之流動性，有助於提高作業性。溶劑並無特別限定，例如可包含選自如下化合物中之一種或兩種以上：乙醇、丙醇、丁醇、戊醇、己醇、庚醇、辛醇、壬醇、癸醇、乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、乙二醇單丙醚、乙二醇單丁醚、丙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、丙二醇單丙醚、丙二醇單丁醚、甲基甲氧基丁醇、α-松油醇、β-松油醇、己二醇、苄醇、2-苯基乙醇、異棕櫚醇、異硬脂醇、月桂醇、乙二醇、丙二醇或甘油等醇類；丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環己酮、二丙酮醇(4-羥基-4-甲基-2-戊酮)、2-辛酮、異佛酮(3,5,5-三甲基-2-環己烯-1-酮)或二異丁基酮(2,6-二甲基-4-庚酮)等酮類；乙酸乙酯、乙酸丁酯、鄰苯二甲酸二乙酯、鄰苯二甲酸二丁酯、乙醯氧基乙烷、丁酸甲酯、己酸甲酯、辛酸甲酯、癸酸甲酯、乙酸甲賽璐蘇、乙二醇單丁醚乙酸酯、丙二醇單甲醚乙酸酯、1,2-二乙醯氧基乙烷、磷酸三丁酯、磷酸三甲酚酯或磷酸三戊酯等酯類；四氫呋喃、二丙醚、乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、乙二醇二丁醚、丙二醇二甲醚、乙氧基乙基醚、1,2-雙(2-二乙氧基)乙烷或1,2-雙(2-甲氧基乙氧基)乙烷等醚類；乙酸2-(2-丁氧基乙氧基)乙烷等酯醚類；2-(2-甲氧基乙氧基)乙醇等醚醇類；甲苯、二甲苯、正石蠟、異石蠟、十二烷基苯、松節油、煤油或柴油 等烴類；乙腈或丙腈等腈類；乙醯胺或N,N-二甲基甲醯胺等醯胺類；低分子量之揮發性矽油、或揮發性有機變性矽油。
其次，對本實施形態之半導體裝置之例進行說明。
圖1係表示本實施形態之半導體裝置100的剖面圖。本實施形態之半導體裝置100具備：基材30、及經由作為糊狀接著劑組成物之熱處理體的晶粒黏著層10而搭載於基材30上之半導體元件20。半導體元件20與基材30例如係經由接合線40等而電性連接。又，半導體元件20例如係利用密封樹脂50進行密封。晶粒黏著層10之膜厚並無特別限定，例如為5μm以上且100μm以下。
於圖1所示之例中，基材30例如為引線框架。於該情形時，半導體元件20經由晶粒黏著層10而搭載於晶片座32(30)上。又，半導體元件20例如經由接合線40而電性連接於外引線34(30)。作為引線框架之基材30例如係由42合金、Cu框架所構成。再者，基材30亦可為有機基板、或陶瓷基板。作為有機基板，例如適宜為應用環氧樹脂、氰酸酯樹脂、順丁烯二醯亞胺樹脂等之從業者公知之基板。又，為了使與糊狀接著劑組成物之接著性變得良好，基材30之表面亦可利用銀等形成被膜。
半導體元件20之平面形狀並無特別限定，例如為矩形。於本實施形態中，例如可採用具有0.5mm□以上且15mm□以下之晶片尺寸之矩形狀之半導體元件20。
作為本實施形態之半導體裝置100之一例，例如可列舉使用具有一邊為5mm以上之邊的矩形大晶片作為半導體元件20者。於該情形時，由於晶粒黏著層之面積亦變大，故而有難以均勻地進行晶粒黏著層之中心部與 周邊部之金屬粒子之燒結之虞。根據本實施形態，即便於使用此種大晶片之情形時，藉由使用上述糊狀接著劑組成物而形成晶粒黏著層，亦可使晶粒黏著層之中心部與周邊部之金屬粒子之燒結均勻性變得非常良好。
圖2係表示圖1所示之半導體裝置100之變形例的剖面圖。
於本變形例之半導體裝置100中，基材30例如為插入物(interposer)。作為插入物之基材30中，於與搭載半導體元件20之一面相反側之另一面例如形成多個焊接球52。於該情形時，半導體裝置100係經由焊接球52而連接於其他配線基板。
本實施形態之半導體裝置100例如可藉由如下方式製造。首先，經由上述糊狀接著劑組成物，將半導體元件20搭載於基材30上；其中，該糊狀接著劑組成物含有金屬粒子(A)及藉由加熱而聚合之化合物(B)，且藉由熱處理使金屬粒子(A)發生燒結而形成粒子連結結構。繼而，將糊狀接著劑組成物加熱。藉此，製造半導體裝置100。
以下，對半導體裝置100之製造方法進行詳細說明。
首先，經由上述糊狀接著劑組成物而於基材30上搭載半導體元件20。於本實施形態中，例如於基材30上塗佈糊狀接著劑組成物後，於由糊狀接著劑組成物所構成之塗佈膜上搭載半導體元件20。作為塗佈糊狀接著劑組成物之方法並無特別限定，例如可列舉：滴塗、印刷法、及噴墨法。
其次，對糊狀接著劑組成物進行熱處理。此時，糊狀接著劑組成物中之金屬粒子(A)發生燒結，而於金屬粒子(A)間形成粒子連結結構。藉此，於基材30上形成晶粒黏著層10。於本實施形態中，例如可一 面對糊狀接著劑組成物加壓一面進行熱處理。
於本實施形態中，例如可於將糊狀接著劑組成物於未達200℃之溫度條件下進行加熱之步驟(以下亦稱為第1熱處理)之後，進行將糊狀接著劑組成物於200℃以上之溫度條件進行加熱之步驟(以下亦稱為第2熱處理)。如此，藉由在第1熱處理中於未達200℃之低溫條件對本實施形態之糊狀接著劑組成物進行加熱，可更確實地抑制因黏合劑成分(藉由加熱而聚合之化合物(B))等而阻礙金屬粒子(A)之燒結進行之情況。因此，可於晶粒黏著層之周邊部及中心部均更均勻且充分地使金屬粒子(A)燒結。
於本實施形態之製造方法之一例中，例如可藉由在未達200℃之溫度T1之溫度條件加熱一定時間後，於200℃以上之溫度T2之溫度條件加熱一定時間，而進行第1熱處理及第2熱處理。T1例如可設為120℃以上且未達200℃。T2例如可設為200℃以上且350℃以下。於本例中，溫度T1下之第1熱處理之處理時間例如可設為20分鐘以上且90分鐘以下。又，溫度T2下之第2熱處理之處理時間例如可設為30分鐘以上且180分鐘以下。
另一方面，於本實施形態中，亦可藉由自25℃不停止地升溫至200℃以上之溫度T3後，於溫度T3之溫度條件加熱一定時間，而對糊狀接著劑組成物進行熱處理。於該情形時，可將升溫步驟中之到達200℃之前作為第1熱處理而進行處理，將自200℃升溫至溫度T3並於溫度T3進行熱處理之步驟作為第2熱處理而進行處理。T3例如可設為200℃以上且350℃以下。
繼而，使用接合線40將半導體元件20與基材30電性連接。繼而，利用密封樹脂50將半導體元件20密封。於本實施形態中，例如可如此製造半導體裝置100。
於本實施形態中，例如亦可將散熱板接著於半導體裝置。於該情形時，例如可經由糊狀接著劑組成物之熱處理體即接著劑層而將散熱板接著於半導體裝置。
散熱板之接著方法例如可藉由如下方式進行。首先，經由上述糊狀接著劑組成物將散熱板接著於半導體裝置。繼而，對糊狀接著劑組成物進行熱處理。對糊狀接著劑組成物之熱處理例如可與上述半導體裝置100之製造方法中之對糊狀接著劑組成物進行熱處理而形成晶粒黏著層10之步驟同樣地進行。藉此，使糊狀接著劑組成物中之金屬粒子(A)燒結，而於金屬粒子(A)間形成粒子連結結構，從而形成將散熱板接著之接著劑層。如此，可將散熱板接著於半導體裝置。
再者，本發明並不限定於上述實施形態，可達成本發明之目的之範圍內之變形、改良等亦包含於本發明中。
[實施例]
其次，對本發明之實施例進行說明。
(糊狀接著劑組成物之製備)
對於各實施例及各比較例，製備糊狀接著劑組成物。該製備係藉由依據表1、表2及表3所示之調配組成將各成分均勻地混合而進行。再者，表1、表2及表3所示之成分之詳情如下所述。又，表1、表2及表3中之各成分之調配比率表示各成分相對於糊狀接著劑組成物整體之調配比率(重量%)。
(金屬粒子(A))
金屬粒子1：球狀銀粉(AG2-1C，DOWA Electronics公司製造，平均粒 徑D50=0.8μm)
金屬粒子2：球狀銀粉(AgC-G，福田金屬箔粉工業公司製造，平均粒徑D50=0.23μm)
金屬粒子3：球狀銀粉(AG4-8F，DOWA Electronics公司製造，平均粒徑D50=1.9μm)
(藉由加熱而聚合之化合物(B))
化合物1：1,4-環己烷二甲醇單丙烯酸酯(CHDMMA(製品名)，日本化成(股份)製造)
化合物2：甲基丙烯酸苯氧基乙酯(Lightester PO，共榮社化學(股份)製造)
化合物3：甲基丙烯酸2-乙基己酯(Lightester EH，共榮社化學(股份)製造)
化合物4：間/對甲酚基縮水甘油醚(m,p-CGE(製品名)，阪本藥品工業(股份)製造)
化合物5：雙酚F型環氧樹脂(SB-403S，日本化藥工業(股份)製造)
化合物6：聚乙二醇#200二甲基丙烯酸酯(Lightester 4EG，共榮社化學(股份)製造)
化合物7：1,6-己二醇二甲基丙烯酸酯(Lightester 1.6HX，共榮社化學(股份)製造)
(硬化劑(C))
硬化劑1：過氧化二異丙苯(Perkadox BC，Kayaku Akzo(股份)製造)
硬化劑2：咪唑(2PHZ-PW，四國化成工業(股份)製造)
硬化劑3：雙酚F(DIC-BPF，DIC(股份)製造)
再者，於各實施例中，得知可獲得直鏈狀之聚合物分子結構。又，於各比較例中，得知可獲得具有三維交聯結構之聚合物分子結構。
對於各實施例，將塗佈所獲得之糊狀接著劑組成物而獲得之塗佈膜於殘留氧濃度未達1000ppm之氮氣環境下自25℃以升溫速度5℃/分鐘升溫至250℃後，於250℃、2小時之條件下進行熱處理，結果塗佈膜中之金屬粒子(A)發生燒結而形成粒子連結結構。
(不溶於丙酮的比例)
對於各實施例及各比較例，藉由如下方式測定所獲得之糊狀接著劑組成物之不溶於丙酮的比例。首先，藉由離心分離及115網目(網眼125μm)之過濾器過濾，而自糊狀接著劑組成物去除金屬粒子(A)。繼而，將去除金屬粒子(A)後之糊狀接著劑組成物於180℃、2小時之條件進行加熱而獲得測定試樣。繼而，精確稱量測定試樣約100g並投入至裝有液溫25℃之丙酮約900g的密閉容器中之後振盪20分鐘，對於所獲得之丙酮溶液、及使用丙酮約100g沖洗該密閉容器內而獲得之丙酮溶液，利用115網目(網眼125μm)之JIS標準篩網進行篩分。繼而，使上述篩網整體通過丙酮約100g。繼而，使篩網上之殘留物風乾後，測定該殘留物之重量。根據測定結果，算出殘留物相對於測定試樣整體之比率(重量%)，將其設為不溶於丙酮的比例(重量%)。於表1~3中，將不溶於丙酮的比例為5重量%以下者表示為「5以下」，將超過5重量%者表示為「超過5」。
(動態黏彈性測定)
對於各實施例及各比較例，對所獲得之糊狀接著劑組成物進行動態黏 彈性測定。測定係使用流變計(HAAKE RheoWin，Thermo Scientific公司製造)於測定頻率1Hz、升溫速度5℃/分鐘、測定溫度範圍25℃~250℃之條件進行。根據測定結果，算出140℃~180℃之溫度區域內之剪切彈性模數為5,000Pa以上且100,000Pa以下之溫度幅度W(℃)。將結果示於表1~3。
(導熱率之測定)
對於各實施例及各比較例，藉由如下方式測定導熱率。首先，塗佈所獲得之糊狀接著劑組成物後，將其於氮氣環境下自25℃以升溫速度5℃/min升溫至250℃，其後，於250℃、2小時之條件進行加熱而獲得樣品(膜厚1000μm)。繼而，藉由雷射閃光測定法對上述樣品之厚度方向之導熱率進行測定。將結果示於表1~3。
(體積電阻率之測定)
對於各實施例及各比較例，藉由如下方式測定體積電阻率。首先，塗佈所獲得之糊狀接著劑組成物後，將其於氮氣環境下自25℃以升溫速度5℃/min升溫至250℃，其後，於250℃、2小時之條件進行加熱而獲得樣品(寬度4mm，長度40mm，厚度40μm)。繼而，依據JIS K 6911測定上述樣品之平面方向之體積電阻率。將結果示於表1~3。
(減少5%重量之溫度)
對於實施例6，測定糊狀接著劑組成物之減少5%重量之溫度。測定係藉由在升溫速度5℃/分鐘之條件下對糊狀接著劑組成物10mg進行TG/DTA(熱重量/示差熱分析)測定而進行。於氮氣環境及空氣環境之各條件下進行測定，結果減少5%重量之溫度均為130℃。
(滴塗性評價)
對於各實施例及各比較例，藉由如下方式評價滴塗性。首先，將所獲得之糊狀接著劑組成物裝入至注射器中，並安裝噴嘴直徑為內徑200μm之針，利用自動分注器將糊劑塗佈為點狀。然後，以目視觀察塗佈時之拉絲性，將未觀察到拉絲及點之變形者設為◎，將未觀察到拉絲或點之變形之任一情形者設為○，將兩情形均觀察到者設為×。
(半導體裝置1之製作)
對於各實施例及各比較例，藉由如下方式製作半導體裝置1。首先，經由上述所獲得之糊狀接著劑組成物，將10mm×10mm×350μmt之背面鍍敷有Au之矩形矽晶片安裝於鍍敷有Ag之銅框架(11mm×11mm×150μmt)上而獲得積層體。繼而，將該積層體於烘箱中於殘留氧濃度未達1000ppm之氮氣環境下自25℃以升溫速度5℃/min升溫至250℃後，於250℃下加熱2小時。藉此，使糊狀接著劑組成物中之金屬粒子(A)發生燒結，而形成厚度60μm之晶粒黏著層。如此，獲得半導體裝置1。
(燒結之均勻性評價)
對於各實施例及各比較例，觀察半導體裝置1之晶粒黏著層之剖面結構。此處，觀察晶粒黏著層中之面方向上之中心部與周邊部。並且，將中心部及周邊部此兩者之金屬粒子(A)之燒結充分者設為○，將中心部或周邊部之金屬粒子(A)之燒結不充分者設為×，而評價燒結是否可均勻地進行。將結果示於表1~3。
得知實施例1~15於燒結之均勻性評價及滴塗性評價中均可獲得良好之結果。尤其是實施例1~13獲得了特別良好之滴塗性評價結果。另一方面，比較例1~5於燒結之均勻性評價中均未獲得良好之結果。
又，實施例1~15就導熱性及導電性之觀點而言亦獲得了較比較例1~5更良好之結果。如此，根據實施例，亦得知實現了導熱性及導電性之平衡優異之晶粒黏著層。
該申請案係主張以2015年1月29日提出申請之日本申請案特願2015-015599號為基礎之優先權，將其全部揭示內容併入本文中。
10‧‧‧晶粒黏著層
20‧‧‧半導體元件
30‧‧‧基材
32‧‧‧晶片座
34‧‧‧外引線
40‧‧‧接合線
50‧‧‧密封樹脂
100‧‧‧半導體裝置

Claims (24)

  1. 一種糊狀接著劑組成物，其含有金屬粒子(A)、及藉由加熱而聚合之化合物(B)，藉由熱處理使上述金屬粒子(A)發生燒結而形成粒子連結結構，於測定頻率1Hz之條件進行動態黏彈性測定時，於140℃~180℃之溫度區域內，具有10℃以上的剪切彈性模數為5,000Pa以上且100,000Pa以下之溫度幅度，於去除上述金屬粒子(A)後於180℃、2小時之條件進行加熱而獲得之試樣之不溶於丙酮的比例為5重量%以下。
  2. 如申請專利範圍第1項之糊狀接著劑組成物，其中，將塗佈該糊狀接著劑組成物所獲得之塗佈膜自25℃以升溫速度5℃/分鐘升溫至250℃後於250℃、2小時之條件進行加熱而獲得之膜，其厚度方向上之導熱率為15W/mK以上。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之糊狀接著劑組成物，其中，將塗佈該糊狀接著劑組成物所獲得之塗佈膜自25℃以升溫速度5℃/分鐘升溫至250℃後於250℃、2小時之條件進行加熱而獲得之膜，其面方向上之體積電阻率為25×10-6Ω．cm以下。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之糊狀接著劑組成物，其中，上述金屬粒子(A)相對於上述糊狀接著劑組成物整體之含量為80重量%以上且95重量%以下。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之糊狀接著劑組成物，其中， 上述化合物(B)包含分子內僅具有一個自由基聚合性雙鍵之化合物。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之糊狀接著劑組成物，其中，上述化合物(B)包含具有(甲基)丙烯醯基((meta)acrylic group)之化合物。
  7. 如申請專利範圍第1或2項之糊狀接著劑組成物，其中，上述化合物(B)包含(甲基)丙烯酸酯。
  8. 如申請專利範圍第7項之糊狀接著劑組成物，其中，上述(甲基)丙烯酸酯包含下述式(1)所表示之化合物， (式(1)中，R11為氫或甲基，R12為含OH基之碳數1~20之一價有機基)。
  9. 如申請專利範圍第7項之糊狀接著劑組成物，其中，上述(甲基)丙烯酸酯包含下述式(2)所表示之化合物， (式(2)中，R21為氫或甲基，R22為不含OH基之碳數1~20之一價有機基)。
  10. 如申請專利範圍第7項之糊狀接著劑組成物，其中，上述(甲基)丙烯酸酯包含下述式(1)所表示之化合物、及下述式(2)所表示之化合物， (式(1)中，R11為氫或甲基，R12為含OH基之碳數1~20之一價有機基) (式(2)中，R21為氫或甲基，R22為不含OH基之碳數1~20之一價有機基)。
  11. 如申請專利範圍第1或2項之糊狀接著劑組成物，其中，上述化合物(B)包含分子內僅具有一個環氧基之化合物。
  12. 如申請專利範圍第1或2項之糊狀接著劑組成物，其進而含有具有3級胺基之化合物。
  13. 如申請專利範圍第1或2項之糊狀接著劑組成物，其減少5%重量之溫 度為100℃以上且180℃以下。
  14. 如申請專利範圍第1或2項之糊狀接著劑組成物，其中，上述金屬粒子(A)含有選自由Ag、Au、及Cu所組成之群中之一種或兩種以上。
  15. 如申請專利範圍第1或2項之糊狀接著劑組成物，其中，上述金屬粒子(A)包含球狀粒子。
  16. 如申請專利範圍第1或2項之糊狀接著劑組成物，其中，上述金屬粒子(A)之平均粒徑D50為0.1μm以上。
  17. 一種半導體裝置，其具備：基材、及半導體元件；該半導體元件經由申請專利範圍第1至16項中任一項之糊狀接著劑組成物之熱處理體即接著劑層，而搭載於上述基材上。
  18. 如申請專利範圍第17項之半導體裝置，其中，上述半導體元件之平面形狀為具有5mm以上之邊的矩形。
  19. 一種半導體裝置之製造方法，其包括如下步驟：經由申請專利範圍第1至16項中任一項之糊狀接著劑組成物，將半導體元件搭載於基材上之步驟；及將上述糊狀接著劑組成物進行加熱之步驟。
  20. 如申請專利範圍第19項之半導體裝置之製造方法，其中，將上述糊狀接著劑組成物進行加熱之上述步驟包括如下步驟：將上述糊狀接著劑組成物於未達200℃之溫度條件進行加熱之步驟，及 將上述糊狀接著劑組成物於200℃以上之溫度條件進行加熱之步驟。
  21. 如申請專利範圍第19或20項之半導體裝置之製造方法，其中，將上述糊狀接著劑組成物進行加熱之上述步驟，係一面對上述糊狀接著劑組成物加壓一面進行加熱。
  22. 一種散熱板之接著方法，其包括如下步驟：經由申請專利範圍第1至16項中任一項之糊狀接著劑組成物，將散熱板接著於半導體裝置之步驟；及將上述糊狀接著劑組成物進行加熱之步驟。
  23. 如申請專利範圍第22項之散熱板之接著方法，其中，將上述糊狀接著劑組成物進行加熱之上述步驟包括如下步驟：將上述糊狀接著劑組成物於未達200℃之溫度條件進行加熱之步驟，及將上述糊狀接著劑組成物於200℃以上之溫度條件進行加熱之步驟。
  24. 如申請專利範圍第22或23項之散熱板之接著方法，其中，將上述糊狀接著劑組成物進行加熱之上述步驟，係一面對上述糊狀接著劑組成物加壓一面進行加熱。
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