TW202123785A - 封裝核心組件及製造方法 - Google Patents

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Abstract

本揭示係關於半導體核心組件及其形成方法。本文所述的半導體核心組件可以用於形成半導體封裝組件、PCB組件、PCB間隔物組件、晶片載體組件、中間載體組件（例如，用於圖形卡）、及類似者。在一個實施例中，藉由直接雷射圖案化來建構矽基板核心。一或更多個導電互連係形成於基板核心中，而一或更多個重新分配層係形成於其表面上。隨後，矽基板核心可以作為用於半導體封裝、PCB、PCB間隔物、晶片載體、中間載體、或類似者的核心結構。

Description

封裝核心組件及製造方法
本揭示的實施例通常係關於電子安裝結構及其形成方法。更具體而言，本文所述的實施例係關於半導體封裝及PCB組件以及其形成方法。
由於針對小型化的電子裝置及部件的需求不斷增加，利用更大的電路密度的更快的處理能力的需求係增加至在這樣的積體電路晶片的製造中所使用的材料、結構、及處理的對應需求。然而，除了朝向更大的整合度及效能的這些趨勢之外，人們一直在追求降低製造成本。
一般而言，由於有機封裝基板中的形成特徵及連接的容易性以及與有機複合材料相關聯的相對低的封裝製造成本，已經在耦接至電路板（例如，印刷電路板（PCB））的有機封裝基板上製造積體電路晶片。然而，隨著電路密度的增加以及電子裝置的進一步小型化，由於用於維持裝置規模與相關聯的效能要求的材料結構解析度的限制，有機封裝基板與習知互連PCB的利用變得不切實際。最近，已經利用被動式矽中介層作為重新分配層來製造2.5D及3D積體電路，以補償與有機封裝基板相關聯的一些限制。矽中介層的利用係藉由電位驅動，以用於高頻寬密度的低功率晶片對晶片通訊，以及先進電子安裝及封裝應用中的異構整合尋求。然而，在矽中介層中的特徵的形成（例如，矽通孔（TSV））仍然很困難且成本很高。更特定言之，高縱橫比的矽通孔蝕刻、化學機械平面化、及半導體後段製程（BEOL）互連造成較高的成本。
因此，該領域需要具有增加的密度的改善的半導體封裝及PCB核心組件以及其形成方法。
本揭示通常係關於電子安裝結構及其形成方法。
在一個實施例中，提供一種半導體裝置組件。半導體裝置組件包括矽核心結構，矽核心結構具有與第二表面相對的第一表面以及小於約1000μm的厚度。一或更多個導電互連係穿過矽核心結構形成，並且從第一表面與第二表面突出。半導體裝置組件進一步包括形成於第一表面上的第一重新分配層以及形成於第二表面上的第二重新分配層。第一重新分配層與第二重新分配層中之每一者具有形成其上的一或更多個導電觸點。
在一個實施例中，提供一種半導體裝置組件。半導體裝置組件包括矽核心結構、鈍化層、及介電層。矽核心結構的厚度係小於約1000μm。鈍化層圍繞矽核心結構，並且包括熱氧化物。介電層係形成於鈍化層上，並且包括具有設置其中的二氧化矽顆粒的環氧樹脂。
在一個實施例中，提供一種半導體裝置組件。半導體裝置包括矽核心結構、圍繞矽結構以及包括熱氧化物的鈍化層、圍繞鈍化層以及由環氧樹脂形成的介電層、及形成於介電層上的重新分配層。重新分配層進一步包括形成於介電層上以及由鉬形成的黏合層、形成於黏合層上的銅種晶層、及形成於銅種晶層上的銅層。
本揭示的實施例可以進一步提供一種半導體裝置組件，包含具有與第二側相對的第一側的矽核心結構、形成於第一側上的第一重新分配層、及形成於第二側上的第二重新分配層。包含可流動的環氧樹脂材料的介電層亦可以形成於第一側與第二側上，並且具有約5μm與約50μm之間的厚度。矽核心結構可以具有小於1500μm的厚度、形成於第一側與第二側上的金屬包覆層、及一或更多個導電互連，一或更多個導電互連係形成於一或更多個貫穿組件通孔中，並且具有暴露於第一側與第二側處的表面。藉由介電層沿著周向定義一或更多個貫穿組件通孔中之每一者。第一重新分配層與第二重新分配層中之每一者具有形成其上的一或更多個導電觸點。金屬包覆層沿著周向圍繞一或更多個導電互連中之每一者。矽核心的基本上所有暴露的表面上的金屬包覆層的厚度可以在約100nm與約5μm之間。金屬包覆層可以進一步藉由設置於第一重新分配層與第二重新分配層中的一或更多個導電包覆連接而導電耦接至接地。
本揭示的實施例可以進一步提供一種半導體裝置組件，包含具有小於1500μm的厚度的的矽核心結構、形成於其至少二個表面上的金屬或氧化物層、及包含具有形成於金屬或氧化物層上的二氧化矽顆粒的環氧樹脂的介電層。藉由介電層沿著周向定義並具有小於約1500μm的直徑的一或更多個通孔係設置成穿過半導體裝置組件，並利用銅進行填充。可以進一步藉由金屬或氧化物層沿著周向圍繞沿著周向定義一或更多個通孔的介電層。具有一或更多個重新分配連接的重新分配層可以形成於介電層上。重新分配連接與銅填充的通孔可以一起形成感應線圈。矽核心結構可以進一步包含其中含有矽電容器的一或更多個袋部。熱交換器可以進一步設置於介電層上方，或者耦接至金屬或氧化物層。
本揭示的實施例可以進一步提供一種半導體裝置組件，包含具有與第二側相對的第一側以及小於1500μm的厚度的矽核心結構、形成於第一側與第二側上的鎳包覆層、及包含環氧樹脂並圍繞鎳包覆層的介電層。通孔陣列係設置成穿過矽核心結構，並且利用導電材料進行填充，通孔陣列中的每一通孔係藉由介電層所定義。重新分配層係形成於介電層上，以及包含形成於介電層上的含鉬黏合層、形成於黏合層上的銅種晶層、及形成於銅種晶層上的銅層。
本揭示係關於半導體核心組件及其形成方法。本文所述的半導體核心組件可以用於形成半導體封裝組件、PCB組件、PCB間隔物組件、晶片載體組件、中間載體組件（例如，用於圖形卡）、及類似者。在一個實施例中，藉由直接雷射圖案化來建構矽基板核心。一或更多個導電互連係形成於基板核心中，而一或更多個重新分配層係形成於其表面上。隨後，矽基板核心可以作為用於半導體封裝、PCB、PCB間隔物、晶片載體、中間載體、或類似者的核心結構。
本文所述的包括新穎的薄形規格半導體核心結構的方法及設備意欲取代較習知的利用玻璃纖維填充的環氧樹脂框架的半導體封裝、PCB、及晶片載體結構。一般而言，當前半導體封裝、PCB、間隔物、及晶片載體的可擴展性受到通常用於形成各種結構的材料（例如，環氧樹脂模製化合物、FR-4及FR-5等級的具有環氧樹脂黏合劑的玻璃纖維編織布、及類似者）的剛性及平面性不足的限制。這些材料的固有性質造成圖案化以及利用形成於其中的精細（例如，微米級）特徵的困難。此外，作為當前使用的材料的性質（例如，絕緣性）的結果，玻璃纖維框架、板、模製化合物、及設置成與其相鄰的任何晶片之間可能出現熱膨脹（CTE）係數的不匹配。因此，當前封包、PCB、間隔物、及載體結構需要具有較大間距的較大焊料凸塊，以減輕CTE不匹配所造成的任何翹曲的效應。因此，習知半導體封裝、PCB、間隔物、及載體框架的特徵在於低的貫穿結構的電頻寬，而導致降低的總功率效率。本文所述的方法及設備提供用於克服與上述習知半導體封裝、PCB、間隔物、及載體結構相關聯的許多缺點的半導體核心結構。
第1A圖至第1C圖圖示根據一些實施例的薄形規格半導體核心組件100的橫截面圖。半導體核心組件100可以用於安裝其上的半導體封裝的結構支撐與電互連。在進一步實例中，半導體核心組件100可以作為用於表面安裝裝置（例如，晶片或圖形卡）的載體結構。半導體核心組件100通常包括核心結構102、可選擇的鈍化層104（第1A圖及第1B圖所示）或金屬包覆層114（第1C圖所示）、及絕緣層118。
在一個實施例中，核心結構102包括由任何合適的基板材料所形成的圖案化（例如，結構化）的基板。舉例而言，核心結構102包括由III-V族化合物半導體材料、矽（例如，具有約1與約10 Ohm-com之間的電阻率或約100W/mK的電導率）、結晶矽（例如，Si＜100＞或Si＜111＞）、氧化矽、矽鍺、摻雜或未摻雜的矽、未摻雜的高電阻率矽（例如，具有較低溶解氧含量以及約5000至約10000 ohm-cm之間的電阻率的浮帶矽）、摻雜或未摻雜的多晶矽、氮化矽、碳化矽（例如，具有約500W/mK的電導率）、石英、玻璃（例如，硼矽酸鹽玻璃）、藍寶石、氧化鋁、及/或陶瓷材料所形成的基板。在一個實施例中，核心結構102包括單晶p型或n型矽基板。在一個實施例中，核心結構102包括多晶p型或n型矽基板。在另一實施例中，核心結構102包括p型或n型矽太陽能基板。一般而言，用於形成核心結構102的基板可以具有多邊形或圓形形狀。舉例而言，核心結構102可以包括具有或不具有斜切邊緣的基本上正方形的矽基板，矽基板的橫向尺寸係在約120mm與約180mm之間（例如，約150mm，或者在約156mm與約166mm之間）。在另一實例中，核心結構102可以包括圓形的含矽晶圓，晶圓的直徑係在約20mm與約700mm之間（例如，約100mm與約500 mm之間）（例如，約200mm或約300mm）。
核心結構102的厚度T1 係在約50μm與約1500μm之間（例如，厚度T1 係在約90μm與約780μm之間）。舉例而言，核心結構102的厚度T1 係在約100μm與約300μm之間（例如，厚度T1 係在約110μm與約200μm之間）。在另一實例中，核心結構102的厚度T1 係在約70μm與約150μm之間（例如，厚度T1 係在約100μm與約130μm之間）。在另一實例中，核心結構102的厚度T1 係在約700μm與約800μm之間（例如，厚度T1 係在約725μm與約775μm之間）。
核心結構102進一步包括形成於其中的一或更多個孔洞或核心通孔103（下文指稱為「核心通孔」），以讓導電互連能夠路由通過核心結構102。一般而言，一或更多個核心通孔103的形狀基本上是圓柱形。然而，亦可以考慮其他適合形態的核心通孔103。核心通孔103可以形成為單一且分離的通過核心結構102的核心通孔103，或者形成於一或更多個群組或陣列中。在一個實施例中，每一核心通孔103之間的最小節距P1係小於約1000μm（例如，約25μm與約200μm之間）。舉例而言，節距P1係在約40μm與約150μm之間（例如，約100μm與約140μm之間）（例如，約120μm）。在一個實施例中，一或更多個核心通孔103的直徑V1 係小於約500μm（例如，直徑V1 係小於約250μm）。舉例而言，核心通孔103的直徑V1 係在約25μm與約100μm之間（例如，直徑V1 係在約30μm與約60μm之間）。在一個實施例中，核心通孔103的直徑V1 係為約40μm。
第1A圖及第1B圖的可選擇的鈍化層104可以形成於核心結構102的一或更多個表面上（包括第一表面106、第二表面108、及核心通孔103的一或更多個側壁）。在一個實施例中，鈍化層104係形成於核心結構102的基本上所有外部表面上，而使得鈍化層104基本上圍繞核心結構102。因此，鈍化層104針對核心結構102提供保護外屏障，以防止腐蝕及其他損傷形式。在一個實施例中，鈍化層104係由氧化膜或氧化層（例如，熱氧化層）所形成。在一些實例中，鈍化層104的厚度係在約100nm與約3μm之間（例如，厚度係在約200nm與約2.5μm之間）。在一個實例中，鈍化層104的厚度係在約300nm與約2μm之間（例如，厚度係為約1.5μm）。
在第1C圖所示的實施例中，核心結構102包括金屬包覆層114，金屬包覆層114用於代替鈍化層104，並形成於其一或更多個表面上（包括第一表面106、第二表面108、及核心通孔103的一或更多個側壁）。在一個實施例中，金屬包覆層114係形成於核心結構102的基本上所有外部表面上，而使得金屬包覆層114基本上圍繞核心結構102。金屬包覆層114係作為參考層（例如，接地層或電壓供應層），並設置於基板302上，以保護隨後形成的連接免於電磁干擾，並針對用於形成核心結構102的半導體材料（Si）屏蔽半導體訊號。在一個實施例中，金屬包覆層114包括導電金屬層（包括鎳、鋁、金、鈷、銀、鈀、錫、或類似者）。在一個實施例中，金屬包覆層114包括金屬層（包括合金或純金屬（包括鎳、鋁、金、鈷、銀、鈀、錫、或類似者））。金屬包覆層114的厚度通常在約50nm與約10μm之間（例如，約100nm與約5μm之間）。
絕緣層118係形成於核心結構102、鈍化層104、或金屬包覆層114的一或更多個表面上，並且可以基本上包覆鈍化層104、金屬包覆層114、及/或核心結構102。因此，如第1A圖所示，絕緣層118可以延伸進入核心通孔103，並且塗佈核心通孔103的側壁上所形成的鈍化層104或金屬包覆層114，或者直接塗佈核心結構102，而藉此定義直徑V2 。在一個實施例中，絕緣層118從核心結構102的外表面、鈍化層114、或金屬包覆層114到絕緣層118的相鄰外表面（例如，主表面105、107）的厚度T2 係小於約50μm（例如，厚度T2 係小於約20μm）。舉例而言，絕緣層118的厚度T2 係在約5μm與約10μm之間。
在一個實施例中，絕緣層118係由基於聚合物的介電材料所形成。舉例而言，絕緣層118係由可流動的堆積材料所形成。因此，儘管在下文指稱為「絕緣層」，但是絕緣層118亦可以描述成介電層。在進一步實施例中，絕緣層118係由具有陶瓷填充物（例如，二氧化矽（SiO2 ）顆粒）的環氧樹脂材料所形成。可以用於形成絕緣層118的陶瓷填充物的其他實例包括氮化鋁（AlN）、氧化鋁（Al2 O3 ）、碳化矽（SiC）、氮化矽（Si3 N4 ）、Sr2 Ce2 Ti5 O16 、矽酸鋯（ZrSiO4 ）、矽灰石（CaSiO3 ）、氧化鈹（BeO）、二氧化鈰（CeO2 ）、氮化硼（BN）、鈣銅鈦氧化物（CaCu3 Ti4 O12 ）、氧化鎂（MgO）、二氧化鈦（TiO2 ）、氧化鋅（ZnO）、及類似者。在一些實例中，用於形成絕緣層118的陶瓷填充物的顆粒的尺寸的範圍係在約40nm與約1.5μm之間（例如，約80nm與約1μm之間）。舉例而言，陶瓷填充物的顆粒的尺寸的範圍係在約200nm與約800nm之間（例如，約300nm與約600nm之間）。在一些實施例中，陶瓷填充物所包括的顆粒的尺寸係小於核心結構102中的相鄰核心通孔103的寬度或直徑的約10％（例如，尺寸係小於核心通孔103的寬度或直徑的約5％）。
一或更多個貫穿組件孔洞或通孔113（下文指稱為「貫穿組件通孔」）係形成為穿過絕緣層118，其中絕緣層118延伸進入核心通孔103。舉例而言，貫穿組件通孔113可以形成於核心通孔103內的中心，核心通孔103具有設置於其中的絕緣層118。因此，絕緣層118形成貫穿組件通孔113的一或更多個側壁，其中貫穿組件通孔113的直徑V2 係小於核心通孔103的直徑V1 。在一個實施例中，貫穿組件通孔113的直徑V2 係小於約100μm（例如，小於約75μm）。舉例而言，貫穿組件通孔113的直徑V2 係小於約50μm（例如，小於約35μm）。在一個實施例中，貫穿組件通孔113的直徑係在約25μm與約50μm之間（例如，直徑係在約35μm與約40μm之間）。
貫穿組件通孔113提供形成於半導體核心組件100中的一或更多個電互連144所穿過的通道。在一個實施例中，電互連144係形成為穿過半導體核心組件100的整個厚度（亦即，從半導體核心組件100的第一主表面105至第二主表面107）。舉例而言，對應於半導體核心組件100的總厚度的電互連144的縱向長度係在約50μm與約1000μm之間（例如，縱向長度係在約200μm與約800μm之間）。在一個實例中，電互連144的縱向長度係在約400μm與約600μm之間（例如，縱向長度係為約500μm）。在另一實施例中，電互連144僅形成為穿過半導體核心組件100的厚度的一部分。在進一步實施例中，電互連144可以從半導體核心組件100的主表面（例如，如第1A圖所示的主表面105、107）突出。電互連144可以由用於積體電路、電路板、晶片載體、及類似者的領域的任何導電材料所形成。舉例而言，電互連144係由金屬材料（例如，銅、鋁、金、鎳、銀、鈀、錫、或類似者）所形成。
在第1A圖所示的實施例中，電互連144的橫向厚度係等於電互連144形成於其中的貫穿組件通孔113的直徑V2 。在另一實施例中（例如，第1B圖所示），半導體核心組件100進一步包括用於電互連144的電隔離的形成於其上的黏合層140及/或種晶層142。在一個實施例中，黏合層140係形成於與電互連144相鄰的絕緣層118的表面上（包括貫穿組件通孔113的側壁）。因此，如第1B圖所示，電互連144的橫向厚度係小於電互連144形成於其中的貫穿組件通孔113的直徑V2 。在另一實施例中，電互連144僅覆蓋貫穿組件通孔113的側壁的表面，而因此可以具有穿過其中的中空核心。
黏合層140可以由任何合適的材料（包括但不限於鈦、氮化鈦、鉭、氮化鉭、錳、氧化錳、氧化鉬、氧化鈷、氮化鈷、及類似者）所形成。在一個實施例中，黏合層140的厚度B1係在約10nm與約300nm之間（例如，約50nm與約150nm之間）。舉例而言，黏合層140的厚度B1係在約75nm與約125nm之間（例如，約100nm）。
可選擇的種晶層142包含導電材料（包括但不限於銅、鎢、鋁、銀、金、或任何其他合適的材料或其組合）。種晶層142可以形成於黏合層140上，或者直接形成於貫穿組件通孔113的側壁上（例如，在絕緣層118上，而其間沒有黏合層）。在一個實施例中，種晶層142的厚度係在約50nm與約500nm之間（例如，約100nm至約300nm之間）。舉例而言，種晶層142的厚度係在約150nm與約250nm之間（例如，約200nm）。
在一些實施例中（例如，第1B圖所示），半導體核心組件100進一步包括形成於半導體核心組件100的第一側175及/或第二側177上的一或更多個重新分配層150（重新分配層150在第1B圖中係圖示為形成於第二側177上）。在一個實施例中，重新分配層150係由與絕緣層118基本上相同的材料（例如，基於聚合物的介電材料）所形成，並藉此形成其擴展。在其他實施例中，重新分配層150係由與絕緣層118不同的材料所形成。舉例而言，重新分配層150可以由可光定義的聚醯亞胺材料、非光敏性聚醯亞胺、聚苯并㗁唑（PBO）、苯并環丁烯（BCB）、二氧化矽、及/或氮化矽所形成。在另一實例中，重新分配層150係由與絕緣層118不同的無機介電材料所形成。在一個實施例中，重新分配層150的厚度係為約5μm與約50μm之間（例如，厚度係為約10μm與約40μm之間）。舉例而言，重新分配層150的厚度係為約20μm與約30μm之間（例如，約25μm）。
重新分配層150可以包括形成為穿過重新分配通孔153的一或更多個重新分配連接154，以將電互連144的接觸點重新定位至半導體核心組件100的表面上的期望位置（例如，主表面105、107）。在一些實施例中，重新分配層150可以進一步包括形成於主表面105、107上的一或更多個外部電連接（未圖示）（例如，球柵陣列或焊料球）。一般而言，相對於貫穿組件通孔113與電互連144，重新分配通孔153與重新分配連接154分別具有基本上類似或較小的橫向尺寸。舉例而言，重新分配通孔153的直徑V3 係在約2μm與約50μm之間（例如，直徑V3 係在約10μm與約40μm之間）（例如，直徑V3 係在約20μm與約30μm之間）。此外，重新分配層150可以包括形成於與重新分配連接154相鄰的表面上的黏合層140與種晶層142（包括重新分配通孔153的側壁）。
在核心結構102包括金屬包覆層114的實施例中（例如，第1C圖），金屬包覆層114進一步耦接到至少一個包覆連接116，而在半導體核心組件100的至少一側上形成連接點。在某些實施例中，金屬包覆層114耦接至形成於半導體核心組件100的相對側上的二個包覆連接116。包覆連接116可以連接至與半導體核心組件100堆疊（例如，上方或下方）的一或更多個半導體裝置所使用的共通接地（例如，示例性接地119）。可替代地，包覆連接116係連接至參考電壓（例如，功率電壓）。如圖所示，包覆連接116係形成於絕緣層118中，並將金屬包覆層114連接至設置於半導體核心組件100的表面上或表面處（例如，主表面107及105）的包覆連接116的連接端，而使得金屬包覆層114可以連接至外部共通接地或參考電壓（在第1C圖中圖示為連接至接地119的示例性連接）。
金屬包覆層114可以經由包覆連接116與任何其他合適的耦接構件電耦接至外部接地119。舉例而言，包覆連接116可以藉由半導體核心組件100的相對側上的焊料凸塊間接耦接至外部接地119。在某些實施例中，在耦接至外部接地119之前，包覆連接116可以首先穿過單獨的電子系統或裝置。金屬包覆層114與外部接地119之間的接地路徑的利用係減少或消除互連144及/或重新分配連接154之間的干擾，並防止所耦接的積體電路的短路（可能損傷半導體核心組件100以及與其整合或堆疊的任何系統或裝置）。
類似於電互連144與重新分配連接154，包覆連接116係由任何合適的導電材料所形成（包括但不限於鎳、銅、鋁、金、鈷、銀、鈀、錫、或類似者）。包覆連接116係透過包覆通孔123沉積或鍍覆，包覆通孔123基本上類似於貫穿組件通孔113或重新分配通孔153，但是僅橫穿半導體核心組件100的一部分（例如，從其表面到核心結構102）。因此，包覆通孔123可以形成為穿過絕緣層118，而直接在具有形成於其上的金屬包覆層114的核心結構102的上方或下方。此外，類似於電互連144與重新分配連接154，包覆連接116可以完全填充包覆通孔123，或者沿著其內周壁排列，而藉此具有中空核心。
在某些實施例中，包覆通孔123與包覆連接116的橫向尺寸（例如，分別為直徑及橫向厚度）基本上類似於直徑V2 。在某些實施例中，黏合層140與種晶層142係形成於包覆通孔123中，所以包覆通孔123的直徑可以基本上類似於直徑V2 ，而包覆連接116的橫向厚度可以小於直徑V2 （例如，橫向厚度係基本上類似於直徑V3 ）。在某些實施例中，包覆通孔123的直徑係為約5μm。
第2圖圖示形成半導體核心組件的代表性方法200的流程圖。該方法200具有多個操作210、220、230、及240。每一操作係參照第3圖至第12L圖進行更詳細的描述。該方法可以包括一或更多個附加操作，在任何定義操作之前、二個定義操作之間、或在所有定義操作之後執行這些附加操作（除非上下文排除可能性）。
一般而言，方法200包括以下步驟：在操作210處，建構作為核心結構（例如，框架）的基板，並且參照第3圖與第4A圖至第4D圖進一步進行更詳細的描述。在操作220處，絕緣層係形成於核心結構102上，並且參照第5圖、第6A圖至第6I圖、第7圖、及第8A圖至第8E圖進一步進行更詳細的描述。在操作230處，一或更多個互連係形成為穿過核心結構102與絕緣層，並且參照第9圖及第10A圖至第10H圖進一步進行更詳細的描述。在操作240處，重新分配層係形成於絕緣層上，以將互連的接觸點重新定位至組裝核心組件的表面上的期望位置，以及隨後將核心組件切割成單片。在一些實施例中，除了第一重新分配層之外，亦可以形成一或更多個附加重新分配層，並且參照第11圖及第12A圖至第12L圖進一步進行更詳細的描述。
第3圖圖示用於將基板400建構成作為核心結構的代表性方法300的流程圖。第4A圖至第4D圖示意性圖示第3圖所表示的基板結構化處理300的各個階段的基板400的橫截面圖。因此，為了清楚起見，此處一起描述第3圖及第4A圖至第4D圖。
方法300係開始於操作310處，並且對應於第4A圖。如參照上述核心結構102所述，基板400係由任何合適的基板材料所形成（包括但不限於III-V族化合物半導體材料、矽、結晶矽（例如，Si＜100＞或Si＜111＞）、氧化矽、矽鍺、摻雜或未摻雜的矽、未摻雜的高電阻率矽、摻雜或未摻雜的多晶矽、氮化矽、碳化矽、石英、玻璃材料（例如，硼矽酸鹽玻璃）、藍寶石、氧化鋁、及/或陶瓷材料）。在一個實施例中，基板400係為單晶p型或n型矽基板。在一個實施例中，基板400係為多晶p型或n型矽基板。在另一實施例中，基板400係為p型或n型矽太陽能基板。基板400可以進一步具有多邊形或圓形形狀。舉例而言，基板400可以包括具有或不具有斜切邊緣的基本上正方形的矽基板，矽基板的橫向尺寸係在約120 mm與約180mm之間。在另一實例中，基板400可以包括圓形的含矽晶圓，含矽晶圓的直徑係在約20mm與約700mm之間（例如，約100mm與約500mm之間）（例如，約200mm或約300mm）。除非另有說明，本文所述的實施例與實例係在具有約50μm與約1500μm之間的厚度的基板上進行（例如，厚度係為約90μm與約780μm之間）。舉例而言，基板400的厚度係為約100μm與約300μm之間（例如，厚度係為約110μm與約200μm之間）。
在操作310之前，可以藉由線鋸、劃線、及折斷、機械磨擦鋸、或雷射切割來將基板400切成片狀，並與塊狀材料分離。切成片狀通常會造成基板表面上所形成的機械缺陷或畸形（例如，刮痕、微裂紋、碎裂、及其他機械缺陷）。因此，在操作310處，將基板400暴露至第一損傷移除處理，以使其表面平滑及平坦化，並移除機械缺陷，以準備用於隨後的結構化操作。在一些實施例中，可以藉由調整第一損傷處理的處理參數來進一步使基板400變薄。舉例而言，隨著對於第一損傷移除處理的暴露增加，可以減少基板400的厚度。
在操作310處，第一損傷移除處理包括將基板400暴露至基板拋光處理及/或蝕刻處理，然後暴露至沖洗及乾燥處理。在一些實施例中，操作310包括化學機械拋光（CMP）處理。在一個實施例中，蝕刻處理係為包括緩衝蝕刻處理的濕式蝕刻處理，緩衝蝕刻處理選擇性移除所期望的材料（例如，污染物以及其他不期望的化合物）。在其他實施例中，蝕刻處理係為利用等向性水性蝕刻處理的濕式蝕刻處理。任何合適的濕式蝕刻劑或濕式蝕刻劑的組合可以用於濕式蝕刻處理。在一個實施例中，將基板400浸入水性HF蝕刻溶液中，以進行蝕刻。在另一實施例中，將基板400浸入水性KOH蝕刻溶液中，以進行蝕刻。
在一些實施例中，在蝕刻處理期間，蝕刻溶液係加熱至約30℃與約100℃之間的溫度（例如，約40℃與90℃之間）。舉例而言，蝕刻溶液係加熱至約70℃的溫度。在其他實施例中，在操作310處，蝕刻處理係為乾式蝕刻處理。乾式蝕刻處理的實例包括電漿式乾式蝕刻處理。藉由控制基板400暴露至蝕刻處理期間所使用的蝕刻劑（例如，蝕刻溶液）的時間來調製基板400的厚度。舉例而言，隨著對於蝕刻劑的暴露增加，基板400的最終厚度減少。可替代地，隨著對於蝕刻劑的暴露減少，基板400可以具有更大的最終厚度。
在操作320處，針對現在平坦化且基本上無缺陷的基板400進行圖案化，以在其中形成一或更多個核心通孔403（在第4B圖的基板400的橫截面中圖示四個核心通孔403）。核心通孔403係用於形成穿過基板400的直接接觸電互連。
一般而言，可以藉由雷射燒蝕（例如，直接雷射圖案化）來形成一或更多個核心通孔403。可以利用任何合適的雷射燒蝕系統來形成一或更多個核心通孔403。在一些實例中，雷射燒蝕系統係利用紅外（IR）雷射源。在一些實例中，雷射源係為皮秒紫外線（UV）雷射器。在其他實例中，雷射器係為飛秒UV雷射器。在其他實施例中，雷射源係為飛秒綠色雷射器。雷射燒蝕系統的雷射源產生連續雷射束或脈衝雷射束，以用於基板400的圖案化。舉例而言，雷射源可以產生具有5kHz與500kHz之間（例如，10kHz與約200kHz之間）的頻率的脈衝雷射束。在一個實例中，雷射源經配置以遞送約200nm與約1200nm之間的波長以及約10ns與5000ns之間的脈衝持續時間的具有約10瓦特與約100瓦特之間的輸出功率的脈衝雷射束。雷射源經配置以形成基板400中的特徵的任何所期望的圖案（包括核心通孔403）。
在一些實施例中，在進行圖案化之前，基板400係可選擇地耦接至載體板（未圖示）。可選擇的載體板可以在圖案化期間針對基板400提供機械支撐，並且可以防止基板400斷裂。載體板可以由任何合適的化學穩定及熱穩定的剛性材料（包括但不限於玻璃、陶瓷、金屬、或類似者）所形成。在一些實例中，載體板的厚度係在約1mm與約10mm之間（例如，約2mm與約5mm之間）。在一個實施例中，載體板具有帶紋理的表面。在其他實施例中，載體板具有經拋光或平滑的表面。基板400可以利用任何合適的臨時黏合材料（包括但不限於蠟、膠、或類似黏合材料）耦接至載體板。
在一些實施例中，將基板400圖案化可能在基板400的表面上造成不希望的機械缺陷（包括碎裂、裂紋、及/或翹曲）。因此，在執行操作320以在基板400中形成核心通孔403之後，在操作330處，將基板400暴露至第二損傷移除及清潔處理（基本上類似於操作310處的第一損傷移除處理），以使基板400的表面平滑，並移除不希望的碎屑。如上所述，第二損傷移除處理包括將基板400暴露至濕式或乾式蝕刻處理，然後進行沖洗及乾燥。蝕刻處理進行預定的持續時間，以使基板400的表面平滑，並且更特定為暴露至雷射圖案化操作的表面。在另一態樣中，蝕刻處理係用於從圖案化處理移除殘留在基板400上的任何不希望的碎屑。
在操作330處移除基板400中的機械缺陷之後，在操作340及第4D圖處將基板400暴露至鈍化或金屬化處理，以在所期望的表面上（例如，基板400的全部表面）生長或沉積鈍化層（例如，氧化物層404）或金屬層（例如，金屬包覆層414）。在一個實施例中，鈍化處理係為熱氧化處理。熱氧化處理係在約800℃與約1200℃之間的溫度（例如，約850℃與約1150℃之間）下進行。舉例而言，熱氧化處理係在約900℃與約1100℃之間的溫度（例如，約950℃與約1050℃之間的溫度）下進行。在一個實施例中，熱氧化處理係為利用水蒸汽作為氧化劑的濕式氧化處理。在一個實施例中，熱氧化處理係為利用分子氧作為氧化劑的乾式氧化處理。可以預期在操作340處，基板400可以暴露至任何合適的鈍化處理，以在其上形成氧化物層404或任何其他合適的鈍化層。所得到的氧化物層404的厚度通常在約100nm與約3μm之間（例如，約200nm與約2.5μm之間）。舉例而言，氧化物層404的厚度係在約300nm與約2μm之間（例如，約1.5μm）。可替代地，金屬化處理可以是任何合適的金屬沉積處理（包括化學沉積處理、電鍍處理、化學氣相沉積處理、蒸發沉積處理、及/或原子層沉積處理）。在某些實施例中，金屬包覆層414的至少一部分包括藉由在基板400（例如，n-Si基板或p-Si基板）的表面上進行直接置換或置換鍍覆而形成的沉積的鎳（Ni）層。舉例而言，基板400係暴露於約60℃與約95℃之間的溫度以及約11的pH的具有包括0.5M的NiSO4 與NH4 OH的組成物的鎳置換鍍覆浴持續約2與約4分鐘之間的週期。在不存在還原劑的情況下，將矽基板400暴露至具有鎳離子的水性電解質會造成基板400的表面處的局部氧化/還原反應，而藉此導致金屬鎳鍍覆於其上。因此，鎳置換鍍覆能夠利用穩定溶液在基板400的矽材料上選擇性形成薄且純的鎳層。此外，處理係為自限性，而因此一旦鍍覆基板400的所有表面（例如，不存在鎳可以形成於其上的剩餘矽），則反應停止。在某些實施例中，鎳金屬包覆層414可以作為種晶層，以用於鍍覆附加金屬層（例如，藉由化學鍍及/或電解鍍來鍍覆鎳或銅）。在進一步實施例中，在鎳置換鍍覆浴之前將基板400暴露至SC-1預清潔溶液與HF氧化物蝕刻溶液，以促進鎳金屬包覆層414的黏合。
在鈍化或金屬化之後，基板400已經準備好作為核心結構402，以用於核心組件（例如，半導體核心組件100）的形成。第5圖及第7圖分別圖示用於形成核心結構402上的絕緣層618的代表性方法500及700的流程圖。第6A圖至第6I圖示意性圖示第5圖所示的方法500的不同階段處的核心結構402的橫截面圖，而第8A圖至第8E圖示意性圖示第7圖所示的方法700的不同階段處的核心結構402的橫截面圖。為了清楚起見，此處一起描述第5圖及第6A圖至第6I圖，並且此處一起描述第7圖及第8A圖至第8E圖。
一般而言，方法500開始於操作502及第6A圖處，其中第一側475處的核心結構402的第一表面406（現在具有形成於其中的核心通孔403以及形成於其上的氧化物層404）係放置並固定於第一絕緣膜616a上。在一個實施例中，第一絕緣膜616a包括由基於聚合物的介電材料所形成的一或更多層。舉例而言，第一絕緣膜616a包括由可流動的堆積材料所形成的一或更多層。在一個實施例中，第一絕緣膜616a包括可流動的環氧樹脂層618a。一般而言，環氧樹脂層618a的厚度係小於約60μm（例如，約5μm與約50μm之間）。舉例而言，環氧樹脂層618a的厚度係在約10μm與約25μm之間。
環氧樹脂層618a可以由含有陶瓷填充物的環氧樹脂所形成（例如，利用二氧化矽（SiO2 ）顆粒填充（例如，包含）的環氧樹脂）。可以用於形成環氧樹脂層618a以及絕緣膜616a的其他層的陶瓷填充物的其他實例包括氮化鋁（AlN）、氧化鋁（Al2 O3 ）、碳化矽（SiC）、氮化矽（Si3 N4 ）、Sr2 Ce2 Ti5 O16 、矽酸鋯（ZrSiO4 ）、矽灰石（CaSiO3 ）、氧化鈹（BeO）、二氧化鈰（CeO2 ）、氮化硼（BN）、鈣銅鈦氧化物（CaCu3 Ti4 O12 ）、氧化鎂（MgO）、二氧化鈦（TiO2 ）、氧化鋅（ZnO）、及類似者。在一些實例中，用於形成環氧樹脂層618a的陶瓷填充物所具有的顆粒的尺寸的範圍係在約40nm與約1.5μm之間（例如，約80nm與約1μm之間）。舉例而言，用於形成環氧樹脂層618a的陶瓷填充物所具有的顆粒的尺寸的範圍係在約200nm與約800nm之間（例如，約300nm與約600nm之間）。
在一些實施例中，第一絕緣膜616a進一步包括一或更多個保護層。舉例而言，第一絕緣膜616a包括聚乙二醇對苯二甲酸酯（PET）保護層622a（例如，雙軸PET保護層622a）。然而，可以針對第一絕緣膜616a考慮層與材料的任何合適數量及組合。在一些實施例中，整個絕緣膜616a的厚度係小於約120μm（例如，厚度係小於約90μm）。
在一些實施例中，在將核心結構402固定至第一絕緣膜616a之後，隨後核心結構402可以放置於與第一側475相鄰的載體624上，以用於稍後的處理操作期間的附加機械穩定。一般而言，載體624係由能夠承受高於100℃的溫度的任何合適的機械穩定及熱穩定材料所形成。舉例而言，在一個實施例中，載體624包含聚四氟乙烯（PTFE）。在另一實例中，載體624係由聚乙二醇對苯二甲酸酯（PET）所形成。
在操作504及第6B圖處，第一保護膜660係固定至核心結構402的第二側477上的第二表面408。保護膜660係耦接至第二側477上的核心結構402，並與第一絕緣膜616a相對，而覆蓋核心通孔403。在一個實施例中，保護膜660係由與保護層622a類似的材料所形成。舉例而言，保護膜660係由PET所形成（例如，雙軸PET）。然而，保護膜660可以由任何合適的保護材料所形成。在一些實施例中，保護膜660的厚度係在約50μm與約150μm之間。
在操作506處，核心結構402（現在固定至第一側475處的絕緣膜616a與第二側477處的保護膜660）係暴露於第一疊層處理。在疊層處理期間，核心結構402係暴露於升高的溫度下，而造成絕緣膜616a的環氧樹脂層618a軟化並流動進入絕緣膜616a與保護膜660之間的開放空隙或容積（例如，進入核心通孔403）。因此，如第6C圖所示，核心通孔403至少部分被環氧樹脂層618a的絕緣材料填充（例如，佔據）。此外，核心結構402被環氧樹脂層618a的絕緣材料部分圍繞。
在一個實施例中，疊層處理是可以在高壓釜或其他合適的裝置中執行的真空疊層處理。在一個實施例中，藉由使用熱壓處理來執行疊層處理。在一個實施例中，疊層處理係在約80℃與約140℃之間的溫度下執行約1分鐘與約30分鐘之間的週期。在一些實施例中，疊層處理包括約1psig與約150psig之間的壓力的施加，同時約80℃與約140℃之間的溫度係施加至核心結構402與絕緣膜616a，而持續約1分鐘與約30分鐘之間的週期。舉例而言，疊層處理係藉由施加約10psig與約100psig之間的壓力以及在約100℃與約120℃之間的溫度下持續約2分鐘與10分鐘之間的週期來執行。舉例而言，疊層處理係在約110℃的溫度下持續約5分鐘的週期來執行。
在操作508處，移除保護膜660，而核心結構402（現在具有至少部分圍繞核心結構402以及部分填充核心通孔403的環氧樹脂層618a的疊層絕緣材料）係放置於第二保護膜662上。如第6D圖所示，第二保護膜662係耦接至與第一側475相鄰的核心結構402，而使得第二保護膜662設置成抵靠（例如，鄰近）絕緣膜616a的保護層622a。在一些實施例中，核心結構402（現在耦接至保護膜662）可以可選擇地放置於載體624上，以用於第一側475上的附加機械支撐。在一些實施例中，在將保護膜662與核心結構402耦接之前，將保護膜662放置於載體624上。一般而言，保護膜662的組成物與保護膜660基本上類似。舉例而言，保護膜662可以由PET所形成（例如，雙軸PET）。然而，保護膜662可以由任何合適的保護材料所形成。在一些實施例中，保護膜662的厚度係在約50μm與約150μm之間。
在將核心結構402耦接至第二保護膜662之後，在操作510及第6E圖處，將第二絕緣膜616b（基本上類似於第一絕緣膜616a）放置在第二側477上方，藉此替換保護膜660。在一個實施例中，第二絕緣膜616b係定位於核心結構402的第二側477上，而使得第二絕緣膜616b的環氧樹脂層618b覆蓋核心通孔403。在一個實施例中，核心結構402上的第二絕緣膜616b的放置可以形成在絕緣膜616b與環氧樹脂層618a的經疊層的絕緣材料（部分圍繞核心結構402以及部分填充核心通孔403）之間的一或更多個空隙。類似於絕緣膜616a，第二絕緣膜616b可以包括由基於聚合物的介電材料所形成的一或更多層。如第6E圖所示，第二絕緣膜616b包括基本上類似於如上所述的環氧樹脂層618a的環氧樹脂層618b。第二絕緣膜616b可以進一步包括由類似於保護層622a的材料（例如，PET）所形成的保護層622b。
在操作512處，如第6F圖所示，將第三保護膜664放置於第二絕緣膜616b上方。一般而言，保護膜664的組成物與保護膜660、662基本上類似。舉例而言，保護膜664係由PET所形成（例如，雙軸PET）。然而，保護膜664可以由任何合適的保護材料所形成。在一些實施例中，保護膜664的厚度係在約50μm與約150μm之間。
在操作514及第6G圖處，核心結構402（現在固定至第二側477上的絕緣膜616b與保護膜664以及第一側475上的保護膜662與可選擇的載體624）係暴露至第二疊層處理。類似於操作504處的疊層處理，核心結構402係暴露於升高的溫度下，造成絕緣膜616b的環氧樹脂層618b軟化並流動進入絕緣膜616b與環氧樹脂層618a的經疊層的絕緣材料之間的任何開放空隙或容積，而藉此將自身與環氧樹脂層618a的絕緣材料整合。因此，核心通孔403被兩個環氧樹脂層618a、618b的絕緣材料完全填充（例如，封裝、密封）。
在一個實施例中，第二疊層處理是可以在高壓釜或其他合適的裝置中執行的真空疊層處理。在一個實施例中，藉由使用熱壓處理來執行疊層處理。在一個實施例中，疊層處理係在約80℃與約140℃之間的溫度下執行約1分鐘與約30分鐘之間的週期。在一些實施例中，疊層處理包括約1psig與約150psig之間的壓力的施加，同時約80℃與約140℃之間的溫度係施加至核心結構402與絕緣膜616a，而持續約1分鐘與約30分鐘之間的週期。舉例而言，疊層處理係藉由施加約10psig與約100psig之間的壓力以及在約100℃與約120℃之間的溫度下持續約2分鐘與10分鐘之間的週期來執行。舉例而言，疊層處理係在約110℃的溫度下持續約5分鐘的週期來執行。
在疊層之後，在操作516處，將核心結構402從載體脫離624，以及移除保護膜662、664，而導致經疊層的中間核心組件602。如第6H圖所示，中間核心組件602包括核心結構402，核心結構402具有一或更多個核心通孔403，一或更多個核心通孔403穿過核心結構402而形成，並利用絕緣膜616a、616b的絕緣介電材料填充。環氧樹脂層的絕緣介電材料618a、618b進一步包覆具有形成於其上的氧化層404的核心結構402，而使得絕緣材料覆蓋核心結構402的至少二個表面或側邊（例如，表面406、408）。在一些實例中，在操作516處，亦從中間核心組件602移除保護層622a、622b。一般而言，藉由任何合適的機械處理從中間核心組件602移除保護層622a及622b、載體624、及保護膜662及664（例如，從其剝離）。
在移除保護層622a、622b與保護膜662、664之後，中間核心組件602係暴露至固化處理，以完全固化（亦即，藉由化學反應及交叉鏈接來進行硬化）環氧樹脂層618a、618b的絕緣介電材料，而形成絕緣層618。絕緣層618基本上圍繞核心結構402，並填充核心通孔403。舉例而言，絕緣層618至少接觸或包封核心結構402的107、477（包括表面406、408）。
在一個實施例中，固化處理係在高溫下執行，以完全固化中間核心組件602。舉例而言，固化處理係在約140℃與約220℃之間的溫度下持續約15分鐘與約45分鐘之間的週期（例如，在約160℃與約200℃之間的溫度下持續約25分鐘與約35分鐘之間的週期）來執行。舉例而言，固化處理係在約180℃的溫度下持續約30分鐘的週期來執行。在進一步實施例中，操作516處的固化處理係在環境（例如，大氣壓）條件下或附近執行。
在固化之後，在操作518處，將一或更多個貫穿組件通孔613鑽穿中間核心組件602，而形成穿過中間核心組件602的整個厚度的通道，以用於隨後的互連形成。在一些實施例中，中間核心組件602可以放置在載體（例如，載體624）上，以在貫穿組件通孔613的形成期間進行機械支撐。將貫穿組件通孔613鑽穿過形成於核心結構402中的核心通孔403，而隨後利用絕緣層618填充。因此，填充於核心通孔403內的絕緣層618可以沿著周向圍繞貫穿組件通孔613。藉由使絕緣層618的含有陶瓷填充物的環氧樹脂沿著核心通孔403的壁排列，相較於利用習知通孔絕緣襯墊或膜的其他習知互連結構，完成的（例如，最終的）半導體核心組件1270（參照第10G圖、第11圖、及第12K圖與第12L圖描述）中的導電的基於矽的核心結構402與互連1044之間的電容耦合（參照第9圖及第10A圖至第10H圖描述）明顯降低。此外，絕緣層618的環氧樹脂材料的可流動性質能夠實現更一致且可靠的包封及絕緣，而藉由最小化完成的半導體核心組件1270的洩漏電流來增強電效能。
在一個實施例中，貫穿組件通孔613的直徑係小於約100μm（例如，小於約75μm）。舉例而言，貫穿組件通孔613的直徑係小於約50μm（例如，小於約35μm）。在一些實施例中，貫穿組件通孔613的直徑係在約25μm與約50μm之間（例如，直徑係在約35μm與約40μm之間）。在一個實施例中，使用任何合適的機械處理來形成貫穿組件通孔613。舉例而言，使用機械鑽孔處理來形成貫穿組件通孔613。在一個實施例中，藉由雷射燒蝕來形成穿過中間核心組件602的貫穿組件通孔613。舉例而言，使用紫外線雷射來形成貫穿組件通孔613。在一個實施例中，用於雷射燒蝕的雷射源的頻率係在約5kHz與約500kHz之間。在一個實施例中，雷射源經配置以遞送約10ns與約100ns之間的脈衝持續時間的具有約50微焦耳（μJ）與約500μJ之間的脈衝能量的脈衝雷射束。隨著小陶瓷填充物顆粒呈現遠離雷射燒蝕處理期間所形成的通孔的區域中的雷射光的降低的雷射反射、散射、繞射，及透射，使用包含小陶瓷填充物顆粒的環氧樹脂材料可以進一步促進小直徑通孔（例如，貫穿組件通孔613）的更精確且準確的雷射圖案化。
在一些實施例中，貫穿組件通孔613係形成於核心通孔403內（例如，穿過），而使得核心通孔403的側壁上的剩餘的含有陶瓷填充物的環氧樹脂材料（例如，介電絕緣材料）的平均厚度係在約1μm與約50μm之間。舉例而言，核心通孔403的側壁上的剩餘的含有陶瓷填充物的環氧樹脂材料的平均厚度係在約5μm與約40μm之間（例如，約10μm與約30μm之間）。因此，形成貫穿組件通孔613之後所得到的結構可以描述成「通孔中的通孔」（例如，核心結構的通孔內的介電材料的中心所形成的通孔）。在某些實施例中，通孔中的通孔結構包括介電側壁鈍化，介電側壁鈍化係由陶瓷顆粒所填充的環氧樹脂材料組成，並設置於核心通孔403的側壁上所形成的熱氧化物的薄層上。
在金屬包覆層114、414係形成於核心結構102上方的實施例中，可以在操作518處進一步形成一或更多個包覆通孔123，以提供用於包覆連接116的通道（如第1C圖所示）。如上所述，包覆通孔123係形成於核心結構102上方及/或下方的絕緣層118中，以讓金屬包覆層114、414能夠耦接至包覆連接116，而使得金屬包覆層114、414可以連接至外部共通接地或參考電壓。在一個實施例中，包覆通孔123的直徑係小於約100μm（例如，小於約75μm）。舉例而言，包覆通孔123的直徑係小於約50μm（例如，小於約35μm）。在一些實施例中，包覆通孔123的直徑係在約5μm與約25μm之間（例如，直徑係在約10μm與約20μm之間）。
在形成貫穿組件通孔613及/或包覆通孔123（如第1C圖所示）之後，中間核心組件602係暴露於去汙處理。在去污處理期間，從中間核心組件602移除形成貫穿組件通孔613及/或包覆通孔123期間的雷射燒蝕所造成的任何不希望的殘留物及/或碎屑。因此，去汙處理清潔通孔，以用於後續的金屬化。在一個實施例中，去汙處理係為濕式去汙處理。可以針對濕式去汙處理使用任何合適的溶劑、蝕刻劑、及/或其組合。在一個實例中，甲醇可以作為溶劑，而氯化銅（II）二水合物（CuCl2 ·H2 O）可以作為蝕刻劑。取決於殘留物厚度，中間核心組件602暴露至濕式去汙處理的持續時間可以不同。在另一實施例中，去汙處理係為乾式去汙處理。舉例而言，去汙處理可以是利用O2 /CF4 混合氣體的電漿去汙處理。電漿去汙處理可以包括藉由施加約700W的功率並使O2 ：CF4 以約10：1（例如，100：10sccm）的比率流動約60秒與約120秒之間的時間週期來產生電漿。在進一步實施例中，去汙處理係為濕式及乾式處理的組合。
在操作518處的去汙處理之後，中間核心組件602準備好用於形成互連路徑，下面參照第9圖及第10A圖至第10H圖所描述。
如上所述，第5圖及第6A圖至第6I圖圖示用於形成中間核心組件602的代表性方法500。第7圖及第8A圖至第8E圖圖示基本上類似於方法500但具有較少操作的替代方法700。一般而言，方法700包括五個操作710至750。然而，方法700的操作710、740、及750基本上分別類似於方法500的操作502、516、及518。因此，為了清楚起見，本文僅分別描述第8B圖、第8C圖、及第8D圖所示的操作720、730、及740。
在操作720及第8B圖處，在將第一絕緣膜616a固定至核心結構402的第一側475上的第一表面406之後，第二絕緣膜616b係耦接至相對側477上的第二表面408。在一些實施例中，第二絕緣膜616b係定位於核心結構402的表面408上，而使得第二絕緣膜616b的環氧樹脂層618b覆蓋所有的核心通孔403。如第8B圖所示，核心通孔403形成絕緣膜616a與616b之間的一或更多個空隙或間隙。在一些實施例中，第二載體625係固定至第二絕緣膜616b的保護層622b，以在稍後的處理操作期間用於附加機械支撐。
在操作730及第8C圖處，核心結構402（現在固定至在相對側上的絕緣膜616a與616b）係暴露至單一疊層處理。在單一疊層處理期間，核心結構402係暴露於升高的溫度下，而造成兩個絕緣膜616a、616b的環氧樹脂層618a及618b軟化並流動進入絕緣膜616a、616b之間的核心通孔403所建立的開放空隙或容積。因此，核心通孔403被環氧樹脂層618a及618b的絕緣材料填充。
類似於參照第5圖及第6A圖至第6I圖所描述的疊層處理，操作730處的疊層處理可以是可以在高壓釜或其他合適的裝置中執行的真空疊層處理。在另一實施例中，藉由使用熱壓處理來執行疊層處理。在一個實施例中，疊層處理係在約80℃與約140℃之間的溫度下執行約1分鐘與約30分鐘之間的週期。在一些實施例中，疊層處理包括約1psig與約150psig之間的壓力的施加，同時約80℃與約140℃之間的溫度係施加至核心結構402與絕緣膜616a、616b，而持續約1分鐘與約30分鐘之間的週期。舉例而言，疊層處理係在約10psig與約100psig之間的壓力以及在約100℃與約120℃之間的溫度下持續約2分鐘與10分鐘之間的週期來執行。舉例而言，操作730處的疊層處理係在約110℃的溫度下持續約5分鐘的週期來執行。
在操作740處，將核心結構402移除絕緣膜616a、616b的一或更多個保護層，而產生經疊層的中間核心組件602。在一個實例中，從核心結構402移除保護層622a、622b，而因此中間核心組件602亦從第一及第二載體624、625分離。一般而言，藉由任何合適的機械處理來移除保護層622a、622b與載體624、625（例如，剝離）。如第8D圖所示，中間核心組件602包括核心結構402，核心結構402具有一或更多個核心通孔403，一或更多個核心通孔403形成於核心結構402中，並利用環氧樹脂層618a及618b的絕緣介電材料填充。絕緣材料進一步包覆核心結構402，而使得絕緣材料覆蓋核心結構402的至少二個表面或側邊（例如，表面406、408）。
在移除保護層622a、622b之後，中間核心組件602係暴露至固化處理，以完全固化環氧樹脂層618a、618b的絕緣介電材料。絕緣材料的固化導致絕緣層618的形成。如第8D圖所示且類似於與第6H圖對應的操作516，絕緣層618基本上圍繞核心結構402，並填充核心通孔403。
在一個實施例中，固化處理係在高溫下執行，以完全固化中間核心組件602。舉例而言，固化處理係在約140℃與約220℃之間的溫度下持續約15分鐘與約45分鐘之間的週期（例如，在約160℃與約200℃之間的溫度下持續約25分鐘與約35分鐘之間的週期）來執行。舉例而言，固化處理係在約180℃的溫度下持續約30分鐘的週期來執行。在進一步實施例中，操作740處的固化處理係在環境（例如，大氣壓）條件下或附近執行。
在操作740處的固化之後，方法700基本上類似於方法500的操作518。因此，將一或更多個貫穿組件通孔613及/或包覆通孔123（如第1C圖所示）鑽穿過中間核心組件602，接著將中間核心組件602暴露至去汙處理。在完成去汙處理之後，如下所述，中間核心組件6002準備好形成互連路徑。
第9圖圖示用於形成穿過中間核心組件602的電互連的代表性方法900的流程圖。第10A圖至第10H圖示意性圖示第9圖所示的方法900的處理的不同階段的中間核心組件602的橫截面圖。因此，為了清楚起見，此處一起描述第9圖及第10A圖至第10H圖。
在一個實施例中，穿過中間核心組件602所形成的電互連係由銅所形成。因此，方法900通常開始於操作910及第10A圖處，其中具有形成於其中的貫穿組件通孔613的中間核心組件602具有形成於其上的阻隔或黏合層1040及/或種晶層1042。在第10H圖中描繪中間核心組件602上所形成的黏合層1040與種晶層1042的局部放大圖，以用於參考。黏合層1040可以形成於絕緣層618的所期望的表面上（例如，與對應的表面中間核心組件602的主表面1005、1007以及貫通組件通孔613及/或包覆通孔123的側壁對應的表面），以輔助促進隨後形成的種晶層1042、電互連1044、及/或包覆連接116（如第1C圖所示）的黏合並阻止擴散。因此，在一個實施例中，黏合層1040係作為黏合層；在另一實施例中，黏合層1040係作為阻隔層。然而，在兩個實施例中，黏合層1040在下文係描述為「黏合層」。
在一個實施例中，黏合層1040係由鈦、氮化鈦、鉭、氮化鉭、錳、氧化錳、鉬、氧化鈷、氮化鈷、或任何其他合適的材料或其組合所形成。在一個實施例中，黏合層1040的厚度係在約10nm與約300nm之間（例如，約50nm與約150nm之間）。舉例而言，黏合層1040的厚度係在約75nm與約125nm之間（例如，約100nm）。黏合層1040係藉由任何合適的沉積處理所形成（包括但不限於化學氣相沉積（CVD）、物理氣相沉積（PVD）、電漿增強CVD（PECVD）、原子層沉積（ALD）、或類似者）。
種晶層1042可以形成於黏合層1040上，或者直接形成於絕緣層618上（例如，沒有形成黏合層1040）。在一些實施例中，種晶層1042係形成於絕緣層618的所有表面上，而黏合層1040僅形成於所期望的表面上或絕緣層618的的表面的所期望的部分上。舉例而言，黏合層1040可以形成於主表面1005、1007上，而並未形成於貫通組件通孔613及/或包覆通孔123（如第1C圖所示）的側壁上，而種晶層1042係形成於主表面1005、1007以及通孔的側壁上。種晶層1042係由導電材料（例如，銅、鎢、鋁、銀、金）或任何其他合適的材料或其組合所形成。在一個實施例中，種晶層1042的厚度係在約0.05μm與約0.5μm之間（例如，厚度係在約0.1μm與約0.3μm之間）。舉例而言，種晶層1042的厚度係在約0.15μm與約0.25μm之間（例如，約0.2μm）。在一個實施例中，種晶層1042的厚度係在約0.1μm與約1.5μm之間。類似於黏合層1040，種晶層1042係藉由任何合適的沉積處理所形成（例如，CVD、PVD、PECVD、ALD乾式處理、濕式化學鍍處理、或類似者）。在一個實施例中，銅種晶層1042可以形成於中間核心組件602上的鉬黏合層1040上。鉬黏合及銅種晶層的組合能夠改善與絕緣層618的表面的黏合，並減少操作970處的後續種晶層蝕刻處理期間的導電互連線段的底切。
在操作920及930處（分別與第10B圖與第10C圖對應），旋塗/噴霧或乾式抗蝕膜1050（例如，光阻）係施加至中間核心組件602的兩個主表面1005、1007，而隨後進行圖案化。在一個實施例中，抗蝕膜1050經由選擇性暴露至UV輻射而進行圖案化。在一個實施例中，在形成抗蝕膜1050之前，將黏合促進劑（未圖示）施加至中間核心組件602。黏合促進劑係藉由產生用於抗蝕膜1050的界面黏合層並藉由從中間核心組件602的表面移除任何水分來改善抗蝕膜1050與中間核心組件602的黏合。在一些實施例中，黏合促進劑係由雙（三甲基矽基）胺或六甲基二矽氮烷（HMDS）以及丙二醇甲醚醋酸酯（PGMEA）所形成。
在操作940處，中間核心組件602係暴露至抗蝕膜的顯影處理。如第10D圖所示，抗蝕膜1050的顯影導致貫穿組件通孔613及/或包覆通孔123（如第1C圖所示）的暴露（現在可以具有形成於其上的黏合層1040及/或種晶層1042）。在一個實施例中，膜顯影處理係為濕式處理（例如，包括將抗蝕膜1050暴露至溶劑的濕式處理）。在一個實施例中，膜顯影處理係為利用水性蝕刻處理的濕式蝕刻處理。舉例而言，膜顯影處理係為利用選擇性針對所期望的材料進行緩衝蝕刻處理的濕式蝕刻處理。任何合適的濕式溶劑或濕式蝕刻劑的組合可以用於抗蝕膜顯影處理。
在操作950及960處（分別與第10E圖及第10F圖對應），電互連1044係形成為穿過暴露的貫穿組件通孔613，而在此之後移除抗蝕膜1050。在核心結構102具有形成於其上的金屬包覆層114、414的實施例中，在操作950處，包覆連接116（如第1C圖所示）亦可以形成為穿過暴露的包覆通孔123（如第1C圖所示）。互連1044及/或包覆連接116係藉由任何合適的方法所形成（包括電鍍及化學鍍）。在一個實施例中，經由濕式處理來移除抗蝕膜1050。如第10E圖及第10F圖所示，在移除抗蝕膜1050之後，電互連1044可以完全填充貫穿組件通孔613（包覆連接116亦可以完全填充包覆通孔123），並從中間核心組件602的表面1005、1007突出。在一些實施例中，電互連1044及/或包覆連接116可以僅沿著通孔的側壁排列，而沒有完全填充通孔。在一個實施例中，電互連1044及/或包覆連接116係由銅所形成。在其他實施例中，電互連11044及/或包覆連接116可以由任何合適的導電材料所形成（包括但不限於鋁、金、鎳、銀、鈀、錫、或類似者）。
在操作970及第10G圖處，將具有形成於其中的電互連1044及/或包覆連接116的中間核心組件602暴露至種晶層蝕刻處理，以移除其外部表面上的暴露的黏合層1040與種晶層1042（例如，表面1005、1007）。在一些實施例中，在種晶層蝕刻處理之後，可以保留互連與通孔的側壁之間所形成的黏合層1040及/或種晶層1042。在一個實施例中，種晶層蝕刻係為包括中間核心組件602的沖洗及乾燥的濕式蝕刻處理。在一個實施例中，種晶層蝕刻處理係為選擇性針對所期望的材料（例如，銅、鎢、鋁、銀、或金）的緩衝蝕刻處理。在其他實施例中，蝕刻處理係為水性蝕刻處理。任何合適的濕式蝕刻劑或濕式蝕刻劑的組合可以用於種晶層蝕刻處理。
在操作970處的種晶層蝕刻處理之後，一或更多個半導體核心組件可以從中間核心組件602切割成單片，並作為功能完整的半導體核心組件1270（例如，電子元件安裝或封裝結構）。舉例而言，一或更多個半導體核心組件可以切割成單片，並作為電路板結構、晶片載體結構、積體電路封裝、及類似者。可替換地，中間核心組件602可以具有形成於其上的一或更多個重新分配層1260（第12J圖及第12K圖所示），以將電互連1044的外部接觸點重新路由至最終半導體核心組件的表面上的所期望位置。
第11圖圖示用於在中間核心組件602（尚未切割成半導體核心組件1270）上形成重新分配層1260的代表性方法1100的流程圖。第12A圖至第12K圖示意性圖示第11圖所示的方法1100的不同階段的中間核心組件602的橫截面圖。因此，為了清楚起見，此處一起描述第11圖及第12A圖至第12K圖。
方法1100基本上類似於如上所述的方法500、700、及900。一般而言，方法1100開始於操作1102及第12A圖處，其中絕緣膜1216係固定至中間核心組件602，而在此之後進行疊層。絕緣膜1216基本上類似於絕緣膜616a、616b。在一個實施例中，如第12A圖所示，絕緣膜1216包括環氧樹脂層1218以及一或更多個保護層。舉例而言，絕緣膜1216可以包括保護層1222。可以針對絕緣膜1216考慮層與絕緣材料的任何合適的組合。在一些實施例中，可選擇的載體1224係耦接至絕緣膜1216，以增加支撐。在一些實施例中，保護膜（未圖示）可以耦接至絕緣膜1216。
一般而言，環氧樹脂層1218的厚度係小於約60μm（例如，約5μm與約50μm之間）。舉例而言，環氧樹脂層1218的厚度係在約10μm與約25μm之間。在一個實施例中，環氧樹脂層1218與PET保護層1222的組合厚度係小於約120μm（例如，厚度係小於約90μm）。絕緣膜1216（以及特定為環氧樹脂層1218）係固定至具有暴露的電互連1044的中間核心組件602的表面（例如，主表面1005）。
在放置絕緣膜1216之後，中間核心組件602係暴露至疊層處理（基本上類似於相對於操作506、514、及730所描述的疊層處理）。中間核心組件602係暴露至升高的溫度，以軟化絕緣膜1216的環氧樹脂層1218，而隨後結合至絕緣層618。因此，環氧樹脂層1218係與絕緣層618整合，而形成其延伸，並因此在此之後描述為單一絕緣層618。環氧樹脂層1218與絕緣層618的整合進一步導致圍繞先前暴露的電互連1044的擴大絕緣層618。
在操作1104及第12B圖處，藉由機械構件從中間核心組件602移除保護層1222與載體1224，以及將中間核心組件602暴露至固化處理，以完全硬化新擴展的絕緣層618。在一個實施例中，固化處理基本上類似於與參照操作516及740所描述的固化處理。舉例而言，固化處理係在約140℃與約220℃之間的溫度下執行約15分鐘與約45分鐘之間的週期。
然後，在操作1106及第12C圖處，中間核心組件602藉由雷射燒蝕進行選擇性圖案化。操作1106處的雷射燒蝕處理在新擴展的絕緣層618中形成一或更多個重新分配通孔1253，以及針對其接觸點的重新分配暴露所期望的電互連1044。在一個實施例中，重新分配通孔1253的直徑基本上類似於或小於貫穿組件通孔613的直徑。舉例而言，重新分配通孔1253的直徑係在約5μm與約600μm之間（例如，直徑係在約10μm至約50μm之間）（例如，約20μm至約30μm之間）。在一個實施例中，利用CO2雷射器來執行操作1106處的雷射燒蝕處理。在一個實施例中，利用UV雷射器來執行操作1106處的雷射燒蝕處理。在另一實施例中，利用綠色雷射器來執行操作1106處的雷射燒蝕處理。在一個實例中，雷射源可以產生具有約100kHz與約1000kHz之間的頻率的脈衝雷射束。在一個實例中，雷射源經配置以遞送約100nm與約2000nm之間的波長以及約10E-4ns與約10E-2ns之間的脈衝持續時間的具有約10µJ與約300µJ之間的脈衝能量的脈衝雷射束。
在金屬包覆層114、414係形成於核心結構102上的實施例中（如第1C圖所示），中間核心組件602亦可以在操作1106處進行圖案化，以形成穿過延伸的絕緣層618的一或更多個包覆通孔123。因此，針對具有一或更多個重新分配層的半導體核心組件，在操作518或750處，可以同時形成包覆通孔123與重新分配通孔1253，而不是形成包覆通孔123與貫穿組件通孔613。然而，在某些其他實施例中，在操作518或750處，可以首先針對包覆通孔123進行圖案化，之後利用包覆連接116進行金屬化，然後在操作1106處延伸或延長而穿過延伸的絕緣層618。
在操作1108及第12D圖處，黏合層1240及/或種晶層1242係可選擇地形成於絕緣層618的一或更多個表面上。在一個實施例中，黏合層1240與種晶層1242基本上分別類似於黏合層1040與種晶層1042。舉例而言，黏合層1240係由鈦、氮化鈦、鉭、氮化鉭、錳、氧化錳、鉬、氧化鈷、氮化鈷、或任何其他合適的材料或其組合所形成。在一個實施例中，黏合層1240的厚度係在約10nm與約300nm之間（例如，厚度係約50nm與約150nm之間）。舉例而言，黏合層1240的厚度係在約75nm與約125nm之間（例如，約100nm）。黏合層1240可以藉由任何合適的沉積處理來形成（包括但不限於CVD、PVD、PECVD、ALD、或類似者）。
種晶層1242係由導電材料（例如，銅、鎢、鋁、銀、金）或任何其他合適的材料或其組合所形成。在一個實施例中，種晶層1242的厚度係在約0.05μm與約0.5μm之間（例如，約0.1μm與約0.3μm之間）。舉例而言，種晶層1242的厚度係在約0.15μm與約0.25μm之間（例如，約0.2μm）。類似於黏合層1240，種晶層1242可以藉由任何合適的沉積處理所形成（例如，CVD、PVD、PECVD、ALD乾式處理、濕式化學鍍處理、或類似者）。在一個實施例中，鉬黏合層1240與銅種晶層1242係形成於中間核心組件602上，以減少操作1122處的後續種晶層蝕刻處理期間的底切的形成。
在操作1110、1112、及1114處（分別與第12E圖、第12F圖、及第12G圖對應），旋塗/噴霧或乾式抗蝕膜1250（例如，光阻）係施加於中間核心組件602的種晶表面上方，而隨後進行圖案化及顯影。在一個實施例中，在放置抗蝕膜1250之前，將黏合促進劑（未圖示）施加至中間核心組件602。抗蝕膜1250的暴露及顯影導致重新分配通孔1253（以及某些實施例中的包覆通孔123）的打開。因此，可以藉由將抗蝕膜1250的部分選擇性暴露至UV輻射以及藉由濕式處理（例如，濕式蝕刻處理）進行的抗蝕膜1250的後續顯影來執行抗蝕膜1250的圖案化。在一個實施例中，抗蝕膜顯影處理係為利用選擇性針對所期望的材料進行緩衝蝕刻處理的濕式蝕刻處理。在其他實施例中，抗蝕膜顯影處理係為利用水性蝕刻處理的濕式蝕刻處理。任何合適的濕式蝕刻劑或濕式蝕刻劑的組合可以用於抗蝕膜顯影處理。
在操作1116及1118處（分別與第12H圖及第12I圖對應），重新分配連接1244係形成為穿過暴露的重新分配通孔1253，而在此之後移除抗蝕膜1250。在某些實施例中，在操作1116處，包覆連接116亦形成為穿過暴露的包覆通孔123。在一個實施例中，經由濕式處理來移除抗蝕膜1250。如第12H圖及第12I圖所示，在移除抗蝕膜1250之後，重新分配連接1244填充重新分配通孔1253，並從中間核心組件602的表面突出。在一個實施例中，重新分配連接1244係由銅所形成。在其他實施例中，重新分配連接1244係由任何合適的導電材料所形成（包括但不限於鋁、金、鎳、銀、鈀、錫、或類似者）。任何合適的方法可以用於形成重新分配連接1244（包括電鍍及無電沉積）。
在操作1120及第12J圖處，將具有形成於其上的重新分配連接1244的中間核心組件602暴露至基本上類似於操作970的種晶層蝕刻處理。在一個實施例中，種晶層蝕刻係為包括中間核心組件602的沖洗及乾燥的濕式蝕刻處理。在一個實施例中，種晶層蝕刻處理係為利用選擇性針對種晶層1242的所期望的材料進行緩衝蝕刻處理的濕式蝕刻處理。在其他實施例中，蝕刻處理係為利用水性蝕刻處理的濕式蝕刻處理。任何合適的濕式蝕刻劑或濕式蝕刻劑的組合可以用於種晶層蝕刻處理。
在完成操作1120處的種晶層蝕刻處理之後，可以利用上述序列及處理來在中間核心組件602上形成一或更多個附加重新分配層1260。舉例而言，一或更多個附加重新分配層1260可以形成於第一重新分配層1260及/或中間核心組件602的相對表面上（例如，主表面1007）。在一個實施例中，一或更多個附加重新分配層1260可以由基於聚合物的介電材料（例如，可流動的堆積材料）（與第一重新分配層1260及/或絕緣層618的材料不同）所形成。舉例而言，在一些實施例中，絕緣層618可以由利用陶瓷纖維填充的環氧化物所形成，而第一及/或任何附加重新分配層1260係由聚醯亞胺、BCB、及/或PBO所形成。可替代地，在操作1122及第12K圖處，在形成期望數量的重新分配層1260之後，可以從中間核心組件602切割出一或更多個完成的半導體核心組件1270。
操作1120處所形成的完成的半導體核心組件1270可以用於任何合適的堆疊封裝組件、PCB組件、PCB間隔物組件、晶片載體組件、中間載體組件、及類似者。在第13A圖所示的一個示例性實施例中，單一半導體核心組件1270係作為晶片載體組件1300中的晶片1360的載體。晶片1360可以是任何合適類型的晶片（包括記憶體晶片、微處理器、複雜系統晶片（SoC）、或標準晶片）。合適類型的記憶體晶片包括DRAM晶片或NAND快閃記憶體晶片。在一些進一步實例中，晶片1360係為數位晶片、類比晶片、或混合晶片。晶片1360係設置成與半導體核心組件1270的主表面1005、1007中之一者相鄰。在一些實施例中，二或更多個晶片1360可以設置成與單一主表面1005、1007相鄰。在另一實施例中，一個或附加的裝置及/或結構可以設置成與晶片1360相鄰（例如，PCB或封裝基板的一或更多個部件）。舉例而言，一或更多個被動元件可以設置成與晶片1360相鄰（例如，電容器、電阻器、電感器、及類似者）。在另一實例中，一或更多個連接器可以設置成與晶片1360相鄰。
晶片1360包括形成於其主動表面1352上的一或更多個觸點1348。如圖所示，觸點1348係藉由主動表面1352與主表面1005之間所設置的一或更多個焊料凸塊1346導電耦接至半導體核心組件1270的一或更多個重新分配連接1244。在一些實施例，觸點1348可以藉由一或更多個焊料凸塊1346導電耦接至一或更多個互連1044。在一個實施例中，觸點1348及/或焊料凸塊1346係由基本上類似於互連1044與重新分配連接1244的材料所形成。舉例而言，觸點1348與焊料凸塊1346可以由導電材料（例如，銅、鎢、鋁、銀、金）或任何其他合適的材料或其組合所形成。
在一個實施例中，焊料凸塊1346包括C4焊料凸塊。在一個實施例中，焊料凸塊1346包括C2（具有焊料蓋的銅柱）焊料凸塊。C2焊料凸塊的利用可以讓節距長度能夠更短，以及晶片載體組件1300的熱及/或電性質能夠改善。可以藉由任何合適的晶圓凸塊處理來形成焊料凸塊1346（包括但不限於電化學沉積（ECD）與電鍍）。
在第13B圖所示的另一示例性實施例中，半導體核心組件1270係用於PCB組件1302中。因此，半導體核心組件1270經配置以作為用於支撐（例如，承載）封裝組件1310的PCB結構。封裝組件1310的結構及材料可以基本上類似於半導體核心組件1270，但是封裝組件1310包括設置於核心結構402內所形成的空腔1320內的嵌入晶粒1326（基本上被絕緣層618圍繞）。嵌入晶粒1326可以進一步包括主動表面1328，主動表面1328具有形成於其上的一或更多個觸點1330，並與封裝組件1310的互連1342及/或重新分配連接1344耦接。類似於第13A圖的晶片載體組件1300，觸點1330及/或封裝組件1310的互連1342及/或重新分配連接1344係藉由主動表面1328與主表面1005之間所設置的一或更多個焊料凸塊1346導電耦接至半導體核心組件1270的一或更多個重新分配連接1244。在一些實施例，觸點1330可以藉由一或更多個焊料凸塊1346導電耦接至一或更多個互連1044。
第13C圖圖示利用半導體核心組件1270作為PCB組件1304中的PCB間隔物結構的另一示例性實施例。如圖所示，半導體核心組件1270係設置於二個PCB 1362a、1362b之間，並經配置以相對於第二PCB 1362b來定位第一PCB 1362a，而使得第一PCB 1362a與第二PCB 1362b之間在導電連接時保留實體空間。因此，PCB 1362a、1362b包括分別形成於其主表面1364a、1364b上的一或更多個導電墊1368。一或更多個導電墊1368經由一或更多個焊料凸塊1346導電耦接至半導體核心組件1270的重新分配連接1244及/或互連1044。類似於觸點1330、1348，導電墊1368係由基本上類似於焊料凸塊1346、互連1044、及重新分配連接1244的材料所形成，而具有導電性。舉例而言，導電墊1368可以由導電材料（例如，銅、鎢、鋁、銀、金）或任何其他合適的材料或其組合所形成。
第14A至第14C圖圖示整合一或更多個被動部件或裝置的半導體核心組件1270的配置。如第14A圖所示，在某些實施例中，半導體核心組件1270可以包括整合於核心結構402中的袋部1420內的一或更多個電容器1410a及/或1410b，以實現跨越半導體核心組件1270的更穩定的功率遞送。因此，在某些實施例中，電容器1410a、1410b可以作為解耦電容器。在某些實施例中，電容器1410a、1410b係為溝道電容器或平面電容器。電容器1410a、1410b係由任何合適的介電材料（包括但不限於陶瓷或矽）所形成。在某些實施例中，電容器1410a、1410b係由切割成單片的矽晶圓所形成，其中在將矽晶圓研磨至所期望的厚度之後，可以將矽晶圓切割成單獨的電容器。在這樣的實施例中，在切割成單片之前，可以將矽晶圓研磨至基本上類似於核心結構402的厚度。
一般而言，電容器1410a、1410b的橫向尺寸係在約750μm與約175mm之間（例如，約1mm與約1.5mm之間）。此外，電容器1410a、1410b的厚度基本上等於或小於核心結構402的厚度（例如小於約1500μm，例如小於約780μm，例如小於約300μm或約200μm）。舉例而言，電容器1410a、1410b的厚度可以小於約150μm或約120μm。在某些實施例中，整合於半導體核心組件1270內的電容器係為具有與核心結構402的厚度基本上類似的厚度的獨立裝置（例如，電容器1410a）。在某些實施例中，電容器係為耦接至薄基板1402的支座裝置（例如，電容器1410b），因此電容器的厚度係小於核心結構402的厚度。在整合至半導體核心組件1270內之前，可以利用黏合劑1404將電容器1410b黏合至基板1402。舉例而言，可以將複數個電容器1410黏合至塊狀基板1402上，然後切成具有用於與半導體核心組件1270整合的所期望尺寸的支座裝置。
可以使用上述方法將電容器1410a、1410b整合於半導體核心組件1270內。一般而言，在方法300的操作320處，將袋部1420與核心通孔403一起圖案化至核心結構402中。在某些實施例中，袋部1420的橫向尺寸係在約10μm與約250μm之間，而大於（例如，長於）待嵌入於其中的電容器1410a或1410b的橫向尺寸（例如，約20μm與約150μm之間，或者約30μm與約100μm或更大之間）。舉例而言，袋部1420的橫向尺寸可以調整成實現電容器1410a及/或1410b的表面與袋部1420的側壁之間的50μm的間隙。然後，在利用方法500的一個實施例中，在執行操作504（經圖案化的核心結構402係固定至第一絕緣膜616a）之後以及在操作506（第一保護膜660係放置於核心結構402上方）之前，將電容器1410a及/或1410b放置於袋部1420內。可替代地，在利用方法700的另一實施例中，在操作710處的將經圖案化的核心結構402固定至第一絕緣膜616a之後以及在操作720處的將第二絕緣膜616b固定至核心基板402之前，將電容器1410a及/或1410b放置於袋部1420內。在任一實施例中，電容器1410a、1410b藉由絕緣層618而嵌入袋部1420內，絕緣層618係在針對兩個絕緣膜616a及616b進行疊層之後所形成。
此後，如參照操作518及750所述，在電容器1410a、1410b的觸點上方或下方直接將貫穿組件通孔613及/或重新分配通孔1253鑽穿過絕緣層618，以露出觸點。然後，貫穿組件通孔613及/或重新分配通孔1253可以進行金屬化，以讓電容器1410a、1410b能夠電耦接至與半導體核心組件1270堆疊的其他裝置（例如，功率供應器及接地）。舉例而言，一個或更多個互連1044及/或重新分配連接1244可以根據方法900及/或1100來形成。
第14B圖及第14C圖圖示具有整合於其中的一或更多個電感器1450a及/或1450b的半導體核心組件1270的示例性配置。第14B圖係為半導體核心組件1270的橫截面圖，而第14C圖係為其頂視圖。如圖所示，互連1044與重新分配連接1244係以線圈狀佈置進行電耦接，其中重新分配連接1244係以非線性圖案金屬化或者連接未相鄰的互連1044。因此，此線圈狀佈置係形成嵌入於半導體核心組件1270內（而不是設置於其表面上）的電感器1450a、1450b，而藉此節省用於半導體核心組件1270上的其他部件或裝置的堆疊的表面區域。此外，形成線圈狀形狀的半導體核心組件1270的電連接實現其整體減少的分佈曲線，而不需要利用併入電感裝置的附加資源或操作。
在某些實施例中，整合進入半導體核心組件1270中的電感器包含互連1044的線圈狀佈置以及圍繞核心結構402與絕緣層618而形成的重新分配連接1244，而不需要利用磁核心（例如，電感器1450a）。在某些其他實施例中，電感器進一步包含嵌入於核心結構402的袋部1420內以及由互連1044與重新分配連接1244的線圈狀排列所圍繞的磁核心1460（例如，電感器1450b）。磁核心1460可以由基於鐵氧體的材料或金屬聚合物組合物（通常包括具有其中分散的金屬顆粒的聚合物基質）所形成。
類似於第14A圖的電容器，電感器1450a、1450b可以利用上述方法整合於半導體核心組件1270內。舉例而言，參照方法500及700所述，可以將磁核心1460放置於核心結構402的經圖案化的袋部1420內，然後在針對一或更多個絕緣膜（例如，絕緣膜616a、616b）進行疊層之後嵌入。此外，可以利用在半導體核心組件1270內建立互連1044與重新分配連接1244的線圈狀佈置的方式來執行通孔403、貫通組件通孔613、及重新分配通孔1253的鑽孔以及互連1044與重新分配連接1244的金屬化（例如，包括抗蝕劑1250的圖案化）。
第15A圖至第15D圖圖示整合其他類型的被動裝置的半導體核心組件1270的其他配置。如第15A圖至第15B圖所示，半導體核心組件1270包括整合在各種位置處的熱交換器1510a-c。熱交換器1510a-c（例如，散熱器）的整合藉由轉移矽核心結構402所傳導的熱來改善半導體核心組件1270的散熱及熱特性。相較於具有低熱傳導率的由經玻璃加強的環氧樹脂疊層所形成的習知PCB，此佈置特別有利（對於習知PCB而言，加入熱交換器沒有什麼價值）。合適類型的熱交換器1510a-c包括可以由任何合適的材料（例如，鋁或銅）所形成的銷形散熱器、直形散熱器、火炬形散熱器、及類似者。在某些實施例中，熱交換器1510a-c係由經擠壓的鋁所形成。
一般而言，可以將熱交換器1510a-c增加至半導體核心組件1270的一側或兩側。在某些實施例中，將熱交換器1510a-c中之每一者直接放置於核心結構402上方或下方，而不需要設置於其間的絕緣層618（如熱交換器1510a所示）。為了實現此配置，可以針對完成的半導體核心組件1270的絕緣層618的期望區域進行雷射燒蝕，以形成袋部，然後可以將熱交換器1510a安裝在核心結構402上。舉例而言，可以藉由CO2、UV、或IR雷射器移除對應於熱交換器1510a的橫向尺寸的絕緣層618的區域的橫向尺寸，CO2、UV、或IR雷射器經配置成僅燒蝕絕緣層618的介電材料，並留下完整的核心結構402。然後，熱交換器1510a可以放置於開口內，並且經由任何合適的安裝方法來安裝在核心結構402上（可以包括氧化物層或金屬包覆層）。在某些實施例中，在熱交換器1510a與核心結構402之間形成界面層1520。舉例而言，界面層1520可以由熱界面材料（TIM）所形成（例如，熱黏合劑或封膠）。在某些實施例中，界面層1520係為基本上類似於絕緣層618的可流動的介電材料的薄層。
在某些實施例中，熱交換器1510a-c係直接放置於半導體核心組件1270的絕緣層618上方（如熱交換器1510b所示）。在這樣的實例中，不需要絕緣層618的雷射燒蝕。為了最佳化核心基板402與熱交換器1510b之間的熱轉移，半導體核心組件1270可以包含用於將核心結構402與熱交換器1510b熱耦接的一或更多個熱連接1544。與互連1044及重新分配連接1244不同，熱連接1544並不具有任何電功能，並且僅提供用於將熱傳導至熱交換器1510b的路徑。在某些實施例中，熱連接1544係形成於基本上類似於上述貫穿組件通孔613與重新分配通孔1253的通孔中。一般而言，熱連接1544係由金屬材料（例如，銅、鋁、金、鎳、銀、鈀、錫、或類似者）所形成。
在某些實施例中，熱交換器1510a-c係放置成相鄰於利用半導體核心組件1270所堆疊的主動裝置及部件。一般而言，熱交換器1510a-c可以佈置成相對於附接至半導體核心組件1270的主動裝置或部件的任何配置。在第15A圖至第15B圖中，熱交換器1510c係放置於主動裝置1550及1560上，而熱交換器1510b係設置於主動裝置1550、1560的側邊（例如，橫向設置）。主動裝置1550、1560上方及側邊的熱交換器的放置增加遠離主動裝置的熱傳導。在某些實施例中，附加熱交換器可以設置於半導體核心組件1270的與任何主動裝置或部件相對的一側（例如，熱交換器1510a所圖示）。在某些實施例中，熱連接1544亦可以形成於核心結構402與主動裝置1550、1560之間，以將主動裝置1550、1560熱連接至核心結構402，並輔助從主動裝置到核心的熱傳導。
如第15B圖所示，熱交換器1510a-c可以進一步耦接至藉由提供附加對流流體來輔助散熱的一或更多個風扇1570。儘管描繪為直接安裝至熱交換器1510a-c，但是風扇1570可以沿著半導體核心組件1270附接並定向於任何合適的位置中，以實現最佳化的流體流動及熱調節。在半導體核心組件1270利用其他封裝結構（例如，PCB 1362a、1362b）進行堆疊的實例中，可以在熱交換器1510a-c上方或下方的附加結構中直接形成空腔1580，而能夠放置一或更多個風扇1570，及/或促進其散熱。
可替代或附加於上述熱交換器，半導體核心組件1270亦可以具有整合於其上的各種位置中的一或更多個熱管路或頭部擴展器1590，以改善散熱及熱調製。第15C圖及第15D圖圖示示例性擴熱器1590以及半導體核心組件1270上的擴熱器1590的示例性佈置。類似於上述熱交換，擴熱器1590轉移由矽核心結構402所傳導的熱。然而，擴熱器1590利用容納於其充氣部1593內的液體的相轉換來實現。舉例而言，如第15C圖所示，擴熱器1590包括熱介面或蒸發器1591，其中所容納的液體藉由所吸收的熱變成蒸汽1594。在某些實施例中，液體經由設置於充氣部1593內的內核心1592而與蒸發器1591接觸。一旦汽化，擴熱器1590內的蒸汽1594行進至冷表面或冷凝器1596，其中蒸汽1584冷凝成液體冷凝物1595並釋放潛熱，而藉此散佈。然後，液體冷凝物1595藉由毛細作用（如元件符號1597所示）通過內核心1592返回至蒸發器1591，並且可以重複此循環以進行進一步的熱轉移。此原理讓熱能夠從半導體核心組件1270的核心結構402有效橫向轉移，並且例如朝向其他散熱裝置。
類似於上述熱交換器，擴熱器1590可以直接放置於核心結構402上方或下方，而不需要設置於其間的絕緣層618。如第15D圖所示，在某些實施例中，擴熱器1590係直接設置於核心結構402與熱交換器（例如，熱交換器1510c）之間，以轉移其間的熱。在某些實施例中，利用將擴熱器1590熱耦接至核心結構402的一或更多個熱連接1544來將擴熱器1590直接放置於絕緣層618上方。一般而言，將擴熱器1590定向而使得擴熱器1590的「熱側」或包含蒸發器的一側係設置成最靠近核心結構402，而「冷側」或包含冷凝器的一側係設置成遠離核心結構402（例如，與第15D圖中的熱交換器1510c相鄰）。在一些實例中，擴熱器1590亦可以與設置於擴熱器1590及/或其他散熱裝置附近的一或更多個風扇1570組合使用，以用於透過空氣對流的附加散熱。
第16圖圖示上述半導體核心組件1270的示例性佈置1600，其中半導體核心組件1270有助於互連1044及重新分配連接1244的可變密度，以用於分別橋接具有主動層1652及1662的二個主動裝置1650及1660。如圖所示，半導體核心組件1270包括嵌入核心結構402的袋部1420內的橋接1610，而主動裝置1650及1660係透過橋接1610而經由其橋接重新分配層1620部分互連。橋接1610係設置於主動層1652、1662的相鄰端部下方，並提供設置於這些端部處或靠近這些端部的主動裝置連接的高密度及短距離的互連，而藉此實現局部高密度互連。然而，設置於主動層1652、1662的較遠端部處的主動裝置連接亦可以經由通過半導體核心組件1270的絕緣層618的互連1044及重新分配連接1244所形成的較低密度及較高範圍的訊號路徑進行互連（相較於高密度及短距離的互連，可以減少串擾）。
一般而言，橋接1610所包括的含矽基部1630的厚度基本上等於或小於核心結構402的厚度。舉例而言，基部1630的厚度係在約80μm與約775μm之間（例如，約100μm與約400μm之間，或約110μm與約300μm之間）。在某些實施例中，基部1630係為高密度基板（例如，包含二氧化矽的高密度扇出基板），而重新分配層1620係為後段製程（BEOL）重新分配層。在某些實施例中，基部1630係為高密度矽中介，而重新分配層1620係為雙鑲嵌BEOL重新分配層。基部1630支撐具有多達約1μm的厚度的重新分配層1620。在某些實施例中，基部1630支撐約0.3μm與約2μm之間（例如，約0.5μm與約1.5μm之間）的範圍的連接節距。為了充分利用橋接1610的相對小的節距，主動裝置1650、1660可以經由具有約20μm與約150μm之間（或約30μm與約80μm之間）的寬度或直徑的微凸塊1646焊接至半導體核心組件1270，而因此得到其間的更高密度的互連。微凸塊1646係由基本上類似於與互連1044、重新分配連接1244、或焊料凸塊1346的材料所形成（例如，銅、鎢、鋁、銀、金、或任何其他合適的材料或其組合）。類似於第14A圖至第14C圖的被動裝置，橋接1610可以利用上述的任何方法整合至半導體核心組件1270內。舉例而言，根據方法500與700，已經在其上形成重新分配層1620的橋接1610可以放置在核心結構402的經圖案化的袋部1420內，然後在針對一或更多個絕緣膜（例如，絕緣膜616a、616b）進行疊層之後嵌入。此外，可以在重新分配層1620的觸點上方直接將貫穿組件通孔613鑽穿過絕緣層618，然後進行金屬化以形成互連1044及1244，而能夠進行橋接1610與主動裝置1650及1660的後續連接。
在上面所示的實施例中，半導體核心組件1270的利用提供優於習知封裝、PCB、PCB間隔物、及晶片載體結構的多個優點。這些益處包括薄形規格及高的晶片或晶粒與封裝的體積比率，而實現較大的I/O縮放比例，以滿足人工智慧（AI）及高效能計算（HPC）的不斷增加的頻寬及功率效率的需求。結構化的矽框架的利用提供最佳化的材料剛度與導熱性，以用於3維積體電路（3D IC）架構的改善的電效能、熱管理、及可靠性。此外，相較於習知TSV技術，本文所述的貫穿組裝通孔與通孔中的通孔的結構的製造方法利用相對較低的製造成本提供用於3D整合的高效能及靈活性。
藉由利用上述方法，高縱橫比特徵可以形成於玻璃及/或矽核心結構上，而藉此讓更薄、更窄的電路板、晶片載體、積體電路封裝、及類似者能夠更經濟地形成。利用上述方法所製造的半導體核心組件不僅具有高I/O密度及改善的頻寬及功率的益處，而且亦由於重量/慣性降低所形成的低應力以及允許可撓性焊球分配的組裝架構而具有更高的可靠性。上述方法的進一步優點包括具有雙側金屬化能力以及高生產率的經濟製造。此外，矽核心的利用係降低或消除核心組件與所連接的任何晶片之間的熱膨脹（CTE）係數的不匹配，而實現較小的焊接節距以及增加的裝置密度。
儘管前述係關於本發明之實施例，本揭示之其他及進一步實施例可在不脫離本揭示之基本範疇的情況下擬出，且本揭示之範疇係由下列申請專利範圍所決定。
100:半導體核心組件 102:核心結構 103:核心通孔 104:鈍化層 105:主表面 106:第一表面 107:主表面 108:第二表面 113:通孔 114:金屬包覆層 116:包覆連接 118:絕緣層 119:接地 123:包覆通孔 140:黏合層 142:種晶層 144:電互連 150:重新分配層 153:重新分配通孔 154:重新分配連接 175:第一側 177:第二側 200:方法 210:操作 220:操作 230:操作 240:操作 300:方法 302:操作 310:操作 320:操作 330:操作 340:操作 402:核心結構 403:核心通孔 404:氧化物層 406:表面 408:表面 475:第一側 477:第二側 500:方法 502:操作 504:操作 506:操作 508:操作 510:操作 512:操作 514:操作 516:操作 518:操作 520:操作 602:中間核心組件 613:貫穿組件通孔 616a:絕緣膜 616b:絕緣膜 618:絕緣層 618a:環氧樹脂層 618b:環氧樹脂層 622a:保護層 622b:保護層 624:第一載體 625:第二載體 660:保護膜 662:保護膜 664:保護膜 700:方法 710:操作 720:操作 730:操作 740:操作 750:操作 900:方法 910:操作 920:操作 940:操作 950:操作 970:操作 1005:主表面 1007:主表面 1040:黏合層 1042:種晶層 1044:電互連 1050:抗蝕膜 1100:方法 1102:操作 1104:操作 1106:操作 1108:操作 1110:操作 1112:操作 1116:操作 1120:操作 1122:操作 1216:絕緣膜 1218:環氧樹脂層 1222:保護層 1224:載體 1240:黏合層 1242:種晶層 1244:重新分配連接 1250:抗蝕膜 1253:重新分配通孔 1260:重新分配層 1270:半導體核心組件 1300:晶片載體組件 1302:PCB組件 1304:PCB組件 1310:封裝組件 1320:空腔 1326:嵌入晶粒 1328:主動表面 1330:觸點 1342:互連 1344:重新分配連接 1346:焊料凸塊 1348:觸點 1352:主動表面 1360:晶片 1362a:PCB 1362b:PCB 1364a:主表面 1364b:主表面 1368:導電墊 1402:基板 1404:黏合劑 1410:電容器 1410a:電容器 1410b:電容器 1420:袋部 1450a:電感器 1450b:電感器 1460:磁核心 1510a:熱交換器 1510b:熱交換器 1510c:熱交換器 1520:界面層 1544:熱連接 1550:主動裝置 1560:主動裝置 1570:風扇 1580:空腔 1584:蒸汽 1590:擴熱器 1591:蒸發器 1592:內核心 1593:充氣部 1594:蒸汽 1595:液體冷凝物 1596:冷凝器 1597:元件符號 1600:佈置 1610:橋接 1620:重新分配層 1630:基部 1646:微凸塊 1650:主動裝置 1652:主動層 1660:主動裝置 1662:主動層 T1 :厚度 T2 :厚度 V1 :直徑 V2 :直徑 V3 :直徑
為使本揭示的上述特徵可詳細地被理解，本揭示（簡短概要如上）的更特定描述可參照實施例而得，該等實施例之一些係繪示於隨附圖式中。然而，應注意，隨附圖式僅圖示示例性實施例，而因此並非視為限制其範圍，並且可以接納其他等效實施例。
第1A圖示意性圖示根據本文所述的實施例的半導體核心組件的橫截面圖。
第1B圖示意性圖示根據本文所述的實施例的半導體核心組件的橫截面圖。
第1C圖示意性圖示根據本文所述的實施例的半導體核心組件的橫截面圖。
第2圖係為圖示根據本文所述的實施例的用於形成第1A圖及第1B圖的半導體核心組件的處理的流程圖。
第3圖係為圖示根據本文所述的實施例的用於建構用於半導體核心組件的基板的處理的流程圖。
第4A圖至第4D圖示意性圖示根據本文所述的實施例的第3圖所示的處理的不同階段的基板的橫截面圖。
第5圖係為圖示根據本文所述的實施例的用於在半導體核心組件的核心結構上形成絕緣層的處理的流程圖。
第6A圖至6I圖示意性圖示根據本文所述的實施例的第5圖所示的處理的不同階段的核心結構的橫截面圖。
第7圖係為圖示根據本文所述的實施例的用於在半導體核心組件的核心結構上形成絕緣層的處理的流程圖。
第8A圖至第8E圖示意性圖示根據本文所述的實施例的第7圖所示的處理的不同階段的核心結構的橫截面圖。
第9圖係為圖示根據本文所述的實施例的用於在半導體核心組件中形成互連的處理的流程圖。
第10A圖至第10H圖示意性圖示根據本文所述的實施例的第9圖所示的處理的不同階段的半導體核心組件的橫截面圖。
第11圖係為圖示根據本文所述的實施例的用於在半導體核心組件上形成重新分配層的處理的流程圖。
第12A圖至第12L圖示意性圖示根據本文所述的實施例的第11圖所示的處理的不同階段的半導體核心組件的橫截面圖。
第13A圖示意性圖示根據本文所述的實施例的包括半導體核心組件的晶片載體結構的橫截面圖。
第13B圖示意性圖示根據本文所述的實施例的包括半導體核心組件的PCB結構的橫截面圖。
第13C圖示意性圖示根據本文所述的實施例的包括半導體核心組件的PCB結構的橫截面圖。
第14A圖示意性圖示根據本文所述的實施例的具有整合於其中的一或更多個被動裝置的半導體核心組件的橫截面圖。
第14B圖示意性圖示根據本文所述的實施例的具有整合於其中的一或更多個被動裝置的半導體核心組件的橫截面圖。
第14C圖示意性圖示根據本文所述的實施例的具有整合於其中的一或更多個被動裝置的半導體核心組件的橫截面圖。
第15A圖示意性圖示根據本文所述的實施例的具有整合於其中的一或更多個被動裝置的半導體核心組件的橫截面圖。
第15B圖示意性圖示根據本文所述的實施例的具有整合於其中的一或更多個被動裝置的半導體核心組件的橫截面圖。
第15C圖示意性圖示根據本文所述的實施例的半導體核心組件中的待整合的示例性被動裝置的橫截面圖。
第15D圖示意性圖示根據本文所述的實施例的具有整合於其中的第15C圖的被動裝置的半導體核心組件的橫截面圖。
第16圖示意性圖示根據本文所述的實施例的具有整合於其中的橋接裝置的半導體核心組件的橫截面圖。
為了促進理解，各圖中相同的元件符號儘可能指定相同的元件。預期一個實施例的元件及特徵可以有利地併入其他實施例，在此不另外詳述。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
100:半導體核心組件
102:核心結構
103:核心通孔
104:鈍化層
105:主表面
106:第一表面
107:主表面
108:第二表面
113:通孔
118:絕緣層
140:黏合層
142:種晶層
144:電互連
150:重新分配層
153:重新分配通孔
154:重新分配連接
175:第一側
177:第二側
T1:厚度
T2:厚度
V1:直徑
V2:直徑
V3:直徑

Claims (20)

  1. 一種半導體裝置組件，包含： 一矽核心結構，包含： 一第一側，與一第二側相對； 一厚度，小於1500µm； 一金屬包覆層，形成於該第一側與該第二側上；以及 形成為穿過其中的一或更多個導電互連，具有該第一側與該第二側處的暴露的一表面； 一第一重新分配層，形成於該第一側上；以及 一第二重新分配層，形成於該第二側上，其中該第一重新分配層與該第二重新分配層中之每一者具有形成其上的一或更多個導電觸點。
  2. 如請求項1所述的半導體裝置組件，其中該金屬包覆層包含鎳。
  3. 如請求項1所述的半導體裝置組件，其中該矽核心的基本上所有暴露的表面上的該金屬包覆層的一厚度係在約100nm與約5μm之間。
  4. 如請求項1所述的半導體裝置組件，其中該金屬包覆層沿著周向圍繞穿過該矽核心結構所形成的該一或更多個導電互連。
  5. 如請求項4所述的半導體裝置組件，其中該金屬包覆層藉由設置成穿過該第一重新分配層與該第二重新分配層的一或更多個導電包覆連接而導電耦接至接地。
  6. 如請求項4所述的半導體裝置組件，其中該金屬包覆層藉由設置成穿過該第一重新分配層與該第二重新分配層的一或更多個導電包覆連接而導電耦接至一參考電壓。
  7. 如請求項1所述的半導體裝置組件，進一步包含： 一介電層，形成於該第一側與該第二側上，該介電層包含可流動的一環氧樹脂材料。
  8. 如請求項7所述的半導體裝置組件，其中該環氧樹脂材料所包含的二氧化矽顆粒的尺寸的範圍係在約80nm與約1μm之間。
  9. 如請求項8所述的半導體裝置組件，其中該介電層的一厚度係在約5μm與約50μm之間。
  10. 如請求項7所述的半導體裝置組件，進一步包含： 設置成穿過其中的一或更多個貫穿組件通孔，該一或更多個貫穿組件通孔中之每一者具有形成於其中的一銅互連。
  11. 如請求項10所述的半導體裝置組件，其中該一或更多個貫穿組件通孔中之每一者係由該介電層沿著周向所定義。
  12. 一種半導體裝置組件，包含： 一矽核心結構，該矽核心結構的一厚度係小於1500μm； 一金屬或氧化物層，形成於該矽核心結構的至少二個表面上；以及 一介電層，形成於該金屬或氧化物層上，該介電層包含具有二氧化矽顆粒設置於其中的一環氧樹脂。
  13. 如請求項12所述的半導體裝置組件，進一步包含： 設置成穿過其中並利用銅進行填充的通孔的一或更多個陣列，該一或更多個陣列的該等通孔中之每一者的一直徑係小於約500μm。
  14. 如請求項13所述的半導體裝置組件，其中該一或更多個陣列中的每一通孔係由該介電層沿著周向所定義。
  15. 如請求項14所述的半導體裝置組件，其中沿著周向定義該一或更多個通孔的該介電層係被該金屬或氧化物層沿著周向圍繞。
  16. 如請求項13所述的半導體裝置組件，進一步包含一重新分配層，形成於該介電層上並具有一或更多個重新分配連接，其中該等重新分配連接與銅填充通孔係形成一感應線圈。
  17. 如請求項12所述的半導體裝置組件，其中該矽核心結構進一步包含形成於其中的一或更多個袋部，該一或更多個袋部中之至少一者包含一矽電容器。
  18. 如請求項12所述的半導體裝置組件，進一步包含： 一熱交換器，耦接至該金屬或氧化物層。
  19. 如請求項12所述的半導體裝置組件，進一步包含： 一熱交換器，設置於該介電層上方。
  20. 一種半導體裝置組件，包含： 一矽核心結構，具有與一第二側相對的一第一側以及小於1500μm的一厚度； 一鎳包覆層，形成於該第一側與該第二側上； 一介電層，圍繞於該鎳包覆層，該介電層包含一環氧樹脂； 一通孔陣列，設置成穿過該矽核心結構，並且利用一導電材料進行填充，該通孔陣列中的每一通孔係藉由該介電層所定義；以及 一重新分配層，形成於該介電層上，該重新分配層包含： 一黏合層，形成於該介電層上，該黏合層包含鉬； 一銅種晶層，形成於該黏合層上；以及 一銅層，形成於該銅種晶層上。
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