TW302496B - - Google Patents

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3024^6 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 ( 1 ) 1 1 本 發 明 是 有 關 一 種 於 半 導 體 晶 體 表 面 去 除 污 染 之 濕 化 1 1 學 方 法 〇 1 1 生 産 高 積 體 電 子 電 路 時 * 進 行 個 別 高 科 技 程 序 (如擴 /-—V 請 1 先 1 散 、 離 析 腐 蝕 等 )的前後， 必須進行- -道清潔的程序 閲 1 t 以 便 得 到 高 品 質 的 絶 緣 層 〇 —- 般 由 矽 Η 所 組 成 的 晶 層 背 1 I 之 1 表 面 上 » 不 同 來 源 的 重 金 屬 或 鹼 金 屬 等 可 能 會 造 成 污 染 注 意 1 I 〇 此 外 9 還 得 把 粒 子 污 染 和 有 機 污 染 計 算 在 内 〇 事 項 1 | 再 我 們 已 知 如 何 使 用 純 質 化 學 藥 劑 » 把 半 導 體 表 面 上 的 填 窝 本 1 裝 有 機 、 金 羼 以 及 粒 子 污 染 去 除 〇 在 此 過 程 中 « 是 把 半 導 頁 *—^ 1 I 體 晶 片 浸 入 適 當 的 化 學 藥 劑 槽 中 (通常在超音波的作用 1 1 下 )， 要不然就是把清潔溶劑放入所謂的清潔器中， 再 1 | 噴 到 晶 片 上 〇 為 了 去 除 金 羼 性 污 染 » 至 今 我 們 仍 使 用 鹽 1 訂 酸 或 硫 酸 / 氫 過 氣 化 物 之 混 合 物 * 而 去 除 粒 子 和 有 機 殘 1 餘 物 時 9 通 常 則 使 用 氨 / 過 氣 化 氫 之 混 合 物 、 或 膽 驗 ( 1 I Ch 〇 1 i η )/過氧化氫之混合物。 為了能確保清潔的效果， 1 1 在 使 用 化 學 藥 劑 前 會 檢 驗 其 純 度 1 檢 驗 本 身 只 有 經 由 複 1 I 一 雜 又 昂 貴 的 清 潔 程 序 才 能 確 保 其 純 度 〇 I 本 發 明 的 巨 的 在 於 指 出 一 種 清 潔 方 法 9 此 方 法 比 已 知 1 1 的 程 序 還 要 節 省 花 費 9 同 時 又 能 保 持 同 樣 的 品 質 〇 1 1 根 據 本 發 明 此 百 的 是 由 以 下 的 方 式 所 解 決 使 用 高 純 1 I 度 的 去 離子水作 為 化 學 清 潔 溶 劑 * 此 去 離 子 水 並 添 加 ΡΡ m - 1 1 濃 度 範 圍 内 的 金 屬 錯 合 劑 〇 1 | 本 發 明 的 其 他 應 用 形 式 * 可 在 專 利 申 請 範 圍 各 項 中 得 1 到 說 明 〇 我 們 將 根 據 以 下 應 3 用 範 例 進 步 說 明 本 發 明 1 1 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 ( 2 ) 1 1 各 項 細 節 的 優 點 〇 1 1 本 發 明 中 的 方 法 能 使 錯 合物 的 金 靥 污 染 有 效 的 由 晶 Η 1 1 表 面 去 除 〇 有 關 粒 子 污 染 方 面 » 為 了 增 強 及 擴 大 清 潔 的 /"—V 請 1 先 1 效 果 » 可 以 額 外 使 用 超 音 波 作 用 或 減 少 表 面 張 力 的 物 質 閲 讀 1 » 如 習 用 之 Te n s id e , 來作為清潔藥劑。 同時清潔的效 背 面 1 I 之 1 用 也 可 以 藉 由 0- 1 0 0-C範圍的溫度變化， 而達到最佳的 注 意 1 I 效 果 〇 此 外 » 經 臭 氣 燃 燒 的 有 機 化 合 物 9 也 可 以 經 由 額 事 項 1 I - 再 外 的 臭 氣 作 用 而 被 去 除 〇 填 寫 本 1 ά 本 發 明 的 優 點 在 於 只 使 用 高 純 度 (通常為1 8 . 2M0h η兆歐 頁 1 I 姆 )的去離子水作為淸潔藥劑， 以份量而言， 清潔藥劑 1 1 扮 演 一 個 相 當 重 要 的 角 色 » 而 去 離 子 水 不 需 複 雜 的 程 序 1 1 即 可 製 造 〇 由 於 去 離 子 水 比 高 純 度 化 學 藥 劑 擁 有 較 高 的 1 訂 清 潔 效 用 於 本 發 明 中 的 清 潔 效 果 甚 至 更 好 〇 由 於 金 屬 1 錯 合 劑 的 比 例 » 以 及 減 少 表 面 張 力 物 質 如 臭 氣 的 比 例 9 1 I 只 位 於 PP m - 濃 度 範 圍 内 9 基 本 上 其 污 染 程 度 並 不 嚴 重 9 1 I 因 此 可 以 使 用 一 般 商 品 供 用 的 物 質 〇 在 選 擇 pH值 約 7 的 1 水 溶 性 金 屬 錯 合 劑 時 只 需 要 注 jar. 複 合 劑 在 清 潔 過 程 中 汰 I 9 應 顯 示 出 足 夠 大 的 金 靨 錯 合 能 力 > 以 避 免 半 導 體 表 面 1 1 上 氮 氧 化 物 的 沈 積 作 用 〇 此 外 > 去 除 的 錯 合 物 或 過 剩 的 1 1 錯 合 劑 不 可 吸 附 在 半 導 體 表 面 上 〇 乙 二 胺 四 乙 酸 (E D Τ Α) 1 I 很 適 合 作 為 錯 合 劑 來 使 用 » 其 水 溶 性 溶 液 的 濃 度 為 約 0.7 1 1 PP m 〇 此外， 可形成錯合物的磷酸也很適合， 例如- *般 1 | 銷 售 中 可 取 得 的 DE QU E S T (貨 品 名 稱 )〇 適合去除有機污染 1 I 的 臭 氣 » 則 可 以 經 由 傳 統 臭 4 氧 産 生 器 而 取 得 〇 1 1 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 302496 B7 五、發明説明（3 ) 本發明中的方法帶來多方面的優點。與一般通行的方 法相比，本發明花費大大地減低，又能保持同樣的清潔 效果，待別是化學藥劑的消耗明顯地減少，又不需中央 化學藥劑供應条統，這是因為錯合劑可透過計量器（ Dosinat),輕易地加入高純度水中。由於不需使用酸類 或強鐮等，清潔設備的構造因而簡易的多，同時處理使 用後化學藥劑的花費也可以減少。有關化學藥劑純度方 面必須進行的複雜品質管理，則可以擱置一旁。除此之 外，至今為止只在實際清潔過程後拿來沖洗用的去離子 水，可以輕易地拿來再次利用。比起現今使用的方法， 本發明在環保方面有進一步的成效。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝·

，tT 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）

Claims (1)

1. 第84108746號以濕化學去除半導體晶體表面污染之方 專利案 （84年10月修正） BS C8 D8 申請專利範圍 r%\。户j》 !：> ,· ·、儿 補充 V 委員明示，本案· 後是否變更原實質内容 • 一種於半導體晶體表面上去除污染之方法，其特擻為： 使用高純度去離子水作為濕化學清潔藥劑，其為不含去除的粒 子及去除的金羼污染之化學葯劑者，且去離子水中傜加入ppb -濃度範圍内的金 羼錯合劑. .如申請專利範圍第1項的方法，其中傜 在額外的超音波作用下進行清潔程序。 •如申諳專利範圍第1項或第2項的方法，其中傜在 清潔藥劑中額外加入減少表面張力的物質。 如申諳專利範圍第1項或第2項的方法，其 中係 在額外的臭氣作用下進行清潔程序。 •如申請專利範圍第1項或第2項的方法，其 中俗 使用乙二胺四乙酸（EDTA)作為金屬錯合劑。 .如申請專利範圍第5項的方法，其中偽 使用濃度為0·6至0*8PPm水溶性溶液的金屬錯合劑。 --------{•裝-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .1T J A 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）