JPH08111407A - 半導体結晶表面汚染の湿式化学的除去方法 - Google Patents

半導体結晶表面汚染の湿式化学的除去方法

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JPH08111407A
JPH08111407A JP7254453A JP25445395A JPH08111407A JP H08111407 A JPH08111407 A JP H08111407A JP 7254453 A JP7254453 A JP 7254453A JP 25445395 A JP25445395 A JP 25445395A JP H08111407 A JPH08111407 A JP H08111407A
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JP
Japan
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cleaning
deionized water
metal complex
wet chemical
purity
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JP7254453A
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English (en)
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Lechner Alfred
レヒナー アルフレート
Erich Mueller
ミユラー エーリツヒ
Walter Rieger
リーガー ワルター
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Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P70/00—Cleaning of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P70/20—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P70/00—Cleaning of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P70/10—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H10P70/15—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process by wet cleaning only
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • B08B3/12—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration by sonic or ultrasonic vibrations

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  • Detergent Compositions (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体結晶表面上の汚染物質を湿式化学によ
り除去する。 【構成】 洗浄媒体として極く少量の高純度の脱イオン
水を使用し、例えばエチレンジアミンテトラアセテート
（ＥＤＴＡ）のような市販の金属錯形成物にこの脱イオ
ン水をｐｐｍ−濃度範囲で添加する。従来の高純度で、
従って経費のかかる化学薬品混合物の調達は行われな
い。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体結晶表面の汚
染を湿式化学的に除去する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】高密度集積エレクトロニクス回路を製造
する際高品質な絶縁層を得るために個々の技術工程（拡
散、析出、エッチングその他）の前後に洗浄プロセスを
行わなければならない。通常シリコンからなる基板の表
面上に種々の原因で生じる重金属及び／又はアルカリ金
属による不純物が堆積する。更に粒子不純物及び有機性
汚染物質の堆積を考慮に入れなければならない。
【０００３】有機性、金属性及び局部的汚染を最高純度
の化学薬品の混合物で半導体表面から溶解することは公
知である。その際半導体ウェハを適当な化学浴剤中にし
ばしば超音波の作用下に浸漬するか、又は洗浄液をいわ
ゆるクリーナーに入れてウェハ上に吹き付ける。金属汚
染物の除去には従来塩酸又は硫酸と過酸化水素との混合
物が使用されており、一方粒子及び有機残分の除去には
アンモニアと過酸化水素との混合物又はコリンと過酸化
水素との混合物が一般に使用されている。その際洗浄作
用を保障するため化学薬品はその使用前に最高純度を要
求されるが、このような純度は労力及び経費のかかる洗
浄方法によってのみ保障されるものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従って本発明の課題
は、少なくとも品質は同じでありながら公知の方法より
も経費のかからない冒頭に記載した形式の方法を提供す
ることにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この課題は本発明によ
り、湿式化学による洗浄媒体として高純度の脱イオン水
を使用し、これに金属錯形成物をｐｐｍ濃度範囲で添加
することにより解決される。
【０００６】
【実施例】本発明を実施例に基づき以下に記載する。
【０００７】本発明方法は、金属性汚染物質を錯化合物
としてウェハ表面から効果的に溶解することを可能にす
る。この局部的不純物の洗浄工程を助成及び拡大するに
は補助的な超音波作用及び／又は表面張力を還元する物
質（例えばこれには通常表面活性剤が適している）の添
加物が洗浄媒体として用意される。同様に洗浄作用は約
０〜１００℃の範囲で温度を変化させることにより最適
化することができる。更にオゾンの補助的配量により有
機化合物をオゾンにより燃焼させて除去することもでき
る。
【０００８】量的に適切な洗浄媒体として経費をあまり
使わずに製造することのできるごく少量の高純度（通常
１８．２ＭΩ）の脱イオン水を使用することから本発明
の決定的な利点は得られる。脱イオン水は最高純度の化
学薬品よりも著しく高い純度を達成するので、洗浄作用
の改善も本発明により行われる。金属錯形成物の量（及
び表面張力を還元する物質又はオゾンの量）がｐｐｍ濃
度範囲に過ぎないので、その不純物濃度は微々たるもの
であり、そのため通常市販品を使用することができる。
約ｐＨ７の水溶性金属錯形成物を選択した場合、例えば
半導体表面上に水酸化物が沈積することを回避するため
に、この錯形成物が全洗浄工程中に金属に対して十分に
大きな錯形成能力を有することだけを注意しなければな
らない。更に外された錯体及び／又は余分の錯形成物が
半導体表面上に吸着されてはならない。錯形成物として
は例えば水溶液中約０．７ｐｐｍの濃度で使用されるエ
チレンジアミンテトラアセテート（ＥＴＤＡ）が好適で
あることが判明している。錯形成物として燐酸（例えば
ＤＥＱＵＥＳＴの名称で商標登録され市販されているも
の）を使用してもよい。有機性汚染物質の除去に推奨さ
れるオゾンは従来のオゾン発生器を介して装入すること
ができる。
【０００９】
【発明の効果】本発明方法は多様な利点を必然的に伴う
ものである。従来の方法に比べて少なくとも洗浄品質を
変えることなく経費を顕著に低下させることは、特に化
学薬品の消費量を著しく少なくし、また化学薬品の供給
装置を省くことによって得られる。それというもの錯体
形成物は容易に計量器により高純水に配量することがで
きるからである。酸、アルカリその他を使用しないので
単純な構造の洗浄装置を使用でき、化学薬品の処理費用
を最低限に抑えることができる。従来の経費を要する化
学薬品の純度に対する品質管理は省略される。更にこれ
までの独自の洗浄工程後の再洗浄に使用された脱イオン
水の再利用を容易なものとする。また本発明方法は従来
使用されてきた方法よりも環境に適合するものである。
フロントページの続き (72)発明者 エーリツヒ ミユラー ドイツ連邦共和国 93161 ジンチング アム ホーエン ランゲン 15 (72)発明者 ワルター リーガー ドイツ連邦共和国 93138 ラペルスドル フ ベルクシユトラーセ 53

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 湿式化学的洗浄媒体として金属錯形成物
    にｐｐｍ濃度で添加される高純度の脱イオン水を使用す
    ることを特徴とする半導体結晶表面汚染の湿式化学的除
    去方法。
  2. 【請求項２】 洗浄を超音波の補助作用下に行うことを
    特徴とする請求項１記載の方法。
  3. 【請求項３】 洗浄媒体として表面張力を還元する物質
    を補助的に添加することを特徴とする請求項１又は２記
    載の方法。
  4. 【請求項４】 洗浄を補助的にオゾンを配量して行うこ
    とを特徴とする請求項１ないし３の１つに記載の方法。
  5. 【請求項５】 金属錯形成物としてエチレンジアミンテ
    トラアセテート（ＥＤＴＡ）を使用することを特徴とす
    る請求項１ないし４の１つに記載の方法。
  6. 【請求項６】 金属錯形成物を水溶液中約０．７ｐｐｍ
    の濃度で使用することを特徴とする請求項５記載の方
    法。
JP7254453A 1994-09-14 1995-09-07 半導体結晶表面汚染の湿式化学的除去方法 Withdrawn JPH08111407A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

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DE4432738.2 1994-09-14
DE4432738A DE4432738A1 (de) 1994-09-14 1994-09-14 Verfahren zum naßchemischen Entfernen von Kontaminationen auf Halbleiterkristalloberflächen

Publications (1)

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JPH08111407A true JPH08111407A (ja) 1996-04-30

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ID=6528207

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EP (1) EP0702399A1 (ja)
JP (1) JPH08111407A (ja)
KR (1) KR960012348A (ja)
DE (1) DE4432738A1 (ja)
TW (1) TW302496B (ja)

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