TW318921B - - Google Patents

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A7 ^18921 B7 五、發明説明（* ) 發明背暑 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明傜有關於一活性矩陣液晶顯示器之主動矩陣基 材，及此基材之製法。 主動矩陣液晶顯示器之用途日益廣泛，而大多數此型 液晶顯示器中每一圖素（Pixel)之交換元件傈採用一半 導禮膜之薄膜電晶體（thin-filH transistor, TFT), 此半導體膜大多採用非晶矽（amorphous silicon),但 有時也可採用多晶砂（polycrystalline silicon),或 是如CdSe之類的化合物半導體（coaipound semiconductor)。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 第13及14圖說明每一圖素有一 TFT之液晶顯示器之傳統 活性矩陣基材。在如玻璃之透明絶緣基板50之上，將如 鉻之類的金鼷膜佈形，卽可形成一閘掻電極（gate electrode)52及一閘極匯流排線（gate bus line)54 而 閘極電極52及其匯流排線54傜埋入如氮化矽（silicon nitride)膜之透明介電質膜56中。在介電質膜56中，於 閘極電極52之上，形成如一非晶矽膜之半導體膜58及如 摻磷非晶矽之η -型半導體膜60之島狀結構（island s t r u c t u r e ),以提供一 T F T。再將如鉻或鋁之金羼膜佈 形，以形成一渠極電極62、一渠極匯流排線64及一源極 電極66β再將如氣化洇錫（indiuB-tin oxide, ΙΤ0)之 之垂 掻 觸相 閘 接互 成 6664形 極線 。Θ 電排成 ： 極流形驟 源匯層步 與極之刻 成渠同蝕 形及不光 可54在道 ，線要五 形排此有 佈流因需 以匯 ， ， 加極交時 膜閘相構 電。可結 導70不此 明掻且成 透電伸形 的素延在 類圖直 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X 297公犛） A7 B7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 五、發明説明 ( 2 1 1 電 極 52及 閘 極 匯 流 排 線 54 ② 形 成 半 導 體 膜58 60之 島 1 1 狀 結 構 ③ 在 介 電 質 膜 56 中 形 成 接 點 孔 (C ο n t a c t h 〇 1 e ) 1 1 9 以 提 供 閘 搔 匯 流 排 線 ④ 形 成 閘 極 電 路 62, 渠 m 匯 流 請 1 先 1 排 線 64及 源 極 電 極 66 ⑤ 形 成 透 明 之 圔 素 電極 70 0 閲 讀 1 如 果 閘 極 及 渠 極 匯 流 排 線 可 在 同 一 層 形 成， 即 可 減 少 背 1 之 1 光 蝕 刻 步 驟 及 成 本 〇 JP -A 60- 128486 (1 985 )公 開 種 如 注 意 1 1 第 15 -1 6圖所示之結構。 事 項 1 I 再 1 I 第 1 5 -1 7圖所示之活性矩陣基材與第1 3- 1 4圖 所 示 者 有 填 寫 本 裝 下 列 不 同 點 〇 閘 極 匯 流 排 線 54傜 在 介 電 質 膜56上 形 成 〇 頁 、〆 1 I 一 接 點 孔 72偽 用 來 將 閘 極 匯 流 排 線 54 連 至 在介 電 質 膜 56 1 1 下 之 閘 極 電 極 52上 〇 在 介 電 質 膜 5 6上 之 渠 極匯 流 排 線 64 1 I 裂 開 形 成 一 間 隙 58 9 使 得 閘 極 匯 流 排 線 54可 g 其 中 穿 I 訂 過 而 不 與 渠 極 匯 流 排 線 64相 交 〇 在 間 隙 65之下 t 橋 接 1 電 極 76在 玻 璃 基 材 50 (在介電質膜56下） 上 形成 ο 而 在 閙 1 | 極 匯 流 排 線 5 4兩 邊 之 渠 極 匯 流 排 線 64可 利 用接 點 孔 74 連 1 1 至 橋 接 電 極 76 〇 在 此 結 構 中 9 藉 由 將 一 金 匾膜 佈 形 > 可 1 1 在 同 一 層 中 形 成 閘 極 及 渠 極 匯 流 排 線 54及 64 , 但 仍 需 四 么V 1 道 光 独 刻 步 驟 ① 形 成 閘 極 電 極 52及 橋 接 電極 76 ② 形 1 1 成 半 導 體 膜 58 、 60 之 島 狀 結 構 ③ 形 成 接 點孔 72 74 1 1 ④ 形 成 渠 極 電 極 62 Λ 渠 極 匯 流 排 線 64 源 極電 極 66 及 圖 1 I 素 電 極 70 〇 再 者 9 由 於 匯 流 排 線 總 電 阻 會 過大 » 因 此 不 1 1 適 合 大 尺 寸 之 顯 示 器 〇 由 於 匯 流 排 線 54 Λ 64及 圖 素 電 極 1 1 70 iStt 同 時 形 成 9 匯 流 排 線 54 64 由 ΙΤ0之類的透明導體 1 I 形 成 〇 但 傳 統 透 明 導 體 之 4 電 阻 i&f 遠 比 金 靥 膜高 t 例 如 ΙΤ0 1 1 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 3189^1 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 五、發明説明 ( ) 1 1 膜 之 體 電 阻 (V ο 1 um e re si s t i v ity) 是 鉻 膜 之 20倍 〇 1 1 發 明 槪 1 1 本 發 明 有 關 於 一 種 使 用 TFT作為切換元件之活性矩陣 請 1 先 1 液 晶 顯 示 器 之 活 性 矩 陣 基 材 其 巨 的 為 提 供 — 種 改 良 式 閲 讀 1 之 活 性 矩 陣 基 材 9 可 減 少 光 蝕 刻 步 驟 以 降 低 成 本 且 不 背 面 1 I 之 1 tfea· 增 加 接 線 電 阻 Ο 注 意 1 I 本 發 明 另 - 巨 的 為 提 供 製 造 上 述 活 性 矩 陣 基 材 之 方 法。 事 項 1 | 再 1 依 據 本 發 明 之 __«· 活 性 矩 陣 基 材 包 含 —· 绝 緣 基 材 一 填 寫 本 [ 閛 極 匯 流 排 線 及 渠 極 匯 流 排 線 * 此 二 匯 流 排 線 可 在 基 頁 1 I 材 上 由 金 屬 膜 佈 形 同 時 形 成 並 彼 此 垂 直 延 伸 » 且 其 中 之 1 1 一 裂 成 間 隙 以 讓 對 方 延 伸 〇 此 活 性 矩 陣 基 材 更 進 一 步 包 1 | 含 ① 一 島 狀 結 構 9 至 少 在 一 TFT區或有上述間隙之匯 訂 流 排 線 交 接 區 上 之 基 材 上 由 —- 閘 極 介 電 質 膜 及 __- 半 導 體 1 猶 叠 K 而 成 ② 位 在 TFT區中之介電質膜上之閘極電極； i I ③ 在 半 導 體 區 中 互 相 接 觸 之 一 源 極 電 極 及 一 渠 掻 電 極 1 1 I ④ 一 透 明 圖 素 電 極 » 連 至 源 極 電 掻 ； 及 ⑤ 一 附 加 匯 流 排 1 J 線 (S u p p 1 e πι e η t a ry b U S 1 i η e ) 9 其 在 該 間 隙 兩 側 直 接 與 I 該 閘 極 與 渠 極 匯 流 排 線 之 一 接 觸 9 以 提 供 橋 接 * 並 由 在 1 1 相 交 區 中 之 島 狀 結 構 與 另 一 匯 流 排 線 分 開 Ο 1 1 而 此 附 加 匯 流 排 線 最 好 由 將 一 透 明 導 體 膜 佈 形 而 與 圖 1 I 素 電 極 共 同 形 成 〇 1 1 本 發 明 提 供 之 活 性 矩 陣 基 材 包 含 下 列 步 驟 (a )在- 1 I 絶 線 基 材 表 面 上 沈 積 一 金 屬 膜 ; (b )將金靥膜佈形以形 1 I 成 閘 極 電 極 、 互 相 垂 直 5 延 伸 之 閘 極 與 渠 極 匯 流 排 線 1 1 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明（4 ) 且二匯流排線其中之一斷開形成間隙以避免與另一匯流 排線相交；（c)在基材上形成一閘極介電質膜及一半導體 層之島狀結構，其至少覆在含有閘極電極之TFT區域及含 有該間隙及該閘極匯流排線其它者及渠極匯流排線之匯 流排線區；（d)在包含島狀結構及斷開匯流排線之基材 上沈積一透明導體膜；（e)將透明導體膜佈形，以在TFT 區中之島狀結構上形成一源極及渠極電極，與源極電極 相接之一圖素電極，及一附加匯流排線，其中此附加匯 流排線在島狀結構（在該間隙之上）上延伸，並在該間隙 兩側上與閘極/渠極匯流排線其中之一直接接觸，以在 間隙上提供橋接。 製造本發明之活性矩陣基材之另一種方法包含下列步 驟：（a)在一絶緣基材之上沈積一透明導體膜；（b)將此 導體膜佈形以形成一源極電極、一渠極電極、與源極電 極相接之圖素電極，及一附加匯流排線；（c)在基材上 形成一半導體層及閘極介電質膜之島狀結構，並至少蓋 在含有源極/渠極電極之TFT區域，及一匯流排線相交區 (附加匯流排線在此區延伸），島狀結構可使渠極電極及 在相交區相兩側之渠極電極及附加匯流排線之一部分露 出；（d)在基材上沈積一金靥膜，並包含島狀結構及附 加匯流排線；及（e)在金屬膜上佈形，以形成在TFT區中 島狀結構上之閘極電極，一閘極及渠極匯流排線，其中 兩匯流排線之一在島狀結構上之相交區中延伸，而另一 者則與附加匯流排線直接接觸並在相交區中斷開以提供 本紙張尺t .4用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ----------裝-------訂I 4 — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) S18921 A7 B7五、發明説明（ί* .) 隙 間 之 伸 延 可 線 排 流 匯 s' •與 奪 結 狀 島 使 可 膜另 靨與 金在 一 條 將一 由中 II其 可將 線， 排交 流相 匯們 極他 渠免 及避 極為 ft ， ，成 中形 明時 發同 本而 在形 佈 補開 一 分 供者 提開 ，斷 接未 相及 線加 排補 流使 匯為 之而 開 ， 斷處 使開 為斷 ，在 開接 斷橋 處線 交排 相流 條匯 一 加 流流 匯匯 開加 斷補 在而 ο » 構用 結接 狀橋 島作 之孔 層點 體接 導用 半使 及需 膜不 質 ， 電上 介隙 用間 利之 可線 ，排 減本 可成 明産 發生 本少 ，減 施以 措可 些此 這因 由 ， 0驟 成步 形値 同三 共需 極只 電 ， 素驟 麵步 與刻 可蝕 線光 排少 閛用 因才 乃份 此部 ，接 加橋 增有 顯只 明而 未 ， 並成 阻形 電膜 線» 排金 流由 匯線 ，排 中流 明匯 發極 本渠 在及 極 少 減 可 亦 率 I 機 之 染 污 此 因 少 減 目 數 驟 步 C 刻明 膜 &説 體光菫 導於簡 明由式 透 圖 步第 始沿 起別 之分 材為 基画 Ifwt 陣 3 矩及 性 2 活第 之 ， 明圖 發面 本平 造份 製部 明為 說圖 圖 1 3 第 至中 1 其 第， 驟 A 至 線 4 圖第 及 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 、-° 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 第圖 ，面 圖剖 面略 6 5 圖 4 第 0 中 圖其 面 ， 剖驟 略步 概一 之下 取明 所説 B - 偽 3J _ 画 線 圖 4 第 著 沿 為 別 分 圖 6 及 第線 中圖 其 7 ，第 驟著 步沿 終為 最別 明分 說圖 則 9 圖及 9 8 至第 。 7 , 圖 第圖面 面剖 平概 份之 部 B 1B-為及 為 圖 及 平略 份概 部之 中 其 形 画 之 材 基 i*-释 矩 性 活 1 另 明 發 本 是 圖 2 1X 至 ο ix 第 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 318921 A7 _B7 五、發明説明（6 ) » 第10圖為一部份平面圖，而第11及12画為沿著第10圖中 線A-A及B-B之概略剖面圖。 第]3圖是一傳統活性矩陣基材之部份平面圖，而第14 國則是沿第14圖中線A-A之概略剖面圖； 第15圖是另一已知之活性矩陣基材之部份平面圖，而 第16及17圖則是沿著第15圖中線A-A及B-B之概略剖面圖。 較佯奮旃例説明 第1-9圖説明製造液晶顯示器之活性矩陣基材之步驟 ，其為本發明之一實施例。所得之活性矩陣基材可參見 第7-9圖。 第1-3圖説明起始步驟。在一透明玻璃基材10之上， 用濺鍍（sputtering)法鍍上一金鼷膜（如鉻膜），再用光 辣刻及後鑣淫或乾独刻（wet or dry etching)將此金靨 膜佈形，以形成一閘極電極12、一閘極匯流排線14及一 渠極匯流排線16,此二匯流排線彼此垂直，且為避免它 們相交渠極匯流排線1 6在相交區斷開一間隙1 8以譲閘極 匯流排線1 4延伸，此外，亦可使閛極匯流排線1 4斷開。 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 再者，參考第4-6圖，再於基材10之上沈積一閘極介 雷質膜20(如氮化矽膜），接箸，依序沈積一艏半導體膜 2 2 (如非晶矽膜），及一 η -型半導體膜2 4 (如摻磷非晶矽 膜）一般而言，此三層膜20、22、24傜用電漿輔助化學 蒸汽沈積（CVD)進行，再用光蝕刻及後缠乾蝕刻而在一 TFT區域上形成一島狀結構，此TFT區包含閘極電極12及 蓋在蘭極匯流排線14與渠極匯流排線16之間隙部份18上 -8 - 本紙張尺度適用中國國家螵拿（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明（7) ，使渠極匯流排線1 6露於閘極匯流排線1 4兩側。 接著，參考第7-9圈I,在第4-6圖之基材10上，用濺鍍 法沈積一透明導體膜（如ΙΤ0膜），再用光蝕刻及乾触刻 ，形成一渠極電極26、與渠極電極26相接之補加匯流排 線28、源極電極30,與源極電極30相接之圖素電極32。 此補加匯流排線28延伸過膜20、22、24之島狀結構及在 渠極匯流排線1 6所形成之間隙1 8上，使渠極匯流排線1 6 可接通，換言之，此補加匯流排線2 8可橋接間隙1 8，使 渠極匯流排線16與渠極電極26相接1形成完整之匯流排 線。在將透明導體膜佈形後，再將η-型半導體膜24於渠 極舆源極電極26及30間作乾蝕刻，以提供TFT之通道。 上述製程只有三値光蝕刻步驟，第一步驟形成閘極 電極12、閘極匯流排線14及斷開之渠極匯流排線16;第 二步驟則形成介電質膜20及半導體膜22、24之島狀結構 ;而第三步驟則形成渠極電極26、補加匯流排線28、源 極電極30及圖素電極32。 第10-12圖說明本發明之S —實施例，在第6-9圖中所 顯示之實施例中的TFT為一反置結構（inverted structure) ,而在第10-12圖所顯示者為正常結構（normal structure) 〇 在玻璃基材10之上可用濺鍍或是CVD方法，沈積一個 氣化矽膜36。在此氣化矽膜36之上可用濺鍍法沈積一個 ΙΤ0膜（或是其它之透明導體膜〉，接箸，此ΙΤ0膜再用光 蝕刻及溼腐蝕來佈形，以形成一渠極電極26、一與渠極 —9 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 裝------訂-------〆.、 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 ^18921 A7 __B7_ 五、發明説明（8 ). 電極26相接之補加匯流排線28, —源極電極30及與源極 電極30相接之圖素電極32。補加匯流排線28與後來形成 之渠極匯流排線（1 6 )在相同方向延伸。而氧化矽膜3 6則 未佈形。 已佈形之ΙΤ0膜及氣化矽膜36再用PH3電漿處理。在 雷漿處理後，再用電漿輔肋CVD來沈積一非晶矽膜（或另 一個半導體膜）22,及氮化矽膜（或另一個介電質膜）20 ，接箸此二膜20及22再用光蝕刻及乾腐蝕以在TFT區（含 有渠極及源極電極26及30,及待形成閘極匯流排線之加 長區）上形成一個島狀結構。而渠極電極26之一部份則 未曝光。接著，再於整個區域上沈積一値金鼷膜（如鉻 膜），再用光蝕刻及後續乾或溼蝕刻將此金屬膜佈形， 以在半導體膜22及介電質膜20之島狀結構上形成一閘極 電極14及一閘極匯流排線14,及在補加匯流排線28上.之 渠極匯流排線16。渠極匯流排線16可斷成一間隙18以使 閘稼匯流排線14通過。在閘極匯流排線14延伸之島狀結 構上，有補加匯流排線2 8橋接間隙1 8以完成渠極匯流排 線。 在此項實施例中，亦只需要三値光蝕刻步驟。 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規袼（：10/297公犛） ----------參------1.^—--------紙 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

Claims (1)

1. A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1. 一種液晶顯示器之活性矩陣基材，其使用薄膜電晶體 (TFT)作為毎一圖素之切換元件，此活性矩陣基材包 含： 一絶緣基材； 一閘極匯流排線及一渠極匯流排線，由在該絶緣基 材上佈形一金屬膜而同時形成且彼此垂直，而閘極匯 流排線及渠極匯流排線其中之一斷開以形成使另一匯 流排線通過之間隙； 一島狀區域，由在該基材上叠Η —閘極介電質膜及 一半導體膜，且至少蓋住一 TFT區及含有該間隙之匯流 排線交會區而形成； 一閘極電極，在該TFT區之該介電質膜上形成； 一源極電極及一渠極電極，在該TFT區之上各與該 半導體層接觸； 一透明圖素電極，與該源極電極相接，及 一補加匯流排線，其在該間隙兩側與閘極電極及渠 極電極之一直接接觸，以提供在間隙上之橋接，並與 另一匯流排線在交會區藉由該島狀結構隔開。 經濟部中央標準局員工消費合作社印装 I I I I I 訂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 2. 如申請專利範圍第1項之活性矩陣基材，其中該補加 匯流排線及該圖素電極藉由佈形一透明導體膜而同時 形成。 3. —種液晶顯示器之活性矩陣基材，其使用TFT作為每 一圖素之切換元件，此活性矩陣基材包含： 一絶緣基材； -11- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） S18921 A8 Βδ C8 D8 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A、申請專利範圍 1 1 一 閘 極 匯 流 排 線 及 一 渠 極 匯 流 排 線 由 在 該 絶 緣 基 1 1 材 上 佈 形 一 金 屬 膜 而 同 時 形 成 且 彼 此 垂 直 9 而 閛 極 匯 1 | 流 排 線 及 渠 極 匯 流 排 線 其 中 之 一 斷 開 以 形 成 使 另 一 ‘匯 \ 請 1 | 流 排 線 通 過 之 間 隙 先 閱 1 I 1 I 一 島 狀 結 構 * 由 在 該 基 材 上 叠 片 一 閘 極 介 電 質 膜 及 背 1 1 之 1 半 導 體 膜 » 且 至 少 蓋 住 __- TFT區及含有該間隙之匯 注 意 1 1 流 排 線 交 區 而 形 成 事 項 1 I 再 1 | _► 閘 極 電 極 9 在 該 TFT區之該介電質膜上形成 4 % 本 1 裝 源 極 電 極 及 —- 渠 極 電 極 ， 在 該 島 狀 結 構 上 形 成 9 頁 S^ 1 I 一 透 明 圖 素 電 極 » 在 該 基 材 之 該 表 面 上 形 成 並 與 該 1 1 源 極 電 極 相 接 9 及 1 1 一 補 加 匯 流 排 線 ) 其 在 該 間 隙 兩 側 與 閛 極 電 極 及 渠 1 極 電 極 之 一 直 接 接 觸 以 提 供 在 間 隙 上 之 橋 接 〇 吕J 4 .如 申 請 專 利 範 圍 第 3 項 之 活 性 矩 陣 基 材 9 其 中 藉 由 將 1 一 金 鼷 膜 佈 形 9 可 同 時 形 成 該 閘 極 匯 流 排 線 及 該 渠 極' 1 1 1 、匯 流 排 線 ) 而 將 一 透 明 導 體 膜 佈 形 可 同 時 形 成 該 源 極 1 J 電 極 > 該 渠 極 電 極 該 圖 素 電 極 及 該 補 加 匯 流 排 線 〇 I 5 ·如 申 請 專 利 範 圍 第 3 項 之 活 性 矩 陣 基 材 » 其 中 閘 極 匯 1 1 流 排 線 及 渠 極 匯 流 排 線 之 一 為 渠 極 匯 流 排 線 〇 1 1 6 . — 種 液 晶 顯 示 器 之 活 性 矩 陣 基 材 9 其 使 用 TFT作為每 1 I 一 圖 素 之 切 換 元 件 9 此 活 性 矩 陣 基 材 包 含 1 1 一 絶 緣 基 材 1 1 一 源 極 電 極 及 一 渠 極 電 極 9 在 該 絶 緣 基 材 上 形 成 1 1 | 一 透 明 圖 素 電 極 > 在 該 基 材 之 該 表 面 上 形 成 並 與 該 1 1 -1 2- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ2ς>7公犛） ο文 8921 A8 Βδ C8 D8 六、申請專利範圍 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 質渠 直會區之 將極極 C 匯 用 中隙 電及ffl垂交會伸 由渠源線極 使®··,其間 ;介極’ 相該交延 藉該該排閘 其U ，成 成極源 1 互在在以 中及成流中 j線形 会曰 下 aff. 形閘含 此一是可 其線形匯其線法 排以 上一包 π 及彼之則線 ，排時加，排方 流開 面片一 _ ;，中値排 材流同補材流之 Μ®匯斷 表«住 W 成線其一流 基匯可該基匯材 W 電極一 該上蓋1·^形排線外匯 陣極形及陣極基 tig 渠之 sl .爱 之面少上流排另之 矩閘佈極矩渠陣 W 直線 材表至 W 伸構匯流而上 性該膜電性為矩 # 4 垂排 基材且 3 延結極匯，其 活成體素活一性 線流 在基 ，D 上狀渠極伸在 之形導圖之之活 彡排匯 其該成^區島一渠延及 項時明該項線之 流極3- -在形 Θ 會該及及中構 6 同透 、6 排器 上.$ 匯渠- 線由而U 交在線線.構結 第可一極第流示彳Η 極及 排，膜3¾此-排排結狀 圍，將電圍匯顯»+閛線 接流構體TE在極流流狀島 範形而極範極晶 _ 與排 相匯結導TF線電匯匯島供 利佈，渠利渠液 吧 一流 極加狀半之排極極極該提 專膜線該專及産— / ¾ 及匯 為 1 ϋδ 電補島一極流閘閛閘之以 C 諳鼷排、請線生卩，線極 作在特 極一 一及電匯一 一而中斷隙申金流極申排種 T.-}排閘 源 膜極加 ，區中間如一匯電如流一TF(a(b (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙佚尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 申請專利範圍 另 使 A8 Βδ C8 D8 觸 接 會 不 而 伸 延 間 其 在 可 者 成 形 上 材 基 該 在 的 膜 體 導 半 一 及 膜 質 ge 介 極 閘 住流 蓋匯 少此 至 ， ， 區 構線 結排 狀流 島匯 線 排 流 匯 極 渠 及 線 排 極 F T 閘 之及 極隙 電間 極該 閘含 .， 該包値 含區一 包線另 一 排之 及 區 流 匯 沈 上 材 基 該 之 線 排 流 匯 開 斷 及 構 結 狀 島 該 含 包 在 膜 導 明 透1 積 形圖 中之 構接 結相 狀極 島電 之極 區源 FT與 T 該 在 以 形 佈 膜 體 導 明 透 該 將 極 ipur 極 渠1 及 極 電 極 源1 成 該以 在， 線觸 排接 流接 匯直 加一 補之 此極 ，電 線極 排渠 流及 。 匯極接 加電橋 補極之 一 閘上 及與隙 ，側間 極兩在 電隙供 素間提 線 排 流 匯 極 閘 中 其 法 方 之 項 6 第 圍 範 利 專 請 申 排 流 匯 加 補 且 線 排 流 匯 極 渠 為 0 一 接 之相 線極 排電 流極 匯渠 極該 渠與 及線 使步 其列 ，下 法含 方包 之法 材方 基此 1 搏 ， 矩件 性元 活換 之切 器之 示素 顯圖 晶 一 液每 産為 生作 i T 種 F 二 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. 訂----. 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 以 形 佈 膜 體 導 明 膜透 體該 導將 明成 透形 1 以 積形 沈佈 上膜 材 體 基導 緣明 絶透 一 該 在將 驟 u(b 之 接 相 極 B 極 源 與 » ; 極線 I , 霄 0 極流 渠匯 一 加 及補 極一 電及 極， 源極 一 電 成素 形圖 的 膜 體 導 半1 及 膜 質 道 ipsr 介 極 閘1 成 形 上 材 基 該 在 之 極 電 極 渠 及 極 源 含 包1 住 蓋 少 至 構 結 狀 島 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） S18921 as Βδ C8 D8 々、申請專利範圍 線區 排長 流加 匯該 加在 補使 ，以 區可 會構 交結 線狀 排島 流此 匯 ， 之伸 隙延 間上 該區 有會 含交 及此 區在 部 線 排 流 匯 加 補 該 及 極 電 極 渠 之 遴 兩 域 出 露 沈 上 材 基 該 之 線 排 流 匯 加 補 及 寒 榑 結 狀 島 該 含 包 在 膜 屬 金 積 成 形 中 精 結 狀 島 該 之 區 T F T 該 在 以 形 佈 膜 鼷 金 該 將 , 會 線交 排該 流在 匯會 極一 渠之 一 線 及排 線流 排匯 流極 匯渠 極及 閘線 1 bl·一 0 、流 極匯 電極 極閘 閘中 一 其 排及 流構 匯結 加狀 補島 與該 則使 個可 一 供 另提 而以 , 開 伸斷 延中 中區 構 會 結交 狀在 島並 該觸 之接 區線 線 排 流 匯 極 閘 中。 ί線 其^, ο _ 隙έ流 間?匯^ ^ ® 項 延11為 ㈣r ^ ^ ^ 0^0 之ί流 專 上*1匯 其3|極 於 α 渠 如及 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. -* 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 本紙張尺度適用中國國家梂啤-，'「>；5；)六4規格（2丨0/297公釐）