JPH09265113A - アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその製造方 法 - Google Patents
アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその製造方 法Info
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- JPH09265113A JPH09265113A JP7450996A JP7450996A JPH09265113A JP H09265113 A JPH09265113 A JP H09265113A JP 7450996 A JP7450996 A JP 7450996A JP 7450996 A JP7450996 A JP 7450996A JP H09265113 A JPH09265113 A JP H09265113A
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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Abstract
(57)【要約】
【課題】薄膜トランジスタをスイッチング素子としたア
クティブマトリクス方式表示装置の製造において、フォ
トリソグラフィーの工程数を削減することにより、製造
コスト低減をはかる。 【解決手段】基板１上に、交差部にてどちらか一方が切
断されているゲートバスライン２およびドレインバスラ
イン３を同層に形成し、ゲート電極を覆う形状の絶縁膜
４および半導体層５を形成し、画素電極８を形成すると
同時に切断されている方のバスラインを架橋する。この
ことによりフォトリソグラフィー工程数が削減できる。
クティブマトリクス方式表示装置の製造において、フォ
トリソグラフィーの工程数を削減することにより、製造
コスト低減をはかる。 【解決手段】基板１上に、交差部にてどちらか一方が切
断されているゲートバスライン２およびドレインバスラ
イン３を同層に形成し、ゲート電極を覆う形状の絶縁膜
４および半導体層５を形成し、画素電極８を形成すると
同時に切断されている方のバスラインを架橋する。この
ことによりフォトリソグラフィー工程数が削減できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜トランジスタ
をスイッチング素子としたアクティブマトリクス型液晶
表示装置とその製造方法に関し、特にアクティブマトリ
クス基板とその製造方法に関する。
をスイッチング素子としたアクティブマトリクス型液晶
表示装置とその製造方法に関し、特にアクティブマトリ
クス基板とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】非結晶シリコンや多結晶シリコン、Ｃｄ
Ｓｅ等の半導体膜を用いた薄膜トランジスタは、アクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置のスイッチング素子とし
て注目されている。
Ｓｅ等の半導体膜を用いた薄膜トランジスタは、アクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置のスイッチング素子とし
て注目されている。
【０００３】図５に従来より液晶表示装置アクティブマ
トリクス基板に用いられている薄膜トランジスタの一例
を示す。図５（ａ）は平面図を、同じく（ｂ）は、
（ａ）におけるＢ−Ｂ′線断面図を示す。すなわち、ガ
ラス基板等の絶縁性基板１上に、クロム（Ｃｒ）等の金
属膜からなるゲート電極２、シリコン窒化膜等からなる
絶縁膜４、非結晶シリコン等からなる半導体層５、クロ
ム（Ｃｒ）やアルミニウム（Ａｌ）等の金属膜からなる
ドレイン電極３、酸化インジウム−錫（ＩＴＯ）等の透
明導電膜からなる画素電極８が順次形成されている。こ
のアクティブマトリクス基板の大画面化かつ低コスト化
に伴い、配線抵抗の増加なしに、パターン形成のための
フォトリソグラフィー工程数を削減することが課題とな
る。
トリクス基板に用いられている薄膜トランジスタの一例
を示す。図５（ａ）は平面図を、同じく（ｂ）は、
（ａ）におけるＢ−Ｂ′線断面図を示す。すなわち、ガ
ラス基板等の絶縁性基板１上に、クロム（Ｃｒ）等の金
属膜からなるゲート電極２、シリコン窒化膜等からなる
絶縁膜４、非結晶シリコン等からなる半導体層５、クロ
ム（Ｃｒ）やアルミニウム（Ａｌ）等の金属膜からなる
ドレイン電極３、酸化インジウム−錫（ＩＴＯ）等の透
明導電膜からなる画素電極８が順次形成されている。こ
のアクティブマトリクス基板の大画面化かつ低コスト化
に伴い、配線抵抗の増加なしに、パターン形成のための
フォトリソグラフィー工程数を削減することが課題とな
る。
【０００４】上記問題を解決するために、図６および図
７に示すような方法が提案された。なお、（ａ）は平面
図を、同じく（ｂ）は、（ａ）におけるＢ−Ｂ′線断面
図を、同じく（ｃ）は、（ａ）におけるＣ−Ｃ′線断面
図を示したものである。図６の例では、片方を交差部で
切断されたゲートバスライン２とドレインバスライン３
の交差部に、コンタクトホール９を介してブリッジ電極
１０を形成すること、またゲートバスライン２′とゲー
ト電極２″をコンタクトホール９にて導通させることに
より、ゲートバスラインとドレインバスラインを同層に
形成することを可能としている。なお、この種のゲート
バスラインとドレインバスラインを同層に形成するため
の、ブリッジ形成に関するものとしては、例えば特開昭
６０−１２８４８６号公報を挙げることができる。
７に示すような方法が提案された。なお、（ａ）は平面
図を、同じく（ｂ）は、（ａ）におけるＢ−Ｂ′線断面
図を、同じく（ｃ）は、（ａ）におけるＣ−Ｃ′線断面
図を示したものである。図６の例では、片方を交差部で
切断されたゲートバスライン２とドレインバスライン３
の交差部に、コンタクトホール９を介してブリッジ電極
１０を形成すること、またゲートバスライン２′とゲー
ト電極２″をコンタクトホール９にて導通させることに
より、ゲートバスラインとドレインバスラインを同層に
形成することを可能としている。なお、この種のゲート
バスラインとドレインバスラインを同層に形成するため
の、ブリッジ形成に関するものとしては、例えば特開昭
６０−１２８４８６号公報を挙げることができる。
【０００５】図７の例では、ゲート絶縁膜４にコンタク
トホールを開ける際に、ゲートバスライン２上にも、コ
ンタクトホール９を開け、ドレインバスライン３のパタ
ーニングの際に補助バスライン１１を、また画素電極８
のパターニングの際に補助バスライン１１′を形成する
ことにより、フォトリソグラフィー工程数の増加なしに
配線抵抗を低下させている。また、ゲートバスラインの
配線幅に変化をつけることで、ゲートバスラインを補助
バスラインの接触抵抗を低下させることを可能としてい
る。なお、この種の配線抵抗低下に関するものとして
は、例えば特開平１−２８２５２２号を挙げることがで
きる。
トホールを開ける際に、ゲートバスライン２上にも、コ
ンタクトホール９を開け、ドレインバスライン３のパタ
ーニングの際に補助バスライン１１を、また画素電極８
のパターニングの際に補助バスライン１１′を形成する
ことにより、フォトリソグラフィー工程数の増加なしに
配線抵抗を低下させている。また、ゲートバスラインの
配線幅に変化をつけることで、ゲートバスラインを補助
バスラインの接触抵抗を低下させることを可能としてい
る。なお、この種の配線抵抗低下に関するものとして
は、例えば特開平１−２８２５２２号を挙げることがで
きる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】第１の問題点は、従来
の技術でアクティブマトリクス基板を製造した場合、コ
スト高になることである。その理由は、例えば図５，図
９（特開平１−２８２５２２）の公知例の場合ゲートバ
スライン２の形成、アイランド（半導体層５，６）の形
成、コンタクトホール（図中には示していない）の形
成、ドレインバスライン３の形成、画素電極８の形成の
５回のフォトリソグラフィー工程を行わなければならな
いためである。フォトリソグラフィーの回数が増加する
と、単に間接部材の使用料の増加、装置使用工数の増加
だけではなく、歩留まりの低下なども起こり、コストが
大幅に引き上げられる。
の技術でアクティブマトリクス基板を製造した場合、コ
スト高になることである。その理由は、例えば図５，図
９（特開平１−２８２５２２）の公知例の場合ゲートバ
スライン２の形成、アイランド（半導体層５，６）の形
成、コンタクトホール（図中には示していない）の形
成、ドレインバスライン３の形成、画素電極８の形成の
５回のフォトリソグラフィー工程を行わなければならな
いためである。フォトリソグラフィーの回数が増加する
と、単に間接部材の使用料の増加、装置使用工数の増加
だけではなく、歩留まりの低下なども起こり、コストが
大幅に引き上げられる。
【０００７】第２の問題点は、図６（特開昭６０−１２
８４８６）の公知例の場合フォトリソグラフィー回数を
削減しているが大画面化が不可能なことである。その理
由は図６の例ではゲートバスライン、ドレインバスライ
ンおよび画素電極のフォトリソグラフィーを１回で行う
ため、ゲートバスラインおよびドレインバスラインを金
属膜より数十倍抵抗の高い（ＩＴＯ／Ｃｒで約２０倍の
堆積抵抗）酸化インジウム−錫（ＩＴＯ）のような透明
導電膜で形成しなければならないためである。
８４８６）の公知例の場合フォトリソグラフィー回数を
削減しているが大画面化が不可能なことである。その理
由は図６の例ではゲートバスライン、ドレインバスライ
ンおよび画素電極のフォトリソグラフィーを１回で行う
ため、ゲートバスラインおよびドレインバスラインを金
属膜より数十倍抵抗の高い（ＩＴＯ／Ｃｒで約２０倍の
堆積抵抗）酸化インジウム−錫（ＩＴＯ）のような透明
導電膜で形成しなければならないためである。
【０００８】本発明の目的は、薄膜トランジスタをスイ
ッチング素子としたアクティブマトリクス型液晶表示装
置の製造において、フォトリソグラフィーの工程数を削
減することにより、製造コスト低減をはかることであ
る。
ッチング素子としたアクティブマトリクス型液晶表示装
置の製造において、フォトリソグラフィーの工程数を削
減することにより、製造コスト低減をはかることであ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、薄膜トランジ
スタをスイッチング素子としたアクティブマトリクス型
液晶表示装置において、交差部にてどちらか一方が切断
されているゲートバスラインおよびドレインバスライン
が同層で設けられ、前記ゲートバスラインに接続された
ゲート電極と前記交差部とを覆う形状に前記ゲート電極
側から順にゲート絶縁膜および半導体層が形成されてお
り、表示電極を形成すると同時に切断されている方のバ
スラインを架橋する配線が設けられていることを特徴と
する。
スタをスイッチング素子としたアクティブマトリクス型
液晶表示装置において、交差部にてどちらか一方が切断
されているゲートバスラインおよびドレインバスライン
が同層で設けられ、前記ゲートバスラインに接続された
ゲート電極と前記交差部とを覆う形状に前記ゲート電極
側から順にゲート絶縁膜および半導体層が形成されてお
り、表示電極を形成すると同時に切断されている方のバ
スラインを架橋する配線が設けられていることを特徴と
する。
【００１０】また、本発明の製造方法は、絶縁基板上に
第１の導体層を形成し、パターニングにより交差部にて
どちらか一方が切断されたゲートバスラインおよびドレ
インバスラインおよび前記ゲートバスラインに接続され
たゲート電極を形成する工程と、前記基板上に絶縁膜お
よび半導体層を形成後、パターニングにより少なくとも
前記ゲート電極上および前記バスライン交差部上の前記
絶縁膜および前記半導体層を残存させると共に少なくと
も切断されているバスラインの一部および前記ドレイン
バスラインの一部を露出させる工程と、前記基板上に第
２の導体層を形成し、パターニングにより前記ドレイン
バスラインに接続されたドレイン電極と、互いに接続さ
れたソース電極と画素電極と、切断されているバスライ
ン同士を接続するブリッジ電極とを同一工程で形成する
工程とを具備して成る。
第１の導体層を形成し、パターニングにより交差部にて
どちらか一方が切断されたゲートバスラインおよびドレ
インバスラインおよび前記ゲートバスラインに接続され
たゲート電極を形成する工程と、前記基板上に絶縁膜お
よび半導体層を形成後、パターニングにより少なくとも
前記ゲート電極上および前記バスライン交差部上の前記
絶縁膜および前記半導体層を残存させると共に少なくと
も切断されているバスラインの一部および前記ドレイン
バスラインの一部を露出させる工程と、前記基板上に第
２の導体層を形成し、パターニングにより前記ドレイン
バスラインに接続されたドレイン電極と、互いに接続さ
れたソース電極と画素電極と、切断されているバスライ
ン同士を接続するブリッジ電極とを同一工程で形成する
工程とを具備して成る。
【００１１】さらに、本発明の他の製造方法は、絶縁基
板上に第１の導体層を形成し、パターニングによりドレ
イン電極と、互いに接続されたソース電極と画素電極
と、切断予定のどちらか一方のバスライン同士を接続す
るためのブリッジ電極とを同一工程で形成する工程と、
前記基板上に半導体層および絶縁膜層を形成後、パター
ニングにより少なくともゲート電極形成予定領域および
バスライン交差予定領域の半導体層および絶縁膜を残存
させると共に少なくとも前記ブリッジ電極の両端および
ドレイン電極の一部を露出させる工程と、前記基板上に
第２の導体層を形成し、パターニングにより交差部にて
前記ブリッジ電極で接続されるどちらか一方が切断され
たゲートバスラインおよびドレインバスラインを形成す
る工程を具備して成る。
板上に第１の導体層を形成し、パターニングによりドレ
イン電極と、互いに接続されたソース電極と画素電極
と、切断予定のどちらか一方のバスライン同士を接続す
るためのブリッジ電極とを同一工程で形成する工程と、
前記基板上に半導体層および絶縁膜層を形成後、パター
ニングにより少なくともゲート電極形成予定領域および
バスライン交差予定領域の半導体層および絶縁膜を残存
させると共に少なくとも前記ブリッジ電極の両端および
ドレイン電極の一部を露出させる工程と、前記基板上に
第２の導体層を形成し、パターニングにより交差部にて
前記ブリッジ電極で接続されるどちらか一方が切断され
たゲートバスラインおよびドレインバスラインを形成す
る工程を具備して成る。
【００１２】ゲートバスラインとドレインバスラインを
同層に形成することによりフォトリソグラフィー工程数
を削減することができ、製造コストの削減がはかれる。
また、ゲートバスラインおよびドレインバスラインを金
属膜で形成するため、大画面の表示装置にも対応可能で
ある。
同層に形成することによりフォトリソグラフィー工程数
を削減することができ、製造コストの削減がはかれる。
また、ゲートバスラインおよびドレインバスラインを金
属膜で形成するため、大画面の表示装置にも対応可能で
ある。
【００１３】
【発明の実施の形態】次に本発明について図面を参照し
て説明する。図１〜図３は、本発明の第１の実施の形態
の薄膜トランジスタをスイッチング素子としたアクティ
ブマトリクス基板の一部を製造工程順に示している。な
お、それぞれの図の（ａ）は平面図を、同じく（ｂ）
は、（ａ）におけるＢ−Ｂ′線断面図を、同じく（ｃ）
は、（ａ）におけるＣ−Ｃ′線断面図を示している。
て説明する。図１〜図３は、本発明の第１の実施の形態
の薄膜トランジスタをスイッチング素子としたアクティ
ブマトリクス基板の一部を製造工程順に示している。な
お、それぞれの図の（ａ）は平面図を、同じく（ｂ）
は、（ａ）におけるＢ−Ｂ′線断面図を、同じく（ｃ）
は、（ａ）におけるＣ−Ｃ′線断面図を示している。
【００１４】図１は第１の工程を示してあり、ガラス基
板１上にスパッタリングによって成膜されたクロム（Ｃ
ｒ）等の金属膜を、フォトリソグラフィー工程とウェッ
トまたはドライエッチングにより、ゲートバスライン２
およびドレインバスライン３の形状にパターニングして
いる。ここで特徴的なのはドレインバスラインはゲート
バスラインとの交差部で切断されていることである。ド
レインバスラインの代りに、ゲートバスラインが交差部
で切断されるようにしてもよい。
板１上にスパッタリングによって成膜されたクロム（Ｃ
ｒ）等の金属膜を、フォトリソグラフィー工程とウェッ
トまたはドライエッチングにより、ゲートバスライン２
およびドレインバスライン３の形状にパターニングして
いる。ここで特徴的なのはドレインバスラインはゲート
バスラインとの交差部で切断されていることである。ド
レインバスラインの代りに、ゲートバスラインが交差部
で切断されるようにしてもよい。
【００１５】図２は第２の工程を示してあり、第１の工
程を終了した基板上にプラズマＣＶＤ法（Ｃｈｅｍｉｃ
ａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により窒化
シリコン等のゲート絶縁膜４、非結晶シリコン等の半導
体層５、ｎ型半導体層６を成膜後、フォトリソグラフィ
ー工程とドライエッチングにより、ゲート電極およびゲ
ートバスライン２を覆う形状にパターニングを行う。
程を終了した基板上にプラズマＣＶＤ法（Ｃｈｅｍｉｃ
ａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により窒化
シリコン等のゲート絶縁膜４、非結晶シリコン等の半導
体層５、ｎ型半導体層６を成膜後、フォトリソグラフィ
ー工程とドライエッチングにより、ゲート電極およびゲ
ートバスライン２を覆う形状にパターニングを行う。
【００１６】図３は第３の工程を示してあり、第２の工
程を終了した基板上にスパッタリングにて酸化インジウ
ム−錫（ＩＴＯ）等の透明導電膜を成膜後、フォトリソ
グラフィー工程とウェットエッチングにより、ドレイン
バスラインを覆う形状７および画素電極８の形状にパタ
ーニングする。パターニング終了後にドレイン、ソース
間のｎ型半導体層をドライエッチングにてエッチング
（チャネルエッチ）する。
程を終了した基板上にスパッタリングにて酸化インジウ
ム−錫（ＩＴＯ）等の透明導電膜を成膜後、フォトリソ
グラフィー工程とウェットエッチングにより、ドレイン
バスラインを覆う形状７および画素電極８の形状にパタ
ーニングする。パターニング終了後にドレイン、ソース
間のｎ型半導体層をドライエッチングにてエッチング
（チャネルエッチ）する。
【００１７】つまり本発明を適用した場合は、図５の公
知例の５回に比べ、２回も少ないフォトリソグラフィー
工程数で配線抵抗の増加なしに、薄膜トランジスタをス
イッチング素子としたアクティブマトリクス基板の製造
が可能となる。
知例の５回に比べ、２回も少ないフォトリソグラフィー
工程数で配線抵抗の増加なしに、薄膜トランジスタをス
イッチング素子としたアクティブマトリクス基板の製造
が可能となる。
【００１８】図４は、本発明の第２の実施の形態を示す
図である。なお、図４（ａ）は平面図を、同じく（ｂ）
は、（ａ）におけるＢ−Ｂ′線断面図を、同じく（ｃ）
は、（ａ）におけるＣ−Ｃ′線断面図を示している。第
１の工程は、基板上にスパッタリングもしくはＣＶＤ法
にて酸化シリコン１２を、スパッタリングにて酸化イン
ジウム−錫（ＩＴＯ）等の透明導電膜を成膜後、フォト
リソグラフィー工程とウェットエッチングにより、透明
導電膜のみをドレインバスライン７および画素電極８の
形状にパターニングする。酸化シリコン１２は後のホス
フィン（ＰＨ3）プラズマ処理を行う場合に酸化インジ
ウム−錫（ＩＴＯ）との選択性を取るために必要であ
る。
図である。なお、図４（ａ）は平面図を、同じく（ｂ）
は、（ａ）におけるＢ−Ｂ′線断面図を、同じく（ｃ）
は、（ａ）におけるＣ−Ｃ′線断面図を示している。第
１の工程は、基板上にスパッタリングもしくはＣＶＤ法
にて酸化シリコン１２を、スパッタリングにて酸化イン
ジウム−錫（ＩＴＯ）等の透明導電膜を成膜後、フォト
リソグラフィー工程とウェットエッチングにより、透明
導電膜のみをドレインバスライン７および画素電極８の
形状にパターニングする。酸化シリコン１２は後のホス
フィン（ＰＨ3）プラズマ処理を行う場合に酸化インジ
ウム−錫（ＩＴＯ）との選択性を取るために必要であ
る。
【００１９】第２の工程は、第１の工程を終了した基板
にホスフィン（ＰＨ3 ）プラズマ処理を行った後、プラ
ズマＣＶＤ法にて非結晶シリコン等の半導体層５、窒化
シリコン等の絶縁膜を成膜後、フォトリソグラフィー工
程とドライエッチングにより、ゲートバスラインの形状
４，５にパターニングする。
にホスフィン（ＰＨ3 ）プラズマ処理を行った後、プラ
ズマＣＶＤ法にて非結晶シリコン等の半導体層５、窒化
シリコン等の絶縁膜を成膜後、フォトリソグラフィー工
程とドライエッチングにより、ゲートバスラインの形状
４，５にパターニングする。
【００２０】第３の工程は、第２の工程を終了した基板
にスパッタリングにてクロム（Ｃｒ）等の金属膜を成膜
し、フォトリソグラフィー工程およびウェットまたはド
ライエッチングにより、ゲートバスライン２およびドレ
インバスライン３を形成する。
にスパッタリングにてクロム（Ｃｒ）等の金属膜を成膜
し、フォトリソグラフィー工程およびウェットまたはド
ライエッチングにより、ゲートバスライン２およびドレ
インバスライン３を形成する。
【００２１】
【発明の効果】第１の効果は、ゲートバスラインとドレ
インバスラインを同層に形成すること、コンタクトホー
ルが不要であることにより、フォトリソグラフィー工程
数が２回削減するということである。これにより、製造
コストが削減可能である。その理由は、ゲートバスライ
ンもしくはドレインバスラインの交差部での切断部分
を、コンタクトホールなしに表示電極の層にて架橋する
のでゲートもしくはドレインのフォトリソグラフィー工
程数が削減するためである。
インバスラインを同層に形成すること、コンタクトホー
ルが不要であることにより、フォトリソグラフィー工程
数が２回削減するということである。これにより、製造
コストが削減可能である。その理由は、ゲートバスライ
ンもしくはドレインバスラインの交差部での切断部分
を、コンタクトホールなしに表示電極の層にて架橋する
のでゲートもしくはドレインのフォトリソグラフィー工
程数が削減するためである。
【００２２】第２の効果は、フォトリソグラフィー工程
数が削減したためにパーティクル等による汚染の確率が
減少し、歩留まりが向上することである。その理由は、
ゲートバスラインもしくはドレインバスラインの交差部
での切断された部分を、コンタクトホールなしに表示電
極の層にて架橋するのでゲートもしくはドレインのフォ
トリソグラフィー工程数が削減するためである。
数が削減したためにパーティクル等による汚染の確率が
減少し、歩留まりが向上することである。その理由は、
ゲートバスラインもしくはドレインバスラインの交差部
での切断された部分を、コンタクトホールなしに表示電
極の層にて架橋するのでゲートもしくはドレインのフォ
トリソグラフィー工程数が削減するためである。
【図１】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１の実施の形態の
第１工程の平面図と断面図である。
第１工程の平面図と断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１の実施の形態の
第２工程の平面図と断面図である。
第２工程の平面図と断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１の実施の形態の
第３工程の平面図と断面図である。
第３工程の平面図と断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第２の実施の形態
の平面図と断面図である。
の平面図と断面図である。
【図５】（ａ），（ｂ）は、従来技術の平面図と断面図
である。
である。
【図６】（ａ）〜（ｃ）従来技術の平面図と断面図であ
る。
る。
【図７】（ａ）〜（ｃ）は、従来技術の平面図と断面図
である。
である。
１ ガラス基板 ２ ゲート電極およびゲートバスライン ２′ ゲートバスライン ２″ ゲート電極 ３，７ ドレインバスライン ４ 絶縁膜 ５ 半導体層 ６ ｎ型半導体層 ８ 画素電極 ９ コンタクトホール １０ ブリッジ電極 １１，１１′ 補助バスライン １２ 酸化シリコン
Claims (3)
- 【請求項１】 薄膜トランジスタをスイッチング素子と
したアクティブマトリクス型液晶表示装置において、交
差部にてどちらか一方が切断されているゲートバスライ
ンおよびドレインバスラインが同層で設けられ、前記ゲ
ートバスラインに接続されたゲート電極と前記交差部と
を覆う形状に前記ゲート電極側から順にゲート絶縁膜お
よび半導体層が形成されており、表示電極を形成すると
同時に切断されている方のバスラインを架橋する配線が
設けられていることを特徴とするアクティブマトリクス
型液晶表示装置。 - 【請求項２】 絶縁基板上に第１の導体層を形成し、パ
ターニングにより交差部にてどちらか一方が切断された
ゲートバスラインおよびドレインバスラインおよび前記
ゲートバスラインに接続されたゲート電極を形成する工
程と、前記絶縁基板上に絶縁膜および半導体層を形成
後、パターニングにより少なくとも前記ゲート電極上お
よび前記バスライン交差部上の前記絶縁膜および前記半
導体層を残存させると共に少なくとも切断されているバ
スラインの一部および前記ドレインバスラインの一部を
露出させる工程と、前記基板上に第２の導体層を形成
し、パターニングにより前記ドレインバスラインに接続
されたドレイン電極と、互いに接続されたソース電極と
画素電極と、切断されているバスライン同士を接続する
ブリッジ電極とを同一工程で形成する工程とを具備して
成ることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示
装置の製造方法。 - 【請求項３】 絶縁基板上に第１の導体層を形成し、パ
ターニングによりドレイン電極と、互いに接続されたソ
ース電極と画素電極と、切断予定のどちらか一方のバス
ライン同士を接続するためのブリッジ電極とを同一工程
で形成する工程と、前記基板上に半導体層および絶縁膜
層を形成後、パターニングにより少なくともゲート電極
形成予定領域およびバスライン交差予定領域の半導体層
および絶縁膜を残存させると共に少なくとも前記ブリッ
ジ電極の両端およびドレイン電極の一部を露出させる工
程と、前記基板上に第２の導体層を形成し、パターニン
グにより交差部にて前記ブリッジ電極で接続されるどち
らか一方が切断されたゲートバスラインおよびドレイン
バスラインを形成する工程とを具備して成ることを特徴
とするアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方
法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7450996A JPH09265113A (ja) | 1996-03-28 | 1996-03-28 | アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその製造方 法 |
| TW086103849A TW318921B (ja) | 1996-03-28 | 1997-03-26 | |
| US08/828,743 US5867233A (en) | 1996-03-28 | 1997-03-26 | Active matrix liquid crystal display substrate with island structure covering break in signal bus line and method of producing same |
| KR1019970012140A KR100270467B1 (ko) | 1996-03-28 | 1997-03-28 | 액정 디스플레이 장치의 액티브 매트릭스 기판 및 그의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7450996A JPH09265113A (ja) | 1996-03-28 | 1996-03-28 | アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその製造方 法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09265113A true JPH09265113A (ja) | 1997-10-07 |
Family
ID=13549375
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7450996A Pending JPH09265113A (ja) | 1996-03-28 | 1996-03-28 | アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその製造方 法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5867233A (ja) |
| JP (1) | JPH09265113A (ja) |
| KR (1) | KR100270467B1 (ja) |
| TW (1) | TW318921B (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001018774A1 (en) * | 1999-09-08 | 2001-03-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electric circuit board, tft array substrate using the same, and liquid crystal display |
| JP2001147651A (ja) * | 1999-09-08 | 2001-05-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電気回路基板及びこれを用いたｔｆｔアレイ基板及び液晶表示装置 |
| KR100348995B1 (ko) * | 1999-09-08 | 2002-08-17 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 4 마스크를 이용한 액정표시소자의 제조방법 및 그에 따른 액정표시소자 |
| KR100463410B1 (ko) * | 1999-12-28 | 2004-12-23 | 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디. | 액티브매트릭스기판 및 그 제조방법 |
| KR100467176B1 (ko) * | 2000-10-11 | 2005-01-24 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치용 어레이패널 및 그 제조방법 |
| US6924179B2 (en) | 2000-10-11 | 2005-08-02 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Array substrate for a liquid crystal display and method for fabricating thereof |
| US7821604B2 (en) | 2005-03-15 | 2010-10-26 | Future Vision Inc. | Liquid crystal display device comprising a crossing portion connecting line and a light transmission type photosensitive resin having openings |
Families Citing this family (82)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8352400B2 (en) | 1991-12-23 | 2013-01-08 | Hoffberg Steven M | Adaptive pattern recognition based controller apparatus and method and human-factored interface therefore |
| CN1071977C (zh) | 1993-03-05 | 2001-09-26 | 杰姆斯达发展公司 | 使用压缩码作电视节目录像时间排定的装置与方法 |
| US6769128B1 (en) | 1995-06-07 | 2004-07-27 | United Video Properties, Inc. | Electronic television program guide schedule system and method with data feed access |
| JP3866783B2 (ja) | 1995-07-25 | 2007-01-10 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 液晶表示装置 |
| US6388714B1 (en) * | 1995-10-02 | 2002-05-14 | Starsight Telecast Inc | Interactive computer system for providing television schedule information |
| US6732369B1 (en) | 1995-10-02 | 2004-05-04 | Starsight Telecast, Inc. | Systems and methods for contextually linking television program information |
| US6323911B1 (en) | 1995-10-02 | 2001-11-27 | Starsight Telecast, Inc. | System and method for using television schedule information |
| US5940073A (en) | 1996-05-03 | 1999-08-17 | Starsight Telecast Inc. | Method and system for displaying other information in a TV program guide |
| KR100223158B1 (ko) * | 1996-06-07 | 1999-10-15 | 구자홍 | 액티브매트릭스기판 및 그 제조방법 |
| AU4175797A (en) * | 1996-09-03 | 1998-03-26 | Starsight Telecast Incorporated | Schedule system with enhanced recording capability |
| US20030005463A1 (en) * | 1999-09-30 | 2003-01-02 | Douglas B Macrae | Access to internet data through a television system |
| US20030066085A1 (en) * | 1996-12-10 | 2003-04-03 | United Video Properties, Inc., A Corporation Of Delaware | Internet television program guide system |
| TW418432B (en) * | 1996-12-18 | 2001-01-11 | Nippon Electric Co | Manufacturing method of thin film transistor array |
| EP1036466B1 (en) | 1997-07-21 | 2003-03-26 | E Guide, Inc. | Method for navigating within a television program guide having advertisements |
| ATE217744T1 (de) * | 1997-09-18 | 2002-06-15 | United Video Properties Inc | Erinnerungsvorrichtung für internet- fernsehprogrammführer mittels elektronischer post |
| US6742183B1 (en) * | 1998-05-15 | 2004-05-25 | United Video Properties, Inc. | Systems and methods for advertising television networks, channels, and programs |
| CN1867068A (zh) | 1998-07-14 | 2006-11-22 | 联合视频制品公司 | 交互式电视节目导视系统及其方法 |
| AR019932A1 (es) * | 1998-07-17 | 2002-03-27 | United Video Properties Inc | Una disposicion de guias de programacion televisiva interactivas que tiene multiples dispositivos dentro de una residencia de un grupo familiar y un método que la emplea |
| AR020608A1 (es) | 1998-07-17 | 2002-05-22 | United Video Properties Inc | Un metodo y una disposicion para suministrar a un usuario acceso remoto a una guia de programacion interactiva por un enlace de acceso remoto |
| US6505348B1 (en) * | 1998-07-29 | 2003-01-07 | Starsight Telecast, Inc. | Multiple interactive electronic program guide system and methods |
| US6898762B2 (en) | 1998-08-21 | 2005-05-24 | United Video Properties, Inc. | Client-server electronic program guide |
| US6865746B1 (en) | 1998-12-03 | 2005-03-08 | United Video Properties, Inc. | Electronic program guide with related-program search feature |
| US7966078B2 (en) | 1999-02-01 | 2011-06-21 | Steven Hoffberg | Network media appliance system and method |
| US20020124255A1 (en) | 1999-12-10 | 2002-09-05 | United Video Properties, Inc. | Systems and methods for coordinating interactive and passive advertisement and merchandising opportunities |
| US6825488B2 (en) * | 2000-01-26 | 2004-11-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US6646692B2 (en) * | 2000-01-26 | 2003-11-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid-crystal display device and method of fabricating the same |
| JP2003524966A (ja) * | 2000-02-01 | 2003-08-19 | ユナイテッド ビデオ プロパティーズ， インコーポレイテッド | 記録されたプログラムを用いてプロモーションを提供するためのシステムおよび方法 |
| EP2244480A1 (en) | 2000-02-01 | 2010-10-27 | United Video Properties, Inc. | Methods and systems for forced advertising |
| JP4118484B2 (ja) | 2000-03-06 | 2008-07-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| JP2001257350A (ja) | 2000-03-08 | 2001-09-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
| JP4700160B2 (ja) * | 2000-03-13 | 2011-06-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JP4118485B2 (ja) * | 2000-03-13 | 2008-07-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| JP4683688B2 (ja) | 2000-03-16 | 2011-05-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置の作製方法 |
| JP4393662B2 (ja) | 2000-03-17 | 2010-01-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置の作製方法 |
| US6580475B2 (en) * | 2000-04-27 | 2003-06-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating the same |
| TW573162B (en) * | 2000-05-05 | 2004-01-21 | Chi Mei Optoelectronics Corp | Active matrix liquid crystal device and method of making the same |
| US6900084B1 (en) | 2000-05-09 | 2005-05-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having a display device |
| US7804552B2 (en) * | 2000-05-12 | 2010-09-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device with light shielding portion comprising laminated colored layers, electrical equipment having the same, portable telephone having the same |
| ES2312475T3 (es) | 2000-10-11 | 2009-03-01 | United Video Properties, Inc. | Sistemas y metodos para proporcionar el almacenamiento de datos en servidores de un sistema de entrega de medios bajo demanda. |
| US7071037B2 (en) * | 2001-03-06 | 2006-07-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| KR100799463B1 (ko) * | 2001-03-21 | 2008-02-01 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| US7483001B2 (en) * | 2001-11-21 | 2009-01-27 | Seiko Epson Corporation | Active matrix substrate, electro-optical device, and electronic device |
| US7736394B2 (en) * | 2002-08-22 | 2010-06-15 | Victhom Human Bionics Inc. | Actuated prosthesis for amputees |
| US7493646B2 (en) | 2003-01-30 | 2009-02-17 | United Video Properties, Inc. | Interactive television systems with digital video recording and adjustable reminders |
| US7984468B2 (en) | 2003-11-06 | 2011-07-19 | United Video Properties, Inc. | Systems and methods for providing program suggestions in an interactive television program guide |
| US20050147247A1 (en) * | 2003-11-14 | 2005-07-07 | Westberg Thomas E. | Interactive television systems having POD modules and methods for use in the same |
| US20100153997A1 (en) * | 2004-01-21 | 2010-06-17 | United Video Properties, Inc. | Interactive television system with templates for managing vendor-specific video-on-demand content |
| US8806533B1 (en) | 2004-10-08 | 2014-08-12 | United Video Properties, Inc. | System and method for using television information codes |
| US20100311399A1 (en) * | 2005-03-31 | 2010-12-09 | United Video Properties, Inc. | Systems and methods for generating audible reminders on mobile user equipment |
| US20070157247A1 (en) * | 2005-12-29 | 2007-07-05 | United Video Properties, Inc. | Systems and methods for managing content |
| US20070157222A1 (en) * | 2005-12-29 | 2007-07-05 | United Video Properties, Inc. | Systems and methods for managing content |
| US20070245019A1 (en) * | 2006-04-12 | 2007-10-18 | United Video Properties, Inc. | Interactive media content delivery using a backchannel communications network |
| US8832742B2 (en) | 2006-10-06 | 2014-09-09 | United Video Properties, Inc. | Systems and methods for acquiring, categorizing and delivering media in interactive media guidance applications |
| US20080155600A1 (en) * | 2006-12-20 | 2008-06-26 | United Video Properties, Inc. | Systems and methods for providing remote access to interactive media guidance applications |
| US8209424B2 (en) | 2006-12-20 | 2012-06-26 | United Video Properties, Inc. | Systems and methods for providing remote access to interactive media guidance applications |
| US8059236B2 (en) * | 2007-02-15 | 2011-11-15 | Au Optronics Corporation | Method for producing reflective layers in LCD display |
| US7801888B2 (en) | 2007-03-09 | 2010-09-21 | Microsoft Corporation | Media content search results ranked by popularity |
| US8418206B2 (en) | 2007-03-22 | 2013-04-09 | United Video Properties, Inc. | User defined rules for assigning destinations of content |
| US8087047B2 (en) | 2007-04-20 | 2011-12-27 | United Video Properties, Inc. | Systems and methods for providing remote access to interactive media guidance applications |
| US8327403B1 (en) | 2007-09-07 | 2012-12-04 | United Video Properties, Inc. | Systems and methods for providing remote program ordering on a user device via a web server |
| US8107977B2 (en) | 2007-09-07 | 2012-01-31 | United Video Properties, Inc. | Cross-platform messaging |
| KR101501699B1 (ko) * | 2007-09-19 | 2015-03-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
| US20090165051A1 (en) * | 2007-12-19 | 2009-06-25 | United Video Properties, Inc. | Methods and devices for presenting an interactive media guidance application |
| US20090165049A1 (en) * | 2007-12-19 | 2009-06-25 | United Video Properties, Inc. | Methods and devices for presenting and interactive media guidance application |
| US8601526B2 (en) * | 2008-06-13 | 2013-12-03 | United Video Properties, Inc. | Systems and methods for displaying media content and media guidance information |
| US10063934B2 (en) | 2008-11-25 | 2018-08-28 | Rovi Technologies Corporation | Reducing unicast session duration with restart TV |
| US8555315B2 (en) * | 2009-04-10 | 2013-10-08 | United Video Properties, Inc. | Systems and methods for navigating a media guidance application with multiple perspective views |
| US20100306708A1 (en) * | 2009-05-29 | 2010-12-02 | Rovi Techonologies Corporation | Systems and methods for handling profiles in a community |
| US20110016492A1 (en) * | 2009-07-16 | 2011-01-20 | Gemstar Development Corporation | Systems and methods for forwarding media asset events |
| US9166714B2 (en) | 2009-09-11 | 2015-10-20 | Veveo, Inc. | Method of and system for presenting enriched video viewing analytics |
| US20110070819A1 (en) * | 2009-09-23 | 2011-03-24 | Rovi Technologies Corporation | Systems and methods for providing reminders associated with detected users |
| US9014546B2 (en) | 2009-09-23 | 2015-04-21 | Rovi Guides, Inc. | Systems and methods for automatically detecting users within detection regions of media devices |
| US20110072452A1 (en) * | 2009-09-23 | 2011-03-24 | Rovi Technologies Corporation | Systems and methods for providing automatic parental control activation when a restricted user is detected within range of a device |
| US9201627B2 (en) * | 2010-01-05 | 2015-12-01 | Rovi Guides, Inc. | Systems and methods for transferring content between user equipment and a wireless communications device |
| US9204193B2 (en) | 2010-05-14 | 2015-12-01 | Rovi Guides, Inc. | Systems and methods for media detection and filtering using a parental control logging application |
| US9167196B2 (en) | 2010-05-19 | 2015-10-20 | Rovi Guides, Inc. | Systems and methods for trimming recorded content using a media guidance application |
| US8949901B2 (en) | 2011-06-29 | 2015-02-03 | Rovi Guides, Inc. | Methods and systems for customizing viewing environment preferences in a viewing environment control application |
| US8805418B2 (en) | 2011-12-23 | 2014-08-12 | United Video Properties, Inc. | Methods and systems for performing actions based on location-based rules |
| US9218122B2 (en) | 2011-12-29 | 2015-12-22 | Rovi Guides, Inc. | Systems and methods for transferring settings across devices based on user gestures |
| US9253262B2 (en) | 2013-01-24 | 2016-02-02 | Rovi Guides, Inc. | Systems and methods for connecting media devices through web sockets |
| US9674563B2 (en) | 2013-11-04 | 2017-06-06 | Rovi Guides, Inc. | Systems and methods for recommending content |
| US9288521B2 (en) | 2014-05-28 | 2016-03-15 | Rovi Guides, Inc. | Systems and methods for updating media asset data based on pause point in the media asset |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60128486A (ja) * | 1983-12-16 | 1985-07-09 | 株式会社日本自動車部品総合研究所 | 表示装置 |
| JPS63240527A (ja) * | 1987-03-27 | 1988-10-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタアレイ |
| JPH02170135A (ja) * | 1988-12-23 | 1990-06-29 | Nec Corp | 薄膜電界効果型トランジスタ素子アレイ |
| JPH04280231A (ja) * | 1991-03-08 | 1992-10-06 | Oki Electric Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタアレイ基板及びその製造方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2593631B1 (fr) * | 1986-01-27 | 1989-02-17 | Maurice Francois | Ecran d'affichage a matrice active a resistance de grille et procedes de fabrication de cet ecran |
| US5032883A (en) * | 1987-09-09 | 1991-07-16 | Casio Computer Co., Ltd. | Thin film transistor and method of manufacturing the same |
| JPH01282522A (ja) * | 1988-05-10 | 1989-11-14 | Hitachi Ltd | アクティブマトリックス回路基板とその製造方法及びそれを用いた画像表示装置 |
| JP2801104B2 (ja) * | 1992-01-29 | 1998-09-21 | シャープ株式会社 | アクテイブマトリックス駆動方式散乱型液晶表示装置の製造方法 |
| US5470768A (en) * | 1992-08-07 | 1995-11-28 | Fujitsu Limited | Method for fabricating a thin-film transistor |
| US5346833A (en) * | 1993-04-05 | 1994-09-13 | Industrial Technology Research Institute | Simplified method of making active matrix liquid crystal display |
| TW321731B (ja) * | 1994-07-27 | 1997-12-01 | Hitachi Ltd | |
| KR0158260B1 (ko) * | 1995-11-25 | 1998-12-15 | 구자홍 | 엑티브 매트릭스 액정표시장치의 매트릭스 어레이 및 제조방법 |
-
1996
- 1996-03-28 JP JP7450996A patent/JPH09265113A/ja active Pending
-
1997
- 1997-03-26 US US08/828,743 patent/US5867233A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-03-26 TW TW086103849A patent/TW318921B/zh not_active IP Right Cessation
- 1997-03-28 KR KR1019970012140A patent/KR100270467B1/ko not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60128486A (ja) * | 1983-12-16 | 1985-07-09 | 株式会社日本自動車部品総合研究所 | 表示装置 |
| JPS63240527A (ja) * | 1987-03-27 | 1988-10-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタアレイ |
| JPH02170135A (ja) * | 1988-12-23 | 1990-06-29 | Nec Corp | 薄膜電界効果型トランジスタ素子アレイ |
| JPH04280231A (ja) * | 1991-03-08 | 1992-10-06 | Oki Electric Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタアレイ基板及びその製造方法 |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001018774A1 (en) * | 1999-09-08 | 2001-03-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electric circuit board, tft array substrate using the same, and liquid crystal display |
| JP2001147651A (ja) * | 1999-09-08 | 2001-05-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電気回路基板及びこれを用いたｔｆｔアレイ基板及び液晶表示装置 |
| KR100348995B1 (ko) * | 1999-09-08 | 2002-08-17 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 4 마스크를 이용한 액정표시소자의 제조방법 및 그에 따른 액정표시소자 |
| US6885110B1 (en) | 1999-09-08 | 2005-04-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electrical circuit board and TFT array substrate and liquid crystal display device utilizing the same |
| EP1220187A4 (en) * | 1999-09-08 | 2005-05-18 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | ELECTRIC CIRCUIT BOARD, TFT MATRIX SUBSTRATE THEREOF AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY |
| KR100463410B1 (ko) * | 1999-12-28 | 2004-12-23 | 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디. | 액티브매트릭스기판 및 그 제조방법 |
| US6890783B2 (en) | 1999-12-28 | 2005-05-10 | Nec Lcd Technologies, Ltd. | Active matrix substrate plate and manufacturing method therefor |
| KR100467176B1 (ko) * | 2000-10-11 | 2005-01-24 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치용 어레이패널 및 그 제조방법 |
| US6924179B2 (en) | 2000-10-11 | 2005-08-02 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Array substrate for a liquid crystal display and method for fabricating thereof |
| US6930732B2 (en) | 2000-10-11 | 2005-08-16 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Array substrate for a liquid crystal display |
| US7821604B2 (en) | 2005-03-15 | 2010-10-26 | Future Vision Inc. | Liquid crystal display device comprising a crossing portion connecting line and a light transmission type photosensitive resin having openings |
| US7995180B2 (en) | 2005-03-15 | 2011-08-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing liquid crystal display device comprising a crossing portion connecting line and a light transmission type photosensitive resin having openings |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100270467B1 (ko) | 2000-11-01 |
| TW318921B (ja) | 1997-11-01 |
| KR970066697A (ko) | 1997-10-13 |
| US5867233A (en) | 1999-02-02 |
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