Λ7
Q B7 五、發明説明（f ) 本發明#關於一種具有垂直式MOS電晶體之EEPROH -配 置，垂直式M0S電晶體含有一個電性絕緣之第一閘極電 極，其電荷量可由於第二閘極電極和通道區之間的電壓 降而改變，本發明亦涉及此種EEPRO Η配置之製造方法。 EEPR0M配置是一種可Κ電性方式寫入和去除之唯謓記 憶體單胞配置，其含有複數個電晶體，各電晶體分別具 有一個電性絕掾之第一閘極電極，第一閘極電極配置在 第二閘極電極.和通道區之間.。電晶體之導通電壓可分別 藉由第一閘極電極上不同之電荷量來改變。第一閘極電 極之充電是藉由電子來達成，這些電子在第二閘極電極 和通道區之間存在高的電壓降時會穿越薄氧化物。 在VLSI技術中，提高電路配置之封裝密度是必要的， Μ便降低製造成本Μ及提高電路之速率。 提高封裝密度的一種可能性是：莅半導體結構之邊緣 上形成H0S電晶體（例如請參閲：L.Risch, y.H.ltrautsc-h n e i d e r , F.Hofmann H.Schafer, Vertical M 0 S Tran-s i s t o r w i t h 7 0 n m C h a η n e 1 1 e n g t h , E S S D E R C 1 9 9 5 ,第 101至104頁。）由於在此種電晶體中之電流基本上是垂 直於基體之表面而流動，此種電晶體因此稱為垂直式電 晶體。 在德國專利申請案號19524478號中描述一種EEPR0M -配 置，其中各電晶體是配置在溝渠之邊緣上。二個互相面 對之部份-電晶體分占一個在溝渠底部上延伸之共同位元 媒Μ及一個垂直於溝渠而延伸之字線。為t在電性絕緣 -3- 本紙張尺度適用中國國家標準{ CNS ) A4規格（210X297公釐） ---J ---1.裝------訂------1 *-- - , - (請先閲讀¾面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 ^3 70 7 6 Λ7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 ( ) 1 1 1 之 第 一 閘 極 電 極 和 第 二 閘 極 電 極 之 間 提 高 耦 合 電 容 量 1 I 則 第 一 閘 極 電 極 在 平 行 於 通 埴 方 向 中 有 較 大 之 延 伸 » 使 1 其 等 於 溝 渠 之 深 度 〇 須 對 材 料 進 行 蝕 刻 Μ 便 產 生 字 線 〇 請 1 1 於 是 在 溝 渠 內 部 產 生 孔 狀 之 B 口 此 種 凹 Ρ 具 有 很 大 之 閲 请 '1 背 „ | 縱 横 比 (a S P e c t r a t 1 0 ) 〇 蝕 刻 過 程 會 由 於 此 種 較 大 之 縱 之 横 比 而 複 雜 化 〇 注 意 ，丨 事 1 在 US51 80680中描述- -種 EEPR0M- 配 置 * 其 中 在 基 體 中 項 再 填- 配 置 互 相 平 行 而 延 伸 之 溝 渠 » 在 溝 渠 之 邊 緣 上 配 置 互 相 寫 本 威 面 對 之 垂 直 式 電 晶 體 〇 電 晶 體 之 電 性 絕 緣 之 第 — 閘 極 電 頁 1 1 極 是 配 置 在 溝 渠 中 〇 有 二 條 字 線 在 溝 渠 中 延 伸 這 二 條 1 | 字 線 有 一 部 份 是 作 為 第 二 閘 極 電 極 〇 電 晶 體 之 上 側 之 源 1 1 極 / 汲 極 1¾ 是 配 置 在 溝 渠 之 間 且 是 與 條 m 之 導 電 性 结 構 1 訂 (其垂直於溝渠而延伸） 相 連 接 〇 1 I 本 發 明 之 百 的 是 提 供 一 種 具 有 垂 直 式 M0S電晶體之EEP 1 1 ROM- 配 置 1 垂 直 式 電 晶 體 含 有 一 個 電 性 絕 緣 之 第 一 閘 極 1 | 電 極 t 第 一 閘 極 電 極 之 電 荷 量 可 藉 由 第 二 閘 極 電 極 和 通 1 .娘 道 區 之 間 的 電 ms 壓 降 來 改 m 〇 和 先 1 -Γ- 刖 技 藝 比 較 時 » 此 種 1 EEPR0M -配置可K較高之製程可靠度及較高之封裝密度 1 I 來 製 成 且 同 時 只 需 一 個 特 別 小 之 電 壓 降 >λ 便 充 電 0 此 外 1 1 1 » 本 發 明 亦 提 供 此 種 EEPR0H -配置之製造方法c _ -1 上 述 目 的 是 藉 由 申 請 專 利 範 圍 第 1 項 之 EEPR0M -配置 及 串 請 專 利 範 圍 第 5 項 之 製 造 方 法 來 達 成 〇 本 發 明 之 1 1 其 它 肜 式 敘 述 在 請 專 利 範 t-wl 圍 其 餘 各 項 中 〇 1 1 在 本 發 明 之 EEPR0M -配置中， -4 - 垂直式M0S 電 晶 體 分 別 設 1 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4規格（210X29?公釐） 43 70 7 g A7 B7 五、發明説明（+ ) '(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 置一個電性絕緣之第一閘極電極，第一閘極電極配置在 第二閘極電極和通道區之間。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 通道區是基體之一部份.基體具有一個溝渠，第一閘 極電極配置在溝渠中。設有閘極介電質之通道區是配置 在第一閘極電極之第一逢緣之一部份上。M0S電晶體之 導通電壓可藉由第一閘極電極上之不同電荷最來改變。 第一閘極電極之充電是藉由電子來進行，這些電子在第 二閘極電極和通道區之間有電壓降時可穿越至第一閘搔 電極中或由第一閘極電極穿越出來。若在第一閛極電極 和第二閘極電極之間設置較大之面積（因此，耦合電容量 亦較大），則上述之穿越規象可在較低之電壓降時發生。 在EEPR0M-配置中，第一閛極電極因此由溝渠中突出，使第 一閘極電極之第一邊緣位於溝渠外部。因此可提高第一 閘極電極和第二閘槿電極之間的面積而不會使封裝密度 有所損耗。第二閘極電極在基體外部是與電性絕緣之第 一閘極電極之第一邊緣相鄰接且亦與電性絕緣之第一閘 極電極之第二邊掾（其與第一邊緣相面對）之至少一部份 相郯接。第二閘掻電極是字線之一部份，字腺平行於溝 渠而延伸。因此，在沿著溝渠而相郯之第一閛極電極之 間的區域中此字線之垂直於溝渠走向之横切面不小於第 一閘極電極區域中此字線之相類似的橫切面，若在各M0S 電晶體（其沿著溝渠而互相鄰接）之每二個第一閘極電極 之間配置第一隔離結構（其配置在溝渠之邊緣上且由溝渠 突出），則第一閘楹電極之第一邊緣和第一隔離結構之第 -5 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 7〇 7 6 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 ( 4 ) 1 1 I 一 遴 緣 會 互 相 合 併 〇 字 線 鄰 接 於 第 一 隔 離 結 構 之 第 一 逢 1 I Λ ft, 緣 且 郞 接 於 第 一 隔 離 结 構 之 第 二 邊 緣 (其與第- -逢緣相 1 ~ 1 面 對 )之至少- -部份 -r: 3若沒有第- -隔離结構， 則字線之 ^^ 請 先 ! 1 電 m 會 由 於 逐 段變小之 横 切 面 而 變 大 〇 閱 .1 和 德 國 專 利 文 件 19524478相 比 較 時 字 線 能 >λ 白 動 校 η -之 1 1 準 (即， 不需使用可校準之遮罩） 之 方 式 而 產 生 〇 若 字 線 注 意’ 1 1 事 1 之 垂 直 方 向 中 之 大 小 (即， 在溝渠邊緣之平面中且在垂 項 填 1 )i 直 於 線 走 向 中 之 大 小 )可和德國專利文件19524478中 寫 本 i- 字 婊 之 相 對 職 之 大 小 相 比 較 * 則 產 生 字 線 所 用 之 蝕 刻 趙 頁 1 1 程 較 德 國 專 利 文 件 19524478中 產 生 灶 種 垂 直 於 溝 渠 而 延 1 I 伸 之 字 線 所 用 之 蝕 刻 過 程 堪 簡 單 〇 在 平 行 於 溝 渠 而 延 伸 1 1 之 各 字 媒 之 間 產 生 長 的 間 隙 9 其 允 許 較 多 之 空 間 以 便 在 1 訂 鈾 刻 過 程 中 作 為 氣 體 替 換 之 用 此 種 空 間 較 德 國 專 利 文 1 I 件 19524478中 垂 直 於 溝 渠 而 延 伸 之 各 字 線 之 間 產 生 於 溝 1 1 渠 之 孔 狀 凹 P 堪 大 〇 I 1 例 如 可 產 生 第 —- 閘 極 電 極 * 其 中 藉 由 材 枓 之 沈 稹 和 蝕 1 Xt 刻 而 在 鄰 接 於 溝 渠 之 邊 缘 上 產 生 種 结 構 〇 為 了 使 封 裝 1 密 度 提 高 » 則 當 此 種 结 構 是 一 種 鄰 接 於 溝 渠 邊 緣 上 之 間 1 I 隔 層 (S pa c e r ) 時 是 有 利 的 〇 但 此 種 结 構 亦 可 藉 由 遮 罩 式 1 1 蝕 刻 而 產 生 〇 ”此種结構填入溝渠中” 亦 是 本 發 明 之 範 圍 〇 溝 渠 逄 緣 之 高 度 在 此 種 結 構 產 生 之 後 會 變 小 ί 這 樣 即 I 可 使 結 構 由 溝 渠 突 出 且 一 部 份 不 與 基 ΜΑ 體 栢 鄰 接 〇 1 i 可 使 溝 渠 之 邊 緣 變 小 > 其 中 須 K 選 擇 性 地 對 此 種 結 構 1 1 之 方 式 來 對 溝 渠 外 部 之 基 體 進 行 蝕 刻 〇 由 此 種 結 構 產 生 1 1 6 ** 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29"/公釐） Λ7 _ Β7 五、發明説明（，） 更多之第一閘極電極。 為了防止：在溝渠之逄緣變小時溝渠底部上之基體受 到蝕刻，因此該邊緣並非變小而是只是被偏移而已；則 當溝渠邊緣之上面部份是由一種輔肋結構（其可選擇性 地對基體進行蝕刻）來肜成時對此程序之簡化是有利的 。此種輔肋結構是在溝渠（其鄰接於基體）之邊緣之下面 部份產生之前或之後產生的。為了使溝渠之邊緣變小， 刖此輔肋结構須在結構產生之後去除。輔肋結構於是可 選擇性地對基體進行蝕刻。 為了提高封裝密度，則在溝渠之相對之邊緣上配置二 個互相面對之電晶體是有利的。 互相面對之電晶體之第一閛極電極和第二閛極電極可 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210Χ29"7公釐） .^—. [, . , 1 n f ί ^ ί n PH I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第電高 ，二 著層且雛 和極提 式第 沿護除隔 一閘度 彤和 中保去一 第二密 之緣 其从須第 之第裝 成邊 ，是層成 體和封 構一 構.構護換 晶一使 所第 结结保轉 電第便 曆之 離種的而 之，Κ 隔極 .隔此間用 對此成 間電 一 ，之作 面因形 之極 第構體化 相。式。般閘 生结晶氧 互接形線一 一 產種電熱 :連之字個第 ：一之由 括相Γ)條二於 括生郯藉 包互ce二由接 包產相份 亦不pa有有鄰 亦別而部 圍並(S設具別. 圍分渠的 範極層都可分 範緣溝露 之電隔渠線層 之邊著裸 。 明極間溝字隔 明之沿.之 接發 $M1 些間。發渠，構 連本 f 可每這些緣本溝蓋結 相 二極。 這邊 各覆此 經濟部中央標準局男工消費合作社印製 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 43 70 7 6 Λ7 B7 五、發明説明（办） 链構。 此結構之一部份（其被氧化Μ便產生第一隔離结構）的 體積會增大。在溝渠外部兩側進行氧化作用，此種體稹 因此Μ對稱之方式在溝渠中央之方向中Μ及在相反方向 中增大。在溝渠内部中只由一側進行氧化作用，體積因 此只能在溝渠中央之方向中增大。溝渠之一部份因此會 由於第一隔雜結構而變成特別狹窄。為了防止溝渠之相 鄰字線之間發生短路現象，則在互相面對之第一閘極電 極和第一隔離结構之間的溝渠内部中設置一般之第二隔 離结構是有利的，其中第二隔離結構之上部平面之高度 較基體表面之高度堪高或最好是大約相等。字線因此不 是配置在狹窄之溝渠内部。"Μ此種方式可提高製程之 可靠性”亦是有利的，這是由於為了產生字線之不同部 份則蝕刻深度必須是栢同的。Μ 0 S電晶體之控制是藉由 第二閘極電極來進行，第二閘極電極之電位Μ電容性方 式傳送至第一閘極電極。 M0S電晶體之上半部源極/汲極Μ及下半部源極/汲極 區例如可藉由遮罩式植入或藉由摻雜物質源之摻雜物質 往外擴散至基體（其由半導體材料所構成）中而產生，溝 渠之邊緣之至少一部份是配置在基體中。為了產生下半 部源極/汲極區，可Μ傾斜方式進行植入過程。為了使 製程簡化Μ及為了防止不期望之電容，則基本上在側向 上對上半部源極/汲極區偏移之方式來配置下半部源極/ 汲極區是有利的。在此情況中，下半部源極/汲極區亦 -S ^ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） (讀先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) :裝' 訂 437〇76 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 ( 7 ) 1 1 可 藉 由 垂 直 式 植 入 方 式 而 産 生 〇 一方 式是， 以裔晶 方 1 .1 式 在 基 aja 體 上 對 應 於 源 極 /汲槿區和通道區而生長一種層 1 :1 序 列 以 便 産 生 源 極 /汲極區， 其中會産生或須配置溝渠 請 1 1 閲 之 邊 緣 之 至 少 部 份 〇 讀 1 本 發 明 之 EE PR0H -配置之記億體單胞之ffi積可以是2 F 2 η 面- 之 1 注 I * 其 中 F 是 以 田 時 技 術 所 能 製 造 之 最小 之結構 大小。 為 意 事 了 使 封 裝 密 度 提 高 3 則 多 痼 垂 直 於 溝渠 而相鄰 之電晶 m 項 1 填 互 相 串 聯 且 每 二 個 上 半 部 源 極 /汲極區或每二個下半部 窝 '、装 頁 1 源 極 /汲極區互相#合（ 即 ，形成- -個共同之摻雜區）是 有 1 利 的 〇 另 一 方 式 是 > 上 半 部 源 極 /汲極區可經由導電性 1 I 結 構 而 互 相 建 接 〇 在 此 種 情 況 下 9 電晶 體不是 以串聯 方 1 I 式 連 接 〇 1 訂 為 了 使 封 裝 密 度 提 高 J 則 使 溝 渠 之字 線接觸 區分別 配 1 I 置 在 溝 渠 之 相 對 之 末 端 是 有 利 的 1 此 種 結 構 包 括 m 電 性 材 料 > 例 如 ) 金 屬，矽 化物或 摻 1 1 雜 之 多 晶 矽 〇 多 晶 矽 可 在 沈 積 期 間 被摻 雜或事 後被摻 雜。 1 't 上 半 部 源 極 /汲極區和下半部源極/汲 極區可 以是η- 攆 r 雜 或 P - 摻 雜 〇 1 1 本 發 明 之 顯 示 在 圖 式 中 之 實 施 例 以下 將詳細 描述。 圖 1 I 式 簡 早 説 明 如 下 1 1 第 1 圖 在 第 一 輔 肋 結 構 > 溝 渠 ， 閘極 介電質 和結構 産 1 ! 生 之 後 具 有 —1 層 摻 雜 層 之 基 體 的 橫 切面 _ 〇 1 I 第 2 a 圖 在 第 二 輔 肋 結 構 下 半 部 源極 /汲極區，上半 1 i 部 源 極 /汲極區以及第- -保護結構産生之後第1 -9 - 圖之橫 1 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 437〇76 Λ7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 ( 1 1 I 切 面 圖 t 由 此種 結構 產 生第一 閘 極 電 極 和 第一 隔 離結 構 1 1 1 (顯示在第2b圖中）。 - \ 1 第 2b 圖 在 第2a 圖所 示 之步驟 之 後 基 體 之 横切 面 (其係 請 Λ. 1 | 平 行 於 第 2a 圖之 横切 面 )° 間— 1 背.. i 第 3 m 在 去除 第一 保 護结構 1 產 生 第 二 保護 结 構， 第 τδ 之 1 注 | 二 隔 離 結 構 ,第 三隔 離 结構， 字 線 和 第 二 閘極 電 極之 後 意- 事 1 第 2a [Ml m 之 切 面圖 Ο 項 1 )1 這 ISI 圖 式 未 按比 例繪 出 〇 寫 本 ί 原 始 材 科 是 一種 由矽 所 構成之 基 體 1 , 其 在 鄰接 於 甘 Αβ 基體 1 頁 1 1 之 表 面 0上之1 u m厚之層S中是p -接雜的（ 請參 閱 第1圖） 1 I 0 層 S之摻雜物質濃度大約是5 X 10 17 cm 胃3 。然 後 W TE0S I 1 方 法 沈 積 層厚 度大 約 是 300 η m之S ί 0 2 c 藉助於條形之第 1 訂 一 遮 罩 (未顯示） M CHF3 〇2來對 Si °2 進 行 蝕 刻， 因 此產 生 1 I 互 相 平 行 延 伸之 大約 是 250nm寬之溝渠G 〇 相鄰 溝 渠<3 1 1 之 中 央 線 之 間的 間距 大 約是2 5 0 η m( 請 參 m 第1 圈 )° 1 I 然 後 例 如 K HB r » H e ，0 2, N Fi3選擇性地對S i 〇2而對矽進 1 像 行 蝕 刻 直 至 深度 大約 是 4 0 0 n m為止t 這樣可使溝渠G加 深 1 (請參閱第1 圖） ο 1 I 藉 由 熱 氧 化作 用而 產 生一種 大 約 8 η m厚之蘭搔介電 質 1 1 ] Gd (第1 圖） 〇 為 了 在 溝 渠G之邊緣上產生間隔層形式之结構S t ,則 須 沈 積 厚 度 大 約是 5 0 n m 之 原處摻 雜 之 多 晶 矽 且對 此 多晶 矽 J [ 進 行 回 (b a c k) Ms. 刻直 至 第一輔 肋 结 構 Η 1和 閛極 介 電質 Gd 1 1 之 存 在 於 溝 渠G 底部 上 之此一 部 份 的 一 部 份裸 露 為止 〇 1 I -10 I 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ” 437〇7fi U A7 B7 五、發明説明（？） 結構St沿著溝渠G之邊緣而延伸（第1圖）〇MCHF3,〇2. 選擇性地對矽而對Si 〇2進行蝕刻以便去除第一輔助結構 H1。這樣可使溝渠G之逄緣變小（請參関第2a圖）。结構 St現在由溝渠G突出大約300nm。 藉由熱氧化作用而產生大約lOnm厚之第二輔肋结構H2 (第2a圖）。 藉肋於條形之第二遮罩（未顏示）而Κη -摻雜之離子來 進行植人作用。條形第二遮罩之條形是垂直於溝渠G而 延伸且大約是250ηπι寬。相郯條形之中央線之間的間距 大約是250nm。藉由植人作用而在溝渠G之底部之一部 份上產生下半部源極/汲極S / Du且在溝渠G之間產生上 半部源極/汲極區S/Du (第2a黼）。下半部之源極/汲極區 S/Du相對於一垂直於表面0而延伸之軸而言在側向上是 對上半部源極/汲極區形成偏移（offset)。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (锖先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 為了產生第一保護结構SS1,須沈積一層厚度大約是 30nm之氮化矽且藉助於一個與第二遮罩互補之第三遮罩 (未顯示）來對氮化矽進行蝕刻。例如C F 4, 02 , H2適合作 為蝕刻劑（請參閱第2a圖，其顯示此種由第三遮罩所覆 蓋之區域之横切面，亦請參間第2b圖，其顯示此種不為 第三遮罩所覆蓋之區域之橫切面，此横切面平行於第2a 圖之横切面）。 藉由熱氧化作用而對結構S t之未被第一保護結構SS1所 保護之部份進行氧化作用且形成第一隔離结構11(第2b 圖）。在第一隔離结構II之間所存在之一部份結構St適 —1 1 — 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印装 ' 43707s Λ7 B7 五、發明説明（β ) 合作為第一閘極電極Gal之用。由於體積在氧化過程時 會增大且在溝渠G内部中此種增大作用只能在溝渠中央 之方向中進行，則介於互相面對之第一隔離结構II之間 的空間在溝渠G内部中之部份是較溝渠外部者堪小，其 中上述之增大作用可對稱地在溝渠中央之方向中K及在 相反方向中進行（第2b圖）。 第一隔雛結構II之體積然後須減小，其中以等向性（ isotropically)方式對Si02進行回（back)蝕刻大約50nm 。這樣可提供較大之空間K供一些即將產生之字線tf使 用。 然後例如以h3po4去除第一保護结構SS1。 為了產生第二保護结構SS2,須沈積一層厚度大約是 30nm之氮化矽（第3圖）。為了產生第二隔離結構12,須 KTE0S方法沈積一層厚度大約是200nm之Si〇2且對Si〇2 進行回蝕刻直至溝渠G內部產生第二隔離结構12為止， 12之高度是與基體1之高度相一致（第3圖）。第二保 護結構SS2之配置於基體1上方之部份於是可作為蝕刻 停止物之用。 然後例如MH3P〇4來去除第二保護结構SS2之裸箨的部 份。例如以H F來對S ί 進行等向性之蝕刻而去除第二輔 肋结構Η2之裸露的部份。須產生第三隔離结構13(其含 有一種0Η0 -層），其中首先藉由熱氧化作用而產生一層 厚度大約是3nm之氧化層，然後沈積一層厚度大約是15nm 之氮化物且對此氮化物進行熱氧化作用直至大約3nra深 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） --------d裝------訂------束 - - 一 一 (讀先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) B7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 五、發明説明 ( r ) 1 1 (第5 圖） 〇 1 1 為 了 產 生 字 線 ,則 須 沈積一 曆厚 度大 約 是50 η Ε 之 原 處 1 (i η s i t U >摻雜之多晶矽且對此多晶矽進行回蝕刻 )字 --V 請 A 1 線 V之配置在第- -閘極電極Gal 之此 —部 份 適合 用 作 第 二 閲 讀 1 閘 極 電 極 Ga 2 。字線W分 別在溝 渠G 內部 及 溝渠 G 外 部 延 背 面 I 之 1 伸 〇 這 些 字 線 因 此分 別 和第一 閘極 電極 G a 1 (垂 直 式 電 晶 注 意 古 1 體 之 通 道 區 亦 與 Gal相鄰接）之 第一 邊緣 F1 相鄰 接 ， 且 亦 事 項 再 1 [ 和 第 二 邊 緣 F2 (其與第- -逄緣F1相面對） 相 鄰接 (參関第3 填 寫 -j 裝 I 圖 ) >第三隔離结構13將第一閘極電極G a 1 與第 二 閘 極 電 頁 V_> 1 I 極 Ga 2相隔離 >第二隔離結構12可防止在狹窄之溝渠G 內 1 1 部 中 形 成 字 線 W , 其中 在 溝渠G 中可 在相 鄰 之字 線 W 之 間 1 1 產 生 短 路 現 象 〇 1 訂 M0S電晶體之導通電壓可藉由所覇第- -閛極電極G a 1 上 1 之 電 荷 量 來 改 變 。由 於 在第二 閘極 電極 Ga 2和通道區K a 1 1 之 間 存 在 一 種 電 壓降 而 使電子 發生 穿越 琨 象而 造 成 充 電 1 I 現 象 〇 面 積 越 大 (因此介於第- -閘極電極G a 1和 第 二 閘 極 1 1 .良 ’丨 電 極 Ga 2之間的耦合電容量亦越大） ,則 所 需之 電 壓 降 越 小 〇 此 種 面 積 之 大小 是 由第一 輔助 结構 H1 之厚 度 所 決 定。 1 I 此 種 實 施 例 可 Μ有 許 多變型 ,其 亦在 本 發明 之 範 圍 中 1 1 〇 特 別 是 上 述 之 各曆 9 區域， 輔肋 结構 > 結構 > 遮 罩 和 j -1 溝 渠 等 之 大 小 可 依據 個 別之需 求而 調整 〇 同樣 情 況 亦 適 J 用 於 上 述 各 種 所 建議 之 摻雜物 質濃 度。 溝 渠之 逄 緣 不 必 1 垂 直 於 基 體 之 表 面而 延 伸，而 是可 以和 半 導體 结 構 之 表 1 I 面 形 成 任 意 之 角 度0 可 在沈積 期間 或沈 積 之後 對 多 晶 矽 1 1 -1 3 i 1 1 1 .本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） / - .·« / - .·« 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 Λ7 __B7 五、發明説明（> ) 進行摻雜。若不使用摻雜之多晶矽，則例如亦可使用金 腸矽化物及/或金鼷。 -14- ^^裝 訂 上 „ ' i 』 {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210 X 297公釐） Λ7 B7
五、發明説明（） 參考符號說明 1 .. 基 體 S .. 層 G .. * * ^ • * 溝 渠 St, 結 構 11 , 12 , 13 ' * 隔 離 結構 W… 字 線 Gal t G a 2 . 閘 極 電 極 F1 , F2 . * * 邊 緣 Ka . 通 道 區 HI . H2 . 輔 助 結 構 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) :原實質内容 S/D_______源極/汲—極區 G d......閘極介電質 0 ......表面 SSI , SS2 .保護結構 軸 線. 經濟部中央標準局貝工消費合作社印^ -15 本紙張尺度適用t國國家標準（CNS ) A4規格（2 f 0 X 297公釐）