TW459321B - A semiconductor apparatus and a manufacturing method thereof - Google Patents

Description

A7 B7 4 5 9 32 五、發明説明（】） 發明背景： 本發明係關於一種半導體裝置，具有使用於高密度組 合模組及多晶片模組之晶片尺寸封裝。 最近’與電子裝置之小型化及高性能有關，對於所使 用的半導體裝置’亦需要高密度封裝，高度密集，及處理 的加速。對此，作爲半導體裝置安裝方法，封裝已從銷插 入型式發展表面安裝型式，以增加安裝密度，且從D I P (雙線內封裝）發展爲QFP (四平封裝）或PGA (銷 柵陣列）以對應多銷型式。 然而’在Q F P型式中，具有安裝基體之連接引線只 被集中在封裝的四周部份中，引線本身是薄而可變形的， 使得當銷之數目增加時，安裝變得困難。在p G A型中， 欲被連接至安裝基體之端子是長而薄且非常集中，使得在 電特性上很難加速，且由於它是銷插入型式，表面安裝是 不可行的，且不利於高密度組裝。 最近’欲解決這些問題及實現對應加速之半導體裝置 ，已發展出一種B G A (球柵陣列）封裝（ USP 5148265)，具有一應力緩衝層於半導體 晶片與形成一電線電路（wiring circuit )的基體之間，及 一碰撞電極（bump electrode )，其是形成有電線電路的基 體之安裝基體表面側上的外部端子。在具有此構造的封裝 中，欲被連接至安裝基體之端子爲球形銲料，使得引線是 免於變形，不像Q F P型，且端子是分散於整個安裝表面 上，因此端子之間的間距可變得更長且表面安裝容易。是 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ----r---I----^表-- (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _?!--- 五、發明説明（2 ) 一外部端子之碰撞電極比P G Α型短’使得感應成分很小 ，且信號速度很快，因此構造可對應高速。 最近，與可攜式資訊終端之廣泛有關，需要半導體裝 置之小型化及高密度組裝。所以’最近已發展c S P (晶 片刻度封裝）1封裝尺寸幾乎等於晶片。在Nikkei BP, Ltd. (Feb. 1 998)發行之"Nikkei Microdevice11 (p. 38 to p. 64)中， 揭示不同型式的C S P。這些C S P是以一方式製造，使 得切割成片狀之半導體晶片被附著至一形成有電線層之聚 醯亞胺或陶瓷基體，然後電線層與半導體晶片藉由電線結 合，單點結合，或碰撞結合被電氣地連接，且連接以樹脂 被封密，最後形成例如銲料塊之外部端子。 日本專利申請案公開9 一 2 3 2 2 5 6及曰本專利申 請案公開1 0 _ 2 7 8 2 7揭示大量製造C S P之方法。 這些方法形成一塊於半導體晶圓上，經由此塊電氣地連接 一電線基體，然後以樹脂密封連接，形成一外部電極於電 線基體上，最後將它切割成片狀而製造出半導體裝置。 Nikkei BP，Ltd. (Feb· 1998)發行之"Nikkei Microdevice11 (p. 164 to p. 167)揭示大量製造C S P的另一種方法。此方法 藉著電鍍形成一塊於半導體晶圓上，以樹脂密封此塊以外 的部份，形成一外部電極於塊部份中，然後將它切割成片 狀而製造出半導體裝置。在日本專利申請案公開1 0 -9 2 8 6 5中，揭示一種半導體裝置，具有樹脂層用於緩 衝外部電極與半導體晶片之間的應力，且晶片以整批的方 式以晶圓的單位被處理，然後最後切割成片狀。

本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） R I m - 1^1 n n I _ _ _ i 1* T n I I _ _ n ^ - · i-i 「 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 9 A7 B7 五、發明説明（3 ) 發明節要： 在前述半導體裝置中，在以半導體晶圓爲單位整批地 形成樹脂層與外部電極之後，製造且切割成片狀，層的介 面總是暴露在封裝的端面上。所以，由於在安裝封裝時之 突然溫度改變所引起之熱應力，及在切割晶片成片狀時之 機械應力，應力被集中在晶片與樹脂層之間的介面上，其 被暴露在封裝的尾端，且自此產生剝落，使封裝受損。結 果，半導體裝置之可靠度減小，且產量亦減小。 有鑑於前述，本發明提供一種高可靠度的半導體裝置 及高產量的半導體裝置製造方法，用於避免應力集中在介 面上，且抑制晶片與樹脂層之間的剝落，當熱應力與機械 應力被施加至封裝' 如以下所示，可解決前述問題。摘述如下： (1 )在半導體裝置中，此半導體裝置在形成有電路 與電極的半導體晶片之表面上除了電極的部份之外，具有 一應力緩衝層，具有一電線層，連接至應力緩衝層上的電 極，具有一外部保護膜在電線層及應力緩衝層上，具有一 窗，一部份的電線層暴露在外部保護膜的預定位置，且具 有一外部電極，其經由窗被電氣地連接至電線層，應力緩 衝層' 電線層 '導體、外部保護膜及外部電極被形成在半 導體晶片之尾端的內側。 (2 )在半導體裝置中，此半導體裝置在形成有電路 與電極的半導體晶片之表面上除了電極的部份之外，具有 1 , 一' j (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -τ r 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2丨Ο X 297公釐} 6 - A7 B7 A 5 五、發明説明（4 ) (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 一晶片保護膜’具有第一電線層及一應力緩衝層，連接至 晶片保護膜上之電極，具有一第二電線層，連接至應力緩 衝層上之第一電線層，具有一外部保護膜在第二電線層及 應力緩衝層上，具有一窗，.一部份的電線層暴露在外部保 護膜的預定位置，且具有一外部電極，其經由窗被電氣地 連接至電線層，晶片保護膜、應力緩衝層、電線層、導體 '外部保護膜及外部電極被形成在半導體晶片之尾端的內 側。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (3)半導體裝置製造方法具有：1·一步驟*形成 一應力緩衝層於半導體晶圓之電路形成表面上，在半導體 晶圓上形成許多半導體元件；2 . —步驟，形成一開口， 用於暴露半導體晶圓之電極上的應力緩衝層上之晶片電極 ;3 . —步驟，形成一縫隙於劃線上的應力緩衝層中，用 於切割半導體晶圓；4 . 一步驟，形成一電線層，經由開 口連接至應力緩衝層上之半導體晶片的電極：5 . —步驟 ，形成一外部保護膜，具有一窗，用於連接除了劃線之外 的電線層及應力緩衝層上的外部電極：6 . —步驟，形成 一外部電極；及7 . —步驟，用於切割在切割之後以便於 操作所得到的半導體裝置之最小單元中的半導體晶圓。 一種半導體裝置製造方法，並非具有步驟5，而是具 有步驟5 ( a )，一步驟，形成一窗’用於連接外部電極 與外部保護膜，具有一端在應力緩衝層及電線層上的應力 緩衝層之尾端的內側，或者具有步驟5 (b)，一步驟’ 形成一窗，用於連接外部電極與外部保護膜’具有一端介 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS M4規格（210X297公釐^ ~Γ_ " 五、發明説明（5 ) 於劃線與在應力緩衝層及電線層上的應力緩衝層的尾端之 間。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) (4)半導體裝置製造方法具有：1.一步驟，除了 其上形成許多半導體元件之半導體晶圓的電極之外，形成 —晶片保護膜，及一劃線，用於切割半導體晶圓；2 . — 步驟，形成一第一電線層，電氣地連接至晶片保護膜上的 電極；3 · —步驟，形成一應力緩衝層於晶片保護膜與第 一電線層上；4 _ 一步驟，形成一開口，用於暴露應力緩 衝層上的一部份電線層：5 . —步驟，形成一縫隙於劃線 上的應力緩衝層中；6 . —步驟，形成一第二電線層，經 由應力緩衝層中形成的開口，連接至應力緩衝層上的一部 份第一電線層；7 —步驟，形成一外部保護膜，具有一 窗，用於連接劃線以外的電線層與應力緩衝層上之外部電 極；8 · —步驟，形成一外部電極；及9 . 一步驟，用於 切割在切割之後以便於操作所得到的半導體裝置之最小單 元中的半導體晶圓。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 半導體裝置製造方法，並非具有步驟7 ，而是具有步 驟7 ( a ) ’ 一步驟，形成一窗，用於連接一外部電極及 一外部保護膜，具有一端在第二電線層及應力緩衝層上的 應力緩衝層之尾端的內側。 半導體裝置製造方法，在上述步驟1與步驟2之後， 具有：3 . —步驟，形成一應力緩衝層，具有一端在第一 電線層及晶片保護膜上的晶片保護膜之尾端的內側；4 . 一步驟，形成一開口，用於暴露應力緩衝層上的一部份第 -8- 本紙張尺度適用中國國家標串（CNS ) A4规格（210X297公釐） 32 A7 B7 五、發明説明（6 ) 一電線層；5 _ —步驟，形成第二電線層，經由形成在應 力緩衝層中的開口，連接至應力緩衝層上的一部份第一電 線層，6 . —步驟’形成一窗，用於連接一外部電極及一 外部保護膜，具有一端在第二電線層及應力緩衝層上的應 力緩衝層之尾端的內側；7 . —步驟，形成一外部電極； 及8 . —步驟，用於切割在切割之後以便於操作所得到的 半導體裝置之最小單元中的半導體晶圓。 半導體裝置製造方法，在上述步驟1與步驟，2之後， 具有：3 . —步驟，形成一應力緩衝層，於第一電線層及 晶片保護膜上：4 . 一步驟，形成一開口，用於暴露應力 緩衝層上的一部份電線層；5 . —步驟，形成一縫隙，使 得應力緩衝層的尾端形成於晶片保護膜的尾端與劃線之間 ;6 .—步驟，形成一第二電線層，經由形成於應力緩衝 層中的開口，連接至應力緩衝層上的一部份第一電線層； 7 . —步驟，形成一窗，用於連接一外部電極及一外部保 護膜’具有一端在第二電線層及應力緩衝層上的應力緩衝 層之尾端的內側；8 · —步驟，形成一外部電極；及9 . 一步驟’用於切割在切割之後以便於操作所得到的半導體 裝置之最小單元中的半導體晶圓。 半導體裝置製造方法，在上述步驟1與步驟2之後， 具有：3 . —步驟，形成一應力緩衝層，具有一端在第一 電線層及晶片保護膜上的晶片保護膜之尾端的內側；4 . 一步驟’形成一開口，用於暴露應力緩衝層上的一部份第 一電線層；5 . —步驟，形成第二電線層，經由形成於應 本紙張凡度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -9 _ A7 B7 3 321 五、發明説明（7 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 力緩衝層中的開口，連接至應力緩衝層上的一部份第一電 線層；6 · —步驟，形成一窗，用於連接一外部電極及一 外部保護膜，具有一端在與第二電線層及應力緩衝層上的 晶片保護膜之尾端相同的表面上；7 . —步驟，形成一外 部電極；及8 . —步驟，用於切割在切割之後以便於操作 所得到的半導體裝置之最小單元中的半導體晶圓。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 半導體裝置製造方法，在上述步驟1與步驟2之後， 具有：3 . —步驟，形成一應力緩衝層，具有一端在第一 電線層及晶片保護膜上的晶片保護膜之尾端的內側；4 . 一步驟，形成一開口，用於暴露應力緩衝層上的一部份第 一電線層；5 . —步驟1形成第二電線層，經由形成於應 力緩衝層中的開口，連接至應力緩衝層上的一部份第一電 線層；6 · —步驟，形成一窗，用於連接一外部電極及一 外部保護膜，具有一端介於第二電線層及應力緩衝層上之 應力緩衝層的尾端與晶片保護膜的尾端之間：7.—步驟 ，形成一外部電極：及8 . —步驟，用於切割在切割之後 以便於操作所得到的半導體裝置之最小單元中的半導體晶 圓。 半導體裝置製造方法，在上述步驟1與步驟2之後， 具有：3 · —步驟，形成一應力緩衝層，在第一電線層及 晶片保護膜上；4 . 一步驟，形成一開口，用於暴露應力 緩衝層上的一部份電線層；5 . —步驟，形成一應力緩衝 層，具有一端介於晶片保護膜的尾端與劃線之間；6 . — 步驟，形成一第二電線層，經由形成於應力緩衝層中的開 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準{ CNS ) A4規格（210X297公釐） 4 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 p；9 321 5 。」 B7 五、發明説明（8 ) 口，連接至應力緩衝層上的一部份第一電線層；7 . —步 驟，形成一窗，用於連接一外部電極及一外部保護膜，具 有一端介於第二電線層及應力緩衝層上的劃線與應力緩衝 層的尾端之間：8 . —步驟，形成一外部電極：及9 . 一 步驟，用於切割在切割之後以便於操作所得到的半導體裝 置之最小單元中的半導體晶圓。 在本發明之各半導體晶片之表面上，形成邏輯之半導 體，記憶體及由預定方法形成的閘陣列，與送出至外側及 自外側接收電信號之電極。 應力緩衝層最好是由低彈性樹脂製成。具體地說，爲 氟橡膠，矽酮橡膠，矽嗣橡膠樹脂，丙烯酸系橡膠，氫化 腈橡膠，乙烯丙烯橡膠，氯風化聚苯乙烯，表氯醇橡膠’ 丁基橡膠，胺基甲酸酯橡膠，聚碳酸酯（P C )/丙烯腈 丁二烯苯乙烯（AB S )摻合物，聚矽氧烷對苯二甲酸二 甲酯（PCT) /聚對苯二甲酸乙二醇酯（PET)間聚 對苯二甲酸丁二醇酯（P BT) /聚碳酸酯（P C )摻合 物，聚四氟乙烯（PTFE)，氟化乙烯丙烯（FEP) ，聚丙烯酸酯，聚醯胺（PA) /丙烯睛丁二烯苯乙烯（ A B S )摻合物，改質環氧樹脂，改質聚烯烴及矽氧烷改 質聚醯胺。 此外，有許多不同的熱固性樹脂’例如可使用環氧樹 脂，不飽和聚酯，環氧樹脂異氰酸酯，順丁烯二醯亞胺樹 脂，順丁烯二醯亞胺環氧樹脂，氰化物酯樹脂，氰化物酯 環氧樹脂，氰化物酯樹脂順丁烯二醯亞胺樹脂，酚樹脂’ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •装· 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CMS ) A4規格（210X297公釐） -11 - 59 321 、_^_ 五、發明説明（9 ) 對苯二甲酸二烯丙酯樹脂，聚基甲酸酯樹脂，氨睛樹脂， 及順丁烯二醯亞胺氨睛樹脂，與上述兩種以上的氨睛樹脂 結合之材料，或與無機塡充物混合之材料。亦可以將感光 性加至前述樹脂，並藉由預定暴光與顯影處理而控制應力 緩衝層之形狀。 依據本發明，前述應力緩衝層的尾端形成在半導體晶 片之尾端的內側。藉著如此做，與相同表面上暴露的介面 相比，半導體晶片與應力緩衝層之間的應力可被分散於廣 泛的面積，且應力很難集中》結果，半導體晶片不容易從 應力緩衝層被剝落。 使用厚度與彈性係數在室溫會改變之應力緩衝層’本 發明之半導體裝置被製造並安裝在安裝基體中，且定出在 一 5 5 °C至1 2 5 °C之範圍內的安裝可靠度。 結果，發現假設應力緩衝層之厚度爲t (um)且在室 溫之彈性係數爲E ( Μ P a )，當厚度與彈性係數之間的 關係滿足以下公式（1): log (t) ^ 0.988 log (E) - 1.515 (1) 安裝可靠度是令人滿意的。以相同方式，當厚度與彈性係 數之間的關係不滿足以下公式（2 ): log (t) ^ -1.063 log (E) + 4.839 (2) (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 7装_ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21 〇 X 297公釐） -12- A7 - ij 3 2 1 B7 五、發明説明（1〇) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 發現當各半導體晶圓欲被獨立地處理時，產生彎曲，且在 電線層形成方法的成型步驟，於半導體晶圓與成型罩之間 產生一間隙，導致成型失敗。 所以，當施加滿足公式（1 )與（2 )之間的關係之 應力緩衝層時，電線層形成方法中的生產速率會增加。 從以上的結果，最好本發明之應力緩衝層的厚度與彈 性係數滿足公式（1 )與（2 )之間的關係。 作爲一晶片保護膜，通常使用聚醯亞胺。然而，如果 膜形成是可能的，對於材料沒有特別的限定。亦可使用具 有感光性之材料。此晶片保護膜亦被形成，使得晶片保護 膜的尾端以相同於應力緩衝層的方式被定位在半導體晶片 之尾端的內側。 使用例如金，銅或鋁之導體，電線層被形成在晶片保 護膜及應力緩衝層上。 經濟部智慧財產局S工消費合作社印製 在電線層與半導體晶片之間形成的導體層中，使用例 如He— Ne雷射，Ar雷射，YAG雷射或碳酸氣體雷 射之雷射，或感光材料，藉著暴光，顯影及蝕刻而形成一 開口。隨後，藉著以導電樹脂塡充開口之方法，碳、石墨 、金、銀、銅、鎳、鍍銀銅或鍍銀玻璃的導電粉末混合於 例如環氧樹脂、矽樹脂或聚醯亞胺樹脂之樹脂黏合劑，或 非電場電鍍方法，或於真空中熱沈積或濺射沈積例如金或 銅的金屬之方法，導電膜形成於開口的內表面上，然後藉 電鍍而形成導電層。 雖然對於外部保護膜沒有特別的限定，通常藉銀幕印 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X297公釐） *13- 59 321 A7 __B7 五、發明説明（U ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 刷除了外部電極及電線層的連接部份之外，形成一組合物 ，無機塡充物混合於有機化合物例如環氧樹脂，聚酿亞胺 樹脂或聚醯胺樹脂中，此有機化合物是在應力緩衝層及電 線層上。在此情形中，可使用給多感光性之材料。以相同 於前述應力緩衝層及晶片保護膜之方式，外部保護膜亦被 形成使得外部保護膜之尾端被定位在半導體晶片之尾端的 內側。 外部電極是一導體，用於電氣地連接至一基體，其上 安裝半導體裝置，具體地說，它是一個由包括鍚、鋅、鉛 、銀、銅或金，或其上塗以金之焊料合金製成的球形電極 。此外，可使用具有由鉬、鎳、銅、鉬、鈦一個以上結合 的合金之構造，或具有兩個以上的多層合金之構造的端子 〇 圖形簡要敘述： 圖1是本發明的一個例子之半導體裝置的剖面圖。 圖2是本發明的另一個例子之半導體裝置的剖面圖。 圖3是本發明的另外一個例子之半導體裝置的剖面圖 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 0 圖4是本發明的更另外一個例子之半導體裝置的剖面 圖。 圖5是本發明的另外一個例子之半導體裝置的剖面圖 〇 圖6是本發明的另外一個例子之半導體裝置的剖面圖 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐）-14 - j 32 \ A7 B7 五、發明説明（12) 圖7是本發明的另外一個例子之半導體裝置的剖面圖 〇 圖8是本發明的另外一個例子之半導體裝置的剖面圖 〇 圖9是本發明的另外一個例子之半導體裝置的剖面圖 〇 圖1 0是本發明的另外一個例子之半導體裝置的剖面 圖。 圖11是比較例（習知例子）之半導體裝置的剖面圖 〇 圖1 2是比較例（習知例子）之半導體裝置的剖面圖 • 一' 4 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -•6. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 符號說明： 1 A 1電極 2 半導體晶片 3 應力緩衝層 4 電線層 5 外部保護膜 6 外部電極 7 半導體晶片 8 晶片保護膜 9 第一電線層 10 地 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐} 321 五、發明説明（13) 11 第二電線層 本發明之詳細敘述： 參見附圖，以下將說明本發明之實施例。 〔實施例1〕 圖1是本發明的一個例子半導體裝置之剖面圖。以如 下所述之方法製備半導體裝置。 表面上形成許多半導體元件及一 A 1電極1之矽半導 體晶圓，在矽半導體晶圓之表面上，在1 5 0°c固化之後 於室溫，使用滾輪疊合器，藉著附著具有1 ο 〇μπι厚度之 未固化乾燥膜，此未固化乾燥膜包括環氧樹脂、鄰甲酚酚 醛淸漆固化劑、丙烯酸系橡膠及矽石塡充物，其具有 3 Ο Ο Ο Μ P a之彈性係數。 接著，在應力緩衝層中，使用碳酸氣體雷射’形成用 於暴露2 Ο Ομιη劃線之4 Ο Ομιη縫隙及具有5 Ομηι的孔 直徑之開口。接著，欲移除A 1電極之表面上的氧化物膜 及A 1電極上雷射處理的殘留物，執行氧電漿蝕刻。接著 ，在具有開口及線性縫隙之應力緩衝層上，沈積厚度爲 500埃之Cr及厚度爲0 . 5μπι之Cu。在上述所得到 的沈積膜上，旋轉塗覆一負感光光阻（Tokyo Oka Co·, Ltd. 之OFPR-N-3000 )，且藉著預烘焙、暴光與顯影而形成具 有1 5 μ m厚度之光阻電線圖案。 接著，藉電鍍在電線圖案內側形成1 〇 μm的c u膜， 1 ----r--r 3 ί (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）_ _ A7

Ob 321 ______B7 __ 五、發明説明（14) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 且藉電鍍其上形成2μτη的N i膜。接著，使用一釋放液體 (N _ 3 〇 3 C )剝落光阻，然後藉過硫酸銨/硫酸溶液 而触刻沈積膜的C u，且額外地藉高錳酸鉀溶液而蝕刻 C r ’且形成一電線層4 „在完成此處理的階段，定出電 線圖案之失敗率。 接著’在具有前述電線層4之波形轉換器（waver )上 ’藉著銀幕印刷而塗覆感光銲料光阻淸漆（Hitachi Kasei 6〇27〇0〇.，1^(1之3尺9000)，且在80°(：乾燥20分 鐘。隨後’使用一預定的圖案而暴光並顯影，且在 1 5 0 t固化一小時，且在電線層上，形成一外部保護膜 5 ’具有一開口，用於連接外部電極，且具有一尾端在與 應力緩衝層之尾端相同的位置。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接著，在電線層4之暴露部份的N i表面上，藉著替 代電鍍而形成具有0 . Ιμπι厚之Au膜。在Au電鍍電線 暴露部份上，使用一金屬罩塗覆焊劑（Sen_iu Kinzoku Co.， Ltd.之Delta焊劑5 3 3 )，且具有0 . 3 5 m m直徑之 S η - A g _ C u系列銲料球被放置在其上，並使用紅外 線回流爐在2 6 0 t被加熱1 0秒鐘，且形成外部電極6 。最後，劃線以0 . 2 m m之厚度被一切割鋸切割，且各 別的半導體被分開，製備出本發明之半導體裝置。 如上所述製備的半導體之外觀檢查的結果，於切割期 間不會產生封裝失敗例如半導體裝置之剝落。 用1 0個上述半導體裝置，執行溫度循環測試（在一 5 5 °C 10 分鐘，且在 125 °C 10 分鐘）1000 本紙張尺度適用中國囤家標準（CNS ) A4規格（2IOX297公釐） -17- 321 A7 B7 五、發明説明（15) 次，且檢查樣品外觀。此外，各半導體裝置被安裝在一安 裝基體上1且執行相同的溫度循環測試1 0 〇 0次，然後 執行電連續性測試。 在比較例1中，晶片與應力緩衝層被沈積在相同的表 面上，在各別溫度循環之後產生剝落較多，另一方面，在 此實施例中，在晶片尾端表面的內側上形成應力緩衝層之 尾端，半導體晶片7與應力緩衝層3之間的介面不會剝落 。在比較例1的半導體裝置中，切割之後的外觀檢查指出 在1 0個受測試之半導體裝置的兩個中，產生在各半導體 裝置之尾端的介面剝落。實施例1至1 2之特性評估結果 表示於表1中。比較例1與2之特性評估結果表示於表4 中。 * ^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) h -6

T -

I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210Χ2ί)7公釐） -18- 2 3 五、發明説明（16) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 實施例 12 8 T—< 1 〇 〇 1 < 1 1.0仙 1 0/10 0/10 0/10 ,0/40 實施例 11 8 1 1 i 3000 1 0/10 1 0/10 0/10 10/10 10/40 實施例 i 10 8 ^―· 1 1000 1 0/10 1 0/10 0/10 6/10 I 0/40 實施例 9 Ο 1 3000 〇 F < 0/10 0/10 0/10 0/10 0/10 8/40 實施例 8 〇 I-Η 〇 寸 〇 1 0/10 0/10 0/10 0/40 .實施例 L_^ 〇 τ—Η § 1 3000 1 0/10 1 0/10 1 10/10 10/40 實施例 6 ο *-Η 1 1000 1 0/10 ' 0/10 6/10 0/40 i實施例 5 ο 1-1 〇 1 3000 〇 1 1 0/10 0/10 1 0/10 0/10 8/40 1 實施例 4 ο τ—^ 〇 ( 1 〇 1—Η - 0/10 1 2/10 0/Ϊ0 1 0/40 1 實施例 3 ο 8 1 1 3000 1 0/10 1 2/10 10/10 I 1 10/40 ； 實施例 2 ο 1—< g 1 1000 1 0/10 1 2/10 6/10 0/40 丨 實施例 1 ο 1 * 8 1 一 1 ;3000 〇 0/10 0/10 1 2/10 0/10 8/40 應力緩衝層 外部保護膜 晶片保護膜 應力緩衝層之彈性係數E(MPa) 應力緩衝層之厚度(# m) 切割後之封裝失敗率(失敗計數/評估計數） 晶片-應力緩衝層 晶片-晶片保護膜 應力緩衝層-晶片保護膜 1 應力緩衝層-外部保護膜 ; 外部保護膜-晶片保護膜 晶片-外部保護膜 Μ !|iin 担 溢 iK 溢 氷 鹽 £ U 應力緩衝層上之電線層圖案失敗(失敗計數/評估 計數） 與晶片端 面之距離 各別TC 之後的介 面剝落失 敗（失敗 謙/評估| 失敗） -----I---Μ---叫d—(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本纸張尺度適用中國國家操準（€奶）六4规格（210/297公嫠} _ 1Q . 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 459321 五、發明説明（17 ) 〔實施例2〕 在與實施例1之相同方法中’使用一 2 Ομπι厚之未固 化乾燥膜在固化之後於室溫下’此未固化乾燥膜包括環氧 樹脂、鄰甲酚酚醛淸漆固化劑、丙烯酸系橡膠及砂石塡充 物，其具有1 〇 0 0 Μ P a之彈性係數，執行與實施例1 相同的評估。在此實施例中’半導體晶片7與應力緩衝層 3之間的介面沒有剝落。另一方面’在比較例1中’在各 別的溫度循環之後，介面被剝落較多。 〔實施例3〕 在與實施例1之相同方法中，使用一 2 Ομιη厚之未固 化乾燥膜在固化之後於室溫下’此未固化乾燥膜包括環氧 樹脂、鄰甲酚酚醛淸漆固化劑 '丙烯酸系橡膠及矽石塡充 物，其具有3 0 0 OMP a之彈性係數，執行與實施例1 相同的評估。 在此實施例中，半導體晶片7與應力緩衝層3之間的 介面沒有剝落。另一方面，在比較例1中，在各別的溫度 循環之後，介面被剝落較多。 〔寳施例4〕 在與實施例1之相同方法中，使用一 1 0 Ομιη厚之未 固化乾燥膜在固化之後於室溫下，此未固化乾燥膜包括環 氧樹脂、鄰甲酚酚醛淸漆固化劑、丙烯酸系橡膠及矽石塡 充物，其具有4 0 0 Μ P a之彈性係數，執行與實施例1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2!0X297公釐） .on - " ----J--t---^衣------訂------飞 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 59 321 A7 ____；_ B7 五、發明説明（18) 相同的評估。 在此實施例中’半導體晶片7與應力緩衝層3之間的 介面沒有剝落。由於在室溫之彈性係數E ( Μ P a )及厚 度t ( μ m )滿足上述公式（1 )與（2 )之間的關係，不 會產生由半導體晶圓之彎曲所引起的電線圖案失敗。應力 緩衝層之緩衝效果是高的，且在安裝之後的溫度循環時之 分離失敗被減少更多。另一方面，在比較例1中，在各別 溫度循環之後，介面被剝落較多。 〔實施例5〕 圖2是本發明之另一半導體裝置之剖面圖。藉由以相 同於實施例1之方法而製備此半導體裝置，且以相同的方 法來評估特性。 在此實施例中，半導體晶片7與應力緩衝層3之間的 介面沒有剝落。當形成外部保護膜之尾端以被定位應力緩 衝層之尾端的內側5 Ο μ m時，改善應力緩衝層與外部保護 膜之間的介面之剝落失敗。藉著本發明之半導體裝置製造 方法，在切割之後不會產生封裝失敗。 〔實施例6〕 在與實施例5之相同方法中，使用一 2 ΟμίΏ厚之未固 化乾燥膜在固化之後於室溫下，此未固化乾燥膜包括環氧 樹脂、鄰甲酚酚醛淸漆固化劑、丙烯酸系橡膠及矽石塡充 物，其具有1 〇 〇 〇 Μ P a之彈性係數，執行與實施例5 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（21 〇 X 297公釐） _ - ---r---；-----装------訂------Λ - / (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 45^9 32 1 t_$ _ 五、發明説明（19) 相同的評估。 在此實施例中，半導體晶片7與應力緩衝層3之間的 介面沒有剝落。當形成外部保護膜之尾端以被定位應力緩 衝層之尾端的內側5 Ο μ m時’改善應力緩衝層與外部保護 膜之間的介面之剝落失敗。 〔實施例7〕 在與實施例5之相同方法中1使用一 1 ◦ 〇 μ m厚之未 固化乾燥膜在固化之後於室溫下’此未固化乾燥膜包括環 氧樹脂、鄰甲酚酚醛淸漆固化劑、丙烯酸系橡膠及矽石塡 充物，其具有3 Ο Ο Ο Μ P a之彈性係數，執行與實施例 5相同的評估。 在此實施例中，半導體晶片7與應力緩衝層3之間的 介面沒有剝落。當形成外部保護膜之尾端以被定位應力緩 衝層之尾端的內側5 Ο μ m時，改善應力緩衝層與外部保護 膜之間的介面之剝落失敗。 〔實施例8〕 在與實施例5之相同方法中，使用一 1 〇 Ομηι厚之未 固化乾燥膜在固化之後於室溫下’此未固化乾燥膜包括環 氧樹脂、鄰甲酚酚醛淸漆固化劑、丙烯酸系橡膠及矽石塡 充物，其具有4 0 0 Μ P a之彈性係數，執行與實施例5 相同的評估。 在此實施例中，半導體晶片7與應力緩衝層3之間的 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) d. 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS } A4規格（210X297公釐） -22- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 469 321 A7 飞 B7 五、發明说明（2〇 ) 介面沒有剝落。當形成外部保護膜5之尾端以被定位應力 緩衝層之尾端的內側5 Ο μ m時，改善應力緩衝層與外部保 護膜之間的介面之剝落失敗。由於在室溫之彈性係數E ( MPa)及厚度t (μπι)滿足上述公式（1)與（2)之 間的關係，不會產生由半導體晶圓之彎曲所引起的電線圖 案失敗。應力緩衝層之緩衝效果是高的，且在安裝之後的 溫度循環時之分離失敗被減少更多。 〔實施例9〕 圖3是本發明之另一半導體裝置之剖面圖。藉由以相 同於實施例1之方法而製備此半導體裝置，且測量特性。 在切割之後前述半導體裝置之外觀的檢查結果，沒有 產生於切割期間之半導體裝置的剝落。 此外，用1 0個上述半導體裝置，執行溫度循環測試 (在一 5 5 °C 1 0分鐘，且在1 2 5 °C 1 0分鐘） 1 0 0 0次，且樣品被切掉，並檢査其剖面。此外，各半 導體裝置被安裝在一安裝基體上，且執行溫度循環測試（ 在一 55°C 10分鐘，且在125 t 10分鐘） 1 0 0 0次，然後執行電連續性測試。 在此實施例中，應力緩衝層3之尾端與外部保護膜5 被形成在晶片端面的內側上，使得在半導體晶片與外部保 護膜之間不會產生剝落。在上述比較例1中，在各別溫度 循環之後產生剝落較多。另一方面，由於形成外部保護膜 以覆蓋應力緩衝層3的尾端，半導體晶片2與應力緩衝層 --------叫d------IT------1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -23- ^ 59 32 1 . , a? B7 五、發明説明（21 ) 3之間的介面，及應力緩衝層3與外部保護膜5之間的介 面沒有剝落。藉著本發明之半導體裝置製造方法’在切割 之後不會產生封裝失敗ϋ 〔實施例1 0〕 在與實施例9之相同方法中，使用一 2 Ο μ m厚之未固 化乾燥膜在固化之後於室溫下’此未固化乾燥膜包括環氧 樹脂、鄰甲酚酚醛淸漆固化劑、丙烯酸系橡膠及矽石塡充 物，其具有1 〇 Ο Ο Μ P a之彈性係數，執行與實施例9 相同的評估。 在此實施例中，應力緩衝層3之尾端與外部保護膜5 被形成在晶片端面的內側上’使得在半導體晶片與外部保 護膜之間不會產生剝落。由於形成外部保護膜以覆蓋應力 緩衝層3的尾端 '半導體晶片2與應力緩衝層3之間的介 面，及應力緩衝層3與外部保護膜5之間的介面沒有剝落 〇 〔實施例1 1〕 在與實施例9之相同方法中，使用一 1 〇 Ομπι厚之未 固化乾燥膜在固化之後於室溫下’此未固化乾燥膜包括環 氧樹脂、鄰甲酚酚醛淸漆固化劑、丙烯酸系橡膠及矽石塡 充物，其具有3 0 0 OMP a之彈性係數，執行與實施例 9相同的評估。 在此實施例中，應力緩衝層3之尾端與外部保護膜5 本紙張尺度適用中國國家標準< CNS ) A4規格（210 X 297公釐）-24 - --；---Ί! Ρ 戈-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) Ί T_ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 4 5 9 32 1 五、發明説明（22 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 被形成在晶片端面的內側上，使得在半導體晶片與外部保 護膜之間不會產生剝落。由於形成外部保護膜以覆盖應力 緩衝層3的尾端，半導體晶片2與應力緩衝層3之間的介 面，及應力緩衝層3與外部保護膜5之間的介而沒有剝落 〔實施例1 2〕 在與實施例9之相同方法中’使用一 1 〇 厚之未 固化乾燥膜在固化之後於室溫下，此未固化乾燥膜包括環 氧樹脂、鄰甲酚酚醛淸漆固化劑、丙烯酸系橡膠及矽石塡 充物，其具有4 0 0 Μ P a之彈性係數，執行與實施例9 相同的評估。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在本發明之此實施例中’應力緩衝層3之尾端與外部 保護膜5被形成在晶片端面的內側上’使得在半導體晶片 與外部保護膜之間不會產生剝落。由於形成外部保護膜以 覆蓋應力緩衝層3的尾端’半導體晶片2與應力緩衝層3 之間的介面，及應力緩衝層3與外部保護膜5之間的介面 沒有剝落。 此外，由於在室溫之彈性係數E ( Μ P a )及厚度t (μ m )滿足上述公式（1 )與（2 )之間的關係’不會產 生由半導體晶圓之彎曲所引起的電線圖案失敗。應力緩衝 層之緩衝效果是高的，且在安裝之後的溫度循環時之分離 失敗被減少更多。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨〇 X 297公釐） -25- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 5 9 3 2 1 A7 ____B7___五、發明説明（23 ) 〔實施例1 3〕 圖4是本發明之另一半導體裝置之剖面圖。藉著以下 之方法而製備此半導體裝置，且測量特性。 一負感光聚醯亞fe 樹脂（Hitachi Kasei Kogyo Co., Ltd 之PL3708) ’被旋轉塗覆在矽半導體晶圓之表面上 ’且在一熱板上於7 5 °C被乾燥1 〇 5秒於9 0 °C被乾燥 1 0 5秒，此矽半導體晶圓具有許多半導體元件及形成在 其表面上的A 1電極1。隨後，使用一預定罩將它暴光， 且再度在熱板上於1 2 5°C被加熱6 0秒，然後在一顯影 劑（Hitachi Kasei Kogyo Co·，Ltd.之 P L 顯影劑 2 N )中被 顯影。 接著’它在3 5 0 °C下於氮氣中被加熱及固化6 〇秒 ，且形成一晶片保護膜8，元件電極及半導體晶片表面在 切割之後被線性地暴光至晶片端面內側1 〇 〇 μ m。 接著，藉濺射飩刻使用A r而移除元件電極之表面上 的A 1氧化物膜，然後厚度5 0 0埃之C r及另外厚度 〇 . 5μηι之Cu被濺射沈積在晶片保護膜8上及暴光部份 表面上以形成一膜。在沈積膜上，一負感光光阻（Tokyo Oka Co., Ltd.之 OF PR — N - 3 0 0 0 )被旋轉塗覆，且 藉著預烘焙、暴光、顯影而形成具有1 5μπι厚度之光阻電 線圖案。 藉電漿在前述電線圖案內側形成一具有1 0 μ m厚度之 C u膜，且形成一第.一電線層9。 接著，在固化之後，於1 8 0 °C使用一滾輪疊合器， (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 45 9 32 1 A7 ____、_ B7 五、發明説明（24 ) 一 1 Ο Ομιη厚之未固化乾燥膜被附著，然後在2 5 0 t被 加熱及固化一小時，且形成一應力緩衝層3 ，此未固化乾 燥膜包括環氧樹脂、鄰甲酚酚醛淸漆固化劑、丙烯酸系橡 膠及矽石塡充物，其具有在室溫下1 〇 〇 OMP a之彈性 係數。在應力緩衝層中1使用碳酸氣體雷射，形成一開口 ’具有5 Ομιη之孔直徑及4 0 Ομιη縫隙，用於暴露 2 0 0 μ m之劃線。 接著，欲移除第一電線層之地1 0的雷射處理之殘留 物，使用高錳酸鹽系列之去污處理液體（Meltex C〇.，Ltd. 之MLB49 7)執行去污處理=以厚度5 0 0埃之A r 與C r ，藉著濺射蝕刻具有開口及線性縫隙之應力緩衝層 3而移除Cu氧化物膜，然後沈積〇 . 5μιη厚之Cu。在 沈積膜上，旋轉塗覆一負感光光阻（Tokyo Oka Co.，Lid,之 OFPR-N—3000)，且藉著預烘焙、暴光與顯影 而形成具有1 5 μηι厚度之光阻電線圖案。 藉電鍍在上述得到的電線圖案內側形成1 0 μ m的C u 膜，且在其上形成2μΐΏ厚的N i膜。接著，使用一釋放液 體（N — 3 0 3 C )剝落光阻，然後藉過硫酸銨/硫酸溶 液而蝕刻沈積膜的C u，且額外地藉高錳酸鉀溶液而蝕刻 C r ，且形成一第二電線層1 1。在完成此處理的階段’ 評估第二電線圖案之失敗率° 接著，在具有第二電線層之波形轉換器（waver )上， 藉著銀幕印刷而塗覆感光銲料光阻淸漆（Hltachi Kasei Kogyo Co.，Ltd 之 S R 9 0 0 0 ) ’ 且在 8 0 °C 乾燥 2 0 分 ----r—^----------IT------1 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) M規格（210X297公釐） -27- 459 32 1 A7 B7 五、發明説明（25 ) 鐘，使用一預定的圖案而暴光並顯影，且在i 5 〇 〇c固化 一小時，且在電線層上，形成一外部保護膜5，具有一開 口，用於連接外部電極，且具有一尾端在與應力緩衝層之 尾端相同的位置。 接著’在電線層3之暴露部份的N i表面上，藉著替 代電鍍而形成具有〇 · ΙμΓη厚之AU膜。在Au電鍍電線 暴露部份上，使用一金屬罩塗覆焊劑（Senjll Kinzoku Co.， Ltd.之Delta焊劑5 3 3 ) ’且具有〇· 3 5mm直徑之 S η - A g - C u系列銲料球被放置在其上，並使用紅外 線回流爐在2 6 0 °C被加熱1 〇秒鐘，且形成外部電極6 。最後’劃線以0 . 2mm之厚度被一切割鋸切割，且各 別的半導體被分開，製備出本發明之半導體裝置。 上述半導體裝置在切割之後之外觀檢査的結果，於切 割期間不會產生封裝失敗例如半導體裝置之剝落。 用1 0個上述半導體裝置，執行溫度循環測試（在-5 5 °C 10 分鐘，且在 125 °C 10 分鐘）1000 次，且檢查樣品外觀。此外，各半導體裝置被安裝在一安 裝基體上，且執行相同的溫度循環測試1 0 0 0次，然後 執行電連續性測試。 在本發明之實施例中，晶片保護膜8之尾端形成在晶 片尾端表面之內側上，半導體晶片7與晶片保護膜8之間 的介面沒有剝落。另一方面，在比較例2中，半導體晶片 7與晶片保護膜8形成在相同表面上，剝落產生較多。在 由比較例2之製造方法所製備的半導體裝置中’切割之後 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > Μ規格（210X297公釐） :n ... n ΙΊ n n-'I n n n - I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 5 9 3 2 1 A7 B7 五、發明説明（26) 的外觀檢查指出在1 〇個受測試之半導體裝置的兩個中， 產生在各半導體裝置之尾端的介面剝落。藉著本發明之半 導體裝置製造方法，在切割之後不會產生封裝失敗。實施 例1 3至2 4之特性評估結果表示於表2中。 ---r--r----装------訂------1 (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0X297公釐） -29- δ 2 3

7 7 A B 五、發明説明（27) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 實施例 24 〇 1 i 1 Μ Ο 寸 g ι1 1 1 I 1 0/10 0/10 0/10 1 0/10 0/40 實施例 23 〇 r—Η 沄 ι 1 3000 I 1 0/10 0/10 0/10 1 10/10 10/40 實施例 ! 22 Ο ι 1 1 泛 1 1 1000 I 1 0/10 0/10 0/10 ! 1 6/10 0/40 實施例 21 g f 1 i 沄 1 > 沄 3000 g τ—* 0/10 ί I o/io 0/10 0/10 i 1 0/10 8/40 1 實施例 20 o r—H 1—1 g ――Η ο 8 1 i 1 0/10 3/10 0/10 1 1 0/10 ' 0/40 ι 實施例 19 o 沄 1 < Ο f—Η 1 3000 ι 1 0/10 3/10 0/10 1 10/10 9/40 實施例 18 o 1—^ 沄 Ο Γ < 1000 1 1 0/10 3/10 0/10 J 5/10 0/40 實施例 ,17 o ι~1 〇 ι—Η Ο τ—Η 3000 o 0/10 1 0/10 3/10 0/10 1 0/10 7/40 ! 實施例 16 o Ο r-i ο ι 1 ο o ι 1 1 0/10 2/10 -1 3/10 1 1 0/10 1 0/40 實施例 15 8 1 1 g g ί—1 3000 1 1 0/10 3/10 1 3/10 : 1 10/10 99/40 實施例 14 8 ι 1 o 8 ι I 1000 1 ) 1 ： ι 0/10 3/10 1 6/10 0/40 實施例 13 o 8 1 < Ο 1 1 3000 ο 0/10 1 0/10 3/10 3/10 ! 0/i0 8/40 應力緩衝層 外部保護膜 晶片保護膜 應力緩衝層之彈性係數E(MPa) 應力緩衝層之厚度(# m) 切割後之封裝失敗率(失敗計數/評估計數） 晶片-應力緩衝層 晶片-晶片保護膜 應力緩衝層-晶片保護膜 應力緩衝層-外部保護膜 外部保護膜-晶片保護膜 晶片-外部保護膜 安裝TC之後的分離失敗(失敗計數/W估計數） 應力緩衝層上之電線層圖案失敗(失敗計數/評估 計數） 與晶片端 面之距離 各別TC 之後的介 面剝落失 敗（失敗 計數/評估 失敗） 1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁〕 .專 r 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（2丨ΟΧ；297公釐） -30- 4 59 32 1 , A7 __B7 五 '發明説明（28 ) 〔實施例1 4〕 以相同於實施例1 3之方法製備半導體裝置。在此情 形中，在固化之後於1 8 0 °C使用滾輪疊合器然後在 2 5 0 °C將其加熱並固化，藉著附著一 2 Ομιη厚之未固化 乾燥膜而形成一應力緩衝層，此未固化乾燥膜包括環氧樹 脂 '鄰甲酹酚醛淸漆固化劑、丙烯酸系橡膠及矽石塡充物 ，其具有在室溫1 〇 〇 ◦ Μ P a之彈性係數。執行與實施 例1 3相同的特性評估。 在此實施例中’晶片保護膜8的尾端形成在晶片端面 之內側上，半導體晶片7與應力緩衝層3之間的介面沒有 剝落。 〔實施例1 5〕 以相同於實施例1 3之方法製備半導體裝置。在此情 形中，在切割之後於1 8 0 °C使用滾輪疊合器然後在 2 5 0 °C將其加熱並固化，藉著附著一 2 Ομηι厚之未固化 乾燥膜而形成一應力緩衝層’此未固化乾燥膜包括環氧樹 脂、鄰甲酚酚醛淸漆固化劑、丙烯酸系橡膠及矽石塡充物 ，其具有在室溫3 0 0 0 Μ P a之彈性係數。執行與實施 例1 3相同的特性評估。 雖然在上述比較例2中，剝落產生較多，在此實施例 中，晶片保護膜8的尾端形成在晶片端面之內側上’半導 體晶片7與應力緩衝層3之間的介面沒有剝落。 -31 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇 X撕公董） 459321 五、發明説明（29 ) 〔實施例1 6〕 以相同於實施例1 3之方法製備半導體裝置。在此情 形中，在切割之後於1 8 0 °C使用滾輪疊合器然後在 2 5 0 °C將其加熱並固化，藉著附著一 1 〇 Ομπι厚之未固 化乾燥膜而形成一應力緩衝層，此未固化乾燥膜包括環氧 樹脂、鄰甲酚酣醛淸漆固化劑、丙烯酸系橡膠及矽石塡充 物，其具有在室溫1 〇 ◦ 〇 Μ P a之彈性係數。執行與實 施例1 3相同的特性評估。 在本發明之此實施例中，晶片保護膜8的尾端形成在 晶片端面之內側上，半導體晶片7與應力緩衝層3之間的 介面沒有剝落。此外，由於在室溫之彈性係數E ( Μ P a )及厚度t ( μ m )滿足上述公式（1 )與（2 )之間的關 係，不會產生由半導體晶圓之彎曲所引起的電線圖案失敗 。應力緩衝層之緩衝效果是高的，且在安裝之後的溫度循 環時之分離失敗被減少更多。 〔實施例1 7〕 圖5是本發明之另一半導體裝置之剖面圖。藉著以下 之方法而製備此半導體裝置。 一負感光聚醒亞胺樹脂（Hitachi Kasei Kogyo Co.，Ltd. 之PL 3 7 0 8 )，被旋轉塗覆在矽半導體晶圓之表面上 ，且在一熱板上於7 5 °C被乾燥1 0 5秒於9 0 °C被乾燥 1 0 5秒，此矽半導體晶圓具有許多半導體元件及形成在 其表面上的A 1電極1 ，使用一預定罩將它暴光，且再度 i----叫穿-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ,τ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Μ規格（210X297公釐） -32- A7 B7 9 321 五、發明説明（30) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在熱板上於1 2 5 °C被加熱6 0秒’然後在一顯影劑（ Hitachi Kasei Kogyo Co.，Ltd.之 P L 顯影劑 2 N )中被顯影 。接著，它在3 5 0°C下於氮氣中被加熱及固化6 0秒’ 且形成一晶片保護膜8 ，半導體晶片表面在切割之後被線 性地暴光至晶片端面內側1 0 0 μ m，且在切割之後形成晶 片端面。接著，藉濺射蝕刻使用A r而移除元件電極之表 面上的A 1氧化物膜，然後厚度5 0 0埃之C r及另外厚 度0 . 5μιη之Cu被濺射沈積在晶片保護膜8上及暴光部 份表面上以形成一膜。在沈積膜上，一負感光光阻（Tokyo Oka Co.，Ltd.之 OF PR — N — 3 0 0 0 )被旋轉塗覆，且 藉著預烘焙、暴光、顯影而形成具有1 5 μ m厚度之光阻電 線圖案。藉電漿在前述電線圖案內側形成一具有1 0 μ m厚 度之C u膜，且形成一第一電線層9。 ' 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接著，在固化之後，於1 8 0°C使用一滾輪疊合器， 一 1 0 Ομηι厚之未固化乾燥膜被附著，然後在2 5 被 加熱及固化一小時，且形成一應力緩衝層3，此未固化乾 燥膜包括環氧樹脂、鄰甲酚酚醛淸漆固化劑、丙烯酸系橡 膠及矽石塡充物，其具有在室溫下1 0 0 0 Μ P a之彈性 係數：在應力緩衝層中，使用碳酸氣體雷射，形成一開口 ，具有5 Ομπι之孔直徑及4 0 Ομπι縫隙，用於暴露 2 0 0 μ m之劃線。 接著，欲移除第一電線層之地1 0的雷射處理之殘留 物，使用高錳酸鹽系列之去污處理液體（Meltex Co.，Ltd, 之M L B 4 9 7 )執行去污處理。以A r濺射蝕刻具有開 -33- 本紙張尺度適用中國國家榇準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） A7 B7 d D 9 321 五、發明説明（31) 口及線性縫隙之應力緩衝層3而移除C u氧化物膜，然後 織射沈積5 0 0 埃厚之Cr及0.5μm厚之Cut^在沈積 膜上，旋轉塗覆一負感光光阻（Tokyo Oka Co.，Ltd.之 OFPR-N-3000) ’且藉著預烘焙、暴光與顯影 而形成具有1 5μιτι厚度之光阻電線圖案。 接著’藉電鍍在上述得到的電線圖案內側形成1 〇 μ m 的C u膜’且在其上形成2μΓη厚的N i膜。接著，使用一 釋放液體（N_ 3 0 3 C )剝落光阻，然後藉過硫酸銨/ 硫酸溶液而蝕刻沈積膜的C u，且額外地藉高錳酸鉀溶液 而蝕刻C r，且形成一第二電線層1 1。 在完成此處理的階段，評估第二電線圖案之失敗率。 接著，藉著銀幕印刷而塗覆感光銲料光阻淸漆（ Hitachi Kasei Kogyo Co.，Ltd 之 S R 9 ◦ 0 0 )，且在 8 0 t乾燥2 0分鐘，使用一預定的圖案而暴光並顯影， 且在1 5 0 °C固化一小時，且在電線層上，形成一外部保 護膜5 ，具有一開口，用於連接外部電極，且具有一尾端 應力緩衝層之端面內側5 0 μ m。接著，在電線層3之暴露 部份的N i表面上，藉著替代電鍍而形成具有〇 . 1 μ m厚 之A u膜。在A u電鍍電線暴露部份上，使用一金屬罩塗 覆焊劑（Senju Kinzoku Co., Ltd.之 Delta焊劑 5 3 3 )，且 具有0 . 3 5111111直徑之311-厶运一（：11系列銲料球被 放置在其上，並使用紅外線回流爐在2 6 0 °C被加熱1 〇 秒鐘，且形成外部電極6。最後，劃線以0 . 2 m m之厚 度被一切割鋸切割，且各別的半導體被分開’製備出本發 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

Δ 59 321 . 五、發明説明（32 ) 明之半導體裝置。 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁} 上述半導體裝置在切割之後之外觀檢查的結果，於切 割期間不會產生封裝失敗例如半導體裝置之剝落。 〔實施例1 8〕 以相同於實施例1 7之方法製備半導體裝置。在此情 形中，在切割之後於1 8 0 °C使用滾輪疊合器然後在 2 5 0 °C將其加熱並固化一小時，藉著附著一 2 Ο μ m厚之 未固化乾燥膜而形成一應力緩衝層，此未固化乾燥膜包括 環氧樹脂、鄰甲酚酚醛淸漆固化劑' 丙烯酸系橡膠及矽石 塡充物，其具有在室溫1 〇 〇 〇 MP a之彈性係數。執行 與實施例1 7相同的特性評估。 在本發明之此實施例中，晶片保護膜8的尾端形成在 晶片端面之內側上，半導體晶片7與晶片保護膜8之間的 介面沒有剝落。由於在應力緩衝層3之尾端的內側上形成 外部保護膜5，應力緩衝層3與外部保護膜5之間的介面 中沒有產生剝落失敗。 經濟部智慧財產局S工消費合作社印製 〔實施例1 9〕 以相同於實施例1 7之方法製備半導體裝置。在此情 形中，在切割之後於1 8 0 °C使用滾輪疊合器然後在 2 5 0 °C將其加熱並固化一小時，藉著附著一 2 Ο μ m厚之 未固化乾燥膜而形成一應力緩衝層，此未固化乾燥膜包括 環氧樹脂、鄰甲酚酚醛淸漆固化劑、丙烯酸系橡膠及矽石 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2!0X297公釐） 五、發明説明（33 ) 塡充物，其具有在室溫3 0 0 〇 Μ P a之彈性係數。執行 與實施例1 7相同的特性評估。 在本發明之此實施例中，晶片保護膜8的尾端形成在 晶片端面之內側上，半導體晶片7與晶片保護膜8之間的 介面沒有剝落。由於在應力緩衝層3之尾端的內側上形成 外部保護膜5，應力緩衝層3與外部保護膜5之間的介面 中沒有產生剝落失敗。 〔實施例2 0〕 以相同於實施例1 7之方法製備半導體裝置。在此情 形中，在切割之後於1 8 0 °C使用滾輪疊合器然後在 2 5 0 °C將其加熱並固化一小時，藉著附著一 2 Ομιη厚之 未固化乾燥膜而形成一應力緩衝層，此未固化乾燥膜包括 環氧樹脂、鄰甲酚酚醛淸漆固化劑、丙烯酸系橡膠及矽石 塡充物，其具有在室溫4 0 0 Μ P a之彈性係數。執行與 實施例1 7相同的特性評估。 在本發明之此實施例中，晶片保護膜8的尾端形成在 晶片端面之內側上，半導體晶片7與晶片保護膜8之間的 介面沒有剝落。由於在應力緩衝層3之尾端的內側上形成 外部保護膜5，應力緩衝層3與外部保護膜5之間的介面 中沒有產生剝落失敗。此外，由於在室溫之彈性係數E ( MPa)及厚度t (μπι)滿足上述公式（1)與（2)之 間的關係，不會產生由半導體晶圓之彎曲所引起的電線圖 案失敗。應力緩衝層之緩衝效果是高的，且在安裝之後的 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本買) 装. 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） -36- - n d 3 2 ^ . . A7 B7 五、發明説明（34 ) 溫度循環時之分離失敗被減少更多。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 〔實施例2 1〕 圖6是本發明之另一半導體裝置之剖面圖。藉著以下 之方法而製備此半導體裝置。 首先，形成第一電線層9之處理是與實施例1 3相同 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接著，在切割之後於9 0 °C使用一滾輪疊合器，一未 固化感光乾燥膜被附著，此未固化感光乾燥膜具有 1 Ο Ομιη之厚度，由環氧樹脂、鄰甲酚酚醛淸漆固化劑、 睛丁二烯橡膠、光氧化劑 '增敏劑及矽石塡充物，其具有 在室溫下3 0 0 OMP a之彈性係數。隨後，欲暴露在切 割時是一切割線之劃線及第一電線層之地1 0 ，使用一預 定罩暴光，使用半水系統之鹼性顯影劑顯影，然後在 1 8 0 °C加熱並固化一小時。然後，形成應力緩衝層3 ， 使得在第一電線層之地1 0中形成具有5 0 μ m孔直徑之開 口，且應力緩衝層3之尾端形成在切割後的晶片端面內側 1 0 0 μ m及晶片保護膜8內側5 0 μ m。 接著，欲移除第一電線層之地1 0的架中之殘留物， 使用高錳酸鹽系列之去污處理液體（Meltex Co.，Ltd.之 M L B 4 9 7 )執行去污處理。接著，以A r濺射蝕刻具 有開口及線性縫隙之應力緩衝層3而移除C u氧化物膜， 然後濺射沈積500埃厚之Cr及〇 . 5μηι厚之Cu。 在沈積膜上，旋轉塗覆一負感光光阻（Tokyo Oka Co·, 本紙張尺度適用中國國家樣準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -37- 4 b 9 3 2 t A7 B7 五、發明説明（35 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

Ltd.之OFPR — N— 3000)，且藉著預烘焙、暴光與 顯影而形成具有1 5μιη厚度之光阻電線圖案。藉電鍍在上 述得到的電線圖案內側形成1 Ο μ m的C u膜，且藉電鍍在 其上形成2μΐΉ厚的N i膜。使用一釋放液體（ N - 3 0 3 C )剝落光阻，然後藉過硫酸銨/硫酸溶液而 蝕刻沈積膜的C u，且額外地藉高錳酸鉀溶液而蝕刻C r ，且形成·一第二電線層1 1。 在完成此處理的階段，評估第二電線圖案之失敗率。 接著，藉著銀幕印刷而塗覆感光銲料光阻淸漆（ Hitachi Kasei Kogyo Co.，Ltd 之 SR9000)，且在 8 0°C乾燥2 0分鐘，使用一預定的圖案而暴光並顯影， 且在1 5 0 °C固化一小時，且在電線層上，形成一外部保 護膜5 ，具有一開口，用於連接外部電極，且具有一尾端 應力緩衝層之端面內側5 0 μ m。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接著，在電線層3之暴露部份的N i表面上，藉著替 代電鍍而形成具有0 . ΙμΐΏ厚之Au膜。在Au電鍍電線 暴露部份上，使用一金屬罩塗覆焊劑（Senuu Kinzoku Co.， Ltd.之Delta焊劑533)，且具有0.35mm直徑之 S η — A g _ C u系列銲料球被放置在其上，並使用紅外 線回流壚在2 6 0 °C被加熱1 〇秒鐘，且形成外部電極6 。最後，劃線以0 2 m m之厚度被一切割鋸切割，且各 別的半導體被分開，製備出本發明之半導體裝置。 上述半導體裝置在切割之後之外觀檢查的結果’於切 割期間不會產生封裝失敗例如半導體裝置之剝落。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)八4規格（210X297公釐} -38- A7 j9 321 .__E_— 五、發明説明（36) 用1 〇個上述半導體裝置，執行溫度循環測試（在〜 5 5 °C 10 分鐘，且在 125 °C 1〇 分鐘）1000 次，且檢查樣品外觀。此外’各半導體裝置被安裝在一安 裝基體上，且執行相同的溫度循環測試1 0 0 0次，然後 執行電連續性測試。 在本發明之實施例中，晶片保護膜8之尾端形成在晶 片尾端表面之內側上，半導體晶片7與晶片保護膜8之間 的介面沒有剝落。由於外部保護膜5之尾端形成在應力緩 衝層3之尾端上，在應力緩衝層3與外部保護膜5之間中 的介面不會產生剝落失敗。此外，由於應力緩衝層3形成 在晶片保護膜8的內側上，在應力緩衝層3與晶片保護膜 8之間的介面沒有產生剝落失敗。 在由比較例2之製造方法所製備的半導體裝置中，切 割之後的外觀檢查指出在1 0個受測試之半導體裝置的兩 個中，產生在各半導體裝置之尾端的介面剝落。然而，藉 著本發明之半導體裝置製造方法，在切割之後不會產生封 裝失敗。 〔實施例2 2〕 藉由與實施例2 1相同之方法製備半導體裝置。在此 情形中，於固化之後藉由一 2 Ο μ m厚之未固化感光乾燥膜 而形成應力緩衝層，，此未固化感光乾燥膜包括環氧樹脂 、鄰甲酚酚醛淸漆固化劑、睛丁二烯橡膠、光氧化劑、增 敏劑及矽石塡充物，其具有在室溫下1 0 〇 〇MP a之彈 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. ’，-ιτ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -39- 4 59 32 1_Z_ 五、發明説明（37 ) 性係數。執行與實施例2 1相同的評估。 {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在此實施例中，晶片保護膜8之尾端形成在晶片端面 的內側上，半導體晶片7與晶片保護膜8之間的介面沒有 剝落。由於外部保護膜5之尾端形成在應力緩衝層3之尾 端上，在應力緩衝層3與外部保護膜5之間中的介面不會 產生剝落失敗。此外，由於應力緩衝層3形成在晶片保護 膜8的內側上，在應力緩衝層3與晶片保護膜8之間的介 面沒有產生剝落失敗。 〔實施例2 3〕 藉由與實施例21相同之方法製備半導體裝置。在此 情形中，於固化之後藉由一 2 Ομιη厚之未固化感光乾燥膜 而形成應力緩衝層，，此未固化感光乾燥膜包括環氧樹脂 、鄰甲酚酚醛淸漆固化劑、睛丁二烯橡膠、光氧化劑、增 敏劑及矽石塡充物，其具有在室溫下3 0 0 OMP a之彈 性係數。執行與實施例2 1相同的評估。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在此實施例中’晶片保護膜8之尾端形成在晶片端面 的內側上，半導體晶片7與晶片保護膜8之間的介面沒有 剝落。由於外部保護膜5之尾端形成在應力緩衝層3之尾 端上，在應力緩衝層3與外部保護膜5之間中的介面不會 產生剝落失敗。此外’由於應力緩衝層3形成在晶片保護 膜8的內側上，在應力緩衝層3與晶片保護膜8之間的介 面沒有產生剝落失敗。 本紙張尺度通用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） -40- 4〇y321 五、發明説明（38) 〔實施例2 4〕 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 藉由與實施例2 1相同之方法製備半導體裝置。在此 情形中，於固化之後藉由一 2 Ο μ m厚之未固化感光乾燥膜 而形成應力緩衝層，，此未固化感光乾燥膜包括環氧樹脂 、鄰甲酚酚醛淸漆固化劑、睛丁二烯橡膠、光氧化劑、增 敏劑及矽石塡充物，其具有在室溫下4 Ο Ο Μ P a之彈性 係數。執行與實施例2 1相同的評估。 在此實施例中，沒有剝落失敗產生於半導體晶片7與 晶片保護膜8之間的介面，及應力緩衝層3與外部保護膜 5之間的介面。 在本發明之此實施例中，晶片保護膜8的尾端形成在 晶片端面之內側上，半導體晶片7與晶片保護膜8之間的 介面沒有剝落。此外，由於應力緩衝層3形成於晶片保護 膜8的內側上，沒有剝落失敗產生於應力緩衝層3與晶片 保護膜8之間的介面。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此外，由於在室溫之彈性係數E ( Μ P a )及厚度t (μ m )滿足上述公式（1 )與（2 )之間的關係，不會產 生由半導體晶圓之彎曲所引起的電線圖案失敗。應力緩衝 層之緩衝效果是高的，且在安裝之後的溫度循環時之分離 失敗被減少更多。 〔實施例2 5〕 圖7是本發明之另一半導體裝置的剖面圖。藉由以下 方來製備此半導體裝置。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2Η)Χ297公釐） -41 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ? 9 32 1 a? __^ B7五、發明説明（39) 首先，以相同於實施例1 3之方法製備一電線基體。 在完成此處理的階段，評估第二電線圖案之失敗率。 接著，在具有第二電線層之波形轉換器（waver )上， 藉著銀幕印刷而塗覆感光銲料光阻淸漆（Hitachi Kasei 1(〇”〇(：〇.,1^之3尺9000)，且在80°(：乾燥20分 鐘，使用一預定的圖案而暴光並顯影，且在1 5 0 °C固化 一小時。然後，在電線層上，形成一外部保護膜5 ，具有 一開口，用於連接外部電極，且具有一尾端在應力緩衝層 之尾端內側5 Ο μ m。 接著，在電線層3之暴露部份的N i表面上，藉著替 代電鍍而形成具有0 . Ιμπι厚之Au膜。在Au電鍍電線 暴露部份上，使用一金屬罩塗覆焊劑（Senju Kinzoku Co., Ltd.之Delta焊劑533)，且具有0 . 35mm直徑之 S η - A g - C u系列銲料球被放置在其上，並使用紅外 線回流爐在2 6 0 °C被加熱1 〇秒鐘，且形成外部電極6 。最後，劃線以0 2 m m之厚度被一切割鋸切割，且各 別的半導體被分開，製備出本發明之半導體裝置。 上述半導體裝置在切割之後之外觀檢查的結果，於切 割期間不會產生封裝失敗例如半導體裝置之剝落。 用1 0個上述半導體裝置，執行溫度循環測試（在-55 °C 10 分鐘，且在 125 °C 10 分鐘）1000 次，且檢查樣品外觀。此外，各半導體裝置被安裝在一安 裝基體上，且執行相同的溫度循環測試1 0 0 〇次，然後 執行電連續性測試。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ 4〇 _~ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) Λ59321 A7 B7 五、發明説明（40 ) 在本發明之實施例中，晶片保護膜8之尾端形成在晶 片尾端表面之內側上’半導體晶片7與晶片保護膜8之間 的介面沒有剝落。由於外部保護膜5之尾端形成在應力緩 衝層之尾端的內側上’沒有剝落失敗產生於應力緩衝層3 與外部保護膜5之間的介面。由於外部保護膜5之尾端形 成在應力緩衝層3之尾端的內側上’沒有剝落失敗產生於 應力緩衝層3與外部保護膜5之間的介面。此外’由於晶 片保護膜8之尾端形成在應力緩衝層3之內側上’沒有剝 落失敗產生於應力緩衝層3與晶片保護膜8之間的介面’ 及半導體晶片7與晶片保護膜8之間的介面。藉著本發明 之半導體裝置製造方法，在切割之後不會產生封裝失敗。 實施例2 5至3 6之特性評估結果表示於表3中。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )八4規格（2!0Χ297公釐） -43- 459321 五、發明説明（42) 〔實施例2 6〕 以相同於實施例2 5之方法製備半導體裝置。在此情 形中，在固化之後於1 8 0°C使用滾輪疊合器藉著附著一 2 Ομηι厚之未固化乾燥膜而形成一應力緩衝層，然後在 2 _ 5 0 °C將其加熱並固化，此未固化乾燥膜包括環氧樹脂 、鄰甲酚酚醛淸漆固化劑、丙烯酸系橡膠、聚醯亞胺樹脂 及矽石塡充物，其具有在室溫1 0 0 OMP a之彈性係數 。執行與實施例2 5相同的特性評估。 在此實施例中，晶片保護膜8的尾端彤成在晶片端面 之內側上，半導體晶片7與晶片保護膜8之間的介面沒有 剝落。由於外部保護膜5之尾端形成在應力緩衝層之尾端 的內側上，沒有剝落失敗產生於應力緩衝層3與外部保護 膜5之間的介面。由於外部保護膜5之尾端形成在應力緩 衝層3之尾端的內側上，沒有剝落失敗產生於應力緩衝層 3與外部保護膜5之間的介面。此外，由於晶片保護膜8 之尾端形成在應力緩衝層3之內側上，沒有剝落失敗產生 於應力緩衝層3與晶片保護膜8之間的介面，及半導體晶 片7與晶片保護膜8之間的介面。 〔實施例2 7〕 以相同於實施例2 5之方法製備半導體裝置。在此情 形中，在固化之後於1 8 0 t使用滾輪疊合器藉著附著一 2 0 μ m厚之未固化乾燥膜而形成一應力緩衝層，然後在 2 5 0 °C將其加熱並固化，此未固化乾燥膜包括環氧樹脂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐} _ 45 - ^^^1 ^^^1 m^i —^ϋ ^^^1 m (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、^1 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 A 32 1 _Β7_ 五、發明説明（43 ) 、鄰甲酚酚醛淸漆固化劑、丙烯酸系橡膠、聚醯亞胺樹脂 及矽石塡充物，其具有在室溫1 0 0_ Ο Μ P a之彈性係數 。執行與實施例2 5相同的特性評估。 在此實施例中，沒有剝落失敗產生於半導體晶片7與 晶片保護膜8之間的介面，及應力緩衝層3與外部保護膜 5之間的介面。此外，由於晶片保護膜8之尾端形成在應 力緩衝層3之內側上，沒有剝落失敗產生於應力緩衝層3 與晶片保護膜8之間的介面，及半導體晶片7與晶片保護 膜8之間的介面。 〔實施例2 8〕 以相同於實施例2 5之方法製備半導體裝置。在此情 形中’在固化之後於1 8 0 C使用滾輪疊合器藉者附著一' 2 Ο μ m厚之未固化乾燥膜而形成一應力緩衝層，然後在 2 5 0 °C將其加熱並固化，此未固化乾燥膜包括環氧樹脂 、鄰甲酚酚醛淸漆固化劑 '丙烯酸系橡膠、聚醯亞胺樹脂 及矽石塡充物，其具有在室溫4 Ο Ο Μ P a之彈性係數。 執行與實施例2 5相同的特性評估。 在此實施例中，沒有剝落失敗產生於半導體晶片7與 晶片保護膜8之間的介面’及應力緩衝層3與外部保護膜 5之間的介面。此外，由於晶片保護膜8之尾端形成在應 力緩衝層3之內側上，沒有剝落失敗產生於應力緩衝層3 與晶片保護膜8之間的介面，及半導體晶片7與晶片保護 膜8之間的介面。 I. .1 ----- - - ---- :—^1 I ^^1 ^^1 ^^1 -! ^^1 —^1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本I ) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X297公釐） -46- 4 5 9 321 ^ B7 五、發明説明（44) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 由於在室溫之彈性係數E ( Μ P a )及厚度t ( μ m ) 滿足上述公式（1 )與（2 )之間的關係’不會產生由半 導體晶圓之彎曲所引起的電線圖案失敗。應力緩衝層之緩 衝效果是高的，且在安裝之後的溫度循環時之分離失敗被 減少更多。 〔實施例2 9〕 圖8是本發明之另一半導體裝置之剖面圖。藉著以下 之方法而製備此半導體裝置。 形成第一電線層9之處理是與實施例1 3相同。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接著，在切割之後於9 0 °C使用一滾輪疊合器’—未 固化感光乾燥膜被附著，此未固化感光乾燥膜具有 1 Ο Ομιη之厚度，由環氧樹脂、鄰甲酚酚醛淸漆固化劑、 睛丁二烯橡膠、光氧化劑、增敏劑及矽石塡充物，其具有 在室溫下3 0 0 0 Μ P a之彈性係數。隨後’欲暴露在切 割時是一切割線之劃線及第一電線層之地1 〇 ’使用一預 定罩暴光，使用半水系統之鹼性顯影劑顯影。額外地’在 1 8 0 °C加熱並固化一小時，且形成應力緩衝層3 ’使得 在第一電線層之地1 〇中形成具有5 0 μ m孔直徑之開口’ 且應力緩衝層3之尾端形成在切割後的晶片端面內側 1 0 0 μ m及晶片保護膜8內側5 0 μ m。 接著，欲移除第一電線層之地1 0的架中之殘留物’ 使用高錳酸鹽系列之去污處理液體（Meltex Co.，Ltd.之 M L B 4 9 7 )執行去污處理。接著，以A r濺射蝕刻具 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -47- A 59 32 1 _ 五、發明説明（45) (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 有開口及線性縫隙之應力緩衝層3而移除C u氧化物膜， 然後濺射沈積500埃厚之Cr及〇· 5μιτι厚之Cu。在 沈積膜上，旋轉塗覆一負感光光阻（Tokyo Oka Co.，Ltd.之 OFPR-N-3000)，且藉著預烘焙、暴光與顯影 而形成具有1 5 μ m厚度之光阻電線圖案。 接著，藉電鍍在上述得到的電線圖案內側形成1 〇 μ m 的C u膜，且藉電鍍在其上形成2 μ m厚的N i膜。使用一 釋放液體（N - 3 0 3 C )剝落光阻，然後藉過硫酸銨/ 硫酸溶液而蝕刻沈積膜的C u ，且額外地藉高錳酸鉀溶液 而蝕刻C r ，且形成一第二電線層1 1。在完成此處理的 階段，評估第二電線圖案之失敗率。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接著，藉著銀幕印刷而塗覆感光銲料光阻淸漆（ Hitachi Kasei Kogyo Co.，Ltd 之 SR9000)，且在 8 0°C乾燥2 0分鐘，使用一預定的圖案而暴光並顯影， 且在1 5 0 t固化一小時。然後，在電線層上，形成一外 部保護膜5，具有一開口，用於連接外部電極，覆蓋應力 緩衝層之端面，且具有一尾端在與切割後之晶片端面內側 5 0 μ m的晶片保護膜8相同之位置。 接著，在電線層3之暴露部份的N i表面上，藉著替 代電鍍而形成具有0 . Ιμηι厚之Au膜。在Au電鍍電線 暴露部份上，使用一金屬罩塗覆焊劑（Senju Kinzoku Co.， Ltd.之Delta焊劑533)，且具有〇.35mm直徑之 S η — Ag — C u系列銲料球被放置在其上，並使用紅外 線回流爐在2 6 0 °C被加熱1 0秒鐘’且形成外部電極6 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X297公釐） -48- A7 j 3 2 1 _B7 五、發明説明（46) 。最後，劃線以Ο . 2 m m之厚度被一切割鋸切割，且各 別的半導體被分開，製備出本發明之半導體裝置。 上述半導體裝置在切割之後之外觀檢查的結果，於切 割期間不會產生封裝失敗例如半導體裝置之剝落。此外， 使用半導體裝置，在其被安裝在一安裝基體上之後，分別 執行與上述相同的溫度循環測試1 0 0 0次，然後執行電 連續性測試。 在此實施例中，沒有剝落失敗產生於半導體晶片7與 晶片保護膜8之間的介面，及應力緩衝層3與晶片保護膜 8之間的介面。藉著本發明之半導體裝置製造方法，在切 割之後不會產生封裝失敗。 〔實施例3 0〕 藉由與實施例2 9相同之方法製備半導體裝置。在此 情形中，於切割之後藉由一 2 Ο μ m厚之未固化感光乾燥膜 而形成應力緩衝層，，此未固化感光乾燥膜包括環氧樹脂 、鄰甲酚酚醛淸漆固化劑、睛丁二烯橡膠、光氧化劑、增 敏劑及矽石塡充物，其具有在室溫下1 0 0 OMP a之彈 性係數。執行與實施例2 1相同的評估。在此實施例中， 沒有剝落失敗產生於半導體晶片7與晶片保護膜8之間的 介面，及應力緩衝層3與晶片保護膜8之間的介面。 〔實施例3 1〕 藉由與實施例2 9相同之方法製備半導體裝置。在此 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 装- 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4規格（210 Χ 297公釐） -49- v A7 △ 5 9 321 __b7 五、發明説明（47 ) 情形中，於切割之後藉由一 2 0 pm厚之未固化感光乾燥膜 而形成應力緩衝層’’此未固化感光乾燥膜包括環氧樹脂 、鄰甲酣酚醛淸漆固化劑、睛丁二烯橡膠、光氧化劑、增 敏劑及矽石塡充物’其具有在室溫下3 〇 〇 〇MP a之彈 性係數。執行與實施例2 9相同的評估。 在此實施例中’晶片保護膜8之尾端形成在晶片端面 的內側上，半導體晶片7與晶片保護膜8之間的介面沒有 剝落。此外，由於應力緩衝層3形成在晶片保護膜8的內 側上，在應力緩衝層3與晶片保護膜8之間的介面沒有產 生剝落失敗。 . 〔實施例3 2〕 藉由與實施例2 9相同之方法製備半導體裝置。在此 情形中，於切割之後藉由一2 Ο μ m厚之未固化感光乾燥膜 而形成應力緩衝層’，此未固化感光乾燥膜包括環氧樹脂 、鄰甲酚酚醛淸漆固化劑、睛丁二烯橡膠、光氧化劑、增 敏劑及矽石塡充物’其具有在室溫下4 ◦ 〇MP a之彈性 係數。執行與實施例2 9相同的評估。 在此實施例中，沒有剝落失敗產生於半導體晶片7與 晶片保護膜8之間的介面，及應力緩衝層3與晶片保護膜 8之間的介面。此外’由於在室溫之彈性係數E ( M P a )及厚度t (μΐΒ)滿足上述公式（1 )與（2 )之間的關 係，不會產生由半導體晶圓之彎曲所引起的電線圖案失敗 。應力緩衝層之緩衝效果是高的，且在安裝之後的溫度循 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210 X 297公釐）_ 5〇 _ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

tx D 9 321 Α7 Β7 五、發明説明（48) 環時之分離失敗被減少更多。 -----Λ--'J---叫-装-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 〔實施例3 3〕 圖9是本發明之另一半導體裝置的剖面圖。藉由以下 方來製備此半導體裝置。 直到形成第一電線層9之前的處理是與實施例1 3相 同。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接著，在切割之後於9 0 °C使用一滾輪疊合器’一未 固化感光乾燥膜被附著’此未固化感光乾燥膜具有 1 Ο Ο μ m之厚度，由環氧樹脂、鄰甲酚酚醛淸漆固化劑、 睛丁二烯橡膠、光氧化劑、增敏劑及矽石塡充物’其具有 在室溫下3 0 0 OMP a之彈性係數。隨後’欲暴露在切 割時是一切割線之劃線及第一電線層之地1 0 ’使用一預 定罩暴光，使用半水系統之鹼性顯影劑顯影，然後在 1 8 0 °C加熱並固化一小時。然後，形成應力緩衝層3 ’ 使得在第一電線層之地1 0中形成具有5 Ο μ ni孔直徑之開 口，且應力緩衝層3之尾端形成在切割後的晶片端面內側 1 Ο Ο μ m及晶片保護膜8內側5 Ο μ m。 接著，欲移除第一電線層之地1 0的架中之殘留物1 使用高錳酸鹽系列之去污處理液體（Meltex Co., Ltd.之 M L B 4 9 7 )執行去污處理。接著，以A r濺射蝕刻具 有開口及線性縫隙之應力緩衝層3而移除C u氧化物膜， 然後濺射沈積5 0 0埃厚之C r及〇 . 5 μ m厚之C u。在 沈積膜上，旋轉塗覆一負感光光阻（Tokyo Oka Co.，Ltd.之 本紙張尺度適用中國國家標準{ CNS ) A4規格（210X 297公釐> 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 : n ^0^321 五、發明説明（49 ) OFPR-N-3000)，且藉著預烘焙、暴光與顯影 而形成具有1 5 μπι厚度之光阻電線圖案。藉電鍍在上述得 到的電線圖案內側形成1 〇 μ m的C u膜，且藉電鍍在其上 形成2 μ m厚的N i膜。接著，使用一釋放液體（ N — 3 0 3 C )剝落光阻，然後藉過硫酸銨/硫酸溶液而 蝕刻沈積膜的C u，且額外地藉高錳酸鉀溶液而蝕刻c r ’且形成一第二電線層1 1 。在完成此處理的階段，評估 第二電線圖案之失敗率。 接著，藉著銀幕印刷而塗覆感光銲料光阻淸漆（ Hitachi Kasei 之 SR9000)，且在 80°C 乾燥 20 分鐘 ，使用一預定的圖案而暴光並顯影，且在1 5 0 °C固化一 小時。然後，在電線層上，形成一外部保護膜5 ，具有一 開口，用於連接外部電極，覆蓋應力緩衝層之端面，且具 有一尾端在晶片保護膜8內側5 0 μ m且在切割後之晶片端 面內側1 0 0 μ m之位置。 接著，在電線層3之暴露部份的N i表面上，藉著替 代電鍍而形成具有0 . Ιμιη厚之Au膜。在Au電鍍電線 暴露部份上，使用一金屬罩塗覆焊劑（Senju Kinzoku Co.， Ltd.之Delta焊劑533)，且具有〇.35mm直徑之 S η - A g _ C u系列銲料球被放置在其上，並使用紅外 線回流爐在2 6 0 °C被加熱1 0秒鐘，且形成外部電極6 。最後，劃線以0 · 2 m m之厚度被一切割鋸切割’且各 別的半導體被分開，製備出本發明之半導體裝置° 上述半導體裝置在切割之後之外觀檢查的結果’ R @ — n^^-----裝----1"~訂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4規格（210X297公釐} -52-

五、發明説明（50 ) 割期間不會產生封裝失敗例如半導體裝置之剝落。 使用半導體裝置，執行與上述相同的溫度循環測試 1 0 0 0次，且切割樣品並檢査剖面。此外’半導體裝置 被安裝在安裝基體上，且執行溫度循環測試1 〇 〇 〇次’ 然後執行電連續性測試。 在此實施例中，沒有剝落失敗產生於半導體晶片7與 晶片保護膜8之間的介面，及應力緩衝層3與晶片保護膜 8之間的介面。形成外部保護膜5以覆蓋應力緩衝層3之 尾端，且沒有剝落失敗產生於外部保護膜5與應力緩衝層 3之間的介面中。此外，由於外部保護膜5之尾端形成在 晶片保護膜8之尾端的內側上，沒有剝落失敗產生於晶片 保護膜8與外部保護膜5之間的介面。在由比較例2之製 造方法所製備的半導體裝置中，切割之後的外觀檢查指出 在1 0個受測試之半導體裝置的兩個中，產生在各半導體 裝置之尾端的介面剝落。然而，藉著本發明之半導體裝置 製造方法，在切割之後不會產生封裝失敗。 〔實施例3 4〕 藉由與實施例3 3相同之方法製備半導體裝置。在此 情形中，於固化之後藉由一 2 0 μ m厚之未固化感光乾燥膜 而形成應力緩衝層，，此未固化感光乾燥膜包括環氧樹脂 、鄰甲酚酚醛淸漆固化劑、睛丁二烯橡膠、光氧化劑、增 敏劑及矽石塡充物，其具有在室溫下1 0 0 0 Μ P a之彈 性係數。執行與實施例3 3相同的評估。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS Μ4規格（210X297公釐） I - - - - - - ; - - - li I ^^^1 H (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 、*τ 經濟部智慧財產笱員工消費合作社印製 -53- 459321 五、發明説明（51) 在此實施例中’沒有剝落失敗產生於半導體晶片7與 晶片保護膜8之間的介面，及應力緩衝層3與晶片保護膜 8之間的介面。形成外部保護膜5以覆蓋應力緩衝層3之 尾端，且沒有剝落失敗產生於外部保護膜5與應力緩衝層 3之間的介面中。此外，由於外部保護膜5之尾端形成在 晶片保護膜8之尾端的內側上，沒有剝落失敗產生於晶片 保護膜8與外部保護膜5之間的介面。 〔實施例3 5〕 藉由與實施例3 3相同之方法製備半導體裝置。在此 情形中，於切割之後藉由一2 Ομπι厚之未固化感光乾燥膜 而形成應力緩衝層，，此未固化感光乾燥膜包括環氧樹脂 、鄰甲酚酚醛淸漆固化劑、睛丁二烯橡膠、光氧化劑、增 敏劑及矽石塡充物，其具有在室溫下3 0 0 0 Μ P a之彈 性係數。執行與實施例3 3相同的評估。 在本發明之此實施例中，沒有剝落失敗產生於半導體 晶片7與晶片保護膜8之間的介面，及應力緩衝層3與晶 片保護膜8之間的介面。形成外部保護膜5以覆蓋應力緩 衝層3之尾端，且沒有剝落失敗產生於外部保護膜5與應 力緩衝層3之間的介面中。此外，由於外部保護膜5之尾 端形成在晶片保護膜8之尾端的內側上，沒有剝落失敗產 生於晶片保護膜8與外部保護膜5之間的介面。 〔實施例3 6〕 本紙乐尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2! 0 X 297公釐） H—· Jtl I - - I— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

r-IT 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -54- 459321 A7 B7 五、發明説明（52 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 藉由與實施例3 3相同之方法製備半導體裝置。在此 情形中，於切割之後藉由一 2 Ο μ m厚之未固化感光乾燥膜 而形成應力緩衝層，，此未固化感光乾燥膜包括環氧樹脂 、鄰甲酚酚醛淸漆固化劑、睛丁二烯橡膠、光氧化劑、增 敏劑及矽石塡充物，其具有在室溫下1 Ο 〇 〇 Μ P a之彈 性係數。執行與實施例3 3相同的評估。 在此實施例中，沒有剝落失敗產生於半導體晶片7與 晶片保護膜8之間的介面，及應力緩衝層3與晶片保護膜 8之間的介面。形成外部保護膜5以覆蓋應力緩衝層3之 尾端，且沒有剝落失敗產生於外部保護膜5與應力緩衝層 3之間的介面中。此外，由於外部保護膜5之尾端形成在 晶片保護膜8之尾端的內側上，沒有剝落失敗產生於晶片 保護膜8與外部保護膜5之間的介面。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 由於在室溫之彈性係數E ( Μ P a )及厚度t ( μ m ) 滿足上述公式（1 )與（2 )之間的關係，不會產生由半 導體晶圓之彎曲所引起的電線圖案失敗。應力緩衝層之緩 衝效果是高的，且在安裝之後的溫度循環時之分離失敗被 減少更多。 〔實施例3 7〕 圖1 0是本發明之另一半導體裝置之剖面圖。藉著以 下之方法而製備此半導體裝置。形成第一電線層9之處理 是與實施例1 3相同。 接著，在切割之後於1 8 0 °C使用一滾輪疊合器，-- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2[0X297公釐） -55- A7 d Β 9 32 1 _ B7 五、發明説明（53 ) 未固化乾燥膜被附著，此未固化乾燥膜具有1 Ο Ομηι之厚 度，由環氧樹脂、鄰甲酚酚醛淸漆固化劑、睛丁二烯橡膠 、光氧化劑、增敏劑及矽石塡充物，其具有在室溫下 3 0 0 0 Μ P a之彈性係數。然後，在2 5 0 °C加熱並固 化一小時，且形成應力緩衝層3。接著，在應力緩衝層中 ，使用碳酸氣體雷射，形成具有5 0 μ m孔直徑之開口及用 於暴露2 0 0 μ m劃線之4 0 0 μ m縫隙。接著，欲移除第 一電線層之地1 0的雷射處理之殘留物，使用高錳酸鹽系 列之去污處理液體（Meltex Co.，Ltd.之M L Β 4 9 7 )執 行去污處理ΰ 以A r濺射蝕刻具有開口及線性縫隙之應力緩衝層3 而移除C u氧化物膜，然後濺射沈積5 0 0埃厚之C r及 ◦ · 5μιη厚之Cu。在沈積膜上，旋轉塗覆一負感光光阻 (Tokyo Oka Co·，Ltd‘之 OFPR-N-3000)，且藉 著預烘焙、暴光與顯影而形成具有1 5μηι厚度之光阻電線 圖案。然後，藉電鍍在上述得到的電線圖案內側形成 1 Ομπι的C u膜，且藉電鍍在其上形成2μιη厚的N i膜 〇 接著，使用一釋放液體（N-303C)剝落光阻， 然後藉過硫酸銨/硫酸溶液而蝕刻沈積膜的C u，且額外 地藉高錳酸鉀溶液而蝕刻C r，且形成一第二電線層1 1 。在此階段，評估第二電線圖案之失敗率。 接著，藉著銀幕印刷而塗覆感光銲料光阻淸漆（ Hitachi Kasei Kogyo Co.，Ltd 之 SR9000)，且在 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝-

,-IT 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNSM4規格（ 210X297公釐> -56- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ^ 9 32 1___ 五、發明説明（54 ) 8 0 °C乾燥2 0分鐘，使用一預定的圖案而暴光並顯影， 且在1 5 0 °C固化一小時。然後，在電線層上，形成一外 部保護膜5 ，具有一開口，用於連接外部電極，覆蓋應力 緩衝層之端面，且具有一尾端在切割後之晶片端面內側 5. ◦ μ m。 接著，在電線層3之暴露部份的N i表面上，藉著替 代電鍍而形成具有0 . ΙμΐΒ厚之A u膜。在A u電鍍電線 暴露部份上，使用一金屬罩塗覆焊劑（Senju Kinzoku Co,, Ltd.之Delta焊劑5 3 3 )，且具有0 . 3 5mm直徑之 S η ~ A g - C u系列銲料球被放置在其上，並使用紅外 線回流爐在2 6 0 °C被加熱1 0秒鐘，且形成外部電極6 。最後，劃線以0 . 2 m m之厚度被一切割鋸切割，且各 別的半導體被分開，製備出本發明之半導體裝置。 上述半導體裝置在切割之後之外觀檢查的結果，於切 割期間不會產生封裝失敗例如半導體裝置之剝落。 此外，以1 0個上述半導體裝置，執行與上述相同的 溫度循環測試，且樣品被切割並檢查剖面。此外，各半導 體裝置被安裝在一安裝基體上，且執行安裝溫度循環測試 ，然後執行電連續性測試。 在此實施例中，由於外部保護膜5形成在晶片尾端表 面之內側上，沒有剝落失敗產生於半導體晶片7與外部保 護膜5之間的介面。在比較例2中’半導體晶片7與晶片 保護膜8形成在相同的表面上，剝落產生較多。另一方面 ，由於形成外部保護膜5以覆蓋應力緩衝層3之尾端’沒 ^^^1 ^^^1 p-^i —J^i n^· HI n^i 1* $T (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X297公釐） -57- A7 B7 4 5 9 32 五、發明説明（55) 有剝落失敗產生於外部保護膜5與應力緩衝層3之間的介 面，及應力緩衝層3與半導體晶片7之間的介面。此外’ 由於晶片保護膜8之尾端形成在應力緩衝層3之尾端的內 側上，沒有剝落產生於應力緩衝層3與晶片保護膜8之間 的介面，及半導體晶片7與晶片保護膜8之間的介面。在 由比較例2之製造方法所製備的半導體裝置中，切割之後 的外觀檢查指出在1 〇個受測試之半導體裝置的兩個中， 產生在各半導體裝置之尾端的介面剝落。然而，藉著本發 明之半導體裝置製造方法，在切割之後不會產生封裝失敗 0 實施例3 7至4 0及比較例1與2之特性評估結果表 75於表4中。 (請先鬩讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝-

.-IT 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -58- 2395 d

A B7 \—/ 6 5 r---明兑明發 ' 五 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 寸概 比較例 2 〇 〇 1 3000 3/10 1 8/10 4/10 3/10 1 1 1 10/10 11/40 比較例 1 〇 〇 1 3⑻0 2/10 8/10 ： 1 4/10 1 1 10/10 12/40 實施例 40 g r 1 孕' ι 1 〇 'if 〇 1 0/10 0/10 0/10 0/10 1 0/10 I 0/10 0/40 實施例 39 Ο ι i § 3000 1 0/10 丨 j 0/10 0/10 0/10 1 0/10 10/10 10/40 ; 1實施例 38 Ο l 1 1—< 1000 1 0/10 0/10 0/10 ; 0/10 1 0/10 8/10 0/40 實施例 37 8 ι~1 1~i 3000 〇 ι—Η 0/10 0/10 0/10 0/10 0/10 1 0/10 0/10 9/40 應力緩衝層 外部保護膜 晶片保護膜 應力緩衝層之彈性係數E(MPa) 應力緩衝層之厚度U m) 切割後之封裝失敗率(失敗計數/評估計數） 晶片-應力緩衝層 晶片-晶片保護膜 應力緩衝層-晶片保護膜 應力緩衝層-外部保護膜 外部保護膜-晶片保護膜 晶片-外部保護膜 ΐΐπ 担 liU 錳 m Φ S 迤 U 應力緩衝層上之電線層圖案失敗(失敗計數/評估: 計數） 與晶片端 面之距離 各別TC 之後的介 面剝落失 敗（失敗i 計數/評估ι 失敗） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐> -59- A7 5 9 32 1 B7 ____ i ______ __________ ^_ _ 五、發明説明（57) 〔實施例3 8〕 以相同於實施例3 7之方法製備半導體裝置。在此情 形中，在固化之後於1 8 0 °C使用滾輪疊合器藉著附著一 2 Ομιη厚之未固化乾燥膜而形成一應力緩衝層，然後在 2 5 0 °C將其加熱並固化，此未固化乾燥膜包括環氧樹脂 、鄰甲酚酚醛淸漆固化劑、丙烯酸系橡膠、聚醯亞胺樹脂 及矽石塡充物，其具有在室溫1 0 0 OMP a之彈性係數 。執行與實施例3 7相同的特性評估。 在此實施例中，沒有剝落失敗產生於半導體晶片7與 外部保護膜5之間的介面，應力緩衝層3與外部保護膜5 之間的介面，及半導體晶片7與應力緩衝層3之間的介面 。此外，由於晶片保護膜8之尾端形成在應力緩衝層3之 尾端的內側上，沒有剝落失敗產生於應力緩衝層3與晶片 保護膜8之間的介面，及半導體晶片7與晶片保護膜8之 間的介面。 〔實施例3 9〕 以相同於實施例3 7之方法製備半導體裝置。在此情 形中，在固化之後於1 8 Ot使用滾輪疊合器藉著附著一 2 Ομιη厚之未固化乾燥膜而形成一應力緩衝層，此未固化 乾燥膜包括環氧樹脂、鄰甲酚酚醛淸漆固化劑、丙烯酸系 橡膠、聚醯亞胺樹脂及矽石塡充物，其具有在室溫 3 0 0 0 Μ P a之彈性係數。然後在2 5 0 °C將其加熱並 固化一小時。執行與實施例3 7相同的特性評估。 本紙張尺度適用中國國家標举（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -60- A7 459321 B7 五、發明説明（58) (請先閲讀背面之注項再填寫本頁) 在此實施例中’沒有剝落失敗產生於半導體晶片7與 外部保護膜5之間的介面，應力緩衝層3與外部保護膜5 之間的介面，及半導體晶片7與應力緩衝層3之間的介面 。此外，由於晶片保護膜8之尾端形成在應力緩衝層3之 尾端的內側上，沒有剝落失敗產生於應力緩衝層3與晶片 保護膜8之間的介面，及半導體晶片7與晶片保護膜8之 間的介面。 〔實施例4 0〕 以相同於實施例3 7之方法製備半導體裝置。在此情 形中，在固化之後於1 8 0°C使用滾輪疊合器藉著附著一 2 Ο μ m厚之未固化乾燥膜而形成一應力緩衝層，然後在 2 5 0 t將其加熱並固化，此未固化乾燥膜包括環氧樹脂 、鄰甲酚酚醛淸漆固化劑、丙烯酸系橡膠、聚醯亞胺樹脂 及矽石塡充物，其具有在室溫4 Ο Ο Μ P a之彈性係數。 執行與實施例3 7相同的特性評估。 經濟部智慧財產局資工消費合作社印製 在此實施例中，沒有剝落失敗產生於半導體晶片7與 外部保護膜5之間的介面，應力緩衝層3與外部保護膜5 之間的介面，及半導體晶片7與應力緩衝層3之間的介面 。此外，由於晶片保護膜8之尾端形成在應力緩衝層3之 尾端的內側上，沒有剝落失敗產生於應力緩衝層3與晶片 保護膜8之間的介面，及半導體晶片7與晶片保護膜8之 間的介面。此外，由於在室溫之彈性係數E ( Μ P a )及 厚度t ( μ m )滿足上述公式（1 )與（2 )之間的關係， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2l〇X297公釐） -61 - A7 B7 459321 五、發明説明（59 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 不會產生由半導體晶圓之彎曲所引起的電線圖案失敗。應 力緩衝層之緩衝效果是高的，且在安裝之後的溫度循環時 之分離失敗被減少更多。 〔比較例1〕 圖1 1是一比較例之半導體裝置之剖面圖。由以下方 法來製備此半導體裝置。 在矽半導體晶圓之表面上，許多半導體元件及A 1電 極1形成在表面上，在固化之後於1 5 0°C使用滾輪疊合 器，一 1 Ο Ομηι厚之未固化乾燥膜被附著，此未固化乾燥 膜包括環氧樹脂、鄰甲酚酚醛淸漆固化劑、丙烯酸系橡膠 、聚醯亞胺樹脂及矽石塡充物，其具有在室溫 3 0 0 0 Μ P a之彈性係數。然後在1 5 0 °C將其加熱並 固化一小時，且形成一應力緩衝層3。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印紫 接著，欲暴露晶片上之元件電極2 ，使用碳酸氣體雷 射在元件電極中形成具有5 0 μ m孔直徑之開口。接著，欲 移除電極上雷射處理之殘留物及A I電極之表面上的氧化 物膜，執行氧電漿蝕刻。在形成有開口之應力緩衝層3上 ，沈積厚度500埃之Cr ，然後厚度0 · 5μιη之Cu。 在沈積膜上，旋轉塗覆一負感光光阻（Tokyo Oka C〇.，Ltd. 之OFPR — N—3000)，且藉著預烘焙、暴光與顯 影而形成具有1 5 μ m厚度之光阻電線圖案。 接著，藉電鍍在電線圖案內側形成1 〇 μ m的C U膜， 且藉電鍍在其上形成2μτη厚的N 1膜。接著’使用一釋放 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 4 5 9 3 2 1 五、發明説明（60) (請先閱讀背面之注^^項再填寫本頁) 液體（N - 3 0 3 C )剝落光阻，然後藉過硫酸銨/硫酸 溶液而蝕刻沈積膜的C u，且額外地藉高錳酸鉀溶液而蝕 刻C r ，且形成一電線層4。在此階段，評估第二電線圖 案之失敗率。 接著，藉著銀幕印刷而塗覆感光銲料光阻淸漆（ Hitachi Kasei Kogyo Co.，Ltd 之 SR9000)，且在 8 0°C乾燥2 0分鐘，使用一預定的圖案而暴光並顯影， 且在1 5 0 °C固化一小時，在電線層上，形成一外部保護 膜5，具有一開口，用於連接外部電極。接著，在電線層 3之暴露部份的N i表面上，藉著替代電鍍而形成具有 ◦ . Ιμπι厚之Au膜。在Au電鍍電線暴露部份上，使用 一金屬罩塗覆焊劑（Senju Kinzoku Co,，Ltd.之Delta焊劑 5 3 3 ) 1 且具有 0 . 35nim 直徑之 Sn — Ag — Cu 系列銲料球被放置在其上，並使用紅外線回流爐在 2 6 0 °C被加熱1 0秒鐘，且形成外部電極6。最後，劃 線以0 . 2 m m之厚度被一切割鋸切割，且各別的半導體 被分開，製備出比較例之半導體裝置。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 上述半導體裝置在切割之後之外觀檢查的結果，於切 割期間在1 0個半導體裝置中的兩個中，產生在在各半導 體裝置之尾端的剝落之封裝失敗。 此外，以1 0個上述半導體裝置，執行溫度循環測試 ，且檢查樣品外觀。此外，各半導體裝置被安裝在一安裝 基體上’且執行相同的溫度循環測試1 0 0 〇次，然後執 行電連續性測試。 •63· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )八4規格（2ι〇χ297公釐〉 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -〇 y 32 1 Α7 ---：_Ξ_ 五、發明说明（61) 〔比較例2〕 圖1 2是另一比較例之半導體裝置之剖面圖。由以下 方法來製備此半導體裝置。 —負感光聚酿亞胺樹脂（Hitachi Kasei Kogyo Co., Ltd. 之P L 3 7 0 8 )被旋轉塗覆在矽半導體晶圓之表面上， 此矽半導體晶圓具有許多半導體元件及形成在其表面上的 A 1電極1，在一熱板上於7 5 °C被乾燥1 0 5秒且於 9 〇°C被乾燥1 0 5秒，然後使用一預定罩被暴光，再度 在熱板上於1 2 5 °C被加熱6 0秒，然後在一顯影劑（ Hitachi Kasei Kogyo Co.，Ltd.之 P L 顯影劑）中被顯影。接 著，它在氮中於3 5 0 °C被加熱且固化6 0秒，且形成具 有電極表面1之晶片保護膜8。接著，元件電極1之表面 上的A 1氧化物膜使用A r藉著濺射鈾刻被移除，然後 5 0 0埃厚之Cr及0.5μm厚之C：u被濺射沈積在晶片 保護膜8上及整個暴光部份表面上以形成一膜。在沈積膜 上，一負感光光阻（Tokyo Oka Co.，Ltd,之〇 F P R — N — 3 0 0 0 )被旋轉塗覆，且藉由預烘焙、暴光及顯影而形 成具有1 5μΓη厚之光阻電線圖案。接著，1 Ομιη厚之 C u膜藉著電鍍而形成在前述電線圖案內側’且形成一第 一電線層9。 接著，在固化之後於1 8 0 °C使用滾輪疊合器藉著附 著一 1 0 ΟμίΏ厚之未固化乾燥膜’然後於2 5 CKC被加熱 及固化一小時而形成一應力緩衝層，此未固化乾燥膜包括 本紙乐尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（230Χ297公釐） leu I. - nn in ^^—^1 a^l^i ^rj ( 弟 i (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 5 9 32 1 A7 __；____ B7 五、發明説明（62) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 環氧樹脂、鄰甲酚酚醛淸漆固化劑、丙烯酸系橡膠、聚醯 亞胺樹脂及矽石塡充物，其具有在室溫3 0 0 OMP a之 彈性係數。接著，欲暴光第一電線層之地1 〇，使用碳酸 氣體雷射，在第一電線層之地1 〇中形成具有5 ΟμίΏ之孔 直徑的開口。 接著，欲移除第一電線層之地1 〇的雷射處理之殘留 物，使用高錳酸鹽系列之去污處理液體（Meltex Co.，Ltd. 之M L B 4 9 7 )執行去污處理。接著，以A r濺射蝕刻 具有開口之應力緩衝層3及整個開口而移除C u氧化物膜 ，然後濺射沈積5 0 0埃厚之C r及0 . 5μιη厚之C u。 在沈積膜上，旋轉塗覆一負感光光阻（Tokyo Oka Co., Ltd. 之OFPR-N—3000)，且藉著預烘焙、暴光與顯 影而形成具有1 5 μ m厚度之光阻電線圖案。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接著，藉電鍍上述得到的電線圖案內側形成1 0 μ m的 Cu膜，且藉電鍍在其上形成2μιη厚的N i膜。接著，使 用一釋放液體（N - 3 0 3 C )剝落光阻，然後藉過硫酸 銨/硫酸溶液而蝕刻沈積膜的C u，且額外地藉高錳酸鉀 溶液而蝕刻C r ，且形成一第二電線層1 1。在此處理完 成的階段，評估第二電線圖案之失敗率。 接著，藉著銀幕印刷而塗覆感光銲料光阻淸漆（ Hitachi Kasei Kogyo Co·，Ltd之 S R 9 0 〇 〇 )，且在 8 0 °C乾燥2 0分鐘，使用一預定的圖案而暴光並顯影， 且在1 5 Ot固化一小時1且在電線層上形成具有用於連 接外部電極之開口的外部保護膜5。接著，在電線層3之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -65- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ά 6 9 321 Α7 — 、_ Β7 五、發明説明（63) 暴光部份的Ν i表面上，藉著替代電鍍而形成具有 0，ΙμΐΏ厚之A u膜。在A u電鍍電線暴露部份上，使用 一金屬罩塗覆焊劑（Senju Kinzoku Co,, Ltd.之Delta焊劑 533) ’ 且具有 0.35mm 直徑之 Sn—Ag — Cu 系列銲料球被放置在其上，並使用紅外線回流爐 在2 6 0 °C被加熱1 0秒鐘，且形成外部電極6。最後， 劃線以0，2 m m之厚度被一切割鋸切割，且各別的半導 體被分開，製備出比較例之半導體裝置。 上述半導體裝置在切割之後之外觀檢查的結果，於切 割期間在1 0個半導體裝置中的三個中，產生在在各半導 體裝置之尾端的剝落之封裝失敗。 此外，以1 0個上述半導體裝置，執行溫度循環測試 1 0 0 0次，且檢查樣品外觀，執行當各半導體裝置被安 裝在一安裝基體上時之電連續性測試。 當前述實施例之半導體裝置與比較例1及2之半導體 裝置比較時，藉著形成應力緩衝層之尾端或晶片保護膜於 半導體晶片之尾端的內側上，在各半導體裝置之溫度循環 之後，於半導體晶片與應力緩衝層之間的介面及半導體晶 片與晶片保護膜之間的介面中沒有產生剝落。此外’在切 割之後的封裝失敗相較於比較例1及2之半導體裝置製造 方法所產生的減少很多。 本發明可抑制於封裝之安裝期間熱應力之集中，且抑 制於晶片之切割期間之機械應力。所以’本發明可提供一 種高製造速率之高可靠性的半導體裝置之製造方法，其中 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐）_册- ---^--.i---「裝------訂------1 {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 Δ 59 32 1 ,_ 五、發明説明（64 ) 在晶片及樹脂中產生較少剝落。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -67-

Claims (1)

1. d 59321 : 籍 _ D8 六、申請專利範圍 1、 一種半導體裝置，其特徵在於：該半導體裝置在 具有電路及電極之半導體晶片的表面上，除了一部份的該 電極之外具有：一應力緩衝層；一電線層，連接至一部份 的該應力緩衝層上之該電極：一外部保護膜，在該電線層 及該應力緩衝層上；一窗’一部份的該電線層暴露在該外 部保護膜的預定位置；及一外部電極，其經由該窗被電氣 地連接至該電線層，其中該應力緩衝層、該電線層、該導 體、該外部保護膜及該外部電極被形成在該半導體晶片之 尾端的內側。 2、 如申請專利範圍第1項之半導體裝置，其中該外 部保護膜形成在該應力緩衝層之尾端的內側。 3、 如申請專利範圍第1項之半導體裝置，其中該外 部保護膜之尾端形成在該應力緩衝層之尾端的外側。 4、 如申請專利範圍第1 、2或3項之半導體裝置， 其中在室溫之彈性係數E (MP a )與該應力緩衝層之厚 度t ( μ m )滿足以下公式（1 )與（2 )之關係： log (t) ^ 0.988 log (E) - 1.515 (l)、 - ..二誠、 log 0) ^ - 1.063 log (E) + 4.839 (2)\，％'、 5、 一種半導體裝置，其特徵在於：該胃#、體裝置在 形成有電路與電極的半導體晶片之表面上除了一部份的該 電極之外，具有：一晶片保護膜：一第一電線層及一應力 緩衝層，連接至該晶片保護膜上之該電極；·一第二電線層 ，連接至該應力緩衝層上之該第一電線層：一外部保護膜 ，在該第二電線層及該應力緩衝層上；一窗，一部份的該 本紙張反度適用中國國家梂準（CNS ) A4現格（210X297公埯）-68 - dn trt— ^^^^1 ^^^^1 一 n H β«ι ^—^1' (請先閱讀背而之注急事項再Μ舄本頁) 經漓部智慧財4AK工消費合作社印製 459321 六、申請專利範圍 電線層暴露在該外護膜的預定位置；及一外部電極’其經 由該窗被電氣地連接至該電線層’其中該晶片保護膜' 該 應力緩衝層、該電線層、該外部保護膜及該外部電極被形 成在該半導體晶片之尾端的內側。 6、 如申請專利範圍第5項之半導體裝置’其中該外 部保護膜被形成在該應力緩衝層之尾端的內側。 7、 如申請專利範圍第5項之半導體裝置’其中該外 部保護膜之尾端被形成在該應力緩衝層之尾端的外側。 8、 如申請專利範圍第6項之半導體裝置，其中該晶 片保護膜之尾端被形成在該應力緩衝層之該尾端的外側。 9、 如申請專利範圍第6項之半導體裝置’其中該晶 片保護膜被形成在該應力緩衝層之該尾端的內側。 1 0、如申請專利範圍第7項之半導體裝置，其中該 晶片保護膜之尾端被形成在該外部保護膜之該尾端的外側 〇 1 1 、如申請專利範圍第7項之半導體裝置，其中該 晶片保護膜之尾端被形成在該外部保護膜之該尾端的內側 12、如申請專利範圍第5、6 ' 7、8、9 、10 或1 1項之半導體裝置，其中在室溫之彈性係數E ( Μ P a )與該應力緩衝層之厚度t ( μ m )滿足以下公式（ 1 )與（2 )之關係： log (t) ^ 0.988 log (E) - 1.515 ⑴、 log (t) ^ - 1.063 log (E) + 4.839 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格{ 210X2W公释）-69 - (請先閱讀背而之注意事項再填鸿本頁) -裝 經·^:部智慧时4岛工消費合作社印製 453321 AS Βίί C8 D8 六、申請專利範圍 1 3、一種半導體裝置製造方法，包含： —步驟，形成一應力緩衝層於半導體晶圓之電路 形成犧:齒上，在半導體晶圓上形成許多半導體元件； 步驟’形成一開口，用於暴露半導體晶圓之電 極上的應力緩衝層上之晶片電極； 步驟’形成一縫隙於劃線上的應力緩衝層中， 半導體晶圓； 步驟，形成一電線層，經由開口連接至應力緩 衝層上之半導體晶片的電極； i f 一步驟，形成一外部保護膜，具有一窗，用於連 接除線之外的電線層及應力緩衝層上的外部電極； I、η:.Γι〇_Λ 用於

   請先閱讀背而之注意事項再填寫本頁) 裝_ 經4#""財-¾¾工消費合作社印製 (步驟，形成一外部電極；及 步驟，用於切割在切割之後以便於操作所得到 的半導體g置之最小單元中的半導體晶圓。 1 4、如申g專利範圍第1 3項之半導體裝置製造方 法，並非包含步包含步驟5 (a)，一步驟， 形成一窗，用於連接極與外部保護膜，具有一端在 應力緩衝層及電線層上的應)緩衝層之尾端的內側。 1 5、如申請專利範項之半導體裝置製造方法 ，並非包含步胃5>'，而是包!%步驟5 ( b )，一步驟，形 成一窗，用於連接外' IIF電極與外部保護膜，具有〜端介於 劃線與在應力緩衝層及電線層上的應力緩衝層的尾端之間 6 種半導體裝置製造方法’包含： 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格{ 210Χ2Ή公趁）_70 _ 訂 經濟部智慈时是局貴工消費合作社印製 4 59 321. 锰 C：8 _ D8 六、申請專利範圍 t :步驟，除了其上形成許多半導體元件之半導體 晶圓之外，形成一晶片保護膜，及一劃線，用於切 —一步驟’形成一第一電線層，電氣地連接至晶片 保護膜上的電極； 一步驟’形成一應力緩衝層於晶片保護膜與第一電線 層上： 一步驟，形成一開口，用於暴露應力緩衝層上的一部 份電線層； 一步驟，形成一縫隙於劃線上的應力緩衝層中； 一步驟，形成一第二電線層1經由應力緩衝層中形成 的開口，連接至應力緩衝層上的一部份第一電線層； 一步驟，形成一外部保護膜，具有一窗，用於連接劃 線^^^的電線層與應力緩衝層上之外部電極： 步驟，形成一外部電極；及 一^^，對於切割之後所得到的半導體裝置，以最小 單元切割該半導體晶圓以便於操作。 1 7、如申請專利.、範圍第1 6項之半導體裝置製造方 法，並非包含具有步两是具有步驟7 (a)，一步 驟，形成一窗，用於連部電極及一外部保護膜，具 有一端在第二電線層及應力緩衝層上的應力緩衝層之尾端 的內側。 1 8、如申請專利範圍第1 6項之半導體裝置製造方 法，在步驟之後，包含： - -- —— 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2!〇乂297公舞）-71 - (請先閱讀背而之注意事項存填寫本頁〕

   321 B8 C8 D8 申請專利範圍 一步驟，形成一應力緩衝層，具有一端在第一電 線層礙；片保護膜上的晶片保護膜之尾端的內側； 步驟，形成一開口，用於暴露應力緩衝層上的

   一部份第一電線層； 層中

   歩驟，形成第二電線層，經由形成 口，連接至應力緩衝層上的一部份第- 形成一窗，用於連接一外部 部保護膜，具有一端在第二電線層及應力緩衝 步驟 在應力緩衝 •電線層； 電極及一外 層上的應力 緩衝層.之尾端的內側； —步驟，形成一外部電極；及 [步驟，用於切割在切割之後以便於操作所得到 的半導置之最小單元中的半導體晶圓。 1 9、如申請專利範圍第1 6項之半導體裝置製造方 法，在步驟（1)¾¾¾¾)之後，包含： 步驟，形成一應力緩衝層，於第一電線層及晶 -----L,---裝------訂-----J ^ (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財1^¾工消費合作社印製 If 步驟，形成一開口，用於暴露應力緩衝層上的 之〆· 一部份電線層； C —步驟，形成一縫隙，使得應力緩衝層的尾端形 •Λ ；. - V 成於保護膜的尾端與劃線之間； (60* —步驟，形成一第二電線層’經由形成於應力緩 衝層中的開口，連接至應力緩衝層上的一部份第一電線層

   形成一窗，用於連接一外部電極及一外 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4il_格（2l〇x 21»7公犛）-72 - 4 59 321 8 8 8 8 ABCD 申凊專利祀圍 部保護膜’具有一端在第二電線層及應力緩衝層上的應力 緩衝尾端的內側； 一步驟’形成一外部電極；及 步驟，用於切割在切割之後以便於操作所得到 的半 置之最小單元中的半導體晶圓。 2 0、如申請專利範圍第1 6項之半導體裝置製造方 法’在步驟(IBiSlfe後，包含： —步驟，形成一應力緩衝層，具有一端在第一電1 1 線層片保護膜上的晶片保護膜之尾端的內側；IP 〔一步驟，形成一開口，用於暴露應力緩衝層上的 --部份第一電線層： 層中 ( 部保 片保 ill I 一步驟，形成第二電線層，經由形成於應力緩衝 口，連接至應力緩衝層上的一部份第一電線層； 一步驟，形成 窗，用於連接一外部電極及一外 經.¾:部智慧財4局員工消費合作社印製 的半 法 護膜，具有一端在與第二電線層及應力緩衝層上的晶 護P之尾端相同的表面上： 射I —步驟，形成一外部電極：及 4 —步驟，用於切割在切割之後以便於操作所得到 # d裝置之最小單元中的半導體晶圓。 2 1、如申請專利範圍第1 6項之半導體裝置製造方 在步驟之後，包含： (繼 線層灞彝 gill!"1 r 一步驟，形成一應力緩衝層，具有一端在第· -電 片保護膜上的晶片保護膜之尾端的內側； 一步驟，形成一開口，用於暴露應力緩衝層上的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X2·^公釐？ -73 - —裝 訂 ,^ (請先閱讀背而之注意事項再填寫本頁) Βδ C8 D8 、申請專利範圍 部份第一電線層 步驟，形成 電線層，經由形成於應力緩衝 層中口’連接至應力緩衝層上的一部份第一電線層； (步驟，形成一窗，用於連接一外部電極及一外 部保護膜’具有一端介於第二電線層及應力緩衝層上之應 力^@層的尾端與晶片保護膜的尾端之間； ^ 一步驟，形成一外部電極；及 C ^^步驟，用於切割在切割之後以便於操作所得到 的半導1¾置之最小單元中的半導體晶圓。 2 2、如申請專利範圍第1 6項之半導體裝置製造方 法，在步驟(¾¾¾¾¾広後，包含： —步驟，形成一應力緩衝層，在第一電線層及晶 片保上； ψ_ι (—步驟，形成一開口，用於暴露應力緩衝層上的 一部份電線層； 經濟部智蒽时是局自：工消費合作社印製 C 一步驟，形成一應力緩衝層，具有一端介於晶片 保護1尾端與劃線之間； (L 广步驟，形成一第二電線層，經由形成於應力緩 •.·ν 一 衝層中的開口，連接至應力緩衝層上的一部份第一電線層 部保 一步驟，形成一窗，用於連接一外部電極及一外 1¾，具有一端介於第二電線層及應力緩衝層上的劃 ιι_ -.KL+盡 7 U 線與緩衝層的尾端之間： (1¾ 一步驟，形成.一外部電極；及 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格U10X2**7公犛）-74 - ----!i.---J-i 裝------訂-----J. ^ (請先閲讀背而之注意事項再填寫本頁) Jo 8 8 8 ΛΒ CD -〇9321 六、申請專利範圍 步驟，用於切割在切割之後以便於操作所得到 ---—·· 的半導體裝置之最小單元中的半導體晶圓。 1^1 i— i --- I It * - - —1 lj^r - I I ϋ 請先閲讀背而之注意事項再填寫本頁) 訂 經^'部智慧財4局员工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0X 297公f ) - 75 -