TW465112B - A process to form thin film transistor and the improvement method thereof - Google Patents

Description

五>發明說明（π ； 本案係關於一種形成薄膜電晶體（th i η - f i 1 m .transUtor ,TFT)之製程及其改良方法，尤指一種應用 於液晶顯示器（liquid crystal display , LCD)的薄膜電 晶體之製程及其改良方法。 目前傳統映像管顯示器因為體積龐大及輻射線問題， 已經漸漸有被取代的趨勢，其中的最大主流就是液晶顯示 ，器，因為它具有省電及易於攜帶之優點，因此最先是成為 筆記型電腦的基本配備，隨著大尺寸技術的突破，使得此 _項產品成為桌上直視型平面顯示器的主流，可用於個人電 腦、遊樂器、&視器等市場，而成為未來的主導性產品。 現在的液晶顯不is絕大部份是以薄膜電晶體作為驅動元 件，其輸出特性對液晶顯示器的表現有極大的影響力，因 此如何改良薄膜電晶體的製程及特性不可諱言是相當重要 的課題。 請參閱第一圖，第一（a)-(d)圖顯示一般薄膜電晶體 的製程，在第一（a)圖中，於一基板1 〇上形成一閘極丨丨a， 閘極1 1 a的形成可分為兩步驟：（1 )先在基板丨〇上形成一層 導電層’（2)再利用後衫、钱刻等技術將多餘的導電層移 产除’就可形成閘極11a。接著在基板1〇和閘極lla的上方依 序沈積一層閘極介電層1 2、非晶矽層丨3經微影、蝕刻等步 驟製作非晶矽島（i s 1 a n d )如第一（b)圖、再沈積經推雜 非晶矽層1 5和金屬層1 6 ’即完成如第一（c )圖的結構。 接著如第一（d)圖所示’利用微影及蝕刻等步驟去除 部份的經推·雜非晶石夕層1 5和金屬層丨6，分別形成源極’'

111 465112 五、發明說明（2) 15a、汲極15b、源極電極16a和汲極電極i6t)，跟著在整個 結構之上沈積一廣保違層17 ’以保護並隔離到目前為止所 完成的結構。再來如第一（e )圖所示’以蝕刻法將汲極電 極1 6b上方的保護層移除，形成接觸窗，然後在接觸窗内 及保護層1 7上沈積一層透明導電材料1 8，再微影、餘刻製 作透明電極就成為像素（pixel )電極18a，經過最後的回火 Unnea 1 )步驟，穩定材質結構並調整結晶性和界面特性， 即完成傳統的薄膜電晶體結構。 在上述步驟中，在蝕刻經摻雜非晶矽層丨5和金屬層i 6 時’部份未經摻雜的非晶矽層1 3也會跟著損耗，造成做為 通道的非晶矽層1 3厚度損失，所以一般會在非晶矽層丨3上 方以電漿輔助化學氣相沈積（piasma enhanced chemical vapor deposit ion ’ PEC VD)法沈積一層蝕刻終止層 (etch-stop layer)，其成分通常為氮化矽，以形成所謂 的蝕刻阻擋型（etch stopped，ES)薄膜電晶體，其製程如 第二（a)-(f)圖所示。首先請參閱第二（a)圖，如先前所 述在基板1 0上形成一閘極Π a，然後如第二（b)圖所示， 在基板10和閘極11a上方依序沈積一層閘極介電層12 ' 晶矽層1 3和絕緣層（氮化矽層）丄4 ^ 接著如第二（c)圖所示，利用微影及蝕刻等技術移除 的絕緣層14 Μ呆留閘極上方部份的絕緣層 蝕 =止層Ua。然後在非晶石夕層13和触刻終止層ua的= W沈積一層經摻雜非晶矽層1 5和金屬層1 6，即完成如第 二U)圖的結構。 弟

第5頁 五'發明說明（3) 、再請參閱第二（e)圖，利用微影及蝕刻等步驟去除部 伤的非晶矽層13，經摻雜非晶矽層15和金屬層16，分別形 • j源極15a、汲極15b、源極電極16a和汲極電極Ub，因為 =刻終竭4a的保護，下方的非晶矽層13並不會被蝕 二紐，接著在整個結構之上沈積—層保護層1 7，以保護益 &離到目前為止所完成的結冑，再來如第二⑴圖所示， *，^ ί"將'及極電極1 6 b上方的保護層移除，形成接觸 二:2 ί在接觸f内及保護層1 7上沈積一層透明導電讨 *^在伴蹲t 及蝕刻保護層17上方的部份導電材料，則保留 # ρ、二5 7上的導電材料部份就成為像素電極1 8a，經過 性欠即^火步驟’穩定材質結構並調整結晶性和界面特 終止芦ll成所謂的蝕刻阻擋型薄膜電晶體結構，如此蝕刻 題。 &下方的非晶矽層1 3就不會再有厚度損失的間 在蝕^終，要特別注意的是，因為源極15a與汲極丨5b橫跨 層1 3具有、a層丨43兩側，對於蝕刻終止層1 4a下方的非晶矽 (parasiti、道開啟與關閉的作用，產生寄生電晶體 特性圖c 2 translstcr)的效果，使得薄膜電晶體的輸出 現象’如i極電流對閘極電壓圖）有雙峰（double h⑽P) 時，通過、，三圖所示，當對薄膜電晶體的閘極施一電壓 會出現三f極的電流在線性區域會成兩階段變化，更甚者 法明確定^，化，稱為二峰（tr丨p 1 e hump)現象，如此無 的薄膜你s '專膜電晶體開與關的狀態，這對作為驅動元件 包a曰體來說是極嚴重的缺陷。另外’當蝕刻終止層

第6頁 ^ fc>5 1 ^ 2 ----- 五、發明說明（4) 一 a人非日日矽層1 3的界面特性不匹配，戈日 非晶石夕層15與絕緣層14的步驟時，所使/將4,1 ..坐払雜 造成傷害’會出笼 用的電水對於元件 10-Π 1 Λ (s t ^ ° ^ L界電壓增大、次臨界斜率 su -threshold swing)變差等等不利的影響。 現在已知有一種改良方法，*薄 ？ 成之降Γ P取4、㈣k 电日日to 7G件初步完 :之^ C已形成閘極、非晶矽層、源極 ： 件，以改？之前，先以電趿處理半完成元 後即進行^二"t寺性，也有前例指出在非晶矽層形成之 p進仃弟夂電漿處理，利用高能電漿將分解離+ 3 Λ π λ-从^ 補具不連結鍵（danding b〇nd),避免其内 形成缺陷:另外，中華民國專利公告號36 5〇33 (利用Μ。 電漿處理薄膜電晶體的製造方法）亦提出 良方法，相異處是在完成保嫌犀盥導電 J頡似的改 永處理溥馭電晶體，也具有改良效果。但是， 、替 電漿處理手續不僅浪費成本、降低機台的生產4，同; 為電漿的f佈有其先天上的不均勻性，對於大面積的製程 控制也不容易，其間仍有可供改良的空間存在。 除了蝕刻阻擋型薄膜電晶體，另一類較為常見的為背 面触刻型（back channel etched，BCE)薄膜電晶體，其製 程如第一（a) - (e)圖所示。 其中要特別注意，以源極電極1 6 a和汲極電極1 β匕為遮 罩蝕刻經摻雜非晶矽層1 5以形成源極1 5a和汲極丨5b之後， 非晶砍成乃曝露在保護層1 7鑛膝的環境下，因電漿侵害和

第7頁 五.*、發明說明¢5) 保護層丨7的矽成分不同，會造成曝露的非晶矽材料產生不 _良的界面缺陷狀態，此界面狀態如果控制不當，也會造成 *薄膜電晶體元件的輸出特性不佳，同時在未對閘極施一電 壓時，因照光所產生的光電流也提高。 職是之故，本發明鑑於習知技術之缺失，並一本鐵而 不捨、精益求精之研究精神，為改善習知技術中薄膜電晶 .體的輸出特性不佳的問題，又要避免施以電漿處理所產生 的麻煩1終研發出本案形成薄膜電晶體之製程及其改良方 法，以期能有效解決習知技術中所存在的缺失。 一 本案之主要目的，即在於提供一種形成薄膜電晶體之 製程，可以在不施以電漿處理的情況下改善其輸出特性， 減少生產成本與時間。 本案之另一目的，即在於提供一種改良薄膜電晶體特 性之方法，可以在不施以電漿處理的情況下改善其輸出特 性，減少生產成本與時間。 根據本案之目的，欲形成一個薄膜電晶體，其製程包 括下列步驟：（a)提供一基板；（b)於基板上方形成一閘 極；（c )於基板及閘極上方形成一層閘極介電層；（d)於閘 _極介電層上方形成一層半導體材料層；（e )於半導體材料 層上方定義一源/汲極；（f)於半導體材料層及源/汲極上 方形成一保護層；以及（g)於辅助氣體之氛圍下實施一回 火步驟。 依據上述構想，如果此薄膜電晶體是作為液晶顯示器 的驅動元件，則基板應為透明基板，例如使用玻璃基板。

4 65 11 2 五、發明說明（6) 依據上述構想，閘極的材質可為複晶矽或金屬；閘極 介電層可為氮化矽層，較佳者為二氧化矽混合氮化矽層； 如果是背面触刻型薄膜電晶體，則半導體材料層為非晶石夕 層，如果是蝕刻阻擋型薄膜電晶體，則半導體材料層由非 晶石夕層和触刻終止廣共同組成1較佳者，飯刻終止層的材 質為氮化矽，以電漿加強化學氣相沈積法沈積而得；保護 層的材質較佳亦為氮化夕。 依據上述構想，回火時的辅助氣體為氫氣、水氣、惰 性氣體或是這些氣體以不同比例所組成的混合氣體，加熱 的時間約為1 0分鐘至1 0小時，可於常壓或減壓反應室中進 行。如果以氫氣或氫氣/氮氣混合氣體作為輔助氣體，則 加熱處理的溫度約在2 0 0 °c至3 0 0 °C之間；如果輔助氣體是 水氣/氬氣或水氣/氮氣混合氣體，則加熱處理的溫度約在 8 0 °C 至 3 0 0 °C 之間。 根據本案之另一目的，欲改良薄膜電晶體的特性，其 方法包括下列步驟：（a)將具備雛形的薄膜電晶體放入包 含有氫氣、水氣、惰性氣體或是這些氣體以不同比例所組 成的混合氣體中，其中具備雛形的薄膜電晶體包含基板、 閘極、半導體材料層、源/汲極和保護層；以及（b )於前述 氣體之氛圍下加熱處理薄膜電晶體。 本案得藉由下列圖式及較佳實施例之詳細說明，俾得 一更深入之瞭解： 本發明揭露了 一種薄膜電晶體的改良製程，當薄膜電 晶體元件製作完成後，在正常的回火步驟中加入某些輔助

五發明說明（7) ~ ' ----- 氣體1如純氫氣、水氣或是氫氣/氮氣混合氣體等等， .需改變原先回火步驟所使用的溫度和時間，在常壓忮溫 箱或是減壓反應室中即可實施，如此可省去電漿處 2 間:因而縮短薄膜電晶體元件的製造流程時間，又兼具: 善薄膜電晶體輸出特性中雙峰現象的效果。 、 第四圖顯不本發明應用至蝕刻阻擋型薄膜電晶體 要步驟。言耷參閱第四(a) _，首先於一基板2〇上沈積1 導电層21 ’如果此薄膜電晶體要作為控制液晶顯示器 動疋件，當然基板2 0要選用透明的材質，現今最普遍= 的疋玻璃基板，至於導電層可選用鉻、鉬、鈦、鋁或鉋厶 金等金屬材質’利用濺鍍法生成，另外’高摻雜的複晶ς 層也可作為導電層，利用化學氣相沈積法生成。 請參閱第四（b)圖，接著利用光阻微影定義出閘極區域’ 以蝕刻法去除掉多餘的導電層2丨，剩下的部份導電層就形 成閘極2 1 a ’然後在基板20和閘極2 1 a的上方依序沈積〜^ 閘極介電層2 2、非晶矽層2 3和絕緣層2 4 ,其中，氮化矽層 是最常使用的閘極介電層2 2，尤其是二氧化矽混合氮化砂 層’可利用電槳輔助化學氣相沈積（plasma enhanced •chemical vapor deposition，PECVD)法生成；而非晶矽 層2 3則是利用電漿輔助化學氣相沈積法生成；至於絕緣層 24則多使用氮化矽層’同樣以電漿輔助化學氣相沈積法生 成。 請參閱第四（c )圖’接著利用光阻微影定義出蝕刻終 止層的區域，以I虫刻法去除掉多餘的絕緣層2 4 ,剩下的部

h絕緣層就形成蝕刻終止層24a， 2 1 a的古，必 卿刻終止層2 4 a位於閘極 “a的上方，略小於閘極21a。然 止層24a的上方依床屮砝 交在非日曰矽層23和蝕刻終 26 , ^ . p依序沈積一層經摻雜非晶矽層25和金屬層 可以雜H夕層25可以直接藉由沈積而得，也 Ρ+，:非晶矽層，再以離子植入法將離子（多為 4 注入非晶矽層内；金屬層2 6則選用鉻、 .、鈦、鋁或鋁合金等金屬材質，利用濺鍍法生成。 請參閱第四（d)圖，接著利用光阻微影定義出源極和 上0、區域’以鞋刻法去除掉多餘的經摻雜非晶矽層2 5和 夺屬層2 6 ’剩下的部份經摻雜非晶矽層2 5就形成源極2 5 & 汲極25b，而剩下的部份金屬層26就形成源極電極26a和 >及極電極26b ’然後在非晶矽層23、源極電極26a和汲極電 極26b上方沈積一層保護層27，其成分可選用氮化矽，以 電漿輔助化學氣相沈積法生成。

請參閱第四（e)圖，接著利用光阻微影定義出接觸窗 的區域’以银刻法去除掉汲極電極2 6 b上方的保護層2 7， 形成接觸窗，然後在接觸窗内和保護層27上方沈積一層透 明導電層28，現多用氧化銦錫（IndiUIn-Tin 〇xide， ίΤΟ) ’可以導電又可以讓可見光穿透，其製程通常以物理 氣相沈積法申的漱錄法居多D 請參閱第四（ί )圖，接著微影蝕刻掉保護層2 7上方部 份的透明導電層’保留下來的部份透明導電層就形成像素 電極2 8 a。最後要施加一回火（加熱）步驟，以增加非晶 秒層的穩定性、改良源極/汲極的接觸特性、提高透明導

五/、發明說明（9) 電材料的結晶度及可見光穿透率、降低透明導電材料的電 阻率等等，這個步驟所需的加熱溫度可從80 °C到3 0 0 °C， 時間從1 0分鐘到1 0小時不等，端視製程需要，本案的特徵 即是在此一步驟中通入一些辅助氣體，如純氫氣、水氣、 咸是氫氣/氮氣混合氣體（氫氣佔20%-100% )等等，如此 不需要在沈積保護層前後利用電漿處理元件，可縮短薄膜 電晶體的製造總時間，同時又可改良薄膜電晶體裝置的輸 出特性，解決如雙峰、關閉電流過高、次臨界斜率過小的 不良現象。 + 以下舉出數個經不同輔助氣體及回火處理條件的實施 例： 實施例1 :在回火步驟時通入水氣，以2 0 0 °C加熱6 0分 鐘，其薄膜電晶體的輸出特性圖如第五圖所示，發現已無 雙峰現象，關閉電流也降低至1 0 -1 2級次安培，次臨界斜 率也增加了。 實施例2 :在回火步驟時通入氫氣，以2 5 0 °C加熱2 0分 鐘*其薄膜電晶體的輸出特性圖如第六圖所示，發現已無 雙峰現象，關閉電流也降低至1 0 - 1 3級次安培，次臨界斜 _率也增加了；第七圖則顯示此薄膜電晶體於照光/不照光 時的輸出特性圖，照光後的關閉電流已被抑制在1 0 - 11級 次安培，有文獻指出未經電漿處理時，照光關閉電流在 1 0 - 1 0級次安培左右，經氫氣電漿處理後則可被抑制在 1 0 - 1 1級次安培，可見本發明與利用電漿處理的薄膜電晶 體有類似的功效。

第丨2頁 4 65 11 2 五、發明說明（10) 實施例3 :在回火步驟時通入氫氣/氮氣混合氣體，以 2 5 0 °C加熱2 0分鐘，其薄膜電晶體的輸出特性圖如第八圖 所示，發現已無雙译現象，次臨界斜率也增加了。 除了上述的蝕刻阻擋型薄膜電晶體可通入辅助氣體進 行回火步驟外，本發明當然也可以應用在背面蝕刻型薄膜 電晶體，以改善其輸出特性，其流程步驟可藉由結合習知 技藝與前述發明特徵推衍而得，故不再加以贅述，當然， 本發明不只能應用在這兩種基本型之薄膜電晶體，舉凡薄 膜電晶體之製程，只要其中涉及回火處理，就可以通入輔 助氣體協助改善其特性，而屬於本發明之範疇。 本案得任熟悉此技藝之人士任施匠思而為諸般修飾， 然皆不脫如附申請專利範圍所欲保護者。

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膜電晶體之主要步驟示意 圖式簡單說明 第一（a) - (e)圖係為習知形成薄 圖； 第一（a)( f )圖係為習知形成餘刻阻擋型薄膜電晶體之主 要步驟示意圖； 第三圖係為習知蝕刻阻擋型薄膜電晶體之輸出特性圖； 第四U)-(f)圖係為將本發明應用至蝕刻阻擋型薄膜電晶 體之主要步驟示意圖； 、aB 第五圖係為本發明經水氣處理的薄膜電晶體之輸出特性 圖； 第六圖係為本發明經純氫氣處理的薄膜電晶體之輸出 圖； 第七圖係為本發明經純氫氣處理的薄膜電晶體之照光/ 照光輸出特性圖；以及 ' 八圖係為本發明經氫氣/氮氣混合氣體處理的 之輸出特性圖 、 圖中主要元件標示如下： 10、20 :基板21 ··導電層 11 a、21 a :閘極1 2、2 2 :閘極介電層 1 3、2 3 :非晶矽層〗4、2 4 :絕緣層 14a、24a :蝕刻終止層1 5 ' 25 :經摻雜非晶矽層 1 5 a、2 5 a :源極 1 5 b、2 5 b :沒極 16、26 :金屬層16a、26a :源極電極 16b、26b :汲極電極17、27 :保護層 18、28 :透明導電層i8a、28a :像素電極

2001. 09. 25. 005

Claims (1)

1. 46511, ΰ ___89114766__f 月曰 條正 ί ---1 六、申請專利範圍 1 . 一種形成薄膜電晶體之製程，其係包括步驟： (a)提供一基板； (b )於部份之該基板上方形成一閘極； (c) 於該基板及該閘極上方形成一閘極介電層； (d) 於該閘極介電層上方形成一半導體材料層； (e) 於該半導體材料層上方定義一源/汲極； (f) 於該半導體材料層及該源/汲極上方形成一保護 層；以及 (g) 於一辅助氣體之氛圍下實施一加熱處理步驟° 2 .如申請專利範圍第1項所述形成薄膜電晶體之製程， 其中該薄膜電晶體係應用於一液晶顯不器’則該基板為一 透明基板。 3 .如申請專利範圍第2項所述形成薄膜電晶體之製程’ 其中該透明基板係為一玻璃基板。 4 .如申請專利範圍第1項所述形成薄膜電晶體之製程， 其中該閘極係自一複晶石夕層及一金屬層中擇其一。 5 .如申請專利範圍第1項所述形成薄膜電晶體之製程， 其中a玄閘極”電層係為一氮化疗層。 6 ·如申請專利範圍第1項所述形成薄膜電晶體之製程， 其中該半導體材料層係為一非晶矽層。 7 .如申請專利範圍第1項所述形成薄膜電晶體之製程， 其_該半=體材料層係為一非晶矽層以及一蝕刻終止層。 8 .如申請專利範圍第7項所述形成薄膜電晶體之製程， 其中該#刻終止層係為一氮化矽層。

   第16頁 2001.09. 25. 006 六、申請專利範圍 9 _如申請專利範圍第8^ 其中鸪I化0層#所述形成薄膜電晶體之製裎， 之。A化矽層之形成係以電毁輔助化學氣相沈積法為 i〇 =申請專利範圍第1項所述形成薄膜電晶體之製 沈積法形成。 子植入法或電槳輔助化學氣相 裎，复t申凊專利1&圍第1項所述形成薄膜電晶體之製 程其中該保護層係為一氮化矽層。 i2复：申請專利範圍第1項所i形成薄膜電晶體之製 中該輔助氣體係自氣氣、水氣、惰性氣體及其混合 紙體所組成之群體中選出之一氣體。 1 3如中請專利範㈣1 2項所述形成薄膜電晶體之製 程，其中該加熱處理之時間範圍係介於1〇分鐘至1〇小時之 間。 1 4 ·如申請專利範圍第i 3項所述形成薄膜電晶體之製 程’其中該加熱處理步驟係於常壓下實行。 1 5 .如申請專利範圍第丄3項所述形=薄膜電晶體之製 程，其中該加熱處理步驟係於減壓下實行，其壓力範圍為 ITorr 至750Torr 。 1 6 .如申請專利範圍$ i 2項所述形成薄媒電晶體之製 程，其中該輔助氣艘係為氫氣，則於該步驟（§)中，該加 熱處理步驟之溫度範圍係介於2〇〇 〇c至3〇〇。〇之間。 1 7 .如申请專利範圍第1 2項所述形成薄膜電晶體之製 程，其中該輔助氣體係為水氣與氣氣或氮氣之混合氣體， 第17頁 2001.09. 25.007 4 651 _案號 89114766 __年月日_修正 六、申請專利範圍 水氣體積比例範圍係介於20%至100%之間，則於該步騍（g) 中’該加熱處理步驟之溫度範圍係介於80 t至300 °C之 間。 1 8 如申請專利範圍第1 2項所述形成薄膜電晶體之製 程，其中該輔助氣體係為氫氣與氮氣之混合氣體，氫氣體 積比例範圍係介於20%至1 〇〇%之間’則於該步驟中，該 加熱處理步驟之溫度範圍係介於2 0 〇。(：至3 0 0 °C之間。 1 9 _ 一種改良薄膜電晶體特性之方法，其中該薄膜電晶 體包含一基板、一閘極、一半導體材料層、一源/汲極以 及一保護層，其係包括步驟： (a) 導入一辅助氣體’其係自氫氣、水氣、惰性氣體 及其混合氣體所組成之群體中選出之一氣體；以及 (b) 於该輔助氣體之氛圍下加熱處理該薄膜電晶體。 2 0 .如申請專利範圍第1 g項所述改良薄膜電晶體特性 之方法’其中該加熱處理之時間範圍係介於丨〇分鐘至丨〇小 時之間° 2 1 .如申請專利範圍第2 0項所述改良薄膜電晶體特性 之方法，其中該加熱處理步驟係於常壓下實行。 2 2 .如申请專利範圍第2 0項所述改良薄膜電晶體特性 之方法，其令該加熱處理步驟係於減壓下實行。 2 3 ·如申请專利範圍第1 g項所述改良薄膜電晶體特性 之方法，其中該輔助氣體係為氫氣，則於該步驟（b)中， 該加熱處理步驟之溫度範圍係介於2〇〇它至“^它之間。 2 4 .如申請專利範圍第1 9項所述改良薄膜電晶體特性

   第18頁 2001.09. 25.008 4 6.; j , —---‘案號89114766 _年月 日 佟不 六、申請專利範圍 ' =方法’其中該輔助氣體係為水氣與氬氣或氮氣之混合氣 體’水氣體積比例範圍係介於20%至1〇〇%之間，則於該步 驟（b)中，該加熱處理步驟之溫度範圍係介於2〇〇至^ t之間。 u 2 5 .如申請專利範圍第丄9項所述改良薄膜電晶體特性 ，方法’其中該辅助氣體係為氫氣與氮氣之混合氣體，氫 氣體積比例範圍係介於20%至1〇〇%之間，則於該步驟（b) 中’該加熱處理步驟之溫度範圍係介於8〇 t至3〇〇它之 間ϋ 2 6 . —種用於液晶顯示器之薄膜電晶體之製程，其係包 括步驟： (a) 提供一透明基板； (b) 於部份之該透明基板上方形成一閘極； (c) 於該透明基板及該閘極上方形成一閘極介電層； (d) 於該閘極介電層上方形成一半導體材料層； (e) 於該半導體材料層上方定義一源/汲極； (f )於該半導體材料層及該源/汲極上方形成一保護 層； (g) 移除該源/汲極上方之部分該保護層以形成一接觸 囪， (h) 於該接觸窗内形成一導電電極；以及 (i) 於一輔助氣體之氛圍下實施一加熱處理步驟。 2 7 ·如申請專利範圍第2 6項所述薄膜電晶禮之製程’ 其中於該步驟（g)中，該部份保護層之移除係以乾渴敍刻

   第19頁 2001.09. 25.009 丨丨案號89114766_年月曰 修正_ 六、申請專利範圍 為之。 2 8 ·如申請專利範圍第2 6項所述薄膜電晶體之製程， 其中該步驟（h)更包括步驟： (hi)於該接觸窗内及該保護層上方形成一導電層；以 及 (h2)移除該保護層上方之該部份導電層，而保留該剩 餘之該導電層以成為該導電電極。 2 9 ·如申請專利範圍第2 8項所述薄膜電晶體之製程， 其中該導電層係為一透明導電層。 3 〇 *如申請專利範圍第2 9項所述薄膜電晶體之製程， 其中該透明導電層係為一氧化銦錫層。 3 1 ·如申請專利範圍第2 6項所述薄膜電晶體之製程， 其ΐ該輔助氣體係自氫氣、水氣、惰性氣體及其混合氣體 所組成之群體中選出之一氣體。 3 2 _如申請專利範圍第3 1項所述薄膜電晶體之製程， 其中該加熱處理之時間範圍係介於1 0分鐘至1 0小時之間。 3 3 如申請專利範圍第3 2項所述薄膜電晶體之製程， 其中該加熱處理步驟係於常壓及減壓環境中擇一實行。 3 4 ·如申請專利範圍第3 1項所述薄膜電晶體之製程， 其中該輔助氣體係為氫氣，則於該步騍（i)中，該加熱處 理步驟之溫度範圍係介於200 °C至3 00 °C之間。 3 5 ·如申請專利範圍第3 1項所述薄膜電晶體之製程， 其中該輔助氣體係為水氣與惰性氣體之混合氣體，水氣體 積比例範圍係介於20%至100%之間，則於該步驟（i)中，該

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