TW511144B

TW511144B - Stage device and exposure apparatus

Info

Publication number: TW511144B
Application number: TW089121650A
Authority: TW
Inventors: Shiwen Li
Original assignee: Nikon Corp
Priority date: 1999-10-18
Filing date: 2000-10-17
Publication date: 2002-11-21
Also published as: US6417914B1; SG83821A1; KR20010040094A; JP2001118773A

Description

511144 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（（）〔技術領域〕本發明係有關台裝置及曝光裝置，詳言之，其係有關包含將2個物體分別保持之2個台裝置，及具有該台裝置之曝光裝置。〔習知技術〕習知，在用於製造半導體元件、液晶顯示元件等之光刻工程，使用各種曝光裝置，將形成於光罩之圖案轉印於塗布有光阻等之晶圓或玻璃基板等之基板(以下統稱爲晶® )上。近年，主要係使用分段重複(step and repeat)方式之投影曝光裝置或致段靡描(step and scan)方式之掃描型投影曝光裝置等之投影曝光裝置。 ' 關於投影曝光裝置等曝光裝置，由於必須以高精確度將晶圓定位於光罩圖案之投影位置，因此，在晶圓台，晶圓係以真空吸著保持於晶圓固定器上，此晶圓固定器則固定於晶圓板上。在上述投影曝光裝置等之曝光裝置之處理，首先，在進行使用晶圓裝載機將晶圓裝載於晶圓台上之晶圓裝載工程後，進行求得晶圓上之各照相領域的位置之對準工程。關於對準工程’通常係包含以晶圓的外形爲基準或藉由檢出晶圓上之檢查對準標記所進行之檢查對準工程；^繼^ 檢查對準工程而進行正確求得晶圓上之各照相領域的位置之微對準工程。此種微對準、工程，係使用例如美國專利^ 4,78〇,6i7號或美國專利第4,962,318號所揭示之 EGA(enhanced global alignment)方式。此種方式，係事先 3 氏張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2]0 X 297公^ ----------------r---^ ---------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 511144 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（y) 選擇晶圓內之多數個樣本鏡頭，依序計測附設於該樣本鏡頭之對準標記（晶圓標記）。其次，根據計測結果及鏡頭配列之設計値進行所謂的最小自乘法等之統計演算，求得晶圓上之全鏡頭配列資料。依此，可以高產能及較高精確度求得各照相領域之座標位置。其次，在進行根據以上述之EGA方式等所求得之各照相領域的座標位置及事先測得之基線量，將晶圓上之各照相領域依序定位，並透過投影光學系統將光罩之圖案像轉印於晶圓上之曝光工程之後，進行使用晶圓卸載機將被曝光處理後之晶圓台上的晶圓予以卸載之晶圓卸載工程。又，晶圓卸載工程，係構成進行曝光處理之上述晶圓裝載工程及晶圓交換工程。如此，在曝光裝置著眼於各晶圓之場合，如晶圓交換 β對準—曝光—晶圓交換......之3個動作，按時間順序重複進行。關於使用1個晶圓台進行在曝光裝置之處理場合，若將相當於1片晶圓的處理時間Tt，晶圓交換時間設爲 T1，對準時間設爲T2，曝光時間設爲T3，則形成

Tt=Tl+T2+T3 ......(1) 又，由於晶圓交換時間T1係短於對準時間T2或曝光時間T3，因此，相當於1片晶圓的處理時間Tt之大部份爲對準時間T2及曝光時間T3。但，投影曝光裝置等之曝光裝置，由於係半導體元件等之量產裝置，因此，其產能之提升必然被要求。依要求，而投入使用2個基板台及將該2個基板台獨立驅動之資 4 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公釐） -----------------·—---^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 511144 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（））源，上述將對準工程及曝光工程一起動作之曝光裝置，例如曰本專利特開平10-214783號公報(以下稱爲習知例）所揭示。依該曝光裝置，相當於1片晶圓的處理時間Ttf爲：

Tt，=MAX(Tl+T2+T3) ......(2) 因此，相較於使用1個基板台，更可大幅提升其產能〇近年來，在半導體元件之生產方面，爲提升其產能，而有將晶圓大小由6吋、8吋進而12吋依序大型化之趨勢，並且大型化之晶圓台被要求更高加速度驅動。即，隨著晶圓台之重量化，同時亦要求增大其晶圓台之驅動力。晶圓台之重量化，係隨著晶圓台之移動而導致包含該晶圓台之台裝置的重心移動增加，在包含台裝置之曝光裝置產生較大的偏加重。較大的偏加重之產生，則會引起曝光裝置之變形。又，例如將晶圓台來回移動，則會使曝光裝置全體產生振動。又，較大的驅動力來驅動晶圓台，則會因其反作用力而導致曝光裝置之變形或振動。又’上述習知例之方法雖係提升產能之良好方法，但，若考慮到晶圓台之大型化、重量化，及對應於此而以較大的驅動力將2個晶圓台分別獨立驅動之場合，相較於！個晶圓台之場合，則更容易產生曝光裝置之變形或振動。另一方面，隨著半導體元件之高度密集化，實用最小線寬亦隨之微細化，並要求提高圖案的轉印精確度。對於提高圖案的轉印精確度之要求，上述之曝光裝置之變形或 5 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -----------------^--I 訂---I-----線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 511144

五、發明說明（（V) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製振動係使圖案的轉印精確度降低之要因。即，今後，很難使圖案的轉印精確度之提高與產能之提升兩者同時並存。〔發明槪要〕本發明有鑑於此，其第1目的係提供將2個台獨立驅動，並且降低因台之驅動所產生之重心的移動或反作用力所引起的振動的影響，之台裝置。本發明之第2目的係提供可提高圖案之轉印精確度並可提高產能之曝光裝置。本發明自第1觀點而言，其係一種台裝置，包含：第 ί台及第2台，以可移動方式支持於基座；及移動部件，以可移動方式支持於前述基Μ，將隨著前述第丨台及前述第2台至少其中之一的移動之前述台裝置之重心的移動，予以抵銷而進行移動。此處，重心的移動之抵銷，係包含完全將重心的移動抵銷，及將重心的移動一部份抵銷，意即減低重心位置之移動量。依此，由第1台及第2台至少其中之一的移動所引起之台裝置之重心的移動，可藉由移動部件之移動而將其抵銷。即，可防止第1台及第2台至少其中之一移動後之台裝置之重心的移動。因此，相較於台裝置之初期狀態，更可防止對外部之部件所產生之偏加重。在本發明之台裝置，其更可具備將前述基座以可移動方式而支持之基座支持部件〜。在此場合，藉由移動部件之移動而未完全抵銷之台裝置之重心的移動，可藉由基座之移動而完全抵銷。 6 —------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 511144 A7 —- _ B7___ 五、發明說明（< ) 在本發明之台裝置，於第1台之驅動、第2台之驅動或移動部件之驅動，相對於基座而驅動第1台、第2台或移動部件，其驅動之反作用力可設定爲作用於基座。在此場合，前述基座，可藉由以前述第1台及前述第2台至少其中之一的移動所產生之反作用力及以前述移動部件的移動所產生之反作用力，透過兩者之合力而在前述支持部件上移動之構成。此種構成，可藉由降低基座與基座支持部件兩者之間的摩擦，而防止台裝置之重心的移動。又，在本發明之台裝置，前述移動部件係包含可彼此獨立移動之多數個質量體之構成。在此場合，藉由對應於第1台或第2台之移動而調整多數個質量體之移動，可抵銷台裝置之重心的移動。又，在藉由第1台、第2台或移動部件之驅動而對基座施加反作用力之作用的構成之場合，藉由對應於第1台或第2台之驅動力及對基座之相對位置，以及對應於對多數個質量體之基座之相對位置，而調整驅動力，可使施加於基座之反作用力之和幾乎變爲零。又，若第1台、第2台及多數個質量體分別與基座之摩擦非常小，可將上述台裝置之重心移動之抵銷及施加於基座之反作用力之抵銷兩者同時進行。關於作爲藉由摩擦力非常小之基座之第1台、第2台及多數個質量體的支持方式，可使用例如空氣浮上方式或磁力浮上方式等。第1台、第2台及多數彳固質量體，係沿既定之移動面而進行平面移動，在多數個質量體分別可往任意的平面方向驅動之場合，若質量體之數量爲2個以上，則可將台裝 7 -----------------^—-----_線^^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 511144 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 __B7___ 五、發明說明（b ) 置之重心的移動抵銷。又，在藉由第1台、第2台或移動部件之驅動而對基座施加反作用力之作用的構成之場合，可使作爲與既定之移動面平行之平面並進力或平面旋轉力而作用之反作用力之和幾乎變爲零。進而，藉由第1台、第2台及多數個質量體之驅動，若對基座所施加之反作用力爲在同一平面上之力，則亦可包含3度空間之旋轉力，使其反作用力之和變爲零。又，第1台、第2台及多數個質量體沿既定之移動面而進行平面移動，在對多數個質量體之驅動若非完全彼此平行方向之驅動之場合，若質量體之數量爲3個以上，則可將台裝置之重心的移動抵銷。又，在藉由第1台、第2 台或移動部件之驅動而對基座施加反作用力之作用的構成之場合，可使作爲與既定之移動面平行之平面並進力或平面旋轉力而作用之反作用力之和幾乎變爲零。進而，藉由第1台、第2台及多數個質量體之驅動，若對基座所施加之反作用力爲在同一平面上之力，則亦可包含3度空間之旋轉力’使其反作用力之和變爲零。又，在本發明之台裝置，可包含：第1驅動裝置，具有固定於前述第1台之第1可動元件及固定於前述基座之第1固定元件’並藉由電磁相互作用而驅動第1可動元件 :及第2驅動裝置，具有固定於前述第2台之第2可動元件及固定於前述基座之第2-固定元件，並藉由電磁相互作用而驅動第2可動元件。在此場合，可以高速且控制性良好地移動第1台及第2台。又，當使用平面馬達作爲第1 8 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -----------------l·---訂---------線- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 511144 A7 B7____ 五、發明說明（1 ) 驅動裝置及第2驅動裝置時，可將第1固定元件及第2固定元件一體構成。又，在本發明之台裝置，可包含第3驅動裝置，具有固定於前述第3台之第3可動元件及固定於前述基座之第 3固定元件，並藉由電磁相互作用而驅動第3可動元件。在此場合，可將移動部件以高速且控制性良好地移動。又，在移動部件爲包含多數個質量體且可分別獨立驅動之場合，則形成第3可動元件係包含質量體之數量之可動元件，並且，第2可動元件係包含質量體之數量之可動元件。又，當當使用平面馬達作爲第3驅動裝置時，即使在移動部件包含多數個質量體且可分別獨立驅動之場合，亦可將全部定元件一體構成。進而，當使用平面馬達作爲第1驅動裝置、第2驅動裝置及第3驅動裝置時，可將第1固定元件、第2固定元件及第3固定元件一體構成。在此場合，可藉由第1台、第2台及第3台之驅動，使所有施加於基座之反作用力變爲再同一平面上之力。自本發明之第2觀點而言，其係以能量光束曝光基板，將既定之圖案轉印於前述基板上之曝光裝置，使用本發明之台裝置作爲保持前述基板之基板台裝置。依此，由於藉由本發明之台裝置將曝光對象之基板保持並移動，以及進行圖案轉印，因此，不但可對應基板之大型化，並可防止因台裝置之重心移動所引起之曝光裝置之變形及振動。因此，不但可提高圖案之轉印精確度，亦 9 -----I--------.--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫4.頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 511144 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 A7 B7 五、發明說明（κ ) 可提高產能。又，由於在本發明之台裝置，可分別將基板保持於第1台及第2台並將其獨立移動，因此，在曝光裝置之處理，可將2片基板同時處理，故可提高產能。在本發明之曝光裝置，可包含:曝光本體部，藉由在被保持於前述第1台之第1基板及被保持於前述第2台之第 2基板之內之一面照射前述能量光束而曝光，將前述既定之圖案轉印；對準部，檢出在前述第1基板及前述第2基板之內之另一表面所形成之區分領域之配列座標；第1位置檢出裝置，檢出前述第1台之位置；及第2位置檢出裝置，檢出前述第2台之位置；並且，前述第1基板及前述第2基板之一面係定位在相對於前述既定之圖案之轉印位置，而前述第1基板及前述第2基板之另一面係定位在相對於對準部之位置。在此場合，可根據由第1位置檢出裝置之第1台位置的檢出結果，將一方之基板對曝光本體部定位並且進行圖案轉印之有關第1基板之曝光工程；及根據由第2位置檢出裝置之第2台位置的檢出結果，將他方之基板對對準部定位並且檢出形成於他方之基板的表面之劃分領域之配列座標之對準工程，將兩工程同時實施。因此，不但可提高圖案之轉印精確度，亦可大幅提高曝光裝置之產能。又，較佳係更進一步具有檢出裝置，用以檢出在台裝置之移動部件之位置。在此場合，可以良好精確度抵銷重心的移動。又，在移動部件對應於位置而變化用以驅動之控制量之場合，藉由對應於移動部件的位置之驅動控制， 10 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -n n n n n ϋ n n mmm— n IB n *n n n n ml n 一乍 n HI n n n n m I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 511144 A7 —...... ..... 111111-〜11" —————— 五、發明說明（气）可以所欲形態驅動移動部件。此處，則述第1位置檢出裝置，包含：固設於前述第 1台之第1光學部件；及第！干涉計系統，朝向前述第i 光學部件照射光並接收來自前述第〗光學部件之反射光，檢出前述第1台之位置。前述第2位置檢出裝置，包含：固設於前述第2台之第2光學部件；及第2干涉計系統，朝向前述第2光學部件照射光並接收來自前述第2光學部件之反射光，檢出前述第2台之位置。在此場合，由於可藉由第1干渉計系統及第2干涉計系統，以非常高的精確度檢出第1台之位置(進而第i基板之位置)及第2台之位置(進而第2基板之位置），因此可以高精確度進行圖案之轉印。又’在移動部件之位置檢出，亦使用干涉計系統爲較佳。在此場合，可以非常好的精確度抵銷重心的移動。又 ’在移動部件對應於位置而變化用以驅動之控制量之場合 ’藉由對應於移動部件的位置之驅動控制，可以非常好的精確度驅動移動部件。又’在本發明之曝光裝置，前述曝光本體部，可包含 :光罩台裝置，將形成有前述既定之圖案且被前述能量光束照射之光罩予以保持並移動；及投影光學系統，以透過前述光罩之能量光束將前述既定之圖案予以成像。在此場合’可將形成於光罩之圖素以高精確度及產能轉印於基板〇此處，前述光罩台裝置，可包含··光罩台，將前述光 11 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） — --------^---------^ (請先閱讀背面之注意畜.項再填寫本頁) 511144 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（f。）罩保持並移動；及光罩台基座，以可移動方式保持前述光罩台’並藉由前述光罩台之移動所產生之反作用力而移動。在此場合，當光罩移動時，因光罩台的移動所引起之光罩台裝置之重心的移動，可藉由光罩台基座的移動而將其抵銷。因此，由於可防止因光罩之移動所引起之曝光裝置之變形及振動，故可使光罩高速移動，並可將形成於光罩之圖案以高精確度及產能轉印於基板。自本發明之第3觀點而言，其係掃描型曝光裝置，包含：光罩台裝置，具有保持光罩之微動台及粗動台，並且將前述光罩移動；基板台裝置，具有將第i基板保持並移動之第1基板台及將第2基板保持並移動之第2基板台，並且與前述粗動台分離；及投影光學系統，自前述粗動台 Ssu述基板台裝置分離，使前述光罩之圖案朝向前述第1 基板台及前述第2基板台兩者其中之一而投影。 {衣此，爲使曝光用光束照射於光罩，並使光罩台裝置之光罩與第1基板及第2基板其中任一基板同步移動，而以光罩台裝置移動光罩，並且以基板台裝置移動第1基板及第2基板其中任一基板。在此考慮到因用以驅動光罩或基板產生之反作用力所引起之振動，或是因光罩台裝置或基板台裝置之重心移動所造成之裝置變形等影響，而影響到曝光裝置之其他部分。但，由於粗動台、基板台裝置及投影光學裝置係彼此分離，、因此，在其他部分所進行之光罩或基板之驅動所引起之振動等彼此較難互相影響，而可以良好精確度進行圖案之轉印。又，由於具有第1基板及 12 ’ '又適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） I----------裝---l·---訂---------線Ijpr (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 511144 經濟部智慧財產局員Η消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（、\) 第2基板，而可進行2片基板之各種同時處理，因此，可提局曝光裝置之產能。在本發明之掃描型曝光裝置，其更可包含：基板台反作用力處理裝置，抑制由前述第丨基板台及前述第2基板台至少一方之移動所產生之反作用力。在此場合，由於可抑制第1基板台及第2基板台至少一方之移動產生之反作用力所引起之振動傳達至曝光裝置之其他部分，因此，可以良好精確度轉印圖案。又’在本發明之掃描型曝光裝置，其更可包含··基板台重心移動抑制裝置，抑制由前述第1基板台及前述第2 基板台至少一方之移動所產生之前述基板台裝置之重心移動。在此場合’由於可抑制第1基板台及第2基板台至少一方之移動產生之反作用力所引起之基板台裝置之重心移動而導致曝光裝置之變形或振動，因此，可以良好精確度轉印圖案。又，在本發明之掃描型曝光裝置，其更可包含：光罩台反作用力處理裝置，抑制由前述微動台及前述粗動台至少一方之移動所產生之反作用力。在此場合，由於可抑制微動台及粗動台至少一方之移動產生之反作用力傳達至曝光裝置之其他部分，因此，可以良好精確度轉印圖案。又’在本發明之掃描型曝光裝置，其更可包含：光罩台重心移動抑制裝置，抑制由前述微動台及前述粗動台至少一方之移動所產生之前述光罩台裝置之重心移動。由於可抑制微動台及粗動台至少一方之移動產生之光罩台裝置 13 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -----------------•匿—I ^—----- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 511144 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明說明（θ) 之重心移動而導致曝光裝置之變形或振動，因此，可以良好精確度轉印圖案。又，在本發明之掃描型曝光裝置，其更可包含··微動台驅動裝置，配設於前述微動台及前述粗動台之間，用以驅動前述微動台。在此場合，藉由微動台驅動裝置驅動微動台所產生之反作用力雖施加於粗動台，但由於粗動台係自基板台裝置及投影光學裝置分離，因此，可抑制因施加於粗動台之反作用力所產生之振動傳達至基板台裝置及投影光學裝置。又，藉由微動台之位置調整，可以良好精確度控制光罩之位置。因此，可以良好精確度轉印圖案。又，在本發明之掃描型曝光裝置，'其更可包含：第1 對準裝置，進行前述第1基板台之對準；及第2對準裝置，進行前述第2基板台之對準。在此場合，當將被保持於第1基板台及第2基板台之基板透過投影光學系統以曝光用光束掃描曝光時，被保持於另一基板台之基板亦可進行對準。即，可將一方之基板之掃描曝光與另一基板之對準同時處理。因此，可將基板的曝光處理之產能提高2倍程度。此處，前述投影光學系統，其更可包含：保持部件，保持前述投影光學系統、前述第1對準裝置及第2對準裝置。在此場合，由於前述第1對準裝置及第2對準裝置亦與投影光學系統同樣地自粗動台及基板台裝置分離，因此很難受到因光罩或基板的驅動所產生之振動的影響，故可以良好精確度進行對準及轉印圖案。 14 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） —---------------—丨訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 511144 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（ο) 〔圖面之簡單說明〕〔圖1〕係表示本發明之一實施形態之曝光裝置之槪略構成圖。〔圖2〕係說明圖1之光罩台裝置之構成之俯視圖。〔圖3〕係說明圖1之晶圓台裝置之構成之俯視圖。〔圖4〕係說明圖1之晶圓台裝置之構成之截面圖。〔圖5〕係表不電機子線圈之構成圖。〔圖6〕係說明晶圓台用可動兀件之磁石配置之底面圖。〔圖7(A)〜圖7(C)〕係說明晶圓台用可動元件之磁極元件之構成圖。〔圖8〕係說明移動體用可動元件之磁石配置之立體圖。〔圖9(A)及圖9(B)〕係說明移動體用可動元件之磁極元件之構成圖。〔圖10(A)及圖10(B)〕係說明藉由移動體用可動元件之磁極元件之磁氣電路圖。〔圖11〕係說明施加於固定元件之反作用力消除之圖〇〔發明之較佳實施形態〕以下’根據圖1〜圖11說明本發明之一^實施形態。圖 1係表示本發明之一實施形態之曝光裝置100全體之槪略構成圖。此曝光裝置100，即是所謂之分段掃描(step and scan)曝光方式之掃描型曝光裝置。 15 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） I---I------l·---^----I I --- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 511144 A7 B7 91· 年 η 五、發明說明（卟）此曝光裝置100，具有:照明系統10 ;光罩台裝置30 ，包含將光罩R保持之光罩台RST ;投影光學系統PL ;晶圓台裝置40作爲台裝置，包含將作爲基板(第丨基板及第 2基板)之晶圓Wl、W2分別保持並且在XY平面內往χγ 平面方向移動之2個晶圓台WST1、WST2 ; 2個對準檢出系統ALG1、ALG2作爲對準部(第1對準裝置及第2對準裝置），分別檢出形成於晶圓Wl、W2上之晶圓對準標記 ;及控制系統。又，包含照明系統10、光罩台裝置30及投影光學系統PL，而構成曝光裝置本體部。前述照明系統10，係由光源元件、快門、2次光源形成系統、光束分離器、聚光透鏡系統、光罩擋板、成像透鏡系統及折射鏡等（未圖示）所構成，並且射出均一照度之曝光用照明光IL。又，照明光IL，係以均一照度照明光罩 R上之矩形（或圓弧形）之照明領域。此處，可使用例如來自超高壓水銀燈之紫外域光線(g線、i線）、KrF準分子雷射光源(振盪波長248nm)、ArF準分子雷射光源(振盪波長 193nm)、F2雷射光源(振盪波長i57nm)，或是Kr2雷射光源(振盪波長146mn)、Ar2雷射光源(振盪波長126nm)、金屬蒸氣雷射光源、YAG(釔鋁石榴石）雷射之高頻波產生裝置等。前述光罩台裝置30,具有以平面視(參考圖2)爲長方形之光罩基座31 ;及設於光罩基座31上面，將光罩台 RST往Y軸方向驅動之1對線性馬達32A、32B。光罩基座31，在床面F上，以透過多數(此處爲4個) 16 •--------------------——------^---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 511144 A7 B7 五、發明說明（6) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 防振元件21A、21B、21C、21D(但，在圖1紙面內側之防振兀件21C、21D係未圖不)而立設之4根柱體22將其水平保持之基座支持盤23上，以可水平移動而支持。即，在光罩基座31下面設置未圖示之氣墊，透過這些氣墊，使光罩基座31以非接觸方式浮上支持於基座支持盤23上方。又，作爲防振元件21A〜21D，例如，使用根據固定於柱體 22或基座支持盤23之半導體加速度計等之振動感測器之輸出而積極防振或主動防振裝置，將床面F所傳達之微振動以微G位準絕緣。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製前述線性馬達32A，如圖2所示，具有：在光罩基座 31上面之+X側，以Y軸方向作爲長方向而固定之截面C 字形的固定元件33A ;及與該固定元件33A呈卡合狀態而突設於光罩台RST之+X側之可動元件34A。又，前述線性馬達32B，具有：在光罩基座31上面之-X側，以Y軸方向作爲長方向而固定之截面C字形的固定元件33B ;及與該固定元件33呈卡合狀態而突設於光罩台RST之-X側之可動元件34B。作爲線性馬達32A、32B，此處雖使用習知之動圈型的洛倫茲（Lorenz)力驅動方式之線性馬達’亦可使用動磁型之線性馬達。又，爲了支持可動元件34A、34B及光罩台RST之重量，在可動元件34A、34B之光罩基座31對向面設置未圖示之氣墊，光罩台RST透過這些氣墊以非接觸方式被浮上支持於光罩基座31上方。又，在光罩基座31上，爲了將可動元件34A、34B之移動(進而，可動元件34A、34B之 17 本^尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 511144 A7 ----—B7 五、發明說明（少）移動)導向γ軸方向並限制其往X軸方向移動，而設置未圖不之Y導件，並且在可動元件34A、34B之Y導件對向面設置未圖示之氣墊。前述光罩台RST，具有:以線性馬達32A、32B往Y方向驅動之平面視矩形框狀的光罩粗動台RC;及透過在此光罩粗動台RC的內部空間，由音圈馬達所構成的一對X軸微動馬達35X1、35X2及Y軸微動馬達35Y1、35Y2而配置之略正方形的光罩微動台RF。在光罩微動台RF上，透過未圖示之真空吸盤或靜電吸盤而保持光罩R。又，由X 軸微動馬達35X1、35X2及Y軸微動馬達35Y1、35Y2構成微動台驅動裝置。再參考圖1，在光罩台RST上固定移動鏡36，將來自作爲位置檢出裝置之光罩雷射干涉計(以下稱爲光罩干涉計 )37之雷射光束反射，在光罩台RST之台移動面，此光罩干涉計37係固定於基座支持盤23上。又，光罩干涉計37 之參照鏡（固定鏡），其圖示雖省略，但固定於後述之投影光學系統P L之鏡筒部。來自光罩干涉計37關於光罩台R S T的位置資訊(或速度資訊)傳送至台控制系統91，並透過台控制系統91傳送至主控制裝置90，台控制系統91依主控制裝置90之指示，根據光罩台R S T的位置資訊，以線性馬達32A、32B及音圈馬達35X1、35X2驅動光罩台 R S T(即，光罩粗動台RC及光罩微動台RF)。

此處，實際上如圖2所示，在光罩台R s T上，雖在光罩粗動台RC設置用以檢出光罩粗動台RC掃描方向之Y 18 -----------·11 -訂--------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 511144 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（1) 軸方向的位置之移動鏡36Y3，在光罩微動台RF設置用以檢出光罩微動台RF之Y軸方向的位置及Z軸周圍的旋轉之移動鏡36Y1、36Y2，以及用以檢出光罩微動台RF之非掃描方向之X軸方向的位置之移動鏡36X，但在圖1僅以移動鏡36作爲代表而加以說明。又，雖使用未圖示之4個光罩干涉計以對應上述4個移動鏡，但在圖1僅以光罩干涉計37作爲代表而加以說明。前述投影光學系統P L，係在圖1之光罩台RST下方，被固定於後述作爲保持部件之柱體25，其光軸ΑΧΟ(與照明系統10之光軸一致)的方向設爲Ζ軸方向，在此處爲兩側遠心之縮小系統，並且使用沿光軸A X方向以既定間隔配置之多數片透鏡元件所構成之折射光學系統。此投影光學系統P L，具有既定的投影倍率，例如1/4、1/5或 1/6。因此，當以來自照明系統10之照明光照明於光罩R 之照明領域，則藉由通過此光罩R之照明光，透過投影光學系統P L，使在光罩R之照朋領域內之電路圖案的縮小像(部分倒立像）形成於與表面塗布有光阻之晶圓W(W1或 W2)上之照明領域共同作用之曝光領域。前述柱體25，係由在床面上，透過多數(此處爲4個) 之防振元件26A、26B、26C、26D(但，圖1內側之防振元件26C、26D未圖示)而立設之4根柱體27 ;及被此4根柱體27水平保持之鏡筒定盤-28所構成。此處，防振元件 26A〜26D係與防振元件21A〜21D同樣構成，將床面F所傳達之微振動以微G位準加以絕緣。 19 -----—------------r—^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 511144 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（J) 在鏡筒定盤28形成平面視圓形之開口，在此開口內部 ’前述投影光學系統P L係由上方插入。在此投影光學系統P L之鏡筒部之高度方向的中央部略下方位置設置凸緣部FLG，透過該凸緣部FLG將投影光學系統P L固定於鏡筒定盤28。前述對準檢出系統ALG1、ALG2，綜合圖1及圖3所示，係藉由鏡筒定盤48而分別保持於投影光學系統P L之 X軸方向之兩側。此處，對準檢出系統ALG1具有與Z軸方向平行之光軸AX1，又，對準檢出系統ALG2具有與Z 軸方向平行之光軸AX2。作爲對準檢出系統ALG1、ALG2 ，此處係使用畫像處理方式之成像式對準感測器，即 FIA(Filed Image Alignment )感測器。又，在對準檢出系統ALG1、ALG2，可使用 LSA(Laser Step Alignment)感測器、LIA(Laser Interferometric Alignment)感測器以代替FIA感測器，或亦可使用FIA感測器、LSA感測器、LIA感測器之任意組合〇在實施形態，使用對準檢出系統ALG1、ALG2，檢出晶圓上的3點之一次元標記之位置而進行晶圓之槪略位置計測，即所謂之檢索對準，或進行晶圓上各照相領域之正確位置計測之微對準等。在此場合，一方之對準#出系統ALG1，係用於晶圓 W1上之對準標記及晶圓台WST1上之未圖示之基準標記之檢出。又，他方之對準檢出系統ALG2，係用於晶圓W2 20 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------— II----------訂----------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 511144 A7 B7 五、發明說明（β ) 上之對準標記及晶圓台WST2上之未圖示之基準標記之檢出。對準檢出系統ALG1、ALG2之檢出結果提供至主控制裝置90 〇經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ---------------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 前述晶圓台裝置40，具有：固定於床面F，作爲基座支持部件之晶圓基座支持盤41 ;在該晶圓基座支持盤41 上，透過未圖示之空氣軸承而作爲被浮上支持之基座之晶圓基座42 ;組合於晶圓基座42之固定元件60 ;在晶圓基座42上，透過未圖示之空氣軸承而浮上支持之晶圓台 WST1、WST2及作爲質量體之移動體DMX〗、DMX2、 DMY!、DMY2(但，在圖1紙面內側之移動體DMX2未圖示，參考圖3);及固定於晶圓台WST1、WST2作爲第1及第2可動元件之可動元件50W〗、50W2，以及固定於移動體DMX〗、DMX2、DMY〗、DMY2之可動元件50DX!、 50DX2、50DYi、50DY2 〇又，由移動體 DMXi、DMX2、 DMY!、DMY2構成移動部件。又，由固定元件60及可動元件50W!構成第1驅動裝置(此處爲平面馬達），又，由固定元件60即可動元件50W2構成第2驅動裝置(此處爲平面馬達）。進而，由可動元件50DX〗、50DX2、50DY〗、50DY2 構成第3可動元件，又，由固定元件60及可動元件50DX! 、50DX2、50DY】、50DY2構成第3驅動裝置(此處爲4個線性馬達）。又，由固定元件60及移動體DMX:、DMX2、 DMYi、DMY2構成基板台反作用力處理裝置及基板台重心移動控制裝置。在前述晶圓基座42底面，將未圖示之氣墊(例如，真 21 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 511144 A7 __B7 五、發明說明（y°) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 空預壓型空氣軸承)設於多數個位置，藉由此氣墊的空氣噴出力與真空預壓力兩者之平衡，在保持數微米間隔之狀態，以可往χγ平面方向移動而浮上支持於晶圓基座支持盤 41上。又，在晶圓基座42上面，設置分別將可動元件 50DX!、50DX2之移動往X軸方向導引且限制其往γ軸方向移動之未圖示之X導件，又，設置分別將可動元件 50DY!、50DY2之移動往γ軸方向導引且限制其往X軸方向移動之未圖示之Y導件。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

在前述晶圓台WST1上，晶圓W1係透過例如真空吸著或靜電吸著而固定。又，在此晶圓台WST1 :上將移動鏡 57固定，俾將來自作爲第1位置檢出裝置之晶圓雷射干涉計(以下稱爲晶圓干涉計）58!之雷射光束反射，藉由固定於柱體25之前述晶圓干涉計58!，以例如0·5〜lnm程度之分解能常時檢出在晶圓台WST1之XY面內之位置。此處，實際上如圖3所示，在晶圓台WST1上，設置具有與作爲掃描方向之Y軸方向垂直交叉的反射面之移動鏡57Y，及設置具有與作爲非掃描方向之X軸方向垂直交叉的反射面之移動鏡57X，晶圓干涉計58l雖將1軸設爲掃描方向，2 軸設爲非掃描方向，在圖1僅代表性地表示移動鏡57、晶圓干涉計58!。晶圓台WST1之位置資訊(或速度資訊)係傳送至台控制系統91，並透過台控制系統91傳送至主控制裝置90，台控制系統91依來自主控制裝置90之指示，根據前述位置資訊(或速度資訊），透過固定元件60及可動元件50W!所構成之平面馬達裝置而控制晶圓台WST1之XY 22 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公愛）經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 511144 A7 --— B7 五、發明說明（v\) 面內之移動。在前述晶圓台WST2上，晶圓W2係透過例如真空吸著或靜電吸著而固定。又，在此晶圓台WST2上將移動鏡 57固定，俾將來自作爲第2位置檢出裝置之晶圓雷射干涉計(以下稱爲晶圓干涉計）582之雷射光束反射，藉由固定於柱體25之則述晶圓干涉計582，以例如0.5〜lnm程度之分解能常時檢出在晶圓台WST2之XY面內之位置。此處，與上述之晶圓台WST1同樣地，實際上如圖3所示，在晶圓台WST2上，設置具有與作爲掃描方向之γ軸方向垂直交叉的反射面之移動鏡57Y，及設置具有與作爲非掃描方向之X軸方向垂直交叉的反射面之移動鏡57X，晶圓干涉計582雖將1軸設爲掃描方向，2軸設爲非掃描方向，在圖 1僅代表性地表示移動鏡57、晶圓干涉計58!。晶圓台 WST2之位置資訊(或速度資訊)係傳送至台控制系統91，並透過台控制系統91傳送至主控制裝置90，台控制系統 91依來自主控制裝置90之指示，根據前述位置資訊(或速度資訊），透過固定元件60及可動元件50W2所構成之平面馬達裝置而控制晶圓台WST2之XY面內之移動。在前述移動體DMX〗、DMX2上，設置與X軸垂直交叉之未圖示之移動鏡，分別對應於此，未圖示之雷射干涉計在X軸方向設置1軸，常時檢出移動體DMX,、DMX2 之X軸方向之位置。又，在前述移動體DMY!、DMY2上，設置與Y軸垂直交叉之未圖示之移動鏡，分別對應於此，未圖示之雷射干涉計在Y軸方向設置1軸，常時檢出移 23 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公愛） I —— I l·—^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 511144 A7 _ B7 五、發明說明（ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 動體DMY!、DMY2之Y軸方向之位置。移動體DMXi、 DMX2、DMY,、DMY2之位置資訊(或速度資訊)係傳送至台控制系統91，並透過台控制系統91傳送至主控制裝置90 ，台控制系統91依來自主控制裝置90之指示，根據前述位置資訊（或速度資訊），透過固定元件60及可動元件 50DX〗、50DX2所構成之2個線性馬達而控制移動體DMX! 、DMX2之X軸方向之移動，並且透過固定元件60及可動元件50DY!、50DY2所構成之2個線性馬達而控制移動體 DMY!、DMY2之Y軸方向之移動。進而，圖1之裝置，爲了檢出定位於投影光學系統PL 下方之晶圓(在圖1爲晶圓W1)表面的前述曝光領域內部及其附近領域之Z方向(光軸AX方向）之位置，因此設置斜入射光式之焦點檢出系統其中之一之多點焦點位置檢出系統。此多點焦點位置檢出系統，係由未圖示之照射光學系統及受光光學系統所構成。關於此多點焦點位置檢出系統之詳細構成等，例如揭示於美國專利第5,448,332號等。在此引用該美國專利作爲本說明書之部份說明。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製其次，關於晶圓台裝置40之各部構成，參照圖3〜圖 9而更詳細說明。圖3係表示台裝置30之俯視圖，圖4係表不圖3之A-A截面圖。前述晶圓台WST1，如綜合晶圓台裝置之俯視圖之圖 3及表示圖3之A-A截面圖(XZ截面圖）之圖4，具有：裝載晶圓W1之基板台55 ;設於可動元件51上面，並且包含將基板台55支持於相異3點之音圈馬達等之支持機構 24 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 511144 A7

五、發明說明（VO 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 56a、56b、56c ;及支持機構56a、56b、56c所設置之板狀部件58。又，將可動元件50W!固定於板狀部件58底面。晶圓台WST1，藉由支持機構56a〜56c而可將其驅動對基板台55之XY面之傾斜及往X軸方向驅動。支持機構 56a〜56c，係透過未圖不之驅動機構且以圖1之台控制系統 91而分別獨立驅動控制。前述晶圓基座42，如綜合圖3及圖4所示，具有：以平面視爲矩形狀之框架部件65 ;由架設於此框架部件65 之高度方向的中央部之磁性材料所形成之平板狀之磁性體部件62 ;及由在塞住框架部件65之上部開口之狀態下，一體安裝之陶瓷等實質上非磁性體材料所形成之平板狀部件68。在前述磁性體部件62上面，配置矩陣狀之多數個電機子線圏63。又，在圖3，圖中左上之電機子線圈63僅以1 個具體的形狀表示，其他之電機子線圈63則以單純的正方形表示。如圖4所示，以這些多數個電機子線圈63構成電機子元件61，並以電機子元件61及前述磁性體部件62而構成前述之固定元件60。又，構成電機子元件61之電機子線圈63，如圖5所示，係一邊之長度具有3L之正方形底面(與XY平面平行之面），並且具有在與Z軸平行之中心軸CX附近貫通Z方向之中空部而構成角柱狀。此中空部之截面形狀，係形成一邊之長度爲L之正方形。此電機子線圈63係由未圖示之電流驅動裝置供給電流。又，所供給之電流，係以幾乎一樣之電流密度流經中心軸CX之周 25 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公1 ) --I I --------r------------^ Aw (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 511144 經濟部智慧財產局員Η消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（>4) 圍。又，流經電機子線圏63的電流之電流値及電流方向，係藉由台控制系統91，透過未圖示之電流驅動裝置而加以控制。又’隨著因爲對電機子線圈63之電流供給而發熱之電機子線圈63，爲防止其周邊部件溫度上升或電機子線圈63 周邊氣氛之變化，在本實施形態係進行電機子線圏63之冷卻。關於該冷卻，係藉由將被前述平板狀部件68、框體部件65及磁性體部件62所包圍之閉空間作爲用於將電機子元件61之電機子線圈63冷卻之冷卻液(冷媒)之通路而進行。即，在前述閉空件之一側設置未圖示支流入口，而在他側設置未圖示之流出口（排出口）·，來自未圖示之冷卻控制機之冷卻液(例如，水或氟惰性液體)透過流入口而送入閉空間，並在通過該閉空間內部時進行與電機子線圈63間之熱交換，吸收在電機子線圏63所產生之熱，變爲高溫之冷卻液透過流出口而往外部排出。前述可動元件50W!，如圖4所示，具有：由非磁性體材料所形成之磁石支持部件52W;在此磁石支持部件 52W以既定配列且作爲磁石之永久磁石係沿XY平面方向配置之磁極元件59W;及作爲未圖示之多數個氣體靜壓軸承，配置於與磁石支持部件52W底面特定鄰接之永久磁石間之氣墊(空氣軸承）。更詳細言之，磁石支持部件52W，係俯視略正方形，如圖6及圖7(A)〜(C)所示，設於磁極元件59W。磁極元件 59W，係由永久磁石 71N、71S、72N、73N、73S、74、75 26 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） I I I I .~~ — III — — · I I I l· I I I « — I — — — — — — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 511144 經濟部智慧財產局員Η消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（β ) 配置爲平面視全體網目狀所構成。又，各磁石之尺寸及磁極面之配置，係如圖6及圖7(A)〜(C)所示。此處，圖6係磁極元件59W之底面圖，圖7(A)係圖6之B-B截面圖，圖7(B)係圖6之C-C截面圖，又，圖7(c)係圖6之D-D 截面圖。以上之永久磁石 71N、71S、72N、73N、73S、74、 75，如圖7(A)〜(C)所示，係將與這些底面即晶圓基座42對向之面組合在同一平面上。結果，在磁極元件59W，與永久磁石 71N、71S、72N、73N、73S、74、75 之晶圓基座 42的對向側之相反側之磁極面，自永久磁石料、75之之晶圓基座42的對向側之相反側之面僅拉入高度τ之狀態，而形成凹部。又，如圖7(A)及圖7(C)所示，在永久磁石 71N、71S上部之凹部插入磁性體部件77，在永久磁石 72N上部之凹部插入磁性體部件78，又，在永久磁石73N 、73S上部之凹部插入磁性體部件79。磁性體部件77〜79 之尺寸如圖示一般，其材料係使用例如快削純鐵等之透磁率及飽和磁束密度高且容易形成螺絲孔之材料。磁極元件59W，如圖6所示，係形成多數個由永久磁石74或由永久磁石74及永久磁石75所包圍之空間。由該空間之中選擇之多數空間插入未圖示之氣墊。又，氣墊可鎖固於磁石支持部件52W，以可將磁石支持部件52W之底面部件切削加工一體形成氣~墊。進而，亦可以黏著劑將氣墊安裝於磁石支持部件52W之底面。前述晶圓台WST2，係與上述之晶圓台WST1同樣構 27 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） i I _ i I I l·---^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

511144 五、發明說明（功）一一—一一成。又，在上面固定有晶圓台WST2之可動元件5〇w2，係與上述之可動元件50W!同樣構成。前述移動體DMXi，如圖8所示，其X軸方向長度爲 12L之直方體狀之部件。作爲移動體DMX!之材料，由後述之磁氣電路之形成觀點而言，較佳爲非磁性體材料，以及由小型化之觀點而言，較佳爲選擇高密度材料。在移動體DMXi之底面固定前述可動元件50DX!。可動元件SODXi，具有：X軸方向長度12L、Y軸方向長度3L之磁極元件59D ;在底面部具有容納磁極元件 59D之凹部之磁石支持部件52D ;設於磁石支持部件52D 底面，作爲未圖7K之多數個氣體靜壓軸承之氣墊(空氣軸承 )(以下稱爲Z氣墊）；及設於磁石支持部件52D側面，作爲未圖示之多數個氣體靜壓軸承之氣墊（空氣軸承)(以下稱爲 Y氣墊）。在前述磁石支持部件52D上面固定移動體DMX! 。又，以自Z氣墊往前述平板狀部件68噴出之氣體，而將可動元件50DXi浮上支持，使其與平板狀部件68形成非接觸狀態。設於前述平板狀部件68上，將可動元件50DX! 之移動導引往X軸方向，並且朝向用以限制往Y軸方向之移動之未圖示之Y導件噴出Y氣墊之氣體。前述磁極元件59D，如圖9(A)及圖9(B)所示，係沿Z 軸方向配列永久磁石81N、81S、83N、84所構成。又，各磁石之尺寸及磁極面之配置係如圖9(A)藉圖9(B)所示。又，圖9(A)係磁極兀件59D之底面圖，圖9(B)係磁極兀件 59D之X Z截面圖。 28 --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ^U144 A7 __B7_—__ 五、發明說明（>1) 以上之永久磁石81N、81S、83N、84，如圖9(B)所示 ’係將這些底面即與晶圓基座42對向之面組合於同一平面上而構成磁極元件。結果，在磁石體，與永久磁石81N、81S、83N之晶圓基座42對向側之相反側的磁極面，係與永久磁石84之晶圖基座42對向側之相反側之面僅以高度T拉入之狀態，而形成凹部。又，如圖9(B)所示，在永久磁石81N、81S上部之凹部插入磁性體部件87，並以黏著劑等將其固定，又 ’在永久磁石83N上部之凹部插入磁性體部件89，並以黏著劑等將其固定。磁性體部件87、89之尺寸如圖所示，其材料則與上述之磁性體部件77〜79同樣地，係使用快削純鐵等之透磁率及飽和磁束密度高且容易形成螺絲孔之材料〇前述移動體DMX2，係與上述之前述移動體DMX!同樣構成，又，在上面固定有移動體DMX2之前述可動元件 5〇DX2，係與上述之可動元件50DX!同樣構成。又，前述移動體DMY!、DMY2，除了在上述之移動體DMX〗之乂軸方向變爲Y軸方向之外，亦與移動體DMX!同樣構成，又，在上面固定有移動體DMY!、DMY2之前述可動元件50 DY】、50 DY2，亦除了在上述之可動元件50 DX〗2X軸方向變爲Y軸方向之外，亦與可動元件50DX!同樣構成。又，如圖3所示，由移-動體DMX〗及可動元件SODXi 所構成之複合體，係配置於電機子元件60之-Y側端部之 +Z側，又，由移動體DMX2及可動元件50DX2所構成之複 29 本絲^尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ' ----------—.—l·—訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 511144 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（d ) 合體，係配置於電機子元件60之+Y側端部之+Z側。進而，由移動體DMY!及可動元件SODYi所構成之複合體，係配置於電機子元件60之-X側端部之+Z側，又，由移動體 DMY2及可動元件50DY2所構成之複合體，係配置於電機子元件60之+X側端部之+Z側。其次，說明在本實施形態之晶圓Wl、W2的驅動，即可動元件50W!、50W2之驅動原理槪要。在可動元件50W!之磁極元件59W，係關於永久磁石 71N、71S、74之場合，代表性地表示於圖10(A)，如實現箭頭所示，與磁性體部件62對向之磁極面(即，晶圓基座 42對向之磁極面)爲N極之永久磁石71N、72N、73N產生 -Z方向（向紙面下方)之磁束，又，與磁性體部件62對向之磁極面(即，晶圓基座42對向之磁極面)爲S極之永久磁石 71 S、73 S產生+Z方向（向紙面上方)之磁束。又，永久磁石74、75、磁性體部件77、78、79及磁性體部件62共同形成磁氣電路。又，磁氣電路，係在垂直磁化磁石71N、 71S、72N、73N、73S之配列，構成彼此相鄰之垂直磁化磁石。關於磁氣電路之構成，磁性體部件62係全部使用於磁氣電路，永久磁石71N及永久磁石71 S在磁氣電路係更使用永久磁石74及磁性體部件77，關於永久磁石73N及永久磁石73 S之磁氣電路係更使用永久磁石75及磁性體部件79。又，關於永久磁石71N及永久磁石73 S，或永久磁石71S及永久磁石73N之磁氣電路係更使用永久磁石 74及磁性體部件77、79，又，關於永久磁石72N及永久 30 本紙張尺度適用中關家標準（CNS)A4規格⑵G X 297公釐） I I I ----lull ----L----^--— — — III I (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 511144 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 A7 B7 五、發明說明（) 磁石73 s之磁氣電路係更使用永久磁石75及磁性體部件 78 ' 79 ° 以下，以永久磁石71N及與此永久磁石71N之+X方向之永久磁石71S之磁氣電路爲例，參考圖10(A)及圖 10(B)而加以說明。此磁氣電路如圖10(A)所示，自永久磁石71N之N極面所放出之磁束，係往-Z方向朝磁性體部件62進行。又，到達磁性體部件62後之磁束，係其後在磁性體部件62 中往+X方向進行，並到達與永久磁石71S之S極面對向之位置。其後，磁束係往-Z方向朝永久磁石71 S之S極面進行。到達永久磁石71S之S極面後之磁束係在永久磁石 71 S中進行，其磁束之一部份直接到達永久磁石74之S極面，剩餘之磁束則由永久磁石71 S之N極面，透過黏著固定於此N極面之磁性體部件77而到達永久磁石74之S極面。其後，磁束係在永久磁石74中往-X方向進行而到達永久磁石74之N極面。到達永久磁石74之N極面後之磁束，其磁束之一部份直接在永久磁石71N中進行，剩餘之磁束則在黏著固定於永久磁石71N之S極面之磁性體部件77中進行而到達永久磁石71N之S極面。其後，磁束係在永久磁石71N中朝向永久磁石71N之N極面進行。如此，永久磁石71N、磁性體部件62、永久磁石71 S 及永久磁石74(及磁性體部件77)，其磁束依序形成磁氣電 I ---------η--It-------I!^^w (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 31 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 511144 A7 ___ B7 五、發明說明u。）路。又，在磁極元件59W固定有磁石支持部件52W，由於磁石支持部件52W係非磁性體材料，因此’對磁石支持部件52W之磁束幾乎無洩漏。又，磁性體部件77〜79之厚度 T，由於考慮到磁性體部件77〜79之透磁率及飽和磁束密度，因此使其往磁極元件59W上方之洩漏磁束在容許値以下之最小厚度。在磁氣電路，在與磁極元件59W之晶圓基座42側之相反側，由於設置比空氣等之磁阻更低之磁性體部件77，作爲由永久磁石74之N極面往永久磁石71N之S極面之磁束進行路及由永久磁石71S之N極面往永久磁石74之 S極面之磁束進行路，因此，可降低在磁極元件59W上方之磁束之洩漏量。又，由於在永久磁石71N之N極面或永久磁石71 S之S極面其中之一對向設置磁性體部件62，因此，可降低在磁性體部件62上方之磁束之洩漏量。因此，由永久磁石71N、71S、74之起磁力所產生之磁束幾乎全部流往磁氣電路。因此，對於在磁極元件59W上方之周邊部件及周邊裝置不會造成磁氣的不良影響，並可在磁極元件59W與磁性體部件62之間產生高磁束密度之磁束。又，以上雖已說明有關永久磁石71N及在此永久磁石 71N之+ X方向之永久磁石71S的磁氣電路，但，有關永久磁石71N及在此永久磁石71N之-X方向之永久磁石71 S的磁氣電路，以及有關永-久磁石71N及在此永久磁石 71N之土 Y方向之永久磁石71 S的磁氣電路，亦同樣地形成磁氣電路。文，關於永久磁石71N(71S)及永久磁石 32 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公楚） ·.—一—^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 511144 A7 B7 五、發明說明（V) 73S(73N)之磁氣電路，以及永久磁石72N及永久磁石73S 之磁氣電路，亦與上述同樣形成。當形成圖10(A)所示之磁氣電路時，在磁性體部件62 附近，即電機子元件61所配置之位置之磁束密度B係圖 10(B)所示般分布。即，對應於永久磁石71N(71S)之中心點之位置，其磁束密度B的絕對値爲最大，由此點越往對應於磁極面周邊部之位置，其磁束密度B的絕對値則越小，而在對應於一永久磁石71N(71S)中心之位置與在垂直磁化磁石之配列且與一永久磁石71N(71S)相鄰之另一永久磁石71S(71N)之中心對應之位置，兩者之中點位置其磁束密度B爲零。又，磁束密度B之X方向分布，係以對應於永久磁石71N(71S)中心之位置爲中心，形成在±X方向對稱。即，磁束密度B之X方向分布，係藉由正弦函數或梯形函數而形成近似之形狀。又，在圖10(B)，當磁束方向爲+Z方向時，磁束密度B之値設爲正，而當磁力線之方向爲-Z方向時，磁束密度B之値設爲負。又，在圖10(B)，雖表示在X方向之磁束密度B之分布，在Y方向之磁束密度B之分布亦與圖10(B)之分布相同。又，在本實施形態，由於採用高阻抗、高飽和磁束密度、低磁滯及低保磁力之不鏽鋼作爲磁性體部件62之材料，因此，可使渦電流及磁滯損失減少，並且維持低磁阻，即使移動磁極元件59W，亦可繼續產生高磁束密度之磁束〇以下，說明藉由在磁極元件59W與磁性體部件62間 33 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------------------—訂---------•線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 511144 A7 B7 五、發明說明（杪）之磁束及流經電機子線圈63之電流’兩者之相互作用所產生之洛倫茲(Lorenz)力而驅動可動元件51。藉由洛倫茲力而驅動可動元件51，係由主控制裝置 90作動未圖示之空氣泵，來自前述晶圓台用之氣墊的既定壓力之加壓空氣對晶圓基座42上面噴出，藉由晶圓基座 42上面與各氣墊間之加壓空氣之靜壓，而將可動體即晶圓台WST及可動元件50W!全體以例如5/zm程度之間隙浮上支持於晶圓基座42上方(參考圖1、圖4)。此時，在可動元件50W!之磁極元件59W與在晶圓基座42內之磁性體部件62之間，由於有磁氣的吸引力之作用，因此，產生與此磁氣的吸引力與可動體本身總和之向下力相當之向上力（浮力）。其次，在上述圖10(B)所示之分布的磁束密度B之環境中，當供給電流至電機子線圈63時，則電機子線圈63 產生洛倫茲力。此洛倫茲力之反作用力作用於磁極元件 59W，並移動晶圓台WST1及晶圓W。但，電機子線圈63 所產生之洛倫茲力的大小及方向，雖因供給電機子線圈63 之電流大小及方向，以及磁極元件59W與電機子元件61 之位置關係而有所差異，在本實施形態，當將晶圓台 WST1往X方向移動時，藉由對應於磁極元件59W之X位置而選擇在X方向相鄰之2個電機子線圈63對，在各對之電機子線圈63，對應於磁極元件59W與電機子元件61之位置關係而供給僅90°相位差之同一振幅之正弦波電流，以未藉由磁極元件59W之X位置而一定控制洛倫茲力之合力 34 本纸張尺1適用中國國家&準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) I --------------·—---^----- I I ---- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 511144 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（0) 的X成分。又，若使電流流通而將磁極元件59W往X方向移動，一般而言，會產生使磁極元件59W往Y方向移動之力及Z軸周圍之旋轉力。此處，爲使磁極元件59W往Y方向移動之力及Z軸周圍之旋轉力全體變爲〇，因而調整流經各電機子線圈63之電流。又，藉由控制供給至各電機子線圈之正弦波電流之振幅及方向，而控制用以驅動磁極元件59W之力的大小及方向。又，在晶圓台WST1往Y方向移動之場合，往Y方向之磁極元件59W之驅動亦與方向之場合同樣地，未藉由磁極元件59W之Y位置而進行一定之驅動力的驅動。又，藉由在將上述之磁極元件59W往X方向驅動時之電流圖案與往Y方向驅動時之電流圖案，按適當比率重疊後之圖案的電流供給至各電機子線圈63,可沿XY平面之任意方向及以任意之驅動力驅動磁極元件59W。進而，藉由未進行旋轉力之互相抵銷而驅動磁極元件 59W，可以所欲之旋轉方向及所欲之旋轉力而旋轉驅動磁極元件59W。如上述，在本實施形態之曝光裝置，藉由對應晶圓台 WST1之X Y位置及角度（Z軸周圍之旋轉）<9而控制供給至電機子線圈63之電流，進行晶圓台WST1及晶圓W之位置控制。進行晶圓W2之驅動，·即可動元件50W2之驅動，亦與上述之晶圓W1之驅動，即可動元件50W!之驅動相同。其次，說明本實施形態之移動體DMX〗、DMX2、 35 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規袼（210 X 297公愛） -----I------l·---訂--------線· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 511144 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（A) DMYi、DMY2之驅動，即可動元件50DX!，50DX2、 50DYi、5〇dy2之驅動原理槪要。在可動元件50DX!之磁極元件59D，於X軸方向形成與上述之圖10(A)同樣之磁氣電路，亦產生與圖10(B)同樣之磁束密度B。即，磁束密度B之X方向分布，以正弦函數或梯形函數而形成近似形狀。又，在Y方向之磁束密度的分布，係在與磁極元件59D對向之領域即使Y位置變化亦不會使磁束密度B變化，而在未與磁極元件59D對向之領域，其磁束密度B則變爲0。以下，說明關於藉由磁極元件59D與磁性體部件62 間之磁束及流經電機子線圈63之電流，兩者之相互作用所產生之洛倫玆力而驅動可動元件50DX!。藉由洛倫茲力而驅動可動元件SODXi，係由主控制裝置90作動未圖示之空氣泵，來自前述Z氣墊的既定壓力之加壓空氣對晶圓基座42上面噴出，藉由晶圓基座42上面與各氣墊間之加壓空氣之靜壓，而將可動體即晶圓台WST 及可動元件50W!全體以例如5/zm程度之間隙浮上支持於晶圓基座42上方(參考圖1、圖4)。又，來自前述Y氣墊的既定壓力之加壓空氣對前述Y導件噴出。其次，在上述磁束密度分布之環境中，當供給電流至電機子線圈63時，則電機子線圈63產生洛倫茲力。此洛倫茲力之反作用力作用於磁極元件59D，並移動可動元件 50DX!及移動體DMXi。但，磁束密度分布所產生之γ軸方向之範圍係與電機子線圈63之Y方向之範圍一致。因此 36 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公1 ) --------I 1 I I -----‘I---訂----- 1 ----線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 511144 A7 B7 五、發明說明（J) ，與磁極元件59D對向之電機子線圈63的Y軸方向之數量變爲1個或2個。此處，當與磁極元件59D對向之電機子線圈63的Y軸方向之數量爲1個時，若供給電流至電機子線圏63以產生驅動力，則在電機子線圈63所產生之洛倫茲力之Y軸方向的總和變爲〇。另一方面，當與磁極元件59D對向之電機子線圈63的Y軸方向之數量爲2個時，若供給同一電流至在Y軸方向相鄰的2個電機子線圈63 以產生驅動力’則這些在電機子線圏6 3所產生之洛倫兹力之Y軸方向的總和變爲〇。藉由以上之電流控制，可使在與磁極元件59D對向之電機子線圏63所產生之洛倫茲力之合力僅形成往X軸方向之力，並且，可藉由固定元件60 及可動元件50DX,，構成將可動元件SODXi往乂軸方向驅動之線性馬達。又，在本實施形態，如前述圖3所示，可藉由將與可動元件50DX!之磁極元件59D對向之電機子線圈63的Y軸方向之數量設爲1個，而可以固定元件60及可動元件SODXi，構成將可動元件50DX!往乂軸方向驅動之線性馬達。在電機子線圈63所產生之洛倫茲力的大小及方向，雖因供給至電機子線圈63的電流大小及方向，以及磁極元件 59D與電機子元件61之位置關係而異，但在本實施形態，當將移動體DMX!往乂軸方向移動時，對應於磁極元件 59D之X位置而選擇在X方询相鄰之2個電機子線圏63之對，在各對之電機子線圈63，藉由對應於磁極元件59D 與電機子元件61之位置關係而供給僅90°相位差之同一振 37 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ---—r------------^ (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 511144 經濟部智慧財產局員Η消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（於）幅的正弦波電流，可以不必透過磁極元件59D之X位置而一定控制洛倫茲力之合力的X成分。如上述，在本實施形態之曝光裝置，藉由對應於移動體DMX!之乂位置而控制供給至電機子線圈63之電流，進行移動體DMXi之驅動控制。可動元件50DX2之驅動亦與上述之可動元件50DX!之驅動同樣地進行。又，可動元件50DY!、可動元件50DY 2之驅動，除了在上述之可動元件SODXi之驅動之X軸方向變爲Y軸方向之外，其餘皆與可動元件SODXi之驅動同樣地進行。其次，參考圖11，說明隨著作用於固定元件60之晶圓台WST1、WST2之驅動而消除之反作用力，及隨著在晶圓台裝置40之晶圓台WST1、WST2之移動而消除之重心移動之原理槪要。又，固定元件之重心之XY位置，係如圖11所示之點G〇。又，在以後之說明，將力F以力F(Fx 、FY)般表記χγ成分，並且將點G以點Gq作爲XY位置座標系之原點，如點G(GX，GY)般表記XY成分。首先，說明隨著作用於固定元件60之晶圓台WST1、 WST2之驅動而消除之反作用力。一般而言，如圖11所示，考慮到由位於XY位置GW i(GWlx，GW1Y)之晶圓台WST1之驅動，而對固定元件60 施加反作用力FWKFW1X HFWiY)，又，由位於X Y位置 GW2(GW2X ’ GW2Y)之晶圓台WST2之驅動，而對固定元件 6〇施加反作用力FW2(FW1X，FW1Y)之場合。如此之反作用 38 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規袼⑵Q χ 297公楚） I -----r—------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 511144 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（〇) 力所作用之晶圓台WST1、WST2之驅動，係在主控制裝置 9〇之控制下進行，位置GW〗(GW1X，GW1Y)、力FWKFWa ，FW1Y)、GW2(GW2X，GW2Y)及力 FW2(FW2X，FW2Y)對主控制裝置90而言爲已知。在進行上述之晶圓台WST1、WST2之驅動時，各移動體DMXi、DMX2、DMY〗、DMY2係如圖11所示，將其設定爲位於 GDXKGDXa，GDX1Y)、GDX2(GDX2X， GDX2Y)、GDYKGDYu，GDY2Y)、GDY2(GDY2X，GDY2Y) 。此處，由於移動體DMX!、DMX2僅往X軸方向移動，因此，Y座標値GDX1Y、GDX2Y對主控制裝置90而言爲已知之一定値。又，由於移動體DMY,、DMY2僅往Y軸方向移動，因此，X座標値GDY1X、GDY2X對主控制裝置90 而言爲已知之一定値。另一方面，主控制裝置90，係藉由進行移動體DMX! 、DMX2、DMY!、DMY2之驅動控制，而可施加所欲之力 FDXKFDXu，0)、力 FDX2(FDX2X，0)、力 FDYJ0， FDY1Y)、力FDY2(0，FDY2Y)。此處，主控制裝置90，由於係消除隨著作用於固定元件60之晶圓台WST1、WST2 之驅動之反作用力 FW2(FW1X，FW1Y)、FW2(FW2X，FW2Y) ，因此，藉由驅動控制移動體DMX!、DMX2、DMY!、 DMY2，而對固定元件60產生滿足以下連立方程式之力 FDXJFDXix，0)、力 FDX2(FDX2X，0)、力 FDYJO， FDY1Y)、力 FDY2(0，FDY2Y) 〇 39 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公t ) —I—^^---------^ Aw (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 511144 A7 B7 五、發明說明（#) FW1X+FW2X+FDX1X+FDX2X=0 FW1y+FW2y+FDYiy+FDY2y=〇 ...(3) ...(4) +

GW1X GW1Y FWIX FWiy GDXlx GDXiy FDXlx 0 GDY1X GDYiy 0 FDY1Y

gw2X gw2Y fw2X fw2Y gdx2X gdx2Y fdx2X 0 gdy2X gdy2Y o fdy2Y 0 (5) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製上述之數學式（3)〜(5)，由於未知數爲4個[FDXlx、 FDX2X、FDY1Y、FDY2Y]，數學式爲3個連立方程式，因此必有其解。因此，由滿足數學式(3)〜(5)之力FDX!、FDX2 、FDY!、FDY2之中選擇1個組合，藉由產生這些力之電流供給至電機子線圈63，而可將以晶圓台WST1、WST2 之驅動而作用於固定元件60之反作用力消除。又，在本實施形態之裝置1〇〇，由滿足數學式(3)〜(5)之力FDX!、FDX2 、FDY!、FDY2之中選擇對電機子線圏63之供給電流總量較小者。如此，在本實施形態之裝置，主控制裝置90係透過台控制裝置91，將隨著晶圓台WST1、WST2之驅動而作用於固定元件60之反作用力，藉由進行移動體DMX,、 DMX2、DMY!、DMY2之驅動控制，而以滿足數學式 (3)〜(5)之力FDXi、FDX2、FDYi、FDY2作用於固定元件本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公髮） ------------------^----^ —-------，線 0^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 511144 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（β) 60而消除。因此，由於將隨著晶圓台WST1、WST2之驅動而作用於固定元件60之反作用力予以正確地消除之力’ 以並未自反作用力之作用時的時間延遲而作用於固定元件 6〇，因此可非常正確地將其消除。又，藉由以上之移動體DMX!、DMX2、DMY!、DMY2 之驅動控制所產生之反作用力消除，在未被完全消除之力剩餘之場合，該剩餘之力雖透過固定元件60而作用於晶圓基座42全體，由於晶圓基座42係被浮上支持於晶圓基座支持盤41上且可在XY平面內移動，因此前述剩餘之力可作爲晶圓基座42之驅動力而使用。又，如上述，若將隨著晶圓台WST1、WST2之驅動而作用於固定元件60之反作用力必須予以消除而進行移動體DMX!、DMX2、DMY!、DMY2之驅動控制，則自晶圓台 WST1、WST2 及移動體 DMX!、DMX2、DMY!、DMY2 所形成之系統全體觀之，由於其驅動力被抵銷，因此，藉由晶圓台WST1、WST2之驅動而使晶圓台裝置40之重心移動，係藉由移動體DMX!、DMX2、DMY〗、DMY2之移動而消除。又，藉由以上之移動體DMX!、DMX2、DMYi 、DMY2之驅動控制之反作用力消除，剩餘有未被消除之力，當藉由移動體DMX!、DMX2、DMY】、DMY2之移動而未被完全消除之重心移動剩餘之場合，則透過晶圓基座 42之移動而消除晶圓台裝置40之重心移動。因此，在本實施形態，晶圓台WST1、WST2之任意驅動，及藉由該驅動而使晶圓台WST1、WST2之驅動之反 41 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）丨丨丨---------------η---訂--------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 511144

五、發明說明（y) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製作用力或重心移動，不會造成晶圓台裝置40外部之裝置或部件之變形或振動。因此，在本實施形態之曝光裝置，可以良好之精確度將形成於光罩R之圖案轉印於晶圓Wl、 W2 〇又，藉由光罩台RST之驅動之反作用力係被光罩基座 31之移動所吸收，又，光罩台裝置30之重心移動係透過光罩基座31之移動而消除。因此，在本實施形態，光罩台 RST之任意驅動，及藉由該驅動之光罩台RST之移動所產生之反作用力或重心移動，不會造成光罩台裝置30外部之裝置或部件之變形或振動。因此，在本實施形態之曝光裝置，可以良好之精確度將形成於光罩R之圖案轉印於晶圓 Wl、W2。如以上所述，簡單說明構成本實施形態之曝光裝置 1〇〇之曝光動作流程之例。首先，藉由未圖示之光罩裝載器將形成有欲轉印之圖案之光罩R裝載於光罩台RST。同樣地，藉由未圖示之晶圓台將欲曝光之晶圓W1裝載於晶圓台WST1。此時，晶圓台WST1在第1裝載位置被浮上支持於晶圓基座41上，並且在第1裝載位置爲使其維持既定時間停止狀態，而以主控制裝置90，透過台控制系統91而將其伺服控制。又，晶圓台WST2在第2裝載位置被浮上支持於晶圓基座41上，並且在第2裝載位置爲使其維持既定時間停止狀態，而以主控制裝置90，透過台控制系統91而將其伺服控制。進而，移動體DMX】、DMX2、DMY,、 42 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） ----------1 ------------------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 511144 A7 一— ____——. B7 五、發明說明（α ) DMY2，在既定之初期位置爲使其維持既定時間停止狀態，而以主控制裝置90,透過台控制系統91而將其伺服控制。因此，在此等待期間，供給電流至構成固定元件60之電機子線圈63，爲防止因電機子線圈63之發熱所造成之溫度上升，主控制裝置90係使用未圖示之冷卻機等進行電機子線圈63之冷卻。其次，在主控制裝置90之控制下，晶圓台WST1係往對準檢出系統ALG1之下方移動，使用晶圓台WST1上之未圖示之基準標記板等，按既定順序進行光罩對準、基線計測等準備作業之後，使用對準檢出系統ALG1，以伺服對準及統計方法進行EGA(Enhanced Global Alignment)等之對準計測。又，EGA計測之詳細說明係揭示於美國專利第4,780,617號或美國專利第4,962,318號。在此引用這些美國專利以說明本發明之一部份。在晶圓W1之對準工程，當進行晶圓台WST1之移動時，進行上述之移動體DMX!、DMX2、DMY!、DMY2之驅動控制，進行隨著晶圓台WST1之驅動所產生之反作用力之消除或重心移動之消除，並進行以晶圓基座42之移動而消除最終之反作用力及重心移動。在晶圓W1之對準計測結束後，在主控制裝置90之控制下，晶圓台WST1係往投影光學系統P L之下方移動，如以下所述，進行關於晶1HW1之分段掃描(step and scan) 方式之曝光動作。在此曝光動作，首先，移動晶圓台WST1，使晶圓W1 43 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ----------I ^----- I----^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 511144 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明Uv) 之XY位置定位於用以曝光之晶圓W1上之最初照相領域的知描開始位置。此移動如前述般，以主控制裝置90，透過台控制系統91控制構成固定元件60之各電機子線圈63 的電流。同時，移動光罩台RST，使光罩R之X γ位置變爲掃描開始位置。此移動，係以主控制裝置90，透過台控制系統91而進行。其次，台控制系統91，係根據以光罩干涉計37所測得之光罩R之XY位置資訊及以晶圓干涉系統58!所測得之晶圓W1之XY位置資訊，而將光罩R與晶圓W同步移動。在同步移動中，在對光罩R之掃描方向爲垂直方向具有長方向的長方形（缺口狀）之照明領域照明光罩R，光罩 R係以曝光時速度¥&而被掃描，照明領域（中心大致與光軸AX—致)係透過投影光學系統PL而投影於晶圓W1上，形成與照明領域共同作用之缺口狀之投影領域，即曝光領域。由於晶圓W1相當於光罩R之倒立成像關係，因此晶圓W係在與速度VR*向相反之方向，使其與光罩R同步且以速度Vw掃描，而可將晶圓W上之照相領域全面曝光。掃描速度之比VW/VR係變爲正確對應於投影光學系統 P L之縮小倍率，在光罩R之圖案領域之圖案被正確地縮小轉印於晶圓W1上的照相領域。又，照明領域之長方向的寬度，係設定爲比光罩R上之圖案領域寬’而比遮光領域之最大寬度窄’藉由掃描光罩R而照明圖案領域PA全面。藉由邊進行上述之控制邊進行掃描曝光，當對一個曝本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2]0 X 297公釐） ^-------^—------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 511144 A7 B7 9ί. 4. ίφ 年月s /，、 —,...f V*-V ..,, -«eMOfc _Mlil, 五、發明說明（衫光領域之光罩圖案之轉印結束時，晶圓台WST1被步進 (stepping)，並對下一個曝光領域進行曝光。如此，依序重複步進及掃描曝光’而將必要之照相數之圖案轉印於晶圓 W1上。與上述之晶圓W1之曝光工程同時，藉由未圖示之晶圓裝載器將欲曝光之晶圓W2裝載於晶圓台WST2。其次，在主控制裝置90之控制下，晶圓台WST2係往對準檢出系統ALG2之下方移動，使其與晶圓W1之場合同樣地，使用晶圓台WST2上之未圖示之基準標記板等，按既定順序進行光罩對準、基線計測等準備作業之後，使用對準檢出系統ALG2，以伺服對準及統計方法進行EGA(Enhanced Global Alignment)等之對準計測。在晶圓W1之曝光工程，當進行晶圓台WST1之移動，以及在晶圓W2之裝載工程及對準工程時，進行上述之移動體DMX!、DMX2、DMYi、DMY2之驅動控制，及隨著晶圓台WST1之驅動所產生之反作用力之消除或重心移動之消除，並進行以晶圓基座42之移動而消除最終之反作用力及重心移動係如上述般進行。當晶圓W1之曝光工程結束時，晶圓台WST1往第1 裝載位置移動，此處，晶圓W1被卸載，並裝載下一個晶圓(以下稱晶圓W3)。其次，在主控制裝置90之控制下，晶圓台WST1係往對準檢出系統ALG1之下方移動，與晶圓W1之場合同樣地，進行對準計測。使此晶圓台WST1之晶圓交換工程與晶圓W3之對準 45 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 511144 A7 B7 五、發明說明（一）工程同時，在晶圓W2之對準計測結束後，在主控制裝置 90之控制下，晶圓台WST2係往投影光學系統PL之下方移動，使其與晶圓W1之場合同樣地，進行晶圓W2之分段掃描(step and scan)方式之曝光動作。在此晶圓台WST1 之交換工程及對準工程，以及晶圓W2之曝光工程，亦如上述般，進行隨著晶圓台WST1、WST2之驅動所產生之反作用力之消除或重心移動之消除，並進行隨著光罩台RST 之驅動所產生之反作用力之消除或重心移動之消除。當晶圓W2之曝光工程結束時，晶圓台WST2往第21 裝載位置移動，此處，晶圓W2被卸載，並裝載下一個晶圓(以下稱晶圓W4)。其次，在主控制裝置90之控制下，晶圓台WST2係往對準檢出系統ALG2之下方移動，與晶圓W2之場合同樣地，進行對準計測。使此晶圓台WST2之晶圓交換工程與晶圓W4之對準工程同時，在晶圓W3之對準計測結束後，在主控制裝置 90之控制下，晶圓台WST1係往投影光學系統PL之下方移動’使其與晶圓W1之場合同樣地，進行晶圓W3之分段掃描(step and scan)方式之曝光動作。在此晶圓台WST2 之晶圓交換工程及晶圓W4之對準工程，以及晶圓W3之曝光工程，亦如上述般，進行隨著晶圓台WST1、WST2之驅動所產生之反作用力之消除或重心移動之消除，並進行隨著光罩台RST之驅動所產生之反作用力之消除或重心移動之消除。以下，在各晶圓台，按照（1)晶圓交換(晶圓卸載+晶圓 46 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2]0 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ’裝— 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 511144 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明Ui) 裝載)—(2)晶圓對準(檢索對準+微對準)—(3)分段掃描方式之曝光等3大動作之順序重複進行。但，在主控制裝置90 ，例如與日本專利特開平10_214783號公報同樣地，在一方之晶圓台（WST1或WST2)上將上述（1)及(2)之動作一起進行，而在他方之晶圓台(WST2或WST1)上進行上述(3)之動作，在兩方動作結束之時點進行彼此動作之切換，而可有效防止曝光裝置之變形或振動。因此，依本實施形態之曝光裝置1〇〇，不但可提高產能，亦可提高圖案之轉印精確度。又，藉由在一方之晶圓台(WST1或WST2)於掃描曝光時，例如往+Y方向移動之場合，使他方之晶圓台（WST2 或WST1)往-Y方向移動，可降低因一方之晶圓台(WST1或 WST2)之移動所產生之反作用力及重心的移動。在此場合，對於移動體DX!、DX2、DY!、DY2，可將其減少或省略〇上述本實施形態之曝光裝置1〇〇,係將由多數個機械部件所構成之光罩台裝置30、由多數個透鏡所構成之投影光學系統PL及由多數個機械部件所構成之晶圓台裝置4〇等加以組合。其次，將光罩台裝置30、投影光學系統PL 及晶圓台裝置4〇等組合之後，藉由進行總合調整(電氣調整、光學調整、動作確認等），而可製造本實施形態之曝光裝置100。又，曝光裝置1G0之製造較佳係在溫度及潔淨度等受到管理之無塵室進行。又，在上述之實施形態，於光罩台裝置30及晶圓台裝 47 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) _裝訂--- 511144

五、發明說明) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製置40，雖使用空氣導引機構使可動元件浮上於固定元件，但亦可採用磁氣浮上機構。進而，在磁極元件，亦可使用與永久磁石同等之電磁石來取代永久磁石。在晶圓台裝置40，磁極元件之磁石形狀及配置，及電機子元件之電機子線圏的形狀及配置，可依所採用之藉由電磁力驅動之形態而定。又，在上述之實施形態，於晶圓台裝置40，雖使用磁性體部件作爲電機子線圈之保持部件，但亦可採用非磁性體部件。在採用非磁性體部件作爲電機子線圈之場合，由於可產生具有水平方向(X方向或γ方向）之磁束，因此，不但可將磁極元件沿水平面(XY面)驅動，亦可使磁極元件沿Z方向驅動。進而，在上述之實施形態，雖使用冷卻液作爲電一子線圈之冷卻用，但若爲形成冷煤之流體，則亦可使用氣體冷煤。又’在上述之實施形態，於晶圓台裝置40，雖然可動元件具有磁極元件，固定元件具有電機子元件之構成，但，可動元件具有電機子元件，固定元件具有磁極元件之夠誠亦可。又’在上述之實施形態，雖將移動體DMX!、DMX2、 DMY!、DMY2之一次元驅動，係藉由將晶圓台WST1、 WST2之驅動所使用之固定元件(電機子元件)60上被浮上支持之可動元件（磁極元件）50DX〗、50DX2、50DY】、 50DY2加以驅動而進吾，亦可使用通常之線性馬達加以驅 48 ----------------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 511144 A7 B7 五、發明說明（動。又，在上述之實施形態，在光罩台裝置30之光罩台數量雖設置一個，但，亦可設置2個光罩台，並透過使2個光罩台交互在投影光學系統PL上方移動，而可以高產能進行雙重曝光。依此，可獲得高解析度及提高DOF(焦點深度)之效果。關於雙重曝光之順序等，如特開平10-214783 號公報所揭示，在上述之實施形態亦可利用原來所揭示之技術或將一部份變更。又，藉由將前述之移動體DMX,、 DMX2、DMY!、DMY2設於光罩台RST側，亦可將上述之實施形態之反作用力及重心移動之消除處理適用於光罩台 RST 側。又，雖將光罩柱體設於與本體柱體獨立之床面，亦可將光罩柱體設於本體柱體之鏡筒定盤上。進而，雖將晶圓基座支持盤直接配置於床面，亦可將晶圓基座支持盤自鏡筒定盤往下吊而加以支持。又，在上述之實施形態，雖已說明使用繞射光學系統作爲投影光學系統PL之場合，其未限於此，亦可使用反射系統或反射繞射系統作爲投影光學系統亦可。又，投影光學系統不僅爲縮小系統，其亦可使用等倍系統或放大系統。又，本發明亦可適用於以紫外線作爲光源之投影曝光裝置、波長l〇nm左右之軟X線作爲光源之縮小投影曝光裝置、波長Inm左右作爲光源之X線曝光裝置、藉由EB( 電子束)或離子束之曝光裝置等之各種晶圓曝光裝置、液晶 49 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁)

---I----^---— II ----K 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐）

511144 五、發明說明（私）曝光裝置等。當然’分段重複機、分段掃描機、分段縫合 (step and stitching)機亦可適用。但，在必須使晶圓等之周圍環境真空之波長l〇nm左右之軟X線作爲光源之縮小投影曝光裝置、波長Inm左右作爲光源之X線曝光裝置、藉由EB(電子束)或離子束之曝光裝置等，採用本發明之場合，較佳係採用磁氣浮上機構等。如以上所述，依本發明之曝光裝置，由於可藉由移動部件之移動或驅動及基座之移動，而降低因2個台之移動所造成之台裝置之重心移動，及因2個台之驅動所造成之裝置變形’因此’不但可獨立驅動2個台，並且可降低因台之驅動所產生之重心移動或反作用力所引起之振動的影 m 〇曰又，依本發明之曝光裝置，由於可藉由本發明之台裝置進行2片基板之位置控制及將圖案轉印於基板，因此，不但可提高圖案之轉印精確度，並可大幅提高產能。又，上述之實施形態或變形例，雖係現狀較佳之實施形態，然而，同業者對上述之實施形態或變形例進行添加、變形、置換等，其均未脫離本發明之精神及範圍。【符號說明】‘ 10 照明系統 21A〜21D 防振元件 22 柱體 23 基座支持盤 25 柱體 50 •15 言· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

本紙張尺度適用中國國豕標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公爱） 511144 A7 B7 五、發明說明（Μ) 26Α〜26D 防振元件

27 28 30 31 32Α、 33Α、 34Α、 35X1 35Υ1 36 37 40 41 42 50DX 柱體鏡筒定盤光罩台裝置光罩基座線性馬達固定元件可動元件 X軸微勸馬達(音圈馬達） Υ軸微動馬達 32Β 33Β 34Β 、35X2 、35Υ2 移動鏡光罩干涉計晶圓台裝置晶圓基座支持盤晶圓基座 [、50DX2、SODYi、50DY2 可動元件 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 50W!、50W2、51 可動元件 52D、52W 磁石支持部件 55 基板台 56a〜56c 支持機構 57 移動鏡 58 板狀部件 58ι ^ 582 晶圓干涉計 59D、59W 磁極元件 51 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 511144 A7 五、發明說明（P) 60 固定元件 61 電機子元件 62 磁性體部件 63 電機子線圏 65 框架部件 68 板狀部件 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 71N、71S、72N、73N、73S、74、75 7欠久磁石 77、78、79 磁性體部件 81N、81S、83N、84 永久磁石 90 主控制裝置 91 台控制系統 100 曝光裝置 ALG1、ALG2 對準檢出系統 ΑΧΟ、AX1、AX2 光軸 CX 中心軸 DMXi、DMX2、DMY!、DMY2 移動體 F 床面 FLG 凸緣部 IL 照明光 PL 投影光學系統 R 光罩 RC 光罩粗動台 RF 光罩微動台 RST 光罩台本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 511144 A7 _B7 五、發明說明（Γ!) W 晶圓 WST1、WST2 晶圓台 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -線· ___53 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims

-5Λ (c cc ABCD

六、申請專利範圍 1·一種台裝置，包含：苐1台及第2台，以可移動方式支持於基座；及移動部件，以可移動方式支持於前述基座，將隨著前述弟1 □及則述弟2台至少其中之一*的移動之前述台裝置之重心的移動，予以抵銷而進行移動。 2·如申g靑專利範圍第1項之台裝置，其更包含將前述基座以可移動方式而支持之基座支持部件。 3·如申請專利範圍第2項之台裝置，其中，前述基座係藉由以前述第1台及前述第2台至少其中之一的移動所產生之反作用力及以前述移動部件的移動所產生之反作用力’透過兩者之合力而在前述支持部件上移動。 4·如申請專利範圍第1項之台裝置，其中，前述移動部件包含可彼此獨立移動之多數個質量體。 5.如申請專利範圍第4項之台裝置，其中，前述多數個質量體之數量爲3個以上，並且，前述多數個質量體係沿分別對應於前述多數個質量體之彼此完全未平行之軸而進行一次元移動。 6·如申請專利範圍第1項之台裝置，其更包含：第1驅動裝置，具有固定於前述第1台之第1可動元件及固定於前述基座之第1固定元件，並藉由電磁相互作用而驅動第1可動元件；及第2驅動裝置，具有固定於前述第2台之第2可動元件及固定於前述基座之第2固定元件，並藉由電磁相互作用而驅動第2可動元件。 (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 訂線一本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 3丄丄丄44 :;請：範圍—^- 7. 如申請專觸_ 6項之台裝置，其更包含：一弟3驅動裝置，具有固定於前述移動部件之第3可動元件及固定於前述基座之第3固定元件，並藉由電磁相互作用而驅動第3可動元件。 8. -種曝光裝置’係以麵光束曝賴板，將既定之圖案轉印於前述基板上之曝光裝置，包含：申請專麵_丨麵述之錄g，作聽持前述基板之基板台裝置。 9·如申請專利範圍第8項之曝光裝置，其更包含：曝光本體部，藉由在被保持於前述第丨台之第丨基板及被保持於前述第2台之第2基板內之一面照射前述能量光束而曝光，將前述既定之圖案轉印； w準部，檢出在前述第1基板及前述第2基板內之另一表面所形成之區分領域之配列座標；第1位置檢出裝置，檢出前述第1台之位置；及第2位置檢出裝置，檢出前述第2台之位置；並且，前述第1基板及前述第2基板之一面係定位在相對於前述既定之圖案之轉印位置，而前述第1基板及前述第2 基板之另一面係定位在相對於對準部之位置。 1〇·如申請專利範圍第9項之曝光裝置，其中，前述第 1位置檢出裝置，包含：固設於前述第1台之第1光學部件；及第1干涉計系統，朝向前述第1光學部件照射光並接收來自前述第1光學部件之反射光，檢出前述第1台之位置； 2 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐） --------------丨！·---------------11;丨..........！丨^· (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) A8B8C8D8 77、申請專利範圍前述第2位置檢出裝置，包含：固設於前述第2台之第2光學部件；及第2干涉計系統，朝向前述第2光學部件照射光並接收來自前述第2光學部件之反射光，檢出前述第2台之位置。 11·如申請專利範圍第9項之曝光裝置，其中前述曝光本體部，包含：光罩台裝置，將形成有前述既定之圖案且被前述能量光束照射之光罩予以保持並移動；及投影光學系統，以透過前述光罩之能量光束將前述既定之圖案予以成像。 12.如申請專利範圍第11項之曝光裝置，其中前述光罩台裝置，包含：光罩台，將前述光罩保持並移動；及光罩台基座，以可移動方式保持前述光罩台，並藉由前述光罩台之移動所產生之反作用力而移動。 13·—種掃描型曝光裝置，包含：光罩台裝置，具有保持光罩之微動台及粗動台，並且將前述光罩移動；基板台裝置，具有將第1基板保持並移動之第1基板台及將第2基板保持並移動之第2基板台，並且與前述粗動台分離；及投影光學系統，自前述粗動台及前述基板台裝置分離 ’使前述光罩之圖案朝向前述第1基板台及前述第2基板台兩者其中之一而投影。 3 本紙張尺度適用中國ΐ家標準(CNS)A4規格(210 X 297公愛) 酿 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 參線 511144 C8 D8 六、申請專利範圍 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 14. 如申請專利範圍第Π項之掃描型曝光裝置，其更包含：基板台反作用力處理裝置，抑制由前述第1基板台及前述第2基板台至少一方之移動所產生之反作用力。 15. 如申請專利範圍第13項之掃描型曝光裝置，其更包含：基板台重心移動抑制裝置，抑制由前述第1基板台及前述第2基板台至少一方之移動所產生之前述基板台裝置之重心移動。 16. 如申請專利範圍第13項之掃描型曝光裝置，其更包含：光罩台反作用力處理裝置，抑制由前述微動台及前述粗動台至少一方之移動所產生之反作用力。 17. 如申請專利範圍第13項之掃描型曝光裝置，其更包含：光罩台重心移動抑制裝置，抑制由前述微動台及前述粗動台至少一方之移動所產生之前述光罩台裝置之重心移動。 18. 如申請專利範圍第13項之掃描型曝光裝置，其更包含：微動台驅動裝置，配設於前述微動台及前述粗動台之間，用以驅動前述微動台。 19. 如申請專利範圍第13項之掃描型曝光裝置，其更包含：第1對準裝置，進行前述第1基板台之對準；及第 2對準裝置，進行前述第2基板台之對準。 20. 如申請專利範圍第19項之掃描型曝光裝置，其更包含：保持部件，保持前述投影光學系統、前述第1對準裝置及第2對準裝置。 21. 如申請專利範圍第14項之掃描型曝光裝置，其更 4 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐） 511144 C8 D8 六、申請專利範圍包含= 第1驅動裝置，藉由電磁相互作用而驅動前述第1基板台；第2驅動裝置，藉由電磁相互作用而驅動前述第2基板台；及第3驅動裝置，藉由電磁相互作用而驅動前述基板台反作用力處理裝置。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)