TW511154B - Alignment marks - Google Patents

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TW511154B
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TW
Taiwan
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wafer
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dot pattern
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Toshiaki Koshitaka
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Nec Corp
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    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7073Alignment marks and their environment
    • G03F9/7076Mark details, e.g. phase grating mark, temporary mark
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P76/00Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Description

511154 五、發明說明(1) ' '" 發明背景 1.發明之領域 本發明係關於一用於對準晶圓之對準標記。 2 ·相關技術之描述 當製造一半導體設備時,設計元件之圖案,連線等係 使用光學平版印刷來形成。在製造一半導體設備之印刷步 驟中,數個在晶圓上形成之對準標記被偵測出來且晶圓與 光罩間之對準動作被執行。接著,在光罩上,Μ由將設計 之圖案曝光及顯像,在晶圓之永久層上形成一永久之圖 案。 在傳統上,一還原投射曝光設備(步進機)通常使用在 半導體設備製造過程的印刷步驟中。在曝光日寺,在使用還 ,投射曝1設備之對準方法中,以一CCD攝影機將設有預 ί ΐ Ϊ準ΐ Ϊ之晶圓表面之影像攝影,將取得之影像做影 像地理,並對取得的影像資料執行運算處理以 係習知的。 了+日日圓 後文/將配合圖式說明一習知之對準標記圖案之例 :之一sit Ϊ圖’例示一依照習知技術之對準標記圖 案先罩圖6係一上視圖及一剖面圖(沿著B — B,),例示 -依照習知技術之對準標記形成後之晶圓 照習知技術之對準標記之訊號波形。 係里測依 W在,一 Λ觸曰步驟中,使用光罩U〇來钱刻晶圓120,如圖 一不 日日圓1 2 0上形成一列複數狹長切口 1 2 1之對準 標記’在狹長切Π列之兩端的外緣具有漸小的形狀123。
大123之部分在量測時變•,且在這此d ΐ;Ρ:峰!在記號的兩端部分變得很大,如圖7; 丁 ρ在一還原投射曝光設備中,Λ μ #田—丄斤 為參考,增益值被放大, ' 峰值做 複部分與兩端相比變得極小案之峰值重 分在影像處理中被視為雜訊之門顳^9 t些重複部 準標記’曰曰曰圓對準之準確度降低。’文…、法精確地辨識對 說明 本發明之目的為提供對進辦 確度。 ^^己’可改善晶圓對準之準 本發明之對準標記,其係用 於晶® JL ϋΙ I i ;對準一晶圓,設有配置 曰日W上之後數狹長切口之狹長切口圖 切口之長度方向S複數狹長切 端°二, 置之複數點圖案。 扪個鳊。卩之外&域上配 本發明之種種目的及僵ft i # 式而更加了解。的及饭點可精由後文之詳細描述及圖 施例(詳
圖, 光罩 明之 本發明之實施例將配合圖式加以說明。圖“系一上視 例示一設有依照本發日月之—實施例之對準標記圖案之 。圖2係上視圖及剖面圖(沿線A-A’),例示依照本發 一實施例形成對準標記後之晶圓。 參考圖1 ’此光罩10之對準標記圖案具有配置複數狹
第5頁 五、發明說明(3) 長切口11之狹長切口圖案,且具有沿著前述之狹長切口 η j兩,部之外區域之長度方向上配置之複數點ΐ2之點圖 累。在此例中,光罩係使用鉻】3。 Η索觸步驟中,在圖1之光罩10上形成之對準標記 ,案被曝光,且在蝕刻晶圓之後’對準標記在晶圓上形 ΐ狀2=圖2/斤Λ’造成點圖案12之兩外端部分形成漸小的 广23。在一對準步驟中’該晶圓被曝光,且 圓上形成之對準標記做為參考來執行對準動作。 曰曰 係-Ϊ 示曝光時關於對準標記之信號波形。圖3 料之it ΐ一實施例之對準標記在量測時之影像資 對準標記之晶圓之晶圓與傻=旦,ς ^在接觸步驟中製作之 形之平均在掃描線間得到。因&,在此兩 有點圖案之實施例中,與習知之兩端都具有漸小的 狹長切口形狀之例子(見圖6)相 I ;有?的 峰值變得較小(與圖7比較)^因+ ,‘圯兩鈿之k旒 六4、- π 罕」 口此’此貫施例之對準標印 :曝光設備偵測所有 之;: 峰值,且在晶圓對準步驟中,可w户曰」丁 +知。己之“虎 記做為參考而精確地執行對 =二上產生之對準標 計算程序中,僅使用狹長切2準標記識別後之 對準之精度。 °案並心略點圖案即可改進 點圖案所需之最小之點尺+ 號強度至少為點區域之兩端二為使得狹長切口區域之信 娜’狹長切口區域之信號在之竿25二 =於假設其低於 仗系些%候會被視為雜訊使得 五,、發明說 ______ 使独且己、、、法被準確地識別。為了遠5 ϊ 以&切口區域之信號強度為點區彳更精確的識別,可 與i?點尺寸為較佳。而且,最適ϊί:端之3〇%至權或 “區域之信號強度近似相等之點為使狹長切口區域 在圖4Α及4Β中例示點尺寸的例J寸。 ::明之另-實施例之對齊圖案二:圖4Α糊示依照 度方向上之寬度延長且點 :不點沿著狹長切口 二著狹長切口長度方向上之寬度; = 顯示點 子。藉由增加/減少點之數目並調整點之,占之數目增加之例 刀口區域之信號強度調整到至少為點之-端可::長 只要點與狹長切口之尺心:兩知之m。 較伟去盔Λ μ I ”、、占的數目可為一個或 者為兩個或以上。從上表面觀之, 長方形,甚至亦可具有圓角。 形狀並不限於 依照本發明,由於對準標記可藉由一 備來精確地識別,即使對準標記之兩端具有二二、二二5又 狀,亦可改善晶圓對準之精度。 / /、的形 在以上詳細說明中所提出之具體的實施態樣或實施例 僅為了易於說明本發明之技術内容,本發明並非狹義地限 制於該實施例,在不超出本發明之精神及以下之申於 範圍之下所作種種變化實施,皆屬本發明申請專利Ζ ^ 圍。 摩巳
第7頁 511154 圖式簡單說明 圖1 係一上視圖,例示一設有依照本發明之一實施例 之對準標記圖案之光罩; 圖2A及2B係上視圖及剖面圖(沿線A-A’),例示依照本 發明之一實施例形成對準標記後之晶圓; 圖3係一依照本發明之一實施例之對準標記在量測時 之影像資料之信號波形; 圖4A及4B例示依照本發明之另一實施例之對準圖案; 圖5係一上視圖,例示一設有依照習知技術之對準標 記圖案之光罩; 圖6A及6B係上視圖及剖面圖(沿線B-B’),例示依照習 知技術形成對準標記後之晶圓; 圖7係依照習知技術之對準標記在量測時之影像資料 之信號波形。 符號說明 10〜光罩 11〜狹長切口 1 2〜點 13〜鉻 2 3〜漸小的形狀 110〜光罩 120〜晶圓 1 2 1〜狹長切口 1 2 3〜漸小的形狀

Claims (1)

  1. 511154 六、申請專利範圍 1、 一種對準標記,用於對準晶圓,包含: 狹長切口圖案,設有複數狹長切口,配置 上;及 點圖案,設有複數點,沿著狹長切口之長 長切口在兩端之兩個之外部區域配置。 2、 如申請專利範圍第1項之對準標記,其 係近似平行於該狹長切口之長軸並列配置。 3、 如申請專利範圍第1項之對準標記,其 之點尺寸5沿者該狹長切口之寬度之剖面圖視 至夠大使得在每一狹長切口區域之信號強度變 端之點區域之2 5 %。 4、 如申請專利範圍第1項之對準標記,其 之點尺寸,沿著該狹長切口之寬度之剖面圖視 至夠大使得在每一狹長切口區域之信號強度變 端之點區域之30%。 5、 如申請專利範圍第1項之對準標記,其 之點尺寸,沿著該狹長切口之寬度之剖面圖視 至夠大使得在每一狹長切口區域之信號強度變 之點區域相等。 於該晶圓 度在複數狹 中該點圖案 中該點圖案 之’被調整 成至少在兩 中該點圖案 之,被調整 成至少在兩 中該點圖案 之,被調整 成與在兩端
    第9頁
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