TW511154B - Alignment marks - Google Patents
Alignment marks Download PDFInfo
- Publication number
- TW511154B TW511154B TW090127707A TW90127707A TW511154B TW 511154 B TW511154 B TW 511154B TW 090127707 A TW090127707 A TW 090127707A TW 90127707 A TW90127707 A TW 90127707A TW 511154 B TW511154 B TW 511154B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- alignment mark
- slit
- wafer
- alignment
- dot pattern
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7073—Alignment marks and their environment
- G03F9/7076—Mark details, e.g. phase grating mark, temporary mark
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P76/00—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
511154 五、發明說明(1) ' '" 發明背景 1.發明之領域 本發明係關於一用於對準晶圓之對準標記。 2 ·相關技術之描述 當製造一半導體設備時,設計元件之圖案,連線等係 使用光學平版印刷來形成。在製造一半導體設備之印刷步 驟中,數個在晶圓上形成之對準標記被偵測出來且晶圓與 光罩間之對準動作被執行。接著,在光罩上,Μ由將設計 之圖案曝光及顯像,在晶圓之永久層上形成一永久之圖 案。 在傳統上,一還原投射曝光設備(步進機)通常使用在 半導體設備製造過程的印刷步驟中。在曝光日寺,在使用還 ,投射曝1設備之對準方法中,以一CCD攝影機將設有預 ί ΐ Ϊ準ΐ Ϊ之晶圓表面之影像攝影,將取得之影像做影 像地理,並對取得的影像資料執行運算處理以 係習知的。 了+日日圓 後文/將配合圖式說明一習知之對準標記圖案之例 :之一sit Ϊ圖’例示一依照習知技術之對準標記圖 案先罩圖6係一上視圖及一剖面圖(沿著B — B,),例示 -依照習知技術之對準標記形成後之晶圓 照習知技術之對準標記之訊號波形。 係里測依 W在,一 Λ觸曰步驟中,使用光罩U〇來钱刻晶圓120,如圖 一不 日日圓1 2 0上形成一列複數狹長切口 1 2 1之對準 標記’在狹長切Π列之兩端的外緣具有漸小的形狀123。
大123之部分在量測時變•,且在這此d ΐ;Ρ:峰!在記號的兩端部分變得很大,如圖7; 丁 ρ在一還原投射曝光設備中,Λ μ #田—丄斤 為參考,增益值被放大, ' 峰值做 複部分與兩端相比變得極小案之峰值重 分在影像處理中被視為雜訊之門顳^9 t些重複部 準標記’曰曰曰圓對準之準確度降低。’文…、法精確地辨識對 說明 本發明之目的為提供對進辦 確度。 ^^己’可改善晶圓對準之準 本發明之對準標記,其係用 於晶® JL ϋΙ I i ;對準一晶圓,設有配置 曰日W上之後數狹長切口之狹長切口圖 切口之長度方向S複數狹長切 端°二, 置之複數點圖案。 扪個鳊。卩之外&域上配 本發明之種種目的及僵ft i # 式而更加了解。的及饭點可精由後文之詳細描述及圖 施例(詳
圖, 光罩 明之 本發明之實施例將配合圖式加以說明。圖“系一上視 例示一設有依照本發日月之—實施例之對準標記圖案之 。圖2係上視圖及剖面圖(沿線A-A’),例示依照本發 一實施例形成對準標記後之晶圓。 參考圖1 ’此光罩10之對準標記圖案具有配置複數狹
第5頁 五、發明說明(3) 長切口11之狹長切口圖案,且具有沿著前述之狹長切口 η j兩,部之外區域之長度方向上配置之複數點ΐ2之點圖 累。在此例中,光罩係使用鉻】3。 Η索觸步驟中,在圖1之光罩10上形成之對準標記 ,案被曝光,且在蝕刻晶圓之後’對準標記在晶圓上形 ΐ狀2=圖2/斤Λ’造成點圖案12之兩外端部分形成漸小的 广23。在一對準步驟中’該晶圓被曝光,且 圓上形成之對準標記做為參考來執行對準動作。 曰曰 係-Ϊ 示曝光時關於對準標記之信號波形。圖3 料之it ΐ一實施例之對準標記在量測時之影像資 對準標記之晶圓之晶圓與傻=旦,ς ^在接觸步驟中製作之 形之平均在掃描線間得到。因&,在此兩 有點圖案之實施例中,與習知之兩端都具有漸小的 狹長切口形狀之例子(見圖6)相 I ;有?的 峰值變得較小(與圖7比較)^因+ ,‘圯兩鈿之k旒 六4、- π 罕」 口此’此貫施例之對準標印 :曝光設備偵測所有 之;: 峰值,且在晶圓對準步驟中,可w户曰」丁 +知。己之“虎 記做為參考而精確地執行對 =二上產生之對準標 計算程序中,僅使用狹長切2準標記識別後之 對準之精度。 °案並心略點圖案即可改進 點圖案所需之最小之點尺+ 號強度至少為點區域之兩端二為使得狹長切口區域之信 娜’狹長切口區域之信號在之竿25二 =於假設其低於 仗系些%候會被視為雜訊使得 五,、發明說 ______ 使独且己、、、法被準確地識別。為了遠5 ϊ 以&切口區域之信號強度為點區彳更精確的識別,可 與i?點尺寸為較佳。而且,最適ϊί:端之3〇%至權或 “區域之信號強度近似相等之點為使狹長切口區域 在圖4Α及4Β中例示點尺寸的例J寸。 ::明之另-實施例之對齊圖案二:圖4Α糊示依照 度方向上之寬度延長且點 :不點沿著狹長切口 二著狹長切口長度方向上之寬度; = 顯示點 子。藉由增加/減少點之數目並調整點之,占之數目增加之例 刀口區域之信號強度調整到至少為點之-端可::長 只要點與狹長切口之尺心:兩知之m。 較伟去盔Λ μ I ”、、占的數目可為一個或 者為兩個或以上。從上表面觀之, 長方形,甚至亦可具有圓角。 形狀並不限於 依照本發明,由於對準標記可藉由一 備來精確地識別,即使對準標記之兩端具有二二、二二5又 狀,亦可改善晶圓對準之精度。 / /、的形 在以上詳細說明中所提出之具體的實施態樣或實施例 僅為了易於說明本發明之技術内容,本發明並非狹義地限 制於該實施例,在不超出本發明之精神及以下之申於 範圍之下所作種種變化實施,皆屬本發明申請專利Ζ ^ 圍。 摩巳
第7頁 511154 圖式簡單說明 圖1 係一上視圖,例示一設有依照本發明之一實施例 之對準標記圖案之光罩; 圖2A及2B係上視圖及剖面圖(沿線A-A’),例示依照本 發明之一實施例形成對準標記後之晶圓; 圖3係一依照本發明之一實施例之對準標記在量測時 之影像資料之信號波形; 圖4A及4B例示依照本發明之另一實施例之對準圖案; 圖5係一上視圖,例示一設有依照習知技術之對準標 記圖案之光罩; 圖6A及6B係上視圖及剖面圖(沿線B-B’),例示依照習 知技術形成對準標記後之晶圓; 圖7係依照習知技術之對準標記在量測時之影像資料 之信號波形。 符號說明 10〜光罩 11〜狹長切口 1 2〜點 13〜鉻 2 3〜漸小的形狀 110〜光罩 120〜晶圓 1 2 1〜狹長切口 1 2 3〜漸小的形狀
Claims (1)
- 511154 六、申請專利範圍 1、 一種對準標記,用於對準晶圓,包含: 狹長切口圖案,設有複數狹長切口,配置 上;及 點圖案,設有複數點,沿著狹長切口之長 長切口在兩端之兩個之外部區域配置。 2、 如申請專利範圍第1項之對準標記,其 係近似平行於該狹長切口之長軸並列配置。 3、 如申請專利範圍第1項之對準標記,其 之點尺寸5沿者該狹長切口之寬度之剖面圖視 至夠大使得在每一狹長切口區域之信號強度變 端之點區域之2 5 %。 4、 如申請專利範圍第1項之對準標記,其 之點尺寸,沿著該狹長切口之寬度之剖面圖視 至夠大使得在每一狹長切口區域之信號強度變 端之點區域之30%。 5、 如申請專利範圍第1項之對準標記,其 之點尺寸,沿著該狹長切口之寬度之剖面圖視 至夠大使得在每一狹長切口區域之信號強度變 之點區域相等。 於該晶圓 度在複數狹 中該點圖案 中該點圖案 之’被調整 成至少在兩 中該點圖案 之,被調整 成至少在兩 中該點圖案 之,被調整 成與在兩端第9頁
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000343985A JP2002148782A (ja) | 2000-11-10 | 2000-11-10 | アライメントマーク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW511154B true TW511154B (en) | 2002-11-21 |
Family
ID=18818260
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW090127707A TW511154B (en) | 2000-11-10 | 2001-11-07 | Alignment marks |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20020056205A1 (zh) |
| JP (1) | JP2002148782A (zh) |
| KR (1) | KR20020036739A (zh) |
| GB (1) | GB2370129B (zh) |
| TW (1) | TW511154B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI678725B (zh) * | 2017-04-10 | 2019-12-01 | 旺宏電子股份有限公司 | 半導體元件及其關鍵尺寸的定義方法 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5217527B2 (ja) * | 2008-03-12 | 2013-06-19 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 電子デバイス |
| MD3963C2 (ro) * | 2008-05-08 | 2010-04-30 | Владимир ШКИЛЁВ | Procedeu de aplicare a nanomarcajului de identificare nedetaşabil |
| CN108941942B (zh) * | 2018-09-06 | 2023-09-22 | 广西中科蓝谷半导体科技有限公司 | 一种光刻机小工件卡具的使用方法 |
| US11270950B2 (en) * | 2019-09-27 | 2022-03-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Apparatus and method for forming alignment marks |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2906451B2 (ja) * | 1989-06-28 | 1999-06-21 | ソニー株式会社 | アライメントマーク構造及び半導体装置の製造方法 |
| US5667918A (en) * | 1993-09-27 | 1997-09-16 | Micron Technology, Inc. | Method of lithography using reticle pattern blinders |
| JPH07249558A (ja) * | 1994-03-09 | 1995-09-26 | Nikon Corp | 位置合わせ方法 |
| KR0172801B1 (ko) * | 1996-06-24 | 1999-03-20 | 김주용 | 공정 마진 테스트용 포토 마스크와 테스트 방법 |
| KR100335771B1 (ko) * | 1999-05-28 | 2002-05-09 | 박종섭 | 반도체 소자의 정렬 마크 및 이를 이용한 정렬 방법 |
| JP3371852B2 (ja) * | 1999-07-09 | 2003-01-27 | 日本電気株式会社 | レチクル |
-
2000
- 2000-11-10 JP JP2000343985A patent/JP2002148782A/ja not_active Withdrawn
-
2001
- 2001-11-07 TW TW090127707A patent/TW511154B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-11-09 KR KR1020010069647A patent/KR20020036739A/ko not_active Ceased
- 2001-11-09 GB GB0127030A patent/GB2370129B/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-11-09 US US10/035,520 patent/US20020056205A1/en not_active Abandoned
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI678725B (zh) * | 2017-04-10 | 2019-12-01 | 旺宏電子股份有限公司 | 半導體元件及其關鍵尺寸的定義方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20020056205A1 (en) | 2002-05-16 |
| GB0127030D0 (en) | 2002-01-02 |
| GB2370129A (en) | 2002-06-19 |
| KR20020036739A (ko) | 2002-05-16 |
| GB2370129B (en) | 2003-05-21 |
| JP2002148782A (ja) | 2002-05-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20180203342A1 (en) | Mask pattern correction method | |
| TW571343B (en) | Mask-making member and its production method, mask and its making method, and exposure process | |
| TWI373694B (en) | Exposure methiod | |
| CN108957944B (zh) | 使用骨架的基于规则的辅助特征放置 | |
| JP2001022051A (ja) | レチクル及び半導体装置の製造方法 | |
| US20120040276A1 (en) | Method of forming and using photolithography mask having a scattering bar structure | |
| TW511154B (en) | Alignment marks | |
| JP3970546B2 (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
| US9213233B2 (en) | Photolithography scattering bar structure and method | |
| TW200809912A (en) | Improved overlay mark | |
| US7422830B2 (en) | Method for detecting failure of database patterns of photo mask | |
| TWI380137B (en) | Mark position detection apparatus | |
| CN101713920A (zh) | 半导体器件 | |
| JPS59232416A (ja) | アライメントマ−ク | |
| US20070111109A1 (en) | Photolithography scattering bar structure and method | |
| TW548514B (en) | Method for production of phase shift mask and phase shift mask | |
| US20030022112A1 (en) | Structuring method | |
| CN109116675A (zh) | 提高热点工艺窗口的opc修正方法 | |
| TW200407964A (en) | Techniques to characterize iso-dense effects for microdevice manufacture | |
| JP4961750B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び露光方法 | |
| CN106154756B (zh) | 照明系统以及使用其形成鳍状结构的方法 | |
| US20070082275A1 (en) | Optical proximity correction photomasks | |
| TW409277B (en) | Method for detecting phase error of a phase shift mask | |
| US6215546B1 (en) | Method of optical correction for improving the pattern shrinkage caused by scattering of the light | |
| TW447010B (en) | Method of focus measurement |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent | ||
| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |