TW532009B - Memory device and memory access limiting method - Google Patents

Description

532009 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（1 ) 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種使用非可逆寫入記憶體之記憶體裝 置及記憶體存取限制方法。 【習知技術】 過去有一種只能一次寫入的非可逆寫入記憶體。例如 半導體記憶體當中，曾提案一種稱爲〇TP(〇ne Time Programmable ROM)，且只能寫入一次資料的記憶體。本發 明係非可逆寫入記憶體，乃使用非揮發性記憶體。亦即， 一旦被寫入的資料係無法抹除的，即使切斷電源，記憶資 料仍然存在。非可逆寫入記憶體比起快閃記憶體，更可謀 求低成本化。 【發明所欲解決之課題】 最近，卡片狀快閃記憶體逐漸被用來作爲資料記錄媒 體。例如將數位相機所拍攝的靜止畫面記錄在快閃記憶 體。爲了保護隱私等，必須提高快閃記憶體所記錄之資料 的隱密性。此外，還有快閃記憶體之價格較高的問題。 因此，本發明之目的在於提供一種利用非可逆寫入記 憶體之特性而可提高所寫入資料之隱密性的記憶體裝置以 及存取限制方法。 【解決課題之手段】 爲了解決上述課題，申請專利範圍第1·項之記憶體裝 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) |裝- 訂 4 -4 - 532009 A7 ______B7 五、發明説明（2 ) 置係非可逆寫入記憶體所構成者，其特徵爲具有： 檢測出記憶體上之指定區是否爲初期狀態的檢測機 構；以及 回應檢測機構之檢測結果，以控制是否可對記憶體之 指定區及其他區域進行存取的控制機構， 而控制機構會進行以下之控制：當指定區爲初期狀態 時’可對記憶體之指定區及其他區域進行存取，當指定區 爲非初期狀態時，無法對記憶體之指定區及其他區域進行 存取。 申請專利範圍第6項之存取限制方法係相對於非可逆 寫入記憶體裝置者’其特徵爲包括： 檢測出記憶體裝置是否完成存取限制的步驟； 在完成存取限制時，將記憶體裝置變成可存取狀態的 步驟；以及 在記憶體裝置未完成存取限制時，將記憶體裝置變成 存取限制狀態的步驟。 根據本發明，當指定區爲初期狀態時，並不會進行存 取限制，而可使指定區成爲與初期狀態相異的狀態，藉此 進行存取限制。此外，在完成存取限制的情況下，可變成 可存取狀態。 【圖面之簡單說明】 桌1圖係可適用本發明之一系統例的略圖。 第2圖係本發明一實施形態之一記憶體裝置構成例的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 丨V !----衣-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -5- 532009 A7 B7 五、發明説明（3) 方塊圖。 第3圖係用來說明本發明一實施形態之記憶體裝置內 部動作的流程圖。 第4圖係用來說明對於本發明一實施形態之記憶體裝 置進行存取之方法的流程圖。 【符號之說明】 1 資料處理裝置 3 資料處理裝置之控制1C 10 記憶體裝置 11 記憶體裝置之控制1C 14 指定區 22,25 暫存器 23 重設信號生成部 G1，G2，G3 閘門 丨 — ^---^------ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 【發明之實施形態】 第1圖顯示本發明一實施形態之系統的槪略構成。主 機側與記憶體裝置側係透過例如串列介面而連接。主機側 資料處理裝置1具有資料處理部2及控制IC3。記憶體裝置 10具有控制IC11及記憶體12。記憶體裝置10是可從資料 處理裝置1自由裝卸的卡片狀構造。 資料處理部2會對記憶體裝置10生成寫入資料，而且 會從記憶體裝置10讀取資料，並且利用所讀取的資料進行 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） - 6- 532009 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（4 ) 各種資料處理。例如資料處理裝置1係數位電子攝影機， 可將所拍攝的影像寫入記憶體裝置1 0，並且從記憶體裝置 10讀取影像。資料處理裝置1的其他例子係聲音記錄/再生 裝置’可將壓縮聲音資料寫入記憶體裝置丨〇，並且從記憶 體裝置10讀取壓縮聲音資料。 控制IC3及11分別具有並聯-串聯變換電路、暫時保存 資料的緩衝記憶體、以及介面電路等。在控制IC3與11之 間5又有電源線V C C、貪料線D10、以及接地線G N D。透過 資料線DIO，可從資料處理裝置1對記憶體裝置1〇傳送命 令及寫入資料。且可透過資料線DIO，從記憶體裝置1 〇對 資料處理裝置1傳送讀取資料。雖然圖面中並未顯示，但 還設有用來傳送計時信號、晶片選擇信號、忙線信號、中 斷信號等的信號線。 第2圖顯示一實施形態之記憶體裝置1 〇的更詳細構 成。記憶體12能以預定資料量的單位進行讀寫。記憶體12 上預定的兩個區域爲開機區13a及13b。在開機區13a、13b 已事先記錄有屬性資訊等各種資訊。例如在開機區1 3a、 1 3b記錄有用來區分該記憶體裝置爲讀取專用、或是要進行 存取限制的記憶體、或是否可進行重寫的資訊。在可混合 使用這些特性不同之種類的記憶體裝置的環境下，可利用 開機區內的屬性資訊來辨別特性。 開機區13a、13b在將記憶體裝置10安裝於資料處理裝 置1時，係資料處理裝置1最初讀取的區域。開機區1 3a、 13b爲經常可讀取的狀態。另外’在記憶體12設有指定區 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -7- 532009 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _B7 _五、發明説明（5 ) 14。在記憶體12上，以15顯示開機區13a、13b、指定區 14以外的記憶區。可使用記憶區15進行資料的寫入/讀 取。 於控制1C 11的資料線DIO連接有存取控制部2 1及寫 入暫存器22。存取控制部21可控制對於記憶體12之資料 的寫入，以及自記憶體1 2之資料的讀取，且具有用來儲存 資料的緩衝記憶體、以及用來儲存命令的暫存器等。 另外，於電源線VCC連接有重設信號生成部23。重設 信號生成部23可監視電源線VCC之電壓變動，以檢測出電 源相對於記憶體裝置10的導通，並且根據該檢測結果產生 重設信號。然後回應重設信號，將指定區14的資料載入暫 存器22,並且將寫入暫存器25重設。重設後之寫入暫存器 25的內容（資料）係設定成與指定區14之初期値相異。 存取控制部21與記憶體12之開機區13a、13b爲相互 連接。而且在存取控制部2 1與記憶體1 2之記憶區1 5之 間，並列設置有閘門（開關）G1及G2。另外，在存取控制部 21與指定區14之間設有閘門（開關）G3。這些閘門Gl、G2 及G3 —旦因爲控制信號而導通或斷開時，接下來就會保持 該狀態直到有控制信號供應爲止。 而且設有初期狀態檢測部26，可回應重設信號以檢測 出從指定區14.取入暫存器22的資料是否爲初期狀態。藉 由初期狀態檢測部26的檢測輸出可控制閘門G2及G3的導 通/斷開。 暫存器22的輸出可作爲一方之輸入供應至比較電路 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格(210X297公釐） ~ -8 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 532009 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（6 ) 24。比較電路24的另一方輸入爲寫入暫存器25的輸出。 比較電路24可檢測出暫存器22及25的輸出是否一致。藉 由比較電路24的輸出可控制閘門G1的導通/斷開。另外， 在第2圖所示之控制1C 11，雖然在圖面上並未顯示，但是 設有CPU構成的定序器（控制器）。 第3圖係用來說明在控制IC11內之定序器的控制下所 進行之一實施形態的動作流程圖。在步驟S 1，當電力啓動 時，重設信號生成部23會檢測出電源線VCC電壓升高，並 且從重設信號生成部23產生重設信號。由於重設信號，記 憶體12之指定區14的資料會被載入控制IC11之暫存器 22(步驟S2)。並且將寫入暫存器25重設。 在步驟S3，會由初期狀態檢測部26決定暫存器22所 .載入的編碼是否爲初期値。在初期狀態下，指定區‘ 14的資 料爲初期値。初期値係在記憶體裝置10交付使用者之前所 寫入的値，例如所有位元皆爲”1”的編碼。在初期狀態的情 況下，由於初期狀態檢測部26的輸出，會使閘門G2及G3 導通。 當閘門G2及G3導通時，即可對記憶體1 2的所有區域 進行存取。所謂所有區域係指開機區1 3a、13b以外的指定 區14及記憶區1 5。所謂可在所有區域進行存取則是指可讀 取指定區14及記憶區15的資料，而且可對空白區域寫入 資料。寫入暫存器25的內容會因爲重設信號而被重設成與 初期値相異的値，所以暫存器22所載入的初期値與寫入暫 存器25的內容並不一致。因此比較電路24不會產生使閘 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) ~""" -9- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 532009 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（7) 門G1導通的信號。 使用者在資料處理裝置1中產生與初期値相異之某特 定値的編碼（稱爲存取碼），並且透過資料線DIO對記憶體 裝置10供應存取碼，再經由存取控制部21及閘門G3將存 取碼寫入指定區14。然後使電力中斷。記憶體12係非揮發 性記憶體，即使切斷電源，指定區14的存取碼也不會消 失。 當存取碼被寫入指定區14時，在步驟S3，初期狀態檢 測部26會決定從指定區14所載入的暫存器22之內容並非 爲初期値。該結果，閘門G2及G3就會斷開。在此狀態 下，由於閘門G1爲斷開狀態，因此無法對記憶體12進行 存取。 然後，在步驟S5，使用者從資料處理裝置1對於記憶 體裝置10之控制IC11內的寫入暫存器25寫入特定編碼。 在步驟S6可檢測出從指定區14讀取並且載入暫存器22的 存取碼是否與寫入暫存器25所寫入的編碼一致。比較電路 24係用來檢測此一致狀態的比較電路。 在步驟S6(比較電路24)中，若決定存取碼與寫入碼一 致時，閘門G1就會導通。因此在步驟S7可對指定區14以 外的記憶區1 5進行存取。若是在步驟S6(比較電路24)中決 定兩者不一致時，則無法對記憶體12進行存取（步驟S8)。 如上所述，使用者可藉由對控制1C 11的寫入暫存器25寫 入與存取碼一致的編碼來進行存取。 第4圖係用來說明資料處理裝置1對於記憶體裝置10 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -10- 532009 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（8) 進行存取之方法的流程圖。在最初的步驟S 11可檢測出記 憶體裝置10。當記憶體裝置10安裝完成時，在步驟S12會 從資料處理裝置1將電源供應至記憶體裝置1 〇(步驟S 12)。 然後在步驟S13，資料處理裝置1會讀取記憶體12之開機 區13a及13b的開機資訊。 根據開機資訊中的屬性資訊，決定所安裝的記憶體裝 置是否要進行存取限制（步驟S 14)。亦即，如參照第3圖所 說明，控制是否可進行存取的記憶體裝置是要進行存取限 制的記憶體裝置。當決定並非要進行存取限制之記憶體裝 置時，則前進至通常使用的步驟S 1 8。 所安裝的記憶體裝置要進行存取限制時，則對開機區 13a、13b以外的區域（亦即指定區14及記憶區15)進行讀取 (步驟S 15)。然後，在步驟S16決定是否完成存取限制。例 如將用來分別讀取指定區14及記憶區15的讀取命令，從 資料處理裝置1傳送至記憶體裝置1 〇。 若回應此讀取命令，從指定區14及記憶區15分別有 讀取資料傳送至資料處理裝置丨，則可知是所有區域皆可進 行存取的狀態。亦可取代讀取命令而使用寫入命令。所有 區域皆可進行存取的狀態係指記憶體裝置1〇爲初期狀態， 即並未完成存取限制。另一方面，從指定區14及記憶區15 雙方無法獲得讀取資料時，則決定爲所有區域無法進行存 取，即已完成存取限制。在此種情況下則取代讀取資料， 從記憶體裝置1 0將錯誤資訊傳送至資料處理裝置1。 在步驟S 16中，若決定爲已完成存取限制，則在步驟 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 本紙張尺度適用中關家標準（CNS ) A4規格（210X297公董） •11 - 532009 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（9) S 1 7設定與指定區14之存取碼相同的編碼。此編碼會被寫 入記憶體裝置10的寫入暫存器25。藉此即可對指定區14 以外的記憶區1 5進行存取（步驟s 1 8)。 在步驟S 1 6中，若決定爲未完成存取限制，則在步驟 S 1 9選擇是否要進行存取限制。不進行存取限制時即不對記 憶體裝置10進行處理。因此記憶體裝置10可在初期狀態 下對所有區域進行存取，可通常使用（步驟S丨8)。如果在步 驟S 19選擇要進行存取限制時，則在步驟S20進行存取碼 的寫入。從資料處理裝置1會將存取碼傳送至記憶體裝置 10，並且經由存取控制部21及閘門G3寫入指定區14。然 後在步驟S21使電源中斷。 如上所述，記憶體裝置1 〇即受到存取限制。之後若要 繼繪使用憶體裝置1 0時，會回到電力啓動的步驟s 1 2。 進行與上述相同的處理，並且在步驟S16決定已完成存取 限制。另外，並不一定需要從步驟S 2 1回到步驟S 12之前 的處理。例如亦可回到步驟S 1 5之前。 本發明並不限定於上述本發明之一實施形態等，而可 在不脫離本發明之要旨的範圍內進行各種變形及應用。例 如雖是在電力啓動時檢測初期狀態，但亦可在安裝好記憶 體裝置時檢測初期狀態。或是亦可取代上述存取碼而使用 密碼。另外，雖然是檢測出從指定區所讀取的資料與寫入 暫存器之內容一致後才可對記憶區1 5進行存取，但亦可在 兩者滿足某些特定條件的情況下（有一定差別的情況等）即可 進行存取。再者，本發明的非可逆寫入記憶體並不限定於 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝. -訂 #· 12- 532009 A7 __B7_ 五、發明説明（1〇) 非揮發性半導體記憶體（OTP)，亦可使用追加型光碟等儲存 媒體。若爲儲存媒體，則設在碟片最內周側的區域（稱爲讀 取區）相當於開機區。 【發明之效果】 根據本發明，當指定區爲初期狀態時，不會進行存取 限制，而可對記憶體的所有區域進行存取。想要提高資料 的隱密性時則係將例如存取碼寫入指定區來完成存取限 制。在完成存取限制的情況下，藉由將對應於存取碼的編 碼輸入記憶體裝置，即可變成可存取狀態。由於乃非可逆 寫入記憶體，因此可避免竄改指定區中的存取碼，以確實 隱藏所記錄的資料。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -13-

Claims (1)

1. 532009 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 1.一種記憶體裝置，係由非可逆寫入記憶體所構成 者，其特徵爲具有： (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 檢測出記憶體上之指定區是否爲初期狀態的檢測機 構；以及 回應上述檢測機構之檢測結果，以控制是否可對記憶 體之上述指定區及其他區域進行存取的控制機構， 而上述控制機構會進行以下之控制：當上述指定區爲 上述初期狀態時，可對記憶體之上述指定區及其他區域進 行存取，當上述指定區爲非上述初期狀態時，無法對記憶 體之上述指定區及其他區域進行存取。 2. 如申請專利範圍第1項之記憶體裝置，其中，上述非 可逆寫入記憶體係可從驅動器自由裝卸的非揮發性半導體 記憶體。 3. 如申請專利範圍第1項之記憶體裝置，其中，將預定 資料寫入上述指定區，藉此成爲與初期狀態相異的狀態。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4. 如申請專利範圍第3項之記憶體裝置，其中，上述控 制機構在上述指定區爲非上述初期狀態時，藉由從外部輸 入與上述指定區之資料滿足預定條件的資料，即可對上述 其他區域進行存取。 5·如申請專利範圍第1項之記憶體裝置，其中，在經常 可進行存取的區域記錄有屬性資訊，在上述屬性資訊中則 記錄有是否有存取限制之資訊。 6.—種存取限制方法，係相對於非可逆寫入記憶體裝置 者，其特徵爲包括： -14- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 532009 A8 Β8 C8 ___D8 六、申請專利範圍 ^ 檢測出記憶體裝置是否完成存取限制的步驟； 在完成存取限制.時，將上述記憶體裝置變成可存取狀 態的步驟；以及 在記憶體裝置未完成存取限制時，將上述記憶體裝置 變成存取限制狀態的步驟。 7·如申請專利範圍第6項之存取限制方法，其中，存取 限制係將預定資料寫入記憶體上的指定區，藉此將上述指 定區變成與初期狀態相異的狀態。 8·如申請專利範圍第7項之存取限制方法，其中，從外 部輸入與上述指定區之資料滿足預定條件的資料，藉此將 記憶體裝置變成可存取狀態。 9·如申請專利範圍第6項之存取限制方法，其中，對記 憶體裝置給予寫入或讀取命令，並且從記憶體裝置有錯誤 情報返回時，即決定爲已完成存取限制。 I 1^1 n I— I m i 1-- - n (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1T- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐）