TW538111B - Polishing Composition - Google Patents
Polishing Composition Download PDFInfo
- Publication number
- TW538111B TW538111B TW090111054A TW90111054A TW538111B TW 538111 B TW538111 B TW 538111B TW 090111054 A TW090111054 A TW 090111054A TW 90111054 A TW90111054 A TW 90111054A TW 538111 B TW538111 B TW 538111B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- particle size
- colloidal silica
- silica particles
- particles
- group
- Prior art date
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 131
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 108
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 289
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 216
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 claims abstract description 88
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 44
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 43
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract description 40
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 27
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 72
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 50
- VCJMYUPGQJHHFU-UHFFFAOYSA-N iron(3+);trinitrate Chemical compound [Fe+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O VCJMYUPGQJHHFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 37
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 36
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 36
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 30
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 230000002079 cooperative effect Effects 0.000 claims description 14
- BNGXYYYYKUGPPF-UHFFFAOYSA-M (3-methylphenyl)methyl-triphenylphosphanium;chloride Chemical compound [Cl-].CC1=CC=CC(C[P+](C=2C=CC=CC=2)(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 BNGXYYYYKUGPPF-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 13
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229940075614 colloidal silicon dioxide Drugs 0.000 claims description 9
- RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N D-gluconic acid Chemical compound OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 claims description 8
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 claims description 8
- 239000004576 sand Substances 0.000 claims description 8
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 6
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 claims description 5
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 claims description 5
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- -1 urethane amino acid Chemical class 0.000 claims description 5
- RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N D-gluconic acid Natural products OCC(O)C(O)C(O)C(O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 claims description 4
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 4
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 claims description 4
- 235000015165 citric acid Nutrition 0.000 claims description 4
- 239000000174 gluconic acid Substances 0.000 claims description 4
- 235000012208 gluconic acid Nutrition 0.000 claims description 4
- 150000002506 iron compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 claims description 4
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 claims description 4
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 claims description 3
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 claims description 3
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RUTXIHLAWFEWGM-UHFFFAOYSA-H iron(3+) sulfate Chemical compound [Fe+3].[Fe+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O RUTXIHLAWFEWGM-UHFFFAOYSA-H 0.000 claims description 3
- 229910000360 iron(III) sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 claims description 3
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 claims description 3
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical class [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 claims description 2
- PCTMTFRHKVHKIS-BMFZQQSSSA-N (1s,3r,4e,6e,8e,10e,12e,14e,16e,18s,19r,20r,21s,25r,27r,30r,31r,33s,35r,37s,38r)-3-[(2r,3s,4s,5s,6r)-4-amino-3,5-dihydroxy-6-methyloxan-2-yl]oxy-19,25,27,30,31,33,35,37-octahydroxy-18,20,21-trimethyl-23-oxo-22,39-dioxabicyclo[33.3.1]nonatriaconta-4,6,8,10 Chemical compound C1C=C2C[C@@H](OS(O)(=O)=O)CC[C@]2(C)[C@@H]2[C@@H]1[C@@H]1CC[C@H]([C@H](C)CCCC(C)C)[C@@]1(C)CC2.O[C@H]1[C@@H](N)[C@H](O)[C@@H](C)O[C@H]1O[C@H]1/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/[C@H](C)[C@@H](O)[C@@H](C)[C@H](C)OC(=O)C[C@H](O)C[C@H](O)CC[C@@H](O)[C@H](O)C[C@H](O)C[C@](O)(C[C@H](O)[C@H]2C(O)=O)O[C@H]2C1 PCTMTFRHKVHKIS-BMFZQQSSSA-N 0.000 claims 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 1
- DQNAHSDPXPJKMT-UHFFFAOYSA-N carbonic acid;cyanic acid Chemical compound OC#N.OC(O)=O DQNAHSDPXPJKMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 claims 1
- CBXWGGFGZDVPNV-UHFFFAOYSA-N so4-so4 Chemical compound OS(O)(=O)=O.OS(O)(=O)=O CBXWGGFGZDVPNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 30
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 7
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 7
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 6
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 6
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011435 rock Substances 0.000 description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 101150063042 NR0B1 gene Proteins 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 3
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- DIZPMCHEQGEION-UHFFFAOYSA-H aluminium sulfate (anhydrous) Chemical compound [Al+3].[Al+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O DIZPMCHEQGEION-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 2
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 2
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- PPQREHKVAOVYBT-UHFFFAOYSA-H dialuminum;tricarbonate Chemical compound [Al+3].[Al+3].[O-]C([O-])=O.[O-]C([O-])=O.[O-]C([O-])=O PPQREHKVAOVYBT-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 2
- MVFCKEFYUDZOCX-UHFFFAOYSA-N iron(2+);dinitrate Chemical compound [Fe+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O MVFCKEFYUDZOCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000011856 silicon-based particle Substances 0.000 description 2
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)benzene;1-ethenyl-2-ethylbenzene;styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1.CCC1=CC=CC=C1C=C.C=CC1=CC=CC=C1C=C NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002134 Carboxymethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004354 Hydroxyethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920000663 Hydroxyethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XWROSHJVVFETLV-UHFFFAOYSA-N [B+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O Chemical compound [B+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XWROSHJVVFETLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BATLCPREIURHFV-UHFFFAOYSA-N [N+](=O)([O-])[O-].[Re+4].[N+](=O)([O-])[O-].[N+](=O)([O-])[O-].[N+](=O)([O-])[O-] Chemical compound [N+](=O)([O-])[O-].[Re+4].[N+](=O)([O-])[O-].[N+](=O)([O-])[O-].[N+](=O)([O-])[O-] BATLCPREIURHFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LSHFIWNMHGCYRS-UHFFFAOYSA-N [O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[OH4+2] Chemical compound [O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[OH4+2] LSHFIWNMHGCYRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000004996 alkyl benzenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 150000001399 aluminium compounds Chemical class 0.000 description 1
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910000323 aluminium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940118662 aluminum carbonate Drugs 0.000 description 1
- APUPEJJSWDHEBO-UHFFFAOYSA-P ammonium molybdate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-][Mo]([O-])(=O)=O APUPEJJSWDHEBO-UHFFFAOYSA-P 0.000 description 1
- 229940010552 ammonium molybdate Drugs 0.000 description 1
- 235000018660 ammonium molybdate Nutrition 0.000 description 1
- 239000011609 ammonium molybdate Substances 0.000 description 1
- 229940077746 antacid containing aluminium compound Drugs 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 229910001593 boehmite Inorganic materials 0.000 description 1
- QDWJUBJKEHXSMT-UHFFFAOYSA-N boranylidynenickel Chemical compound [Ni]#B QDWJUBJKEHXSMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000001768 carboxy methyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 235000010948 carboxy methyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 239000008112 carboxymethyl-cellulose Substances 0.000 description 1
- 238000005341 cation exchange Methods 0.000 description 1
- 239000003729 cation exchange resin Substances 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical group 0.000 description 1
- 235000010980 cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052598 goethite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FAHBNUUHRFUEAI-UHFFFAOYSA-M hydroxidooxidoaluminium Chemical compound O[Al]=O FAHBNUUHRFUEAI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- AEIXRCIKZIZYPM-UHFFFAOYSA-M hydroxy(oxo)iron Chemical compound [O][Fe]O AEIXRCIKZIZYPM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 235000019447 hydroxyethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 1
- VMGAPWLDMVPYIA-HIDZBRGKSA-N n'-amino-n-iminomethanimidamide Chemical compound N\N=C\N=N VMGAPWLDMVPYIA-HIDZBRGKSA-N 0.000 description 1
- KBJMLQFLOWQJNF-UHFFFAOYSA-N nickel(ii) nitrate Chemical compound [Ni+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O KBJMLQFLOWQJNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N phosphanylidynenickel Chemical compound [P].[Ni] OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- OTYBMLCTZGSZBG-UHFFFAOYSA-L potassium sulfate Chemical compound [K+].[K+].[O-]S([O-])(=O)=O OTYBMLCTZGSZBG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052939 potassium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011151 potassium sulphates Nutrition 0.000 description 1
- RZEWPBTZTSBBAK-UHFFFAOYSA-J potassium;iron(3+);disulfate Chemical compound [K+].[Fe+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O RZEWPBTZTSBBAK-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOLDJAUMGUJJKM-LSDHHAIUSA-N renifolin D Natural products CC(=C)[C@@H]1Cc2c(O)c(O)ccc2[C@H]1CC(=O)c3ccc(O)cc3O BOLDJAUMGUJJKM-LSDHHAIUSA-N 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- HUAUNKAZQWMVFY-UHFFFAOYSA-M sodium;oxocalcium;hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+].[Ca]=O HUAUNKAZQWMVFY-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- GKCNVZWZCYIBPR-UHFFFAOYSA-N sulfanylideneindium Chemical compound [In]=S GKCNVZWZCYIBPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/8404—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers manufacturing base layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
- B24B37/044—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor characterised by the composition of the lapping agent
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1409—Abrasive particles per se
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
538111 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（1 ) 技術領域 本發明有關一種供鋁碟或其表面上具有二氧化矽之基 材使用之拋光組成物，其Si〇2濃度係爲0.5至25重量百 分比，其中含有具有不同之單峰型數量粒徑分佈之膠態二 氧化矽粒子群，以得到具有較小平均波度之經拋光表面。 此情況下，本發明之鋁碟拋光意指拋光包含鋁或其合 金之記憶磁碟之基材本身的表面，或拋光該鎳-隣（Ni-P)或 鎳-硼（Ni-B)電鍍表面，尤其是非電解鎳·磷（Nl_p)電鍍之硬 質層，包含90至92百分比之Νι及8至10百分比之P，及 位於該基材上之氧化銘層。 表面上具有二氧化矽之基材的拋光意指拋光含有50重 量百分比或更高重量百分比之二氧化矽的基材之表層。該 拋光之實例係包括拋光岩結晶、供光罩幕使用之石英玻璃 、位於半導體裝置上之二氧化矽薄膜、結晶之玻璃製硬碟 、及鋁矽酸鹽玻璃-或鈉鈣玻璃-製硬碟。 因爲本發明拋光組成物可在高準確度下有效地產生光 滑之經拋光表面，故其亦可用以準確地拋光單獨由矽製得 之半導體晶圓、由化學化合物諸如砷化鎵、隣化鎵或碟化 銦所製之半導體晶圓、及互連金屬諸如供半導體多層互連 基材使用之銅及鋁、氮化物薄膜及碳化物薄膜等，及藍寶 石之單晶的最終拋光、鉅酸鋰、鈮酸鋰等，尤其是GMR磁 頭。 背景技藝 、 辦衣-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 538111 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（2 ) 包含高安定性膠態二氧化矽粒子之溶膠一二氧化矽溶膠 一已部分使用於或考慮使用於鋁碟、玻璃碟、供光罩幕使用 之石英玻璃、岩石結晶、含矽基材諸如供半導體裝置使用 之二氧化矽薄膜、半導體晶圓、單晶諸如藍寶石、鉅酸鋰 及鈮酸鋰、MR磁頭等之最終拋光中。然而，已有人指出二 氧化矽溶膠儘管可得到具有良好平均表面粗糙度之極令人 滿意的經拋光表面，但卻具有低移除速率之缺點。 發明揭示 本發明之目的係提出一種拋光組成物，使用於鋁碟及 玻璃製磁碟、石英玻璃、岩石結晶及供半導體裝置使用之 二氧化矽薄膜，用以解決低移除速率之問題，而產生具有 優越品質之經拋光表面。該磁碟尤其易於較高旋轉速度下 旋轉，該磁碟與磁頭之間具有較小之間隙，以符合在鋁碟 及玻璃製硬碟之情況下記憶容量密度增加之需求，此外， 近來需要具有較小平均波度之磁碟。 尤其，符合記憶容量密度增加導致磁碟在磁碟與磁頭 間間隙縮小的情況下旋轉得更快的需求，鋁碟及玻璃製硬 碟對於平均波度之要求更爲嚴格。近來，需要平均波度小 於3埃之磁碟。 此情況下，使用經水分散之安定二氧化矽溶膠製得含 有SiCh濃度爲0.5至50重量百分比的膠態二氧化矽粒子之 拋光組成物而達成本發明，該溶膠含有具有兩種或三種不 同單峰型數量粒徑分佈之膠態二氧化矽粒子群，平均粒徑（ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) Γ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 538111 A7 B7 五、發明説明（3 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 使用氮吸附法測量粒徑）比例係爲0.15至0.80，與S!〇2之混 合重量比係爲1/0.05-9.0，以得到具有良好品質之鋁碟或表 面上具有二氧化砂之基材。 使用氮吸附法測量之膠態二氧化矽粒子群的測量粒徑 可根據計算計D二2720/S (毫微米）自氮吸附法所測得之比 表面積S(米2/克）得到。 詳言之，本發明第一具體實例係有關一種供鋁碟使用 之拋光組成物，其係由以下成分組成 膠態二氧化矽粒子群，在透射型電子顯微鏡上觀察總 粒子數之90百分比或以上具有主要粒徑爲80至120毫微米 之單峰型數量粒徑分佈，且具有介於65至100毫微米之平 均粒徑ΓΚ(使用氮吸附法測量之粒徑）（以下稱爲膠態二氧化 矽粒子群（a))，及 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 膠態二氧化矽粒子群，在透射型電子顯微鏡上觀察總 粒子數之90百分比或以上具有主要粒徑爲20至40毫微米 之單峰型數量粒徑分佈，且具有介於15至25毫微米之平均 粒徑D“使用氮吸附法測量之粒徑）（以下稱爲膠態二氧化矽 粒子群（c))， 其中該組成物之1)。/1比例係爲0.15至0.38，係爲混合 有Si〇2之經水分散之安定二氧化矽溶膠，該膠態二氧化石夕 粒子群（a)枏對於該膠態二氧化矽粒子群（c)之重量比 W(a)/W(c)二1/0.05-9.0，且含有Si〇2濃度爲〇.5至50重量百 分比之膠態二氧化矽粒子。 本發明第二具體實例係有關一種供鋁碟使用而含有1 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） Z ' 538111 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（4 ) 氧化矽溶膠之拋光組成物，其包含 膠態二氧化矽粒子群’在透射型電子顯微鏡上觀察總 粒子數之90百分比或以上具有主要粒徑爲8〇至12〇毫微米 之單峰型數量粒徑分佈，且具有介於65至1〇〇毫微米之平 均粒徑D。（使用氮吸附法測量之粒徑）（以下稱爲膠態二氧化 矽粒子群（a))， 膠態二氧化矽粒子群，在透射型電子顯微鏡上觀察總 粒子數之90百分比或以上具有主要粒徑爲20至40毫微米 之單峰型數量粒徑分佈，且具有介於15至25毫微米之平均 粒徑D。（使用氮吸附法測量之粒徑）（以下稱爲膠態二氧化矽 粒子群（c)) ’及 膠態二氧化矽粒子群，在透射型電子顯微鏡上觀察總 粒子數之90百分比或以上具有主要粒徑爲5至1 5毫微米之 單峰型數量粒徑分佈，且具有介於8至1 2毫微米間之平均 粒徑Dd(使用氮吸附法測量之粒徑）（以下稱爲膠態二氧化矽 粒子群（d))， 其中該組成物之比例係爲0.15至0.38，Dd/D。比 例係爲0.2 6至0.8 0，係爲混合有S i 0 2之經水分散之安定二 氧化矽溶膠，該膠態二氧化矽粒子群（a)、該膠態二氧化矽 粒子群（c)及該膠態二氧化矽粒子群（d)之重量比 W(a)/W(c)/W(d)二 1/0.05-9.0/0.01-1.4 ，且含有 Si〇2 濃度爲 0.5至50重量百分比之膠態二氧化矽粒子。 本發明第三具體實例係有關一種供鋁碟使用而含有二 氧化矽溶膠之拋光組成物，其包含 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 538111 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _B7五、發明説明（5 ) 膠態二氧化矽粒子群，在透射型電子顯微鏡上觀察總 粒子數之90百分比或以上具有主要粒徑爲4〇至70毫微米 之單峰型數量粒徑分佈，且具有介於35至50毫微米之平均 粒徑Db(使用氮吸附法測量之粒徑）（以下稱爲膠態二氧化矽 粒子群（b)) ’ 膠態二氧化矽粒子群，在透射型電子顯微鏡上觀察總 粒子數之90百分比或以上具有主要粒徑爲20至40毫微米 之單峰型數量粒徑分佈，且具有介於15至25毫微米之平均 粒徑D“使用氮吸附法測量之粒徑）（以下稱爲膠態二氧化矽 粒子群（c)) ’及 膠態二氧化矽粒子群，在透射型電子顯微鏡上觀察總 粒子數之90百分比或以上具有主要粒徑爲5至15毫微米之 單峰型數量粒徑分佈，且具有介於8至1 2毫微米間之平均 粒徑Da(使用氮吸附法測量之粒徑）（以下稱爲膠態二氧化石夕 粒子群（d)) ’ 其中該組成物之DJDb比例係爲0.30至0.7 1 ，Dd/Db比 例係爲0.16至0.34，係爲混合有Si〇2之經水分散之安定二 氧化矽溶膠，該膠態二氧化矽粒子群（c)或該膠態二氧化砂 粒子群（d)及該膠態二氧化矽粒子群（b)之重量比W(b)/W(c) 或W(d)= 1/0.05-9.0，且含有SiCh濃度爲〇·5至50重量百分 比之膠態二氧化矽粒子。 該第一至第三具體實例之拋光組成物係用於拋光銘碟 及其表面上具有二氧化矽之基材。 此情況下，亦如拋光組成物所需地需要高速拋光性質 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ 8 - . 辦衣1T^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 538111 A7 B7五、發明説明（6 ) ’以得到具有小値平均波度之磁碟。是故，在本發明拋光 組成物中添加一種或兩種以上選自包括硝酸鋁、硫酸鋁、 氯化鋁、鹼性碳酸鋁及鹼性胺基甲酸鋁之群的鋁化合物， 及一或兩種以上之選自包括硝酸鐵（III)、氯化鐵（III)、硫酸 鐵（III)、及硫酸鐵（111)鉀〔Kfe(S〇4)2〕之群的鐵化合物作 爲拋光加速劑，可達到高速拋光之目的。 可添加鋁化合物及對於三價鐵化合物具有安定化效果 之羧酸諸如順丁烯二酸、酒石酸、檸檬酸、蘋果酸、葡糖 酸或乳酸，可針對拋光得到加速效果並使拋光性質安定化 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 進行本發明之最佳模式 本發明中，若具有不同單峰型數量粒徑分佈之膠態二 氧化矽粒子群之平均粒徑（使用氮吸附法測得之粒徑）比例小 於0·20 ，則該拋光組成物之拋光性質的改善效果小。相同 地，若平均粒徑（使用氮吸附法測得之粒徑）比例大於〇 8〇 ，則該拋光組成物之拋光性質的改善效果亦小。 本發明中，若具有不同單峰型數量粒徑分佈中較小之 膠態二氧化矽粒子群以重量計具有低於0.05之Si〇2比例， 則拋光組成物之拋光性質的改善效果小。相同地，若具有 高於9.0之Si〇2重量比例，則拋光組成物之拋光性質的改善 效果亦小。 本發明拋光組成物可與膠態二氧化矽粒子群混合，該 濾具有在透射型電子顯微鏡上觀察總粒子數之90百分比或 本紙張I度適用中國ϋ家標準（CNS )八4麟（210X297公着) I ' ' . 裝 訂 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 538111 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（7 ) 以上具有主要粒徑大於150毫微米，但小於250毫微米之單 峰型數量粒徑分佈，且具有介於100至140毫微米範圍內之 平均粒徑D“使用氮吸附法測量之粒徑）。 該膠態二氧化砍粒子群在本發明拋光組成物中之含量 以Si〇2濃度表示係爲0.2至50重量百分比，以1至30重量 百分比爲佳。若S i ◦ 2濃度低於〇. 2重量百分比，則對拋光之 效果低，若Si〇2濃度高於50重量百分比，則溶膠變得不安 定。 雖然二氧化矽溶膠可在原來狀態下作爲鹼溶膠以拋光 鋁碟，但使用陽離子交換處理鹼溶膠所得之溶膠或藉添加 水溶性酸性物質諸如鹽酸、硫酸、硝酸、磷酸、乙酸或草 酸而調成酸性所得之溶膠更佳。 而且，特別可使用硝酸鋁、硫酸鋁、氯化鋁、鹼性硝 酸鋁或鹼性胺基甲酸鋁以作爲拋光加速劑，其含量以Ah〇3 》辰度表不以0.01至5.0重量百分比爲佳。若此含量以Ah〇3 濃度表示低於0.01重量百分比時，對拋光之效果小，若高 於5.0重量百分比，則二氧化砂溶膠變得不安定。 鐵化合物諸如硝酸鐵（III)、氯化鐵（III)、硫酸鐵（III)或 硫酸鐵（III)鉀可作爲拋光加速劑，其含量以Fe2〇3濃度表示 較佳爲0.01至5.0重量百分比。若含量以Fe2〇3濃度表示低 於0.0 1重量百分比，則對於拋光之效果小，若高於5.0重量 百分比，則二氧化矽溶膠變成不安定。 此外，羧酸諸如順丁烯二酸、酒石酸、檸檬酸、蘋果 酸、葡糖酸或乳酸之含量以0.01至5.0重量百分比爲佳。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、τ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 538111 A7 B7 五、發明説明（8 ) 若其低於0.1重量百分比，則拋光加速劑及安定化劑之效 果小，且若其高於5.0重量百分比，則二氧化矽溶膠不安 定。 此外，特別可添加金屬鹽諸如硝酸鎳、硝酸氧鉻、硝 酸鈽或鉬酸銨，以作爲拋光加速劑。 該鹼二氧化矽溶膠可於原始狀態下、進行陽離子交換 處理或藉添加水溶性酸性物質諸如鹽酸、硫酸、硝酸、乙 酸或磷酸調成酸性之後，使用於拋光玻璃製硬碟的方法中 〇 此外，尤其可添加氧化鋁、氧化銷、砂酸錯、富鋁紅 柱石、氧化鈽、氧化鐵、氧化鉻、二氧化鈦或氧化錫於本 發明拋光組成物中，亦可添加水合氧化物諸如氫氧化鋁、 勃姆石及針鐵礦及非氧化物諸如鑽石、硝酸硼、氮化矽及 碳化矽。 亦可添加通常添加於拋光組成物之水溶性醇諸如乙醇 、丙醇、乙二醇及丙二醇、界面活性劑諸如烷基苯磺酸鈉 及甲酵縮合物、多陰離子性有機物質諸如聚丙烯酸鹽、及 纖維素諸如纖維素、羥基乙基纖維素及羧基甲基纖維素。 實施例 實施例1 鹼性二氧化矽溶膠（a-1)--包含在透射型電子顯微鏡上觀 察總粒子數之90百分比或以上的主要粒徑大於80但小於 120毫微米之單峰型數量粒徑分佈’且具有76毫微米之平 裝 訂 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X：297公釐） -11 - 538111 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（9 ) 均粒徑（使用氮吸附法測量之粒徑）（比重：1.294 ，黏度：2.7 mPa.s，pH 9.6，Si〇2濃度爲40.5重量百分比）之膠態二氧化矽 粒子群…使用純水稀釋至Si〇2濃度爲30.5重量百分比，通 經充塡有陽離子交換樹脂Amberlite-120B之管柱以得到Si〇2 濃度爲30.5重量百分比之酸性二氧化矽溶膠（a-2)。50克酸 性二氧化矽溶膠（c-l)一包含在透射型電子顯微鏡上觀察總粒 子數之90百分比或以上的主要粒徑大於20但小於40毫微 米之單峰型數量粒徑分佈，且具有21毫微米之平均粒徑（使 用氮吸附法測量之粒徑）（比重：1.289，黏度：4.111^&』， pH 2.7, Si〇2濃度爲40.1重量百分比）之膠態二氧化矽粒子群 --及20克酸性二氧化矽溶膠（d-l)--包含在透射型電子顯微 鏡上觀察總粒子數之5百分比或以上的主要粒徑大於5但小 於15毫微米之單峰型數量粒徑分佈，且具有10毫微米之平 均粒徑（使用氮吸附法測量之粒徑）（比重：1.126 ，黏度：1.6 mPa.s，pH 2.5，Si〇2濃度爲20.4重量百分比）之膠態二氧化 矽粒子群一與265克該二氧化矽溶膠（a-2)混合，混合物使用 純水稀釋，製備1，000克拋光組成物（a )，Si〇2濃度爲10.0 重量百分比。該拋光組成物中所含之膠態二氧化矽粒子群 的平均粒徑比例係爲（c-l)/(a-2) = 0.28 ，而（d-1 )/(c-1)= 0.48。 對照例1 實施例1所得之酸性二氧化矽溶膠（a-2)使用純水稀釋 ，以製備1，000克Si〇2濃度爲1〇.〇重量百分比之拋光組成物 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
L 丁 % 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 538111 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（10) (α 1) 〇 對照例2 實施例1所得之酸性二氧化砂溶膠（c -1)使用純水稀釋 ，以製備1,000克SiCh濃度爲1〇.〇重量百分比之拋光組成物 (α 2)。 實施例2 包含由265克實施例1之酸性二氧化矽溶膠（a-2)、50 克實施例1之酸性二氧化矽溶膠（c-1)及附加之20克酸性二 氧化矽溶膠（d-2)--包含在透射型電子顯微鏡上觀察總粒子 數之90百分比或以上的主要粒徑大於5但小於1 5毫微米之 單峰型數量粒徑分佈，且具有1 2毫微米之平均粒徑（使用氮 吸附法測量之粒徑）（比重：1.127 ，黏度：1.8 mPa.s，pH 2.8, Si〇2濃度爲20.4重量百分比）之膠態二氧化矽粒子群一所組 成之混合物的酸性二氧化矽溶膠中，添加71.4克以Al2〇3計 爲7.0重量百分比之硝酸鋁水溶液，混合物使用純水稀釋， 以製備1，000克拋光組成物（/3 )，含有以AhCh計爲〇.5重量 百分比之硝酸鋁，Si〇2濃度爲10.0重量百分比，pH爲2.4 ，且電導係數爲15.5 mS/cm。該拋光組成物中所含之膠態 二氧化矽粒子群的平均粒徑比例係爲（c-l)/(a-2) = 0.28且 (d-2)/(c-l)= 0.57。 實施例3 ----------裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、?τ -線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -13- 538111 經濟部智慧財產局昌(工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（11) 包含由3 88克酸性二氧化矽溶膠（b)--包含在透射型電 子顯微鏡上觀察總粒子數之90百分比或以上的主要粒徑大 於40但小於70毫微米之單峰型數量粒徑分佈，且具有42 毫微米之平均粒徑（使用氮吸附法測量之粒徑）（比重：1.128 ，黏度：1.4 mPa.s，pH 2.3, Si〇2濃度爲20.6重量百分比）之膠 態二氧化矽粒子群…及98克實施例2之酸性二氧化矽溶膠 (d-2)所組成之混合物的酸性二氧化矽溶膠中，添加71.4克 以Al2〇3計爲7.0重量百分比之硝酸鋁水溶液，混合物使用 純水稀釋，以製備1，〇〇〇克拋光組成物（r )，含有以AhCh計 爲0.5重量百分比之硝酸鋁，Si〇2濃度爲10.0重量百分比， pH爲2.4，且電導係數爲14.3 mS/cm。該拋光組成物中所 含之膠態二氧化矽粒子群的平均粒徑比例係爲（d-2)/(b)= 0.48。 實施例4 在包含由243克實施例3之酸性二氧化矽溶膠（b)—平均 粒徑爲42毫微米--與125克實施例1之酸性溶膠（c-1)所組成 之混合物的酸性二氧化矽溶膠中，添加7 1.4克以Al2〇3計爲 7.0重量百分比之硝酸鋁水溶液，混合物使用純水稀釋，以 製備1，000克拋光組成物)，含有以Ah〇3計爲0.5重量百 分比之硝酸銘，Si〇2濃度爲10.0重量百分比，pH爲2.3， 且電導係數爲14.0 mS/cm。該拋光組成物中所含之膠態二 氧化矽粒子群的平均粒徑比例係爲（c-l)/(b)= 0,50。 裝 訂 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -14- 538111 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（12) 對照例3 將7 1.4克以AhCh計爲7.0重量百分比之硝酸銘水溶液 添加於332克實施例1所得之酸性球形二氧化砂溶膠（a-2) 時，混合物使用純水稀釋’以製備i，000克拋光組成物 (/3-1)，含有以Al2〇3計爲0.5重量百分比之硝酸銘’ Si〇2 濃度爲10.0重量百分比’ pH爲2.4 ’且電導係數爲15.4 mS/cm 〇 實施例5 在包含由265克實施例1所得之酸性二氧化矽溶膠U-2) 與50克實施例1之酸性溶膠（c-1)所組成之混合物的酸性二 氧化矽溶膠中，添加71.4克以Fe2〇3計爲7.0重量百分比之 硝酸鐵（III)水溶液，混合物使用純水稀釋，以製備1，〇〇〇克 拋光組成物（ε )，含有以FuCh計爲0.8重量百分比之硝酸 鐵（III)，Si〇2濃度爲10.0重量百分比，pH爲1.8，且電導 係數爲29.1 mS/cm。該拋光組成物中所含之膠態二氧化矽 粒子群的平均粒徑比例係爲（c-l)/(a-2)= 0.28。 實施例6 在包含由66.4克實施例1所得之酸性二氧化矽溶膠 (a-2)與200克實施例1之酸性溶膠（c-Ι)所組成之混合物的酸 性二氧化矽溶膠中，添加71.4克以Fe2〇3計爲7.0重量百分 比之硝酸鐵（III)水溶液，混合物使用純水稀釋，以製備 1，000克拋光組成物（f )，含有以Fe2〇3計爲0.8重量百分比 --:--J-----1-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -15- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 538111 A7 B7 五、發明説明（13) 之硝酸鐵（III)，S1O2濃度爲10.0重量百分比，pH爲1.7， 且電導係數爲29.0 mS/cm。該拋光組成物中所含之膠態二 氧化矽粒子群的平均粒徑比例係爲（c-l)/(a_2)= 0.28。 實施例7 在包含由265克實施例1所得之酸性二氧化矽溶膠（a-2) 與5 0克實施例1之酸性溶膠（c-1)所組成之混合物的酸性二 氧化矽溶膠中，添加71.4克以Fe2〇3計爲7.0重量百分比之 硝酸鐵（III)水溶液及5.9克90百分比乳酸，混合物使用純水 稀釋，以製備1，〇〇〇克拋光組成物（/?)，含有以Fe2〇3計爲 0.8重量百分比之硝酸鐵（III)及0.5重量百分比之乳酸， Si〇2濃度爲10.0重量百分比，pH爲1.4 ，且電導係數爲 35.2 mS/cm 。該拋光組成物中所含之膠態二氧化矽粒子群 的平均粒徑比例係爲（c-l)/(a-2)= 0.28。 對照例4 將71.4克以Fe2〇3計爲7.0重量百分比之硝酸鐵水溶液 添加於3 32克實施例1所得之酸性二氧化矽溶膠（a-Ι)時， 混合物使用純水稀釋，以製備1,000克拋光組成物（ε 1)， 含有以Fe2〇3計爲0.8重量百分比之硝酸鐵（III)，Si〇2濃度 爲10.0重量百分比，pH爲1.7，且電導係數爲29.4 mS/cm 〇 對照例5 > 裝 I 訂 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -16- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 538111 A7 B7 _ 五、發明説明（14) 將71.4克以Fe2〇3計爲7.0重量百分比之硝酸鐵水溶 液添加於250克實施例1之酸性二氧化砂溶膠（c-1)時’混 合物使用純水稀釋，以製備1，000克拋光組成物（ε 2) ’ 含有以Fe2〇3計爲0.8重量百分比之硝酸鐵（ΠΙ)，SW2濃 度爲10.0重量百分比，pH爲1.7 ，且電導係數爲29.0 mS/cm ° 實施例8 混合58克鹼性二氧化矽溶膠（c-2)(比重：1.376 ’黏度 :19.9 mPa.s，pH 9.2，Si〇2濃度爲48.1重重百分比）--包含 在透射型電子顯微鏡上觀察總粒子數之90百分比或以上的 主要粒徑大於20但小於40毫微米之單峰型數量粒徑分佈’ 且具有20.5毫微米之平均粒徑（使用氮吸附法測量）之膠 態二氧化矽粒子群一與276克實施例1之鹼性二氧化矽溶膠 (a-Ι)混合，混合物使用純水稀釋以製備1，〇〇〇克拋光組成 物（0 )， Si〇2濃度爲14.0重量百分比。該拋光組成物中所 含之膠態二氧化矽粒子的平均粒徑比例係爲（c-2)/(a-2)= 0.28。 對照例6 實施例1之鹼性二氧化矽溶膠（a-1)使用純水稀釋以製 備1，000克拋光組成物（0 1)，SiCh濃度爲14.0重量百分比 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X；297公釐） ----.-----批衣------1T------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 538111 A7 B7 五、發明説明（15) 〔鋁碟及玻璃製磁碟之拋光試驗〕 表1所列之拋光組成物（α )至（ε )及拋光組成物（α 1)至 (Θ 1)之拋光試驗係如下文所述般地進行。 具有非電解Ni-P電鍍的3.5英吋W基材--在銘基材上具 有厚度1〇微米（包含90至92百分比Νι及8至10百分比P) 之非電解鎳·磷（Νι-Ρ)硬層--係使用於鋁碟上。該基材進行平 均表面糙度爲9.3埃之主要拋光。 包含77.9重量百分比Si〇2、 17.3重量百分比Al2〇3、 2.2重量百分比Zr〇2及1.6重量百分比Zn〇之3·5英吋（/)玻 璃製基材係作爲玻璃製硬碟。該基材使用7.3埃平均表面糙 度進行主要拋光。 由起毛型聚胺基甲酸酯所製之拋光墊（POLITEX DG(商 標），Rodel Nitta Co·所製之 18 英吋 φ )糊於 LAPMASTER LM18S拋光機（Lapmaster SFT Corp.)之表板上，以面向欲拋 光之基材的表面，該基材於0.8 kPa負載下拋光。 表板及頭部之轉數係爲每分鐘1 5轉，而拋光組成物之 進料速率係爲1 5毫升/分鐘。拋光之後，取出經處理之物件 ，使用純水洗滌，之後乾燥，由重量減量計算移除速率。 經拋光表面之平均表面糙度（Ra)係使用New View 100 (Zyg〇 Co.)測量。使用差示干擾顯微鏡觀察表面缺陷諸如坑 洞及刮痕。 拋光試驗中移除速率、平均表面糙度（Ra)及平均波度 (Wa)之結果係列示於表2中（鋁碟），及於表3(玻璃製磁碟） 中〇 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -口 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 538111 A7 B7 五、發明説明（16) 此拋光試驗中，鋁製磁碟及玻璃製磁碟之經拋光表面 未出現表面缺陷，諸如坑洞或刮痕。 〔表1〕 拋光 膠態二氧化矽之平均粒徑Si〇2重量比 組成物 D(毫微米） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
Da Db Dc Dd (a) ：(b) :(c) ：(d) (a ) 76 - 21 10 1 :- :0.25 :0.05 (a 1) 76 - 攀 - 1 :- :- :- (a 2) - - 21 - - :- :1 :- {β ) 76 - 21 10 1 :- :0.25 :0.05 (r ) - - 42 10 - :1 :- :0.25 ((5 ) - 42 21 - - :1 :1 :- (/3 1) 76 - - - 1 :- :- :- (β ) 76 - 21 - 1 :- :0.25 :- (r ) 76 21 - 1 :- :4 :- (V ) 76 - 21 - 1 :- :0.25 :- (ε 1) 76 - - - 1 :- :- :- (£ 2) - - 21 - - :- :1 :- (θ ) 76 - 21 - 1 :- :0.25 :- (θ 1) 76 - - - 1 :- ：- :- 裝 訂 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -19- 538111 A7 B7 五、發明説明（17) 〔表2〕 拋光 組成物 拋光 加速劑 移除速 率Vp nm/min 平均表 面糙度 Ra(埃） 平均波度 Wa(埃） 移除速率相對於 平均波度之比例 (Vp/Wa)(min 丨） (α ) Μ 29 2.8 2.6 112 1) 21 3.0 3.8 55 (α 2) Μ j \ \\ 18 2.8 4.0 45 (β) 硝酸鋁 58 2.8 2.6 223 (r ) 硝酸鋁 61 3.0 2.7 226 (5) 硝酸鋁 56 3.0 2.7 207 (/5 1) 硝酸鋁 40 3.2 4.4 91 ⑷ 硝酸鐵 222 5.0 3.0 740 (r) 硝酸鐵(III) 157 4.8 3.0 523 (V ) 硝酸鐵(111)+乳酸 220 4.8 2.4 917 (ε 1) 硝酸鐵(III) 100 4.8 3.9 256 (£ 2) 硝酸鐵(III) 120 4.9 3.8 316 裝 訂 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -20- 538111 A7 B7 五、發明説明（18) 〔表3〕 拋光 移除速率 平均表面 平均波度 移除速率相對於平 組成物 Vp 糙度 Wa(埃） 均波度之比例 nm/min Ra(埃） (Vp/Wa)(min'1) {Θ) 175 3.8 3.0 583 (Θ 1) 102 3.9 4.8 213 --.--、-----^ —— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 表2所列之鋁碟用拋光方法中，拋光組成物（“）…其中 混合三種具有不同粒徑分佈之膠態二氧化矽粒子群一與具有 單一粒徑分佈之拋光組成物（α 1)及（α 2)比較，顯示拋光組 成物（α )顯示較高之移除速率、小於3埃之平均波度及大於 二之移除速率相對於平均波度之增高比例，故具有優越之 拋光性質。 即使含有硝酸鋁以作爲拋光加速劑之拋光組成物，混 合兩種或三種具有不同粒徑分佈之膠態二氧化矽粒子群之 拋光組成物（/3 )、（ r )及（(5 )與包含單一種二氧化矽溶膠之 拋光組成物（yS 1)比較，顯示拋光組成物（/3 )、（r )及（5 )具 有相同之拋光性質。 此外，含有硝酸鐵（III)以作爲拋光加速劑之拋光組成 物（〇、（^)、（7?)、（6 1)及（0 1)各顯示高於含有作爲拋 光加速劑之硝酸鋁之拋光組成物的兩倍的移除速率。此外 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 538111 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（19) ，混合兩種或三種具有不同粒徑分佈之膠態二氧化矽粒子 群之拋光組成物（£ )、（ f )及（7?)與僅包含單一種二氧化矽 溶膠之拋光組成物（ε 1)及（0 1)比較之下，顯示拋光組成物 (ε )、（ f )及（？？）小於3埃之平均波度，且移除速率相對於 平均波度之增加比例大於二，因此具有優越之拋光性質。 而且，若爲含有乳酸之拋光組成物（/?)，則改善平均波度。 在表3所列之拋光玻璃裂硬碟時，混合三種具有不同 粒徑分佈之膠態二氧化矽粒子群之拋光組成物（0 )與具有單 一種粒徑分佈之拋光組成物（Θ 1)比較之下，顯示該拋光組 成物（Θ )具有改良之移除速率，小於3埃之平均波度，且移 除速率相對於平均波度之增加比例大於二，因此具有優越 之拋光性質。 工業應用 鋁碟及玻璃製磁碟因爲記憶容量密度增加，導致磁碟 在磁碟與磁頭間間隙縮小的情況下旋轉得更快的需求，故 對於平均波度之要求愈趨嚴格。近來，需要平均波度小於3 埃之磁碟。 本發明混合三種具有不同粒徑分佈之膠態二氧化矽粒 子群之拋光組成物可於高移除速率下拋光，改善平均波度 ，產生平均波度小於3埃之經拋光表面。 此外，本發明拋光組成物含有鋁化合物及三價鐵化合 物以作爲拋光加速劑，改善移除速率及拋光該鋁碟時之平 均波度，而產生平均波度小於3埃之經拋光表面。此外， --：--1.-----^ II (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、?τ 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -22- 538111 A7 B7 五、發明説明（20) 尤其含有羧酸諸如順丁烯二酸、酒石酸、檸檬酸、順丁烯 =酸、葡糖酸及乳酸之拋光組成物產生相同之經拋光表面 〇 如前文所述，本發明拋光組成物滿足平均波度需小於3 埃之需求，此外，可改善拋光步驟之產能，以因爲增加移 除速率而達成降低成本之要求。 此外，因爲本發明拋光組成物可有效地於高準確度下 產生光滑之經拋光表面，故亦可準確地拋光供光罩幕使用 之石英玻璃、岩石結晶、表面上具有二氧化矽之基材諸如 位於半導體裝置上之二氧化矽薄膜，及單晶矽之半導體晶 圓、化合物半導體諸如砷化鎵、磷化鎵、及憐化銦之晶圓 、及互連金屬諸如供多層互連基材使用之銅及鋁、供準確 拋光使用之氮化物薄膜及碳化物薄膜及藍寶石、鉅酸鋰、 鈮酸鋰等之單晶、GMR磁頭等之最終拋光。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） · 23
Claims (1)
- 53SIIT 8 8 8 8 ABCD ； » . · · 、 丨V、 六、申請專利範圍 1 .一種供鋁碟使用而含有二氧化矽溶膠之拋光組成 物，其包含 U3 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 膠態二氧化矽粒子群，在透射型電子顯微鏡上觀察總 粒子數之90百分比或以上具有主要粒徑爲80至120毫微米 之單峰型數量粒徑分佈，且具有介於65至100毫微米之平 均粒徑Da(使用氮吸附法測量之粒徑）（以下稱爲膠態二氧化 矽粒子群U)) ’及 膠態二氧化矽粒子群，在透射型電子顯微鏡上觀察總 粒子數之90百分比或以上具有主要粒徑爲20至40毫微米 之單峰型數量粒徑分佈，且具有介於15至25毫微米之平均 粒徑D。（使用氮吸附法測量之粒徑）（以下稱爲膠態二氧化矽 粒子群（c)) ’ 其中該組成物之DJDa比例係爲0.15至0.38，係爲混合 有SiCh之經水分散之安定二氧化矽溶膠，該膠態二氧化矽 粒子群（a)相對於該膠態二氧化矽粒子群（c)之重量比 W(a)/W(c)= 1/0.05-9.0，且含有SiCh濃度爲0.5至50重量百 分比之膠態二氧化矽粒子。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 . —種供鋁碟使用而含有二氧化矽溶膠之拋光組成 物，其包含 膠態二氧化矽粒子群，在透射型電子顯微鏡上觀察總 粒子數之90百分比或以上具有主要粒徑爲80至120毫微米 之單峰型數量粒徑分佈，且具有介於65至1〇〇毫微米之平 均粒徑D a (使用氮吸附法測量之粒徑）（以下稱爲膠態二氧化 矽粒子群U))， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -24 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 538111 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 膠態二氧化矽粒子群，在透射型電子顯微鏡上觀察總 粒子數之90百分比或以上具有主要粒徑爲20至40毫微米 之單峰型數量粒徑分佈，且具有介於15至25毫微米之平均 粒徑D。（使用氮吸附法測量之粒徑）（以下稱爲膠態二氧化砂 粒子群（c)) ’及 膠態二氧化矽粒子群，在透射型電子顯微鏡上觀察總 粒子數之90百分比或以上具有主要粒徑爲5至15毫微米之 單峰型數量粒徑分佈，且具有介於8至1 2毫微米間之平均 粒徑Dd(使用氮吸附法測量之粒徑）（以下稱爲膠態二氧化矽 粒子群（d))， 其中該組成物之DJDa比例係爲0.15至0.38，Dd/D。比 例係爲0.26至0.80，係爲混合有Si〇2之經水分散之安定二 氧化矽溶膠，該膠態二氧化矽粒子群（a)、該膠態二氧化矽 粒子群（c)及該膠態二氧化矽粒子群（d)之重量比 W(a)/W(c)/W(d)= 1/0.05-9.0/0.01-1.4 ，且含有 Si〇2 濃度爲 0.5至50重量百分比之膠態二氧化矽粒子。 3 . —種供鋁碟使用而含有二氧化矽溶膠之拋光組成 物，其包含 膠態二氧化矽粒子群，在透射型電子顯微鏡上觀察總 粒子數之90百分比或以上具有主要粒徑爲40至70毫微米 之單峰型數量粒徑分佈，且具有介於35至50毫微米之平均 粒徑ΓΚ(使用氮吸附法測量之粒徑）（以下稱爲膠態二氧化矽 粒子群（b))， 膠態二氧化矽粒子群，在透射型電子顯微鏡上觀察總 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -25 - " --r--------^------訂------0 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 538111 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 粒子數之90百分比或以上具有主要粒徑爲2〇至40毫微米 之單峰型數量粒徑分佈，且具有介於15至25毫微米之平均 粒徑D。（使用氮吸附法測量之粒徑）（以下稱爲膠態二氧化矽 粒子群（c)) ’或 膠態二氧化矽粒子群，在透射型電子顯微鏡上觀察總 粒子數之90百分比或以上具有主要粒徑爲5至15毫微米之 單峰型數量粒徑分佈，且具有介於8至1 2毫微米間之平均 粒徑Da(使用氮吸附法測量之粒徑）（以下稱爲膠態二氧化矽 粒子群（d))， 其中該組成物之DJDb比例係爲0.30至0.71 ，Dd/Db比 例係爲0.16至0.34，係爲混合有Si〇2之經水分散之安定二 氧化矽溶膠，該膠態二氧化矽粒子群（c)或該膠態二氧化矽 粒子群（d)及該膠態二氧化矽粒子群⑻之重量比W(b)/W(c) 或W(d)二1/0.05-9.0，且含有Si〇2濃度爲0.5至50重量百分 比之膠態二氧化矽粒子。 4 ·如申請專利範圍第1、2或3項之拋光組成物，其 中該拋光組成物係含有一或兩種以上之鋁化合物，以Ah〇3 表示之濃度係爲0.01至5.0重量百分比，選自包括硝酸鋁、 硫酸銘、氯化鋁、驗性碳酸銘及驗性胺基甲酸銘之群以作 爲拋光加速劑。 5 ·如申請專利範圍第1、2或3項之拋光組成物’其 中該拋光組成物係含有一或兩種以上之鐵化合物，以Fe2〇3 表示之濃度係爲0.0 Γ至5.0重量百分比，選自包括硝酸鐵 (III)、氯化鐵（III)、硫酸鐵（ΠΙ)、及硫酸鐵（ΠΙ)鉀〔 本'^張尺度適用中國國家標準（〇奶）八4規格（210\297公釐）一'一:26^ ---------^------1T------ii (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 538111 ABCD 六、申請專利範圍 KFe(S〇4)2〕之群以作爲拋光促進劑。 6 ·如申請專利範圍第1、2或3項之拋光組成物，其 中該拋光組成物係含有一或或多種羧酸，濃度爲0.01-5.9重 量百分比，選自包括順丁烯二酸、酒石酸、檸檬酸、蘋果 酸、葡糖酸及乳酸之群。 7 · —種供表面上具有二氧化矽之基材使用之拋光組 成物，其包含 膠態二氧化矽粒子群，在透射型電子顯微鏡上觀察總 粒子數之90百分比或以上具有主要粒徑爲80至120毫微米 之單峰型數量粒徑分佈，且具有介於65至100毫微米之平 均粒徑(使用氮吸附法測量之粒徑）（以下稱爲膠態二氧化 矽粒子群（a))，及 膠態二氧化矽粒子群，在透射型電子顯微鏡上觀察總 粒子數之90百分比或以上具有主要粒徑爲20至40毫微米 之單峰型數量粒徑分佈，且具有介於15至25毫微米之平均 粒徑DJ使用氮吸附法測量之粒徑）（以下稱爲膠態二氧化矽 粒子群（c))， 其中該組成物之比例係爲0.15至0.38，係爲混合 有SiCh之經水分散之安定二氧化矽溶膠，該膠態二氧化矽 粒子群U)相對於該膠態二氧化矽粒子群（c)之重量比 W(a)/W(c)= 1/0.05-9.0，且含有Si〇2濃度爲0.5至50重量百 分比之膠態二氧化矽粒子。 8 · —種供表面上具有二氧化矽之基材使用之拋光組 成物，其包含 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、τ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -27 - 538111 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 膠態二氧化矽粒子群’在透射型電子顯微鏡上觀察總 粒子數之90百分比或以上具有主要粒徑爲80至120毫微米 之單峰型數量粒徑分佈’且具有介於65至100毫微米之平 均粒徑Da(使用氮吸附法測量之粒徑）（以下稱爲膠態二氧化 矽粒子群（a)) ’ 膠態二氧化矽粒子群’在透射型電子顯微鏡上觀察總 粒子數之90百分比或以上具有主要粒徑爲20至40毫微米 之單峰型數量粒徑分佈，且具有介於15至25毫微米之平均 粒徑D。（使用氮吸附法測量之粒徑）（以下稱爲膠態二氧化矽 粒子群（c)) ’及 膠態二氧化矽粒子群，在透射型電子顯微鏡上觀察總 粒子數之90百分比或以上具有主要粒徑爲5至15毫微米之 單峰型數量粒徑分佈，且具有介於8至1 2毫微米間之平均 粒徑Dd(使用氮吸附法測量之粒徑）（以下稱爲膠態二氧化矽 粒子群（d)) ’ 其中該組成物之De/Da比例係爲〇. 15至0.38，Dd/D。比 例係爲0.26至0.80，係爲混合有Si〇2之經水分散之安定二 氧化矽溶膠，該膠態二氧化矽粒子群（a)、該膠態二氧化矽 粒子群（c)及該膠態二氧化矽粒子群（d)之重量比 W(a)/W(c)/W(d)= 1/0.05-9.0/0.01-1.4 ，且含有 Si〇2 濃度爲 0.5至50重量百分比之膠態二氧化矽粒子。 9 . 一種供表面上具有二氧化矽之基材使用之拋光組 成物，其包含 膠態二氧化矽粒子群，在透射型電子顯微鏡上觀察總 ---------^------、訂------^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ 28 - 538111 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 粒子數之90百分比或以上具有主要粒徑爲40至70毫微米 之單峰型數量粒徑分佈，且具有介於35至50毫微米之平均 粒徑Db(使用氮吸附法測量之粒徑）（以下稱爲膠態二氧化矽 粒子群（b)) ’ 膠態二氧化矽粒子群，在透射型電子顯微鏡上觀察總 粒子數之90百分比或以上具有主要粒徑爲20至40毫微米 之單峰型數量粒徑分佈，且具有介於15至25毫微米之平均 粒徑D。（使用氮吸附法測量之粒徑）（以下稱爲膠態二氧化矽 粒子群（c))，及 膠態二氧化矽粒子群，在透射型電子顯微鏡上觀察總 粒子數之90百分比或以上具有主要粒徑爲5至15毫微米之 單峰型數量粒徑分佈，且具有介於8至1 2毫微米間之平均 粒徑Da(使用氮吸附法測量之粒徑）（以下稱爲膠態二氧化矽 粒子群（d)) ’ 其中該組成物之DJDb比例係爲0.30至0.71 ，Dd/Db比 例係爲0.16至0.34，係爲混合有Si〇2之經水分散之安定二 氧化矽溶膠，該膠態二氧化矽粒子群（c)或該膠態二氧化矽 粒子群（d)及該膠態二氧化矽粒子群（b)之重量比W(b)/W(c) 或W(d)二1/0.05-9.0，且含有Si〇2濃度爲〇·5至50重量百分 比之膠態二氧化矽粒子。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -29- I-.——Γ-----^------1Τ------線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000139671 | 2000-05-12 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW538111B true TW538111B (en) | 2003-06-21 |
Family
ID=18647077
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW090111054A TW538111B (en) | 2000-05-12 | 2001-05-09 | Polishing Composition |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6719819B2 (zh) |
| EP (2) | EP1287088B1 (zh) |
| JP (2) | JP4450142B2 (zh) |
| KR (2) | KR100826072B1 (zh) |
| CN (1) | CN1200066C (zh) |
| CA (2) | CA2607856C (zh) |
| MY (1) | MY130609A (zh) |
| TW (1) | TW538111B (zh) |
| WO (1) | WO2001085868A1 (zh) |
Families Citing this family (57)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI307712B (en) * | 2002-08-28 | 2009-03-21 | Kao Corp | Polishing composition |
| US7553345B2 (en) | 2002-12-26 | 2009-06-30 | Kao Corporation | Polishing composition |
| JP3997152B2 (ja) * | 2002-12-26 | 2007-10-24 | 花王株式会社 | 研磨液組成物 |
| MY134679A (en) * | 2002-12-26 | 2007-12-31 | Kao Corp | Polishing composition |
| TWI254741B (en) * | 2003-02-05 | 2006-05-11 | Kao Corp | Polishing composition |
| JP2004331852A (ja) * | 2003-05-09 | 2004-11-25 | Tama Kagaku Kogyo Kk | 分散安定性に優れた研磨剤スラリー及び基板の製造方法 |
| GB2402941B (en) * | 2003-06-09 | 2007-06-27 | Kao Corp | Method for manufacturing substrate |
| KR20030061746A (ko) * | 2003-06-23 | 2003-07-22 | 신세현 | 혈구 유변계 |
| ES2436215T3 (es) * | 2003-07-11 | 2013-12-27 | W.R. Grace & Co. - Conn. | Partículas abrasivas para pulido químico-mecánico |
| JP4608196B2 (ja) * | 2003-09-30 | 2011-01-05 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
| KR100850877B1 (ko) | 2004-06-18 | 2008-08-07 | 주식회사 동진쎄미켐 | 철 함유 콜로이달 실리카를 포함하는 화학 기계적 연마슬러리 조성물 |
| KR101167869B1 (ko) * | 2004-06-22 | 2012-07-23 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 유리 기판의 연마 방법 및 유리 기판 |
| EP1758962B1 (en) * | 2004-06-22 | 2013-10-30 | Asahi Glass Company, Limited | Polishing method for glass substrate, and glass substrate |
| JP5090633B2 (ja) * | 2004-06-22 | 2012-12-05 | 旭硝子株式会社 | ガラス基板の研磨方法 |
| JP4761901B2 (ja) * | 2004-09-22 | 2011-08-31 | Ｈｏｙａ株式会社 | マスクブランクス用基板の製造方法、マスクブランクスの製造方法、露光用マスクの製造方法、反射型マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
| US20060196849A1 (en) * | 2005-03-04 | 2006-09-07 | Kevin Moeggenborg | Composition and method for polishing a sapphire surface |
| JP2007179612A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Kao Corp | 磁気ディスク基板用研磨液組成物 |
| TWI411667B (zh) * | 2006-04-28 | 2013-10-11 | Kao Corp | 磁碟基板用之研磨液組成物 |
| GB2454343B (en) | 2007-10-29 | 2012-07-11 | Kao Corp | Polishing composition for hard disk substrate |
| JP2009163810A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Kao Corp | ハードディスク基板の製造方法 |
| JP5407555B2 (ja) * | 2008-06-11 | 2014-02-05 | 信越化学工業株式会社 | 合成石英ガラス基板用研磨剤 |
| MY155533A (en) | 2008-06-11 | 2015-10-30 | Shinetsu Chemical Co | Polishing agent for synthetic quartz glass substrate |
| JP5396047B2 (ja) * | 2008-09-03 | 2014-01-22 | 三井金属鉱業株式会社 | ガラス用研摩材スラリー |
| GB2477067B (en) * | 2008-11-06 | 2012-10-17 | Kao Corp | Polishing liquid composition for magnetic disk substrate |
| JP2009187657A (ja) * | 2009-04-02 | 2009-08-20 | Kao Corp | 基板の製造方法 |
| JP4941501B2 (ja) * | 2009-04-20 | 2012-05-30 | 旭硝子株式会社 | ガラス基板用研磨液及びその製造方法、並びに前記研磨液を用いたガラス基板の研磨方法及び前記研磨方法により得られたガラス基板 |
| CN101693813B (zh) * | 2009-09-01 | 2013-04-10 | 湖南皓志新材料股份有限公司 | 一种硅基精抛液 |
| JP5251861B2 (ja) * | 2009-12-28 | 2013-07-31 | 信越化学工業株式会社 | 合成石英ガラス基板の製造方法 |
| CN102115633A (zh) * | 2009-12-30 | 2011-07-06 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种化学机械抛光液 |
| WO2012005142A1 (ja) * | 2010-07-09 | 2012-01-12 | 旭硝子株式会社 | 研磨剤および研磨方法 |
| JP5168387B2 (ja) * | 2011-06-08 | 2013-03-21 | 旭硝子株式会社 | 磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法 |
| CN102358825B (zh) * | 2011-08-05 | 2013-08-21 | 清华大学 | 一种用于蓝宝石晶片的抛光组合物 |
| JP6266504B2 (ja) * | 2012-02-29 | 2018-01-24 | Hoya株式会社 | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法及び磁気ディスクの製造方法 |
| KR102105844B1 (ko) | 2012-08-24 | 2020-04-29 | 에코랍 유에스에이 인코퍼레이티드 | 사파이어 표면 폴리싱 방법 |
| EP2915859A4 (en) * | 2012-10-31 | 2015-10-28 | Fujimi Inc | POLISHING COMPOSITION |
| CN105189043B (zh) * | 2013-03-15 | 2019-11-08 | 艺康美国股份有限公司 | 抛光蓝宝石表面的方法 |
| JP6156207B2 (ja) | 2013-04-02 | 2017-07-05 | 信越化学工業株式会社 | 合成石英ガラス基板の製造方法 |
| US9633831B2 (en) * | 2013-08-26 | 2017-04-25 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing composition for polishing a sapphire surface and methods of using same |
| CN104745084B (zh) * | 2013-12-25 | 2018-09-14 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种用于铝的化学机械抛光液及使用方法 |
| JP6373069B2 (ja) * | 2014-05-30 | 2018-08-15 | 山口精研工業株式会社 | 精密研磨剤組成物 |
| JP6316680B2 (ja) * | 2014-06-30 | 2018-04-25 | 花王株式会社 | 磁気ディスク基板用研磨液組成物 |
| US9551075B2 (en) * | 2014-08-04 | 2017-01-24 | Sinmat, Inc. | Chemical mechanical polishing of alumina |
| CN104559798B (zh) * | 2014-12-24 | 2017-08-29 | 上海新安纳电子科技有限公司 | 一种氧化铝基化学机械抛光液 |
| CN104893587A (zh) * | 2015-03-09 | 2015-09-09 | 江苏中晶科技有限公司 | 高效c向蓝宝石抛光液及其制备方法 |
| WO2016194614A1 (ja) * | 2015-06-03 | 2016-12-08 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物、研磨方法、及び製造方法 |
| CN104907895B (zh) * | 2015-06-16 | 2017-09-29 | 哈尔滨秋冠光电科技有限公司 | 蓝宝石双抛片的快速加工方法 |
| US10144850B2 (en) * | 2015-09-25 | 2018-12-04 | Versum Materials Us, Llc | Stop-on silicon containing layer additive |
| JP6584945B2 (ja) * | 2015-12-14 | 2019-10-02 | 花王株式会社 | 磁気ディスク基板用研磨液組成物 |
| JP7032327B2 (ja) * | 2016-05-19 | 2022-03-08 | ドンジン セミケム カンパニー リミテッド | 化学－機械的研磨用スラリー組成物 |
| JP6706149B2 (ja) * | 2016-06-08 | 2020-06-03 | 山口精研工業株式会社 | 研磨剤組成物 |
| US10377014B2 (en) | 2017-02-28 | 2019-08-13 | Ecolab Usa Inc. | Increased wetting of colloidal silica as a polishing slurry |
| US20210130176A1 (en) * | 2017-10-11 | 2021-05-06 | Applied Material Solutions, Inc. | Multimodal Particles for Retention and Drainage for Paper-Making Machines |
| CN108081117A (zh) * | 2017-11-29 | 2018-05-29 | 浙江工业大学 | 一种基于软质磨料固着磨具的钽酸锂抛光方法 |
| CN109988509B (zh) * | 2017-12-29 | 2021-07-09 | 浙江新创纳电子科技有限公司 | 一种钽酸锂还原片抛光液及其制备方法和用途 |
| JP7384725B2 (ja) * | 2020-03-25 | 2023-11-21 | 山口精研工業株式会社 | 研磨剤組成物 |
| JP7662350B2 (ja) * | 2021-02-15 | 2025-04-15 | 花王株式会社 | 磁気ディスク用シリカ分散液の製造方法 |
| CN114536208B (zh) * | 2022-01-13 | 2023-05-09 | 北京通美晶体技术股份有限公司 | 一种磷化铟研磨工艺与磷化铟 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4356107A (en) * | 1979-11-26 | 1982-10-26 | Nalco Chemical Company | Process for preparing silica sols |
| US4588421A (en) | 1984-10-15 | 1986-05-13 | Nalco Chemical Company | Aqueous silica compositions for polishing silicon wafers |
| JP3507628B2 (ja) | 1996-08-06 | 2004-03-15 | 昭和電工株式会社 | 化学的機械研磨用研磨組成物 |
| US6007592A (en) * | 1996-11-14 | 1999-12-28 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Polishing composition for aluminum disk and polishing process therewith |
| JPH11167714A (ja) * | 1997-12-03 | 1999-06-22 | Showa Alum Corp | 磁気ディスク基板の製造方法 |
| KR100574259B1 (ko) * | 1999-03-31 | 2006-04-27 | 가부시끼가이샤 도꾸야마 | 연마제 및 연마 방법 |
| JP2000345113A (ja) | 1999-06-07 | 2000-12-12 | Toyo Ink Mfg Co Ltd | 両面テープおよびその製造方法 |
| JP4132432B2 (ja) * | 1999-07-02 | 2008-08-13 | 日産化学工業株式会社 | 研磨用組成物 |
| US6258140B1 (en) * | 1999-09-27 | 2001-07-10 | Fujimi America Inc. | Polishing composition |
| US6527817B1 (en) * | 1999-11-15 | 2003-03-04 | Cabot Microelectronics Corporation | Composition and method for planarizing surfaces |
| US6454820B2 (en) * | 2000-02-03 | 2002-09-24 | Kao Corporation | Polishing composition |
-
2001
- 2001-05-07 EP EP01926131A patent/EP1287088B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-05-07 KR KR1020077016893A patent/KR100826072B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2001-05-07 WO PCT/JP2001/003818 patent/WO2001085868A1/en not_active Ceased
- 2001-05-07 CA CA002607856A patent/CA2607856C/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-05-07 CN CNB018093949A patent/CN1200066C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2001-05-07 EP EP08169757A patent/EP2045307A1/en not_active Withdrawn
- 2001-05-07 KR KR1020027015200A patent/KR100803876B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2001-05-07 CA CA 2407800 patent/CA2407800C/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-05-09 MY MYPI20012153 patent/MY130609A/en unknown
- 2001-05-09 TW TW090111054A patent/TW538111B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-05-09 JP JP2001138133A patent/JP4450142B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-10-28 US US10/281,104 patent/US6719819B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-11-25 JP JP2009267655A patent/JP5177445B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA2607856A1 (en) | 2001-11-15 |
| JP5177445B2 (ja) | 2013-04-03 |
| KR20070087204A (ko) | 2007-08-27 |
| JP4450142B2 (ja) | 2010-04-14 |
| US6719819B2 (en) | 2004-04-13 |
| CA2407800A1 (en) | 2001-11-15 |
| EP1287088A1 (en) | 2003-03-05 |
| CA2407800C (en) | 2008-08-05 |
| KR100803876B1 (ko) | 2008-02-14 |
| US20030110711A1 (en) | 2003-06-19 |
| EP1287088B1 (en) | 2011-10-05 |
| KR20030003280A (ko) | 2003-01-09 |
| EP2045307A1 (en) | 2009-04-08 |
| CA2607856C (en) | 2009-10-20 |
| WO2001085868A1 (en) | 2001-11-15 |
| JP2010042509A (ja) | 2010-02-25 |
| JP2002030274A (ja) | 2002-01-31 |
| EP1287088A4 (en) | 2008-04-16 |
| KR100826072B1 (ko) | 2008-04-29 |
| CN1200066C (zh) | 2005-05-04 |
| CN1434846A (zh) | 2003-08-06 |
| MY130609A (en) | 2007-07-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW538111B (en) | Polishing Composition | |
| JP4132432B2 (ja) | 研磨用組成物 | |
| JP4231632B2 (ja) | 研磨液組成物 | |
| TW530084B (en) | Polishing composition and method for producing a memory hard disk | |
| TWI284148B (en) | Dispersion liquid of silica particles for polishing, method of producing the same, and polishing agent | |
| JP4920819B2 (ja) | 研磨用組成物およびそれを用いたメモリーハードディスクの製造方法 | |
| TW500793B (en) | Polishing composition | |
| CN1986612B (zh) | 玻璃基板用研磨液组合物 | |
| JP4213858B2 (ja) | 研磨液組成物 | |
| CN102820041A (zh) | 制造磁记录介质用玻璃基板的方法和磁记录介质用玻璃基板 | |
| TWI227265B (en) | Polishing composition and method for producing a memory hard disk | |
| JP5283247B2 (ja) | ガラス基板用研磨液組成物 | |
| GB2401610A (en) | Polishing composition | |
| GB2359558A (en) | Polishing Composition for Memory Hard Disk Substrates | |
| JP4557105B2 (ja) | 研磨用組成物 | |
| JP4099615B2 (ja) | 研磨用組成物 | |
| JP4114018B2 (ja) | アルミニウムディスクの研磨用組成物及びその研磨用組成物を用いる研磨方法 | |
| TW202405106A (zh) | 研磨液組合物 | |
| WO2019220919A1 (ja) | 研磨液組成物 | |
| JP2000219874A (ja) | アルミニウムディスクの研磨用組成物及びその研磨方法 | |
| JPWO2001079377A1 (ja) | 磁気ディスク基板研磨用組成物及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent | ||
| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |