TW557638B - Organic electroluminescent element and manufacturing method - Google Patents

Organic electroluminescent element and manufacturing method Download PDF

Info

Publication number
TW557638B
TW557638B TW091119249A TW91119249A TW557638B TW 557638 B TW557638 B TW 557638B TW 091119249 A TW091119249 A TW 091119249A TW 91119249 A TW91119249 A TW 91119249A TW 557638 B TW557638 B TW 557638B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
anode
light
layer
silver
electric field
Prior art date
Application number
TW091119249A
Other languages
English (en)
Inventor
Koji Hanawa
Jiro Yamada
Takashi Hirano
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Application granted granted Critical
Publication of TW557638B publication Critical patent/TW557638B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional [2D] radiating surfaces
    • H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional [2D] radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C5/00—Alloys based on noble metals
    • C22C5/06—Alloys based on silver
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C5/00—Alloys based on noble metals
    • C22C5/06—Alloys based on silver
    • C22C5/08—Alloys based on silver with copper as the next major constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/818—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/822—Cathodes characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/852—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
    • H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
    • H10K2102/103—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO] comprising indium oxides, e.g. ITO
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
    • H10K2102/3023—Direction of light emission
    • H10K2102/3026—Top emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/826—Multilayers, e.g. opaque multilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Description

557638 ⑴ 玖、發明說明 (發月說月應敘月發明所屬之技術領域、先前技術、内容、實施方式及圖式簡單說明） 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於陽極與陰極之間具備含發光層之一層 以上的有機層’尤其是自陰極側取出發光層產生之光的有 機電場發光元件（有機EL ; Electr〇luminescence元件）及其 製造方法。 【先前技藝】 近年來’使用有機電場發光元件之有機el顯示裝置成為 取代液晶顯示裝置之顯示裝置而深受矚目。有機EL顯示裝 置因屬自行發光型，而具有視野角度寬、耗電低的特性， 此外’考慮到其對高精密度之快速視頻信號亦具有充分之 反應性，因而朝向實用化進行開發。 圖6表示一種有機電場發光元件的構造^該有機電場發 光元件於基板1 1 1上依序堆疊陽極1 1 2 ;包含電洞植入層 115A、電洞輸送層115B及發光層115C之有機層115;及陰 極1 1 6。發光層1 1 5 C產生之光亦可自基板111側取出，並如 圖6所示，亦可自陰極1 1 6側取出。 自陰極116側取出光時，陽極112如多由鉻（Cr)等金屬構 成，陰極11 6多由銦（In)、錫（Sn)與氧（0)之化合物（ITO; Indium Tin Oxide)等具有透過性之導電性材料構成。發光 層115C產生之光如圖6中之箭頭117所示，亦可通過陰極 116直接取出，或如箭頭118所示，亦可經陽極112—次反 射後通過陰極116放出。 【發明所欲解決之問題】 -6 - 557638
⑺ 但是，先前由於以鉻等構成陽極112，因此存在陽極112 之光的吸收率大，被陽極1 1 2反射後取出之光損失大的問 題。陽極之吸收率對有機電場發光元件的影響大，導致發 光效率降低時，為求獲得相同照度所需的電流量增加，驅 動電流量的增加，對有機電場發光元件實用化而言屬於重 大問題的元件壽命亦造成重大影響。 有鑑於上述問題，本發明之目的在提供一種藉由提高陽 極之反射率，可提高發光效率之有機電場發光元件及其製 造方法。 【解決問題之手段】 本發明之有機電場發光元件在陽極與陰極之間具備含 發光層一層以上之有機層，並自陰極側取出發光層產生之 光，陽極係藉由銀（Ag)或含銀合金所構成者。 本發明第一種有機電場發光元件之製造方法，係製造在 陽極與陰極之間具備包含發光層一層以上之有機層，並自 陰極側取出發光層產生之光的有機電場發光元件者，且包 含：陽極形成步驟，其係在基板上形成包含銀或含銀合金 的陽極；電洞植入用薄膜層形成步驟，其係於惰性氣體環 境中，在該陽極上形成包含功函數高於陽極之材料的電洞 植入用薄膜層；有機層形成步驟，其係形成包含發光層一 層以上的有機層；及陰極形成步驟，其係在該有機層上形 成陰極者。 本發明第二種有機電場發光元件之製造方法，係製造在 陽極與陰極之間具備包含發光層一層以上之有機層，並自 557638
(3)
陰極側取出發光層產生之光的有機電場發光元件者，且包 含：陽極形成步驟，其係在基板上形成包含銀或含銀合金 的陽極；電洞植入用薄膜層形成步驟，其係使用對應於預 定形成區域而具有開口之區域掩模，在該陽極上形成包含 功函數高於陽極之材料的電洞植入用薄膜層；有機層形成 步驟，其係在該電洞植入用薄膜層上形成包含發光層一層 以上的有機層；及陰極形成步驟，其係在該有機層上形成 陰極者。 本發明之有機電場發光元件，係藉由金屬中反射率最高 之銀或含銀合金構成陽極，因此陽極之光的吸收損失小， 可有效取出發光層產生之光。 本發明第一種有機電場發光元件之製造方法，於基板上 形成有包含銀或含銀合金之陽極後，於惰性氣體環境中形 成有電洞植入用薄膜層。因而藉由電洞植入用薄膜層可防 止陽極變質，並且於形成電洞植入用薄膜層時亦可防止陽 極變質。
本發明第二種有機電場發光元件之製造方法，於基板上 形成有包含銀或含銀合金之陽極後，使用對應於預定形成 區域而具有開口之區域掩模，在陽極上形成有電洞植入用 薄膜層。因而藉由電洞植入用薄膜層可防止陽極變質，並 且不需要形成電洞植入用薄膜層時之蝕刻步驟，亦可防止 因蝕刻造成陽極的變質及變形。 【發明之實施形態】 以下，參照圖式詳細說明本發明之實施形態。 557638 (4) [第一種實施形態]
圖1係顯示本發明第一種實施形態之有機電場發光元件 的剖面構造者。該有機電場發光元件1 0係使用於極薄型之 有機EL顯示裝置等上者，其構造如在包含玻璃等絕緣材料 之基板Π上依序堆疊有陽極1 2、電洞植入用薄膜層1 3、絕 緣層14、有機層15及陰極16。另外，於陰極15上形成有無 圖式之鈍化膜，並全部藉由無圖式之密封基板密封。 -陽極12之疊層方向厚度（以下簡稱為厚度）如為200 nm， 並藉由銀或含銀合金構成。此因銀係金屬中反射率最高， 可減少陽極1 2上的光吸收損失。另外，宜以銀構成陽極 12，係因可使反射率最高，而宜藉由銀與其他金屬之合金 構成，係因可提高化學穩定性及加工精度，並且亦可提高 基板1 1及電洞植入用薄膜層1 3的密合性。此因銀的反應性 極高，加工精度及密合性亦低，處理極困難。
合金中之銀含量宜在5 0質量％以上。係因可充分提高反 射率。含銀合金宜如含銀、iG(Pd)與銅（Cu)的合金。該合 金中之鈀及銅含量宜分別在0.3質量％〜1質量％的範圍 内。此因在該範圍内，可充分提高反射率，且可提高加工 精度、化學穩定性及密合性。 電洞植入用薄膜層1 3係為提高對有機層1 5之電洞植入 效率者，並藉由功函數高於陽極1 2之材料構成。此外，電 洞植入用薄膜層13防止構成陽極12之銀或含銀合金與空 氣中之氧或硫磺成分反應，並且亦具有作為於形成陽極12 後之製造步驟中，減輕陽極1 2受到損傷之保護膜的功能。 557638 (5) 構成電洞植入用薄膜層13之材料如：鉻、鎳（Ni)、鈷（c〇)、 翻（Mo)、翻（pt)、或矽等金屬，或是含此等中之至少 一種的合金’或是此等金屬或合金之氧化物或氮化物，或 疋1 T〇等透明導電性材料。電洞植入用薄膜層1 3之厚度宜 因應構成材料之光透過率與導電率來決定。如藉由氧化鉻 (III) (Cr2〇3)等導電率不太高之氧化物及氮化物構成的情 況下宜較薄，如宜採用約5 nm。此外，藉由導電率高而透 過率低之金屬構成的情況下亦宜較薄，如宜採用數n m。另 外’藉由導電率及透過率均高之IT〇構成的情況下，則可 厚達約數nm〜數十nm。 絕緣層1 4係用於確保陽極丨2與陰極1 6之絕緣性，並且使 有機電場發光元件1 〇之發光部分的形狀正確地形成所需 形狀者’如藉由二氧化矽（s丨〇 2)等絕緣材料構成。絕緣層 1 4之厚度如約為6 〇 〇 n m，並對應於發光區域設有開口部 14A。
有機層1 5具有自陽極1 2側起依序堆疊有分別包含有機 材料之電洞植入層1 5 A、電洞輸送層1 5 B及發光層1 5 C的構 造。電洞植入層1 5 A及電洞輸送層1 5 B係用於提高對發光層 1 5 C之電洞植入效率者。發光層1 5 C係藉由植入電流而產生 光，因此在對應於絕緣層1 4之開口部1 4 A的區域發光。 電洞植入層15A之厚度如約30 nm，並藉由4,4*，4"-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamin (MTDΑΤΑ) 構成。電洞輸送層15Β之厚度如約20 nm，並藉由 bis[(N-naphthyl)-N-phenyl]benzidine (α-NPD)構成。發光 -10- 557638
⑹ 層15C之厚度如約5〇nm，並藉由8-quin〇Un〇i aluminum錯 體（Alq)構成。 陰極1 6具有自有機層丨5側起依序堆疊有對發光層丨5 c產 生之光具有半透過性之半透過性電極16A;及對發光層15C 產生之光具有透過性之透明電極16B的構造。半透過性電 極16A之厚度如約l〇nm，並藉由鎂與銀之合金（MgAg 合金）構成。鎮、銀合金宜為如鎂與銀之質量比為9:1者。 -半透過性電極1 6 A係在與陽極丨2之間反射發光層丨5 c產 生之光者。亦即’以半透過性電極丨6與陽極丨2構成使發光 層15C產生之光共振之共振器的共振部。如此係因構成共 振器時，發光層15C產生之光引起多重干擾，藉由一種狹 V域濾光器的作用，可減少取出之光譜的半值寬，提高色 純度。 因而，宜使狹帶域濾光器之峰值波長與欲取出之光譜的 峰值波長一致。亦即，陽極12及半透過性電極16A產生之 反射光的相位偏移為Φ (rad),陽極12與半透過性電極16a 之間的光學性距離為L，欲自陰極丨6側取出之光譜的峰值 波長為λ時，宜使該光學性距離L滿足公式2 ,實際上，宜 選擇滿足公式2之正的最小值。另外，公式2中之'又的 單位可共用，如以（n m)為單位。 【公式2】 2La + Φ/2π = q (q為整數） 透明電極16B係用於降低半透過性電極16a之電阻者，並 的導電性材料 藉由對發光層15C產生之光具有充分透光性 557638
⑺ 成構成透明電極16B之材料宜為如含銦、鋅（Zn)與氧 的化合物❶此因即使在室溫下成膜仍可獲得良好的導電 性。透明電極16B之厚度宜約為2〇〇 nm。 該有機電場發光元件丨〇可如以下方式製造。
、圖2係依步驟順序顯示該有機電場發光元件1 〇之製造方 法者。首先，如圖2(A)所示，於包含上述材料之基板丨丨上， 如猎由直流濺射，以上述厚度形成包含銀或含銀合金的陽 極12 ^此時之濺射氣體如使用氬（Ar),壓力如為〇 2 ^， 輸出如為300 W。
其次，同樣如圖2(A)所示，在陽極12上，如藉由高頻濺 射，形成包含上述厚度及材料之電洞植入用薄膜層13。此 蚪之壓力如為0.3Pa，輸出如為1〇w，濺射氣體宜使用氬 (A r)或氮（N2)等惰性氣體，並在惰性氣體環境中成膜。此 因陽極12内所含之銀的反應性高，因此於氧氣環境等成膜 時陽極1 2亦被氧化。因而如藉由氧化鉻等氧化物構成電洞 植入用薄膜層1 3的情況下，不宜使用鉻標的等之金屬標的 在氧氣環境中成膜，而宜使用氧化鉻等氧化物標的，在惰 性氣體環境中成膜。 繼續，如圖2 (B )所示，如藉由硝酸、嶙酸與醋酸之混合 液’使用光餘刻技術選擇性姓刻陽極1 2與電洞植入用薄膜 層1 3 ’予以圖案化成特定形狀。而後，同樣如圖2 (B)所示， 在整個基板11上，如藉由CVD (Chemical Vapor Deposition ;化學汽相生長）法，以上述厚度形成絕緣層 1 4，如使用光蝕刻技術，選擇性除去絕緣層丨4中之對應於 -12- 557638 ⑻ 發光區域的部分，以形成開口部1 4 A。
如圖2 ( C)所示，於形成絕緣層1 4後，如藉由蒸鍍法依序 形成包含上述厚度及材料之電洞植入層15A、電洞輸送層 1 5 B、發光層1 5 C及半透過性電極1 6 A。此時，宜對應於預 定形成區域，使用具有開口 2 1 A之金屬性的區域掩模2 1， 對應於發光區域，亦即對應於絕緣層1 4之開口部1 4 A形 成。但是，由於不易僅在開口部1 4 A上高精度地蒸鍍，因 此宜覆蓋整個開口部1 4 A，而少許覆蓋於絕緣層1 4的邊緣。
具體而言，首先如在各個電阻加熱用晶舟内分別填充 0.2g之形成電洞植入層15A、電洞輸送層15B及發光層15C 的材料，並安裝於無圖式之真空蒸鍍裝置的特定電極上。 有關形成半透過性電極1 6 A之如鎂及銀，如在各個電阻加 熱用晶舟内分別填充O.lg的鎂，0.4g的銀，並安裝於無圖 式之真空蒸鍍裝置的特定電極上。此外，無圖式之真空蒸 鍍裝置之陰極上如使用鎂與銀合金。其次，將無圖式之真 空蒸鍍裝置内之環境如減壓至1.0 X 1(T4 Pa後，在各電阻 加熱用晶舟上施加電壓，依序加熱，依序蒸鍍電洞植入層 15A、電洞輸送層15B、發光層15C及半透過性電極16A。 於蒸鍍半透過性電極1 6 A時，使鎂與銀同時蒸鍍，鎂與銀 之生長速度比如為9:1。 最後，如藉由直流濺射，使用相同的金屬掩模2 1，在半 透過性電極16A上形成透明電極16B。濺射氣體如使用氬與 氧之混合氣體（體積比Ar:02 = 1 000:5)，壓力如為0.3 Pa， 輸出如為40 W。藉此形成有圖1所示之有機電場發光元件 -13 - 557638
(9) 1 0 〇 該有機電場發光元件1 Ο於陽極1 2與陰極1 6之間施加有 特定電壓時，發光層1 5 C内植入有電流，藉由電洞與電子 再結合，主要於發光層1 5 C側的界面引起發光。該光在陽 極12與半透過性電極16Α之間多重反射，並透過陰極16取 出。由於本實施形態之陽極1 2係藉由銀或含銀合金構成， 因此陽極12之反射率高。因而可有效取出發光層15C產生 的光。 因而，本實施形態係藉由銀或含銀合金構成陽極1 2，因 此可提高陽極1 2的反射率，可減少陽極1 2之光吸收損失。 藉此可提高發光層15C產生之光的取出效率。 尤其是藉由含銀、鈀與銅之合金構成陽極12時，可提高 化學穩定性、加工精度及密合性。此外，銀之含量在5 0質 量％以上時，可充分提高反射率，改善化學穩定性、加工 精度及密合性。 再者，於陽極12與有機層15之間具有包含功函數高於陽 極1 2之材料的電洞植入用薄膜層1 3時，可進一步提高對有 機層1 5的電洞植入效率。此外，可防止構成陽極1 2之銀或 含銀合金與空氣中的氧或硫磺成分反應，並且於形成陽極 1 2後的製造步驟中亦可減輕對陽極1 2的損傷。 此外，於惰性氣體環境中形成電洞植入用薄膜層1 3時， 即使藉由反應性高之銀或含銀合金構成陽極1 2，於形成電 洞植入用薄膜層1 3時，仍可防止陽極1 2因氧化等而變質。 藉此，陽極1 2可獲得應具備之特性，可輕易獲得本實施形 -14- 557638
(ίο) 態之有機電場發光元件1 0。 [變形例] 圖3係顯示第一種實施形態之有機電場發光元件1 0之製 造方法的變形例者。該變形例係使用區域掩模2 2形成電洞 植入用薄膜層1 3，而無須使用光蝕刻技術等將電洞植入用 薄膜層1 3予以圖案化者。
首先，如圖3(A)所示，在基板11上如以上所述形成陽極 1-2並予以圖案化。其次，如圖3(B)所示，如藉由高頻濺射， 對應於電洞植入用薄膜層1 3之預定形成區域，使用具有開 口 22Α的區域掩模22，僅在所需部分，亦即在經圖案化之 陽極1 2上形成電洞植入用薄膜層1 3。濺射氣體等之成膜條 件與第一種實施形態相同。繼續，與第一種實施形態同樣 地形成絕緣層1 4、有機層1 5及陰極1 6。
因而，由於本變形例係使用區域掩模2 2形成電洞植入用 薄膜層1 3，因此不需要使用光蝕刻技術等將電洞植入用薄 膜層1 3予以圖案化。藉此，即使藉由反應性高之銀或含銀 合金構成陽極1 2，仍可防止將電洞植入用薄膜層1 3予以圖 案化時之蝕刻致使陽極1 2被過度蝕刻或變質。因此，可提 高陽極1 2之圖案化精度，並且陽極1 2可獲得應具備之特 性。亦即，可輕易獲得第一種實施形態的有機電場發光元 件。 [第二種實施形態] 圖4係顯示本發明第二種實施形態之有機電場發光元件 的剖面構造者。該有機電場發光元件3 0除在陽極1 2及絕緣 -15- 557638
⑼ 層1 4上設有電洞植入用薄膜層1 3之外，與第一種實施形態 中說明之有機電場發光元件10相同，因此在相同之構成要 素上註記相同符號，並省略其詳細說明。
圖5係依步驟順序顯示該有機電場發光元件3 0之製造方 法者。首先，如圖5(A)所示，與第一種實施形態同樣地， 在基板1 1上形成陽極1 2，如使用光蝕刻技術將該陽極1 2予 以圖案化成特定形狀。其次，同樣如圖5(A)所示，在整個 陽極1 2及基板1 1上，與第一種實施形態同樣地形成絕緣層 14，以形成開口部14A。繼續，如圖5(B)所示，對應於電 洞植入用薄膜層13之預定形成區域，使用具有開口 23A之 區域掩模2 3，與第一種實施形態同樣地，形成電洞植入用 薄膜層1 3。此時，使電洞植入用薄膜層1 3大部分覆蓋在整 個開口部1 4 A上，少部分覆蓋在絕緣層1 4邊緣。而後，同 樣地使用區域掩模2 3，與第一種實施形態同樣地形成有機 層15及陰極16。
因而，由於本實施形態係使用區域掩模2 3形成電洞植入 用薄膜層1 3，因此可獲得與上述變形例相同的效果。 【實施例】 進一步說明本發明的具體實施例。 與第一種實施形態、變形例及第二種實施形態同樣地， 分別製造有機電場發光元件。此時係藉由含9 8質量％之 銀、1質量％之鈀與1質量％之銅的合金形成陽極12，並藉 由氧化鉻（III) (Cr203)形成電洞植入用薄膜層13。就所獲 得之各有機電場發光元件，以照度1 000 (cd/m2)、電壓6.47 -16 - 557638 (12) (V)、電流0.34 1 (mA)调查發光效率時均約為i i 7 (cd/A)。 對本實施例之比較例，除如先前地藉由鉻形成陽極，省 略電洞植入用薄膜層之外，與本實施例同樣地製造有機電 場發光兀件。就該比較例亦以照度1〇〇〇 (cd/m2)、電壓7 16 (V)、電流0.69 (mA)調查發光效率時為5 86 (cd/A)。 因而’本實施例與比較例比較，可獲得約2倍的發光效 率。亦即可知使陽極12含銀時，可提高陽極12之反射率， 並可改善特性。 以上，係列舉實施形皞# , /…說明本發明，不過本發明並不限 定於上述的實施形態，可古Α Γ有各種變形。如並不限定於上述 實施形態說明之各層的材料及厚度，或成膜方法及成膜條 件等，亦可為其他材料及厚《，或是亦可為其他成膜方法 及成膜條件。 此外，上述實施形態係具體列舉說明有機電場發光元件 之構成’不過亚不需要具備電洞植人用薄膜層丨3、絕緣層 Μ或透明電極16W全部的I ,或是亦可進-步具備其他 層。另外，無半透過性電極16八的情況下亦可適用本發明， 不過，由於本發明係提高陽極12之反射率者，因此以半透 過性電極16A與陽極12構成共振器之共振部者可獲得更高 的效果。 【發明功效】 如以上之說明，由於申請專利範圍第1至6項中任一項之 有機電場發光元件係藉由銀或含銀合金構成陽極，因此可 提冋陽極的反射率，可減少陽極的光吸收損失。藉此可提 -17- 557638 (13) ”侧 wwtrwjrMi 高發光層產生之光的取出效率。 尤其是，由於申請專利範圍第2項之有機電場發光 係藉由含銀、鈀與銅合金構成陽極，因此可提高陽極 學穩定性、加工精度及密合性。藉此可進一步提高特 此外，由於申請專利範圍第3項之有機電場發光元 使陽極之銀含量在5 0質量％以上，因此可充分提高 率，並改善化學穩定性、加工精度及密合性。藉此可 步提高特性。 再者，由於申請專利範圍第4項之有機電場發光元 於陽極與有機層之間，具有包含功函數高於陽極之材 電洞植入用薄膜層，因此可提高對有機層的電洞植 率。此外，可防止構成陽極之銀或含銀合金與空氣中 或硫磺成分反應，並且於形成陽極後的製造步驟中， 減輕對陽極的損傷。 此外，由於申請專利範圍第7項之有機電場發光元 製造方法係在惰性氣體環境中形成電洞植入用薄膜層 此即使藉由反應性高之銀或含銀合金構成陽極，於形 洞植入用薄膜層時仍可防止因陽極氧化等而變質。藉 獲得陽極應具備之特性，可輕易獲得本發明之有機電 光元件。 再者，由於申請專利範圍第8項之有機電場發光元 製造方法係使用區域掩模以形成電洞植入用薄膜層， 無須使用光蝕刻技術等將電洞植入用薄膜層予以 化。藉此，即使藉由反應性高之銀或含銀合金構成聞 元件 之化 性。 件係 反射 進一
件係 料的 入效 之氧 亦可 件的 ，因 成電 此可 場發 件的 因此 圖案 極，
-18- 557638
(14) 仍可防止將電洞植入用薄膜層予以圖案化時之蝕刻致使 陽極被過度蝕刻或變質。因此可提高陽極之圖案化精度， 並且可獲得陽極應具備之特性。亦即可輕易獲得本發明之 有機電場發光元件。 * Λ " 【圖式之簡單說明】 圖1係顯示本發明第一種實施形態之有機電場發光元件 構造的剖面圖。 -圖2 A、Β、C係依步驟順序顯示圖1所示之有機電場發光 元件製造方法的剖面圖。 圖3 A、B係依步驟順序顯示第一種實施形態之有機電場 發光元件製造方法之變形例的剖面圖。 圖4係顯示本發明第二種實施形態之有機電場發光元件 構造的剖面圖。 圖5 A、B係依步驟順序顯示圖4所示之有機電場發光元件 製造方法的剖面圖。 圖6係顯示先前之有機電場發光元件構造的剖面圖。 【圖式代表符號說明】 1 0、3 0…有機電場發光元件，1 1、1 Π…基板，1 2、1 1 2… 陽極，1 3、Π 3…電洞植入用薄膜層，1 4、1 1 4…絕緣層， 14A…開口部，15、1 15…有機層，15A、1 15A…電洞植入 層，15B、115B…電洞輸送層，15C、115C…發光層，16、 1 16…陰極，16A…半透過性電極，16B…透明電極，21、 22、23…區域掩模，2 1 A、22 A、23 A…開口。

Claims (1)

  1. 557638 拾、申請專利範露 1 · 一種有機電場發 發光層之一層以 發光層產生之光 其特徵為：前 2 ·如申請專利範圍 陽極係藉由含銀 3 ·如申請專利範圍 陽極含銀在50質 4 ·如申請專利範圍 述陽極與前述有 函數高於前述陽 5 ·如申請專利範圍 陰極具有對前述 性電極， 該半透過性電 之光共振之共振 6·如申請專利範圍 陽極及前述半透 Φ，前述陽極與》 L，自前述陰極^ 前述光學性距 【公式1】 2L· / X + Φ/2π = 與陰極之間具備含 述陰極側取出前述 光元件’其係在陽極 上的有機層，並自前 述陽極係藉由銀(Ag)或含銀合金構成。 第1員之有機電場發光元件，其中前述 、把⑽與鋼(Cu)之合金構成。 第1項之有機電場發光元件，其中前述 量％以上。 第1項之有機電場發光元件，其中在前 機電場發光層之間，進一步具備包含功 極之材料的電洞植入用薄膜層。 第1項之有機電場發光元件，其中前述 發光層產生之光為半透過性的半透過 極與前述陽極構成使前述發光層產生 器的共振部。 第5項之有機電場發光元件，其中前述 過性電極產生之反射光的相位偏移為 $述半透過性電極之間的光學性距離為 Η取出之光之光譜的峰值波長為λ時， 離L係滿足公式1之正的最小值： q (q為整數）。 557638
    7. 一種有機電場發光元件之製造方法，該元件係在陽極與 陰極之間具備包含發光層之一層以上的有機層，並自前 述陰極側取出前述發光層產生之光，其特徵為包含： 陽極之膜形成步驟，其係在基板上形成包含銀（Ag) 或含銀合金的陽極；
    電洞植入用薄膜層形成步驟，其係於惰性氣體環境 中，在該陽極上形成包含功函數高於陽極之材料的電洞 • 植入用薄膜層； 有機層形成步驟，其係在該電洞植入用薄膜層上形成 包含發光層之一層以上的有機層；及 陰極形成步驟，其係在該有機層上形成陰極。 8. 一種有機電場發光元件之製造方法，該元件係在陽極與 陰極之間具備包含發光層之一層以上之有機層，並自前 述陰極側取出前述發光層產生之光，其特徵為包含：
    陽極之膜形成步驟，其係在基板上形成包含銀（A g) 或含銀合金的陽極； 電洞植入用薄膜層形成步驟，其係使用對應於預定形 成區域具有開口之區域掩模’在該陽極上形成包含功函 數高於陽極之材料的電洞植入用薄膜層； 有機層形成步驟，其係在該電洞植入用薄膜層上形成 包含發光層之一層以上的有機層；及 陰極形成步驟，其係在該有機層上形成陰極。 -2 -
TW091119249A 2001-08-31 2002-08-26 Organic electroluminescent element and manufacturing method TW557638B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001264410A JP3804858B2 (ja) 2001-08-31 2001-08-31 有機電界発光素子およびその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW557638B true TW557638B (en) 2003-10-11

Family

ID=19091012

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW091119249A TW557638B (en) 2001-08-31 2002-08-26 Organic electroluminescent element and manufacturing method

Country Status (7)

Country Link
US (6) US7285905B2 (zh)
EP (1) EP1422977A4 (zh)
JP (1) JP3804858B2 (zh)
KR (1) KR100868599B1 (zh)
CN (1) CN100416885C (zh)
TW (1) TW557638B (zh)
WO (1) WO2003022011A1 (zh)

Families Citing this family (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3804858B2 (ja) 2001-08-31 2006-08-02 ソニー株式会社 有機電界発光素子およびその製造方法
JP2003109775A (ja) * 2001-09-28 2003-04-11 Sony Corp 有機電界発光素子
US7488986B2 (en) * 2001-10-26 2009-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US20040140757A1 (en) * 2003-01-17 2004-07-22 Eastman Kodak Company Microcavity OLED devices
US20040149984A1 (en) * 2003-01-31 2004-08-05 Eastman Kodak Company Color OLED display with improved emission
CN101499516B (zh) * 2003-03-26 2011-05-04 索尼株式会社 发光器件及其制造方法和显示单元
JP4362696B2 (ja) 2003-03-26 2009-11-11 ソニー株式会社 発光素子およびその製造方法、ならびに表示装置
JP4170138B2 (ja) 2003-04-28 2008-10-22 三菱電機株式会社 有機電界発光素子およびその製造方法
KR100527193B1 (ko) * 2003-06-03 2005-11-08 삼성에스디아이 주식회사 다층구조 화소전극을 갖는 유기전계발광소자 및 그의제조방법
US6917159B2 (en) * 2003-08-14 2005-07-12 Eastman Kodak Company Microcavity OLED device
JP4997688B2 (ja) * 2003-08-19 2012-08-08 セイコーエプソン株式会社 電極、薄膜トランジスタ、電子回路、表示装置および電子機器
JP2005093329A (ja) * 2003-09-19 2005-04-07 Sony Corp 表示素子およびこれを用いた表示装置
JP4497881B2 (ja) * 2003-09-30 2010-07-07 三洋電機株式会社 有機ｅｌ素子および有機ｅｌパネル
JP4428979B2 (ja) * 2003-09-30 2010-03-10 三洋電機株式会社 有機ｅｌパネル
KR100611157B1 (ko) 2003-11-29 2006-08-09 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광소자 및 그의 제조방법
DE10359156B4 (de) * 2003-12-16 2007-08-30 Schott Ag Anzeigevorrichtung
US7157156B2 (en) * 2004-03-19 2007-01-02 Eastman Kodak Company Organic light emitting device having improved stability
JP2006086069A (ja) * 2004-09-17 2006-03-30 Three M Innovative Properties Co 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
US7851989B2 (en) * 2005-03-25 2010-12-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP5072243B2 (ja) * 2005-03-25 2012-11-14 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US8729795B2 (en) * 2005-06-30 2014-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic device
US7994711B2 (en) * 2005-08-08 2011-08-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
KR100712181B1 (ko) * 2005-12-14 2007-04-27 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광소자 및 그 제조방법
JP4823685B2 (ja) * 2005-12-28 2011-11-24 京セラ株式会社 Ｅｌ装置及びその製造方法
KR100844788B1 (ko) 2006-02-03 2008-07-07 주식회사 엘지화학 유기발광소자의 제조방법 및 이에 의하여 제조된유기발광소자
CN101379885B (zh) * 2006-02-03 2011-01-26 Lg化学株式会社 有机发光器件的制备方法及由该方法制备的有机发光器件
KR100855487B1 (ko) * 2006-09-12 2008-09-01 엘지디스플레이 주식회사 전계발광소자
US20080125821A1 (en) * 2006-11-07 2008-05-29 Gregory Blomquist Advanced cardiac life support apparatus and method
JP5007246B2 (ja) 2008-01-31 2012-08-22 三菱電機株式会社 有機電界発光型表示装置及びその製造方法
CN101904220B (zh) 2008-09-19 2013-05-15 松下电器产业株式会社 有机电致发光元件及其制造方法
US8362473B2 (en) * 2008-09-30 2013-01-29 Panasonic Corporation Organic EL device and method for manufacturing same
JP2010192413A (ja) 2009-01-22 2010-09-02 Sony Corp 有機電界発光素子および表示装置
KR101156429B1 (ko) * 2009-06-01 2012-06-18 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 소자
JP5526610B2 (ja) * 2009-06-09 2014-06-18 凸版印刷株式会社 有機ｅｌディスプレイの構造とその製造方法
KR101065413B1 (ko) * 2009-07-03 2011-09-16 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법
CN102934350A (zh) * 2009-07-09 2013-02-13 美国迅力光能公司 光伏电池器件的背反射层
KR101213493B1 (ko) 2010-04-13 2012-12-20 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 그 제조방법
US9105847B2 (en) * 2010-06-24 2015-08-11 Joled Inc. Organic EL display and method of manufacturing the same
US9012927B2 (en) * 2011-11-30 2015-04-21 Canon Kabushiki Kaisha Display device
CN103219472B (zh) * 2013-04-19 2015-12-02 云南北方奥雷德光电科技股份有限公司 顶部发光oled器件阳极结构及其制备工艺
US10181573B2 (en) * 2014-07-11 2019-01-15 Lg Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode display device and method of fabricating the same
KR101705406B1 (ko) * 2014-09-11 2017-02-10 경희대학교 산학협력단 갈륨을 포함하는 p형 산화물 반도체를 이용한 유기 발광 다이오드 및 이의 제조 방법
CN105118924B (zh) * 2015-07-29 2017-12-01 苏州大学 一种防短路的顶发射oled器件及其制备方法
CN105355800A (zh) * 2015-10-27 2016-02-24 深圳市华星光电技术有限公司 一种有源矩阵有机发光二极体基板及其显示装置
CN108336240A (zh) * 2017-01-20 2018-07-27 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 Oled结构以及柔性oled显示面板
CN108550713B (zh) * 2018-04-28 2020-03-13 上海天马有机发光显示技术有限公司 有机发光显示面板及其显示装置
KR20250069709A (ko) 2018-05-18 2025-05-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
WO2020105544A1 (ja) 2018-11-19 2020-05-28 ソニー株式会社 発光素子、表示装置及び電子機器
CN111180500B (zh) * 2020-02-26 2023-10-24 京东方科技集团股份有限公司 显示用基板及电致发光显示装置

Family Cites Families (56)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3492548A (en) * 1967-09-25 1970-01-27 Rca Corp Electroluminescent device and method of operating
US4940505A (en) * 1988-12-02 1990-07-10 Eaton Corporation Method for growing single crystalline silicon with intermediate bonding agent and combined thermal and photolytic activation
JPH0541286A (ja) * 1991-03-01 1993-02-19 Fuji Electric Co Ltd エレクトロルミネセンス素子
US5443922A (en) * 1991-11-07 1995-08-22 Konica Corporation Organic thin film electroluminescence element
JPH06112529A (ja) * 1992-09-29 1994-04-22 Ricoh Co Ltd 有機薄膜発光ダイオード素子
JP2797883B2 (ja) 1993-03-18 1998-09-17 株式会社日立製作所 多色発光素子とその基板
JPH06283271A (ja) 1993-03-26 1994-10-07 Ricoh Co Ltd 有機電界発光素子
US5703436A (en) * 1994-12-13 1997-12-30 The Trustees Of Princeton University Transparent contacts for organic devices
US5684365A (en) * 1994-12-14 1997-11-04 Eastman Kodak Company TFT-el display panel using organic electroluminescent media
US5780174A (en) * 1995-10-27 1998-07-14 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho Micro-optical resonator type organic electroluminescent device
US5981092A (en) * 1996-03-25 1999-11-09 Tdk Corporation Organic El device
JPH10289784A (ja) * 1997-04-14 1998-10-27 Mitsubishi Chem Corp 有機電界発光素子
GB9718516D0 (en) * 1997-09-01 1997-11-05 Cambridge Display Tech Ltd Methods of Increasing the Efficiency of Organic Electroluminescent Devices
JPH1187052A (ja) * 1997-09-09 1999-03-30 Futaba Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH1197182A (ja) * 1997-09-24 1999-04-09 Pioneer Electron Corp 発光ディスプレイパネル
JP3488474B2 (ja) * 1998-02-02 2004-01-19 インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン 有機発光ダイオード用のアノード改質
US5994836A (en) * 1998-02-02 1999-11-30 Ois Optical Imaging Systems, Inc. Organic light emitting diode (OLED) structure and method of making same
US6210817B1 (en) * 1998-04-30 2001-04-03 Fuji Photo Film Co., Ltd. Styryl compound, process of the production thereof and organic luminous element using the same
TW521537B (en) * 1998-05-08 2003-02-21 Idemitsu Kosan Co Organic electroluminescence element
EP0966050A3 (de) * 1998-06-18 2004-11-17 Osram Opto Semiconductors GmbH & Co. OHG Organische Leuchtdiode
JP2000077190A (ja) * 1998-08-28 2000-03-14 Futaba Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
JP2000100564A (ja) 1998-09-21 2000-04-07 Sony Corp 有機ｅｌディスプレイの製造方法
JP2000147540A (ja) * 1998-11-17 2000-05-26 Toppan Printing Co Ltd 電極基板およびその製造方法
US6380558B1 (en) * 1998-12-29 2002-04-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating the same
JP2000223273A (ja) * 1999-01-27 2000-08-11 Tdk Corp 有機ｅｌ素子
JP4247863B2 (ja) 1999-07-12 2009-04-02 ソニー株式会社 電子部品用金属材料、電子部品用配線材料、電子部品用電極材料、電子部品、電子機器、金属材料の加工方法及び電子光学部品
US6366017B1 (en) 1999-07-14 2002-04-02 Agilent Technologies, Inc/ Organic light emitting diodes with distributed bragg reflector
JP2001043980A (ja) * 1999-07-29 2001-02-16 Sony Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置
JP2001102172A (ja) * 1999-09-30 2001-04-13 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
US6710525B1 (en) * 1999-10-19 2004-03-23 Candescent Technologies Corporation Electrode structure and method for forming electrode structure for a flat panel display
EP1096568A3 (en) * 1999-10-28 2007-10-24 Sony Corporation Display apparatus and method for fabricating the same
JP2001143864A (ja) 1999-11-16 2001-05-25 Fuji Photo Film Co Ltd 発光素子及びその製造方法
WO2001039554A1 (fr) * 1999-11-22 2001-05-31 Sony Corporation Dispositif d'affichage
JP2001155867A (ja) * 1999-11-30 2001-06-08 Tdk Corp 有機ｅｌ表示装置
JP3614335B2 (ja) * 1999-12-28 2005-01-26 三星エスディアイ株式会社 有機ｅｌ表示装置ならびにその製造方法
JP4250345B2 (ja) * 2000-02-08 2009-04-08 キヤノン株式会社 導電性膜形成用組成物、導電性膜の形成方法および画像形成装置の製造方法
US6559594B2 (en) * 2000-02-03 2003-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
JP2001223086A (ja) * 2000-02-10 2001-08-17 Fuji Photo Film Co Ltd 有機発光素子及びそれを用いる画像形成方法
TW484238B (en) * 2000-03-27 2002-04-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and a method of manufacturing the same
JP2001341296A (ja) * 2000-03-31 2001-12-11 Seiko Epson Corp インクジェット法による薄膜形成方法、インクジェット装置、有機ｅｌ素子の製造方法、有機ｅｌ素子
US6608449B2 (en) * 2000-05-08 2003-08-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Luminescent apparatus and method of manufacturing the same
US7339317B2 (en) * 2000-06-05 2008-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device having triplet and singlet compound in light-emitting layers
US6623728B2 (en) * 2000-06-30 2003-09-23 Unilever Home & Personal Care Usa Division Of Conopco, Inc. Cosmetic skin care compositions and containing gum mastic
WO2002004200A1 (en) * 2000-07-07 2002-01-17 Scapa Tapes North America, Inc. Acrylic foam-like tape
US6517958B1 (en) 2000-07-14 2003-02-11 Canon Kabushiki Kaisha Organic-inorganic hybrid light emitting devices (HLED)
AU2001285437A1 (en) 2000-08-16 2002-02-25 Massachusetts Institute Of Technology High efficiency solid state light-emitting device and method of generating light
US6677059B2 (en) * 2000-12-12 2004-01-13 Tdk Corporation EL device and making method
WO2002063701A1 (en) 2001-01-03 2002-08-15 Dow Global Technologies Inc. Electroluminescent device having anode array and reflective cathode focusing feature
US6551725B2 (en) * 2001-02-28 2003-04-22 Eastman Kodak Company Inorganic buffer structure for organic light-emitting diode devices
US6787063B2 (en) * 2001-03-12 2004-09-07 Seiko Epson Corporation Compositions, methods for producing films, functional elements, methods for producing functional elements, methods for producing electro-optical devices and methods for producing electronic apparatus
JP2002329576A (ja) * 2001-04-27 2002-11-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
JP2003031375A (ja) 2001-07-16 2003-01-31 Rohm Co Ltd 有機ｅｌ表示装置
US6750609B2 (en) * 2001-08-22 2004-06-15 Xerox Corporation OLEDs having light absorbing electrode
JP3804858B2 (ja) * 2001-08-31 2006-08-02 ソニー株式会社 有機電界発光素子およびその製造方法
JP3724725B2 (ja) * 2001-11-01 2005-12-07 ソニー株式会社 表示装置の製造方法
JP2003305421A (ja) 2002-04-15 2003-10-28 Toray Eng Co Ltd メタルマスクの洗浄方法およびその装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP3804858B2 (ja) 2006-08-02
EP1422977A4 (en) 2009-06-17
JP2003077681A (ja) 2003-03-14
US20180294430A1 (en) 2018-10-11
US20150137104A1 (en) 2015-05-21
EP1422977A1 (en) 2004-05-26
US7285905B2 (en) 2007-10-23
WO2003022011A1 (fr) 2003-03-13
US10020460B2 (en) 2018-07-10
US20080067927A1 (en) 2008-03-20
KR20040030445A (ko) 2004-04-09
US20160268539A1 (en) 2016-09-15
US20040021414A1 (en) 2004-02-05
KR100868599B1 (ko) 2008-11-13
US8937428B2 (en) 2015-01-20
US9240564B2 (en) 2016-01-19
US10522781B2 (en) 2019-12-31
CN100416885C (zh) 2008-09-03
US9722201B2 (en) 2017-08-01
CN1481656A (zh) 2004-03-10
US20160233454A1 (en) 2016-08-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW557638B (en) Organic electroluminescent element and manufacturing method
JP2010161185A (ja) 有機ｅｌ表示装置、有機ｅｌ表示装置の製造方法
WO2002056641A1 (en) Luminescence device and its manufacturing method
WO2005062678A2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、導電積層体及び表示装置
JP4254668B2 (ja) 有機電界発光素子および表示装置
TWI515936B (zh) 發光裝置及其製作方法
TW201419518A (zh) 有機發光裝置及其製造方法
JP2005322464A (ja) 有機ｅｌ素子
JP2001176660A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子
KR20150037708A (ko) 유기 발광 소자
JP2005093329A (ja) 表示素子およびこれを用いた表示装置
JP2002198182A (ja) 有機ｅｌ素子
JP3891435B2 (ja) 有機ｅｌ素子およびその製造方法
JP2008108533A (ja) 有機ｅｌ表示装置
JP4761777B2 (ja) 表示装置及びその製造方法
JP2007273703A (ja) 有機電界発光素子及び発光装置
JP2010010054A (ja) 有機ｅｌパネル
JP2009146774A (ja) ハーフミラーの保護層を有する、マイクロキャビティー共振効果を利用した有機発光デバイス
US20060049752A1 (en) Organic electroluminescent device
JP2010080146A (ja) 有機ｅｌパネル
JP2005183200A (ja) 有機発光素子
JP2008066499A (ja) 有機電界発光素子および表示装置
JP2008117697A (ja) 表示装置用配線電極、有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
JP2013165068A (ja) 上面発光型発光素子及びその製造方法
JP2005310638A (ja) 有機ｅｌ素子

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees