TWI299513B - Method of processing substrate and chemical used in the same (1) - Google Patents

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1299513 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於基板處理方法及使用於該方法之藥 液0 【先前技術】 傳統方法中電路中線路之形成，例如，藉由在一半導 體晶圓、一液晶顯示器（LCD)基板及其他基板上，形成一 有機薄膜圖形，以及利用該有機薄膜圖形作為一罩幕，圖 形化底層薄膜，以蝕刻底層薄膜或該基板。於圖形化底層 薄膜後，移除該有機薄膜圖形。 例如，日本專利公報N0.8231()3提供形成一電路之方 法’包含於-基板上形成有機薄膜圖形，或稱為光阻圖形， 利用該有機薄膜圖形作為一罩幕，圖形化下方一層或二層 薄膜，並進行㈣；再顯影該有機薄膜圖$，亦即，過顯 影該有機薄膜圖形，以及利用過顯影之該有機薄膜圖形作 為一罩幕’再圖形化下方-層或二層薄膜，並進行蝕刻。 圖形化下層薄膜使其變細或成階梯狀，因此所形成的電路 線路具有一面阻抗以防止介雷指據·认$ l 丨罨相壞，於再次的圖形化底層 薄媒後，藉由分離步驟移除該有機薄膜圖形。 第1圖係緣出上述方法所進行之步驟流程圖。 如第1圖所示，此方法包含之步驟依次為：塗佈-有 機薄膜’光阻，於一導電Μ眩μ _ 以膜上，該導電薄膜係形成於- 基板上，以及暴露該有機薄膜至一 先源（步騍SOI)，顯

2134-6913A-PF 1299513 影該有機薄膜（㈣S〇2)，以及預先供烤或加熱 薄膜（㈣別3);因此，形成一初始的有機薄膜圖形= 該基板上。此方法更包含下列步驟依次為：利用壤 膜圖形作為-罩幕’餘刻該導電薄模（步禪S04)，過 影該有機薄膜圖形（步驟S1G1)，以及序先烘烤或加=該 有機薄膜圖形（步驟S102)，以轉換該有機薄膜圖形：： 新的圖形。 # , A方法更包含半㈣該導電薄媒之方法，係利用過顯 影之該有機薄膜圖形作為一罩幕，使該導電薄膜具有一階 梯形狀之剖面，以避免該剖面垂直站立或呈現倒尖角形狀0。 然而，此方法伴隨一問題，該初始有機薄膜圖形實際 、上在步驟S04中損冑’蝕刻該導電薄膜’導致形成改變層 或沈積層於該有機薄膜圖形上。 該改變層或沈積層，可稱為一損壞層，阻礙該有機薄 膜圖形之第二次顯影（步驟S1〇1)，亦即無法順利過顯影 籲該有機薄膜圖形，因為該損壞層覆蓋該有機薄膜圖形之一 表面。 過顯影步驟之進行係有關於一損壞層之情況而不同； 若钱刻步驟（步驟S04 )係包含一濕蝕刻，損壞層的情況 高度相關於藥液及溫度；另一方面，若蝕刻步驟（步驟s〇4) 係包含一乾蝕刻，損壞層的情況高度相關於所使用之氣 體、壓力及排放。有機薄膜圖形依據所使用的氣體，將受 不同程度的化學性損害；以及該有機薄臈圖形上之離子化 氣體或放射氣體有關之壓力及排放，將使其遭受一物理衝 2134-6913A-PF 6 1299513 擊力。有機薄膜圖形在濕兹刻所受的損壞較乾蝕刻輕微， 因此，濕蝕刻所引起的損壞層之阻止有機薄膜圖形的過顯 影，較乾餘刻所引起的損壞層輕微。 如上所述，一損壞層，阻礙該有機薄膜圖形之順利過 顯影，導致該有機薄膜圖形係非均勻過顯影，因此，例如 在底層薄膜第二次圖形化過程中，將非均勻圖形化底層薄 膜0 根據WOOO/41048 (PCT/US99/28593 )之日本專利公報 馨 NO· 2002-534789 ’提供對於一基板之製程之一同步化系統 裝置，特別的是’該裴置包含一晶圓群聚工具，具有一列 表器可在一系統及及其他系統中，同步化所有項目。 日本專利公報Ν0ο· 10-247674提供對於一基板製程之 裝置，包含複數製程處理器，其使用於基板之一系列步驟 上’以及一載具’其運送基板至每一處理器。載具包含一 承載板、一第一旋轉裝置可沿一第一轉軸垂直延伸至承載 籲板、一第一傳動器用以旋轉該第一旋轉裝置、一第二旋轉 裝置可沿一第二轉軸垂直延伸至第一旋轉裝置、一第二傳 動器用以旋轉該第二旋轉裝置、一基板支架可沿一第三轉 軸旋轉，該第三轉軸垂直延伸至第二轉軸，該基板支架支 撐該基板，以及一第三傳動器用以傳動該基板支架。 【發明内容】 根據上述先前技術中之問題本發明之目的係提供一種 基板處理方法，可順利顯影形成於一基板上的有機薄膜圖 2134-6913A-PF 7 1299513 形0 本發明之目的亦提供使用於上述方法中之藥液。 本發明之一目的，係提供一種在基板上形成有機薄膜 圖形的方法，依序包含··一加熱步驟，係加熱該有機薄膜 圖案；以及一主要步驟，係收縮至少一部份該有機薄膜圖 形或移除一部份該有機薄膜圖形。 此方法更包含一預備步驟，係移除一改變層或沈積 層’其形成於該有機薄膜圖形之一表面，其令該預傷步驟 係於該加熱步驟之後，及於該主要步驟之前執行。 此方法更包含一預備步驟，係移除一改變層或沈積 層’其形成於該有機薄膜圖形之—表面，其中該預傷步鄉 係於該加熱步驟之前執行。 本發明之目的另一目的，係提供一使用於上述方法中 之藥液，其中該藥液含有該胺係介於重量百分比〇. Μ 10%之間，亦包含。 · 至 依據本么明所提供之方法，可完全移除該有機薄腺 形，亦即本發明所提供之方法可用以剝離或分離該1 ISI "ϊΚ。 开 前述本發明之方法之益處㈣下述段落中提及。 因為依據本發明所提供之方法，包含一預備步戰 移除-改變層或沈積層，其形成於該有機薄膜圖形之―： 面可順利進行主要步驟，收縮至少一部份有機薄膜圖 或移除一部份有機薄膜圖形。 、圖形 右主要步驟係包含顯影一有機薄膜二次或更多次，將

2134-6913A-PF 8 •1299513 .可以使藥液具有一功能，顯影該有機薄膜圖形以穿透該有 機薄膜圖形，以及均勻顯影該有機薄膜圖形。若進行主要 步驟時所使用之藥液不具有顯影該有機薄膜圖形之功能， 但具有-功能熔合該有機薄膜圖形，可得到相同結果。 &預備步驟之前’或在沒有預備步驛的主要步驟之 前，或於預備步驟之後，藉由進行加熱步禪，將可移除在 ，行加熱步驟之前滲透進有機薄膜圖形内部或底部之濕 _氣、酸性或驗性溶液；或者如果黏滞力降低，將可恢復有 機薄膜圖形及底層間之黏滞力。因此，該有機薄膜圖形將 具有原來之光感應性及其他性質，使得有機薄膜圖形可良 妤利用或再利用。 【實施方式】 如第2圖所綠，依據本發明之方法，在一裝置100中 處理一基板；或例如第3圖所緣，在-裝置200中處理一 φ 基板。 裝置100及200係設計用以選擇性具有下述之處理單 元，應用於處理一基板。 例如第4圖所繪，裝置1〇〇及2〇〇可包含六個處理單 το,特別的是，一第一處理單元17作為暴露一有機薄膜圖 形至一光源，一第二處理單元18作為加熱一有機薄膜圖 形，一第三處理單元19作為控制一有機薄膜圖形之-溫 度帛四處理單元2〇作為顯影一有機薄膜圖形，一第五 處理單元21作為塗佈藥液至―有機薄膜圖形，以及一第六 2134-6913A-PF 9 1299513 處理單元22作為灰化一有機薄膜圖形。 、、在第處理早7° 17作為暴露一有機薄膜圖形至-光 源中，形成-有機薄膜圖形於—基板上，暴露該有機薄膜 圖形至一光源。-有機薄膜圖形覆蓋至少-部份暴露於- 先源之基板，例如’一有機薄膜圖形完全覆蓋一基板，或 覆蓋-基板之-面積相等或大於基板全部面積之1/1〇,以 暴露至-光源。在第-處理單元17中，—有機薄媒圖形可 -次完全暴露至-光源，或一點光源可掃聪一有機薄膜圖 形之-既定區域’·例如，一有機薄膜圖形暴露至紫外光、 螢光或自然光。 ，在第二處理單元18作為加熱一有機薄膜圖形中，加熱 或烘烤一基板或一有機薄膜圖形，例如於攝氏溫度8〇至 180度範圍間，或於攝氏溫度5〇至15〇度範圍間。該第二 處理單元18係包含一階梯位於一基板上成水平支撐，以及 一腔體以佈置該階梯；加熱一基板或一有機薄膜圖形之時 間可任意決定。 在第二處理單元19作為控制一有機薄膜圖形之一溫 度中，例如，該第三處理單元19維持一有機薄膜圖形或一 基板於攝氏溫度10至50度範圍間，或於攝氏溫度1〇至 8 0度範圍間。該第二處理單元19係包含一階梯位於一基 板上成水平支撐，以及一腔體以佈置該階梯。 在第五處理單元21作為塗佈藥液至一有機薄膜圖形 中，塗佈藥液至一有機薄膜圖形或一基板。 如第5圖所示，該第五處理單元21係包含：例如，一 2134-6913A-PF 10 1299513 樂液槽301用以收集藥液，以及^一腔體302用以佈置一基 板500。腔體302包含一可移動式喷嘴303，用以供應自藥 液槽301傳輸之藥液，位於該基板50〇上，一階梯304位 於該基板500上成水平支撐，以及一抽取出口 305排出液 體及空氣至腔體302外。 在第五處理單元21中，在藥液槽301内收集藥液，藉 由壓縮氮氣至藥液槽301内，可透過可移動式喷嘴303供 應至基板500 ;可移動式噴嘴3〇3可以水平移動，階梯304 包含複數支撑栓，用以支撐基板5〇〇於較低表面。 第五處理單元21可設計成一乾燥型式，用以蒸發藥 液’以及將蒸發的藥液塗佈於基板5〇〇之上。 例如’第五處理單元21所使用之藥液包含至少一酸性 溶液、有機溶劑及鹼性溶液。 第四處理單元20作為顯影一有機薄膜圖形，顯影一有 機薄膜圖形或一基板；例如，第四處理單元2〇可設計為具 有第五處理單7G 21之相同結構，除了收集於藥液槽31之 一顯影媒介物。 在第六處理單元22中，基板5GG上所形成之-有機 薄膜圖形’係藉由電漿（氧電漿或氧/氟電裝）、具有一短 波長之光學能量、例如紫外光、使用光學能量或熱之臭氧 製程、或其他步驟，進行姓刻。 如第2圖所示，裝詈在a人 装置100係包含：在可放置一基板（例 如，一 LCD基板或一半導體曰圓、 导體^固）之卡式盒L1之一第一卡 式站台1、類似於放置卡式各L1 式凰之卡式盒L2之一第二卡

2134-6913A-PF 11 1299513 :::2、可個別配置處理單元⑺至卯之處理單元配置 一^至11、一自動控制裝置12用以傳輸一基板介於第 式站台1及第二卡式站台2之間以及處理單元Μ至 • ’以及一控制器24用以控制自動控制裝置〗2以傳 矜基板及處理單元ϋΐ至[J9以進行多種製程。 例如，未藉由裝置100所處理之基板，放置於卡式盒 L1中，以及已經由裝置100所處理之基板，放置於 L2中。 卜八疏 第4圖所示之任一第六處理單元，係選擇每一處理單 元U1至U9，配置於處理單元配置區域3至u。 處理單元之數目，係根據一種製程及一處理單元之容 量而定，因此，不會有處理單元配置於任一或複數處理單 元配置區域3至11。 控制器24根據每一處理單元耵至卯及自動控制裝置 12所進行之製程’選擇一組程式，以及執行此程式以控制 處理單元U1至U9及自動控制裝置12。 特別的疋，控制器2 4控制自動控制裝置12處理之基 板之傳輸次序，係根據一次序製程之數據，因此將基板自 第一卡式站台1及第二卡式站台2及處理單元们至U9中 取出，以及依據既定之次序將基板輸入進去。 甚者，控制器24係根據有關於製程情況之數據，操作 處理單元U1至U9。 第2圖所繪之裝置1 〇〇係設計成可以改變進行處理單 元之製程次序。 2134-6913A-PF 12 1299513 如第3圖所； ^ 程次序1設經 單元所進行之製 夏於裝置200。 如第3圖所； ^ ^不，裝置200係包含：在可放置一士式各 L1之一第一卡弋 下式孤 工站台13、放置—^式盒L2之一筮一士—、 站台16、可個別 抑一 一工 -置處理單元U1至U7之處理單元配置區 域3至9、一第 n 〜自動控制裝置14用以傳輸一基板介於卡 乳益L1及處理i 一 一基板介於處理广U卜—第—自動控制裝置15用以傳輸 以控制第一自動：凡ϋ7及卡式盒L2、以及一控制器24用 控制裝置14及第一自動控制裝置15，以 傳輸一基板及處 &攻早兀U1至U7以進行多種製程。 在裝置20〇 φ 虹 中，執行處理單元U1至U7之製程次序係 口疋。特別的是， 少 I程係持續自一處理單元逆向執行，亦 即，以一個方向如 第3圖所示之箭頭A。 、 在2 4圖中所繪之六個處理單元之任一處理單元，係

選擇自每—處理單元U1至U7,至設置於處理單元配置區 域3至9中。虛：^«口 一 ^ 〇〇 处理早兀之數目，係根據一種製程及一處理 單70之谷里而定，因此，不會有處理單元配置於任一或複 數處理單元配置區域3至9。 裝置1〇〇及裝置200係設計成包含：一單元用以傳輸 一基板（特別的是，自動控制裝置）、一單元用以容納卡 式盒（特別的是，卡式盒站台）、以及處理單元選擇自第 4圖所繪之六個處理單元，依序進行形成一有機薄膜圖形 於一基板上。 雖然第2圖及第3圖所繪之裝置1〇〇及2〇〇係設計成 2134-6913A-PF 13 ,1299513 麴 個另】包a九個及七個處理單元，包含於裝置ι〇〇及2〇〇之 地單元之數目，係依據製程之種類、處理單元之容量、 成本等因素所決定。 甚且，雖然裝置1〇〇及200係設計成包含兩個卡式盒 L1及L2 ,卡式盒之數目係依據所需之容量、成本等因素所 決定。 裝置100及200可包含異於第4圖所繪之六個處理單 • 例如，裝置100及2。。可包含：一處理單元用以暴露 :基板至一光源以製造微型圖形、一處理單元用以濕蝕刻 或乾蝕刻一基板、一處理單元用以塗佈一光阻薄膜至一基 板上 處理單元用以加強基板及有機薄膜圖形間之一黏 滯力或一處理單元用以清洗一基板（透過紫外光或電漿 進行乾式清洗，以及透過一清洗劑進行濕式清洗）。 如果裝置100及200包含一處理單元用以濕式清洗或 乾式清洗一基板，可藉由使用一有機薄膜圖形作為罩幕， • 圖形化一下方薄膜（例如，一基板之一表面）。 第五處理單元21可作為一處理單元用以濕式蝕刻或 乾式餘刻一基板，如果第五處理單元21包含藥液，用以餘 刻一下方薄膜，特別的是，蝕刻劑含有酸或鹼。 —為了單一化每一製程，裝置100及200包含複數相同 處理單元，用以多次適用相同製程於—基板，最好一基板 在相同處理單元進行製程，使得在不同處理單元時呈不同 方向（例如相反方向）。在此情況下，裝置100及2〇〇最 好設計成具有一功能用以指引一基板在不同處理單元中成 2134-6913A-PF 14 •1299513 不同方向，以確保基板在不同方向上自動轉換，而不經由 人為操作。 當裝置100及200包含一單一處理單元時，最好該芙 板多次於處理單元中進行製程，每次於不同方向。例如， 最好該基板於不同處理單元中以不同方向多次進行製程， 裝置100及200最好設計成具有一功能，用以在―特定製 程中處理一基板，其方向不同於其他製程。 最好也在依處理單元中成一第一方向，而更有一第二 方向異於第一方向，亦即，裝置1〇〇及2〇〇最好設計成具 有此功能。 下述為依據本發明所解釋之較佳實施例。 依據下述所提之實施例之方法，應用於—有機薄膜圖 形，形献-基板上，由感光有機薄膜所組成。在此方法 中，於加熱步驟中加熱一基板，以及在一有機薄膜圖形之 表面形成-破壞層（-改變層或_沈積層），係藉由一預 備步驟所移除。然後，至少一邱於士 ^ V 伤有機薄膜圖形收縮，或 一部份有機薄膜圖形在主要步驟中 受π鄉中移除。可忽略預備步驟 (例如，第五實施例）。 【第一實施例】 第6圖係依據本發明之第一營 乐實施例，處理一基板方法 之步驟流程圖。 依據第-實施例之方法，於加熱步驟中加熱一基板， 然後’移除形成於-有機薄媒圖形表面之—改變層或一沈 積層；然後，顯影（例如，第-呤翻&、 乐一-人顯影）該有機薄膜圖形 2134-6913A-PF 15 1299513 部份有機薄膜 以收縮至少一部分有機薄膜圖形，或移除 圖形。 于、 以傳統方法，例如微影製程，形成 一基板上。 有機薄膜圖形於 特別的是，第_ ^ 第-人塗佈一有機薄膜於一美無μ 如第6圖所繪，一暴 基板上，然後， 暴路該基板（亦即，該有 光源之步驟（步驟SQ1)，依序顯影該有=膜）至一 以及預烘烤或加熱該有機薄膜（步驟s〇3)膜(步物)， 上形成一初始有機薄膜圖形。 以在一基板 印二基=形成，有機薄膜_，例如，藉由 印刷在苐一次顯影移除一改變 ^ 機薄膜圖形（步驟Sl2) 。 — /b θ之後顯影一有 如第6圖所示，麸徭，危鼠嘴 下方，亦如脸、…、後底層薄膜位於有機薄膜圖形 ㈣基板之-Γ^。有機薄顧形作為—罩幕（步驟S⑷， 有一::㈠施例之方法’於钱刻(步驟s°4)之後具 特別的是，如第6圖 六、n… 斤不依據第一實施例之方法， 在進盯银刻（步驟s〇4)之 ςηίΠ ，液说— 力熱一基板之步驟（步驟 、布樂液至有機薄膜圖形之步驟（步驟sn 影該有機薄膜屬形（步驟ς (’驟s]2)以及加熱該有機薄膜圓形 之步驟（步驟S13)，係依序進行。 藉由進行加熱之步驟（㈣_)，在加熱步驟（步 驟則之前之步财具有渗透進入-有機薄膜圖形之内

2134-6913A-PF 16 '1299513 P或底邛之液體（濕氣、酸性或鹼性溶液），可以被移除； 或者，如果黏滯力降低，可恢復有機薄膜圖形及下方薄膜 間之黏滯力。 藉由進行加熱之步驟（步驟S〇〇)，有機薄膜圖形幾 乎具有原來之光感應力及其他性質，亦即，可以恢復初始 之光感應力及其他有機薄膜圖形之性質，以進行第二次顯 影（過顯影）（步驟S12)，可確保有機薄膜圖形之穩定 g 處理或再處理。 該加熱步驟係包含於攝氏溫度5〇至15〇度範圍内進 仃，至於第二次顯影或過顯影（步驟S12)，加熱步驟最 好於溫度等於或小於攝氏溫度14〇度範圍進行，最好包含 於攝氏溫度100至130度範圍内進行，因為有機薄膜圖形 可以維持其光感應力於溫度等於或小於攝氏溫度14〇度範 圍。 該加熱步驟（步驟S00)係包含於6〇至3〇〇秒範圍内 φ 進行。 該加熱步驟（步驟S00)係藉由放置一基板於一台階 維持於m度下（例如，攝氏溫度副至13〇度範圍白 内），在第二單元18中，以及保持一基板在台階上於〜既 定時間區間（例如，6 〇至12 0秒）。 在塗佈藥液至有機薄膜圖形之步驟中（步驟S11)， 塗佈藥液（酸性溶液、鹼性溶液或有機溶劑）至有機薄膜 圖形，用以移除形成於有機薄膜圖形表面之一改變層或沈 積層，在塗佈藥液至有機薄膜圖形之步驟（步驟S1丨）係 2134-6913A-PF 17 • 1299513 省 ' 於第五處理單元21中進行。 在塗佈藥液至有機薄膜圖形之步驟中（步驟su) 進行此步驟之時間週期可被定義，或所使用之藥液可被選 擇，以移除只有一破壞層（一改變層或沈積層）。 ' 在塗佈藥液至有機薄膜圖形之步驟中（步驟su) 若形成一改變層，而不形成一沈積層於一有機薄膜圖形之 表面，可選擇性移除改變層；若形成改變層及沈積層於— 馨 有機薄膜圖形之表面，可移除此改變層及沈積層；以及若 形成一沈積層於一有機薄膜圖形之表面，而不形成一改變 層，可選擇性移除沈積層。 因此移除一改變層或沈積層，將呈現一有機薄臈圖形 之非改變層，或一有機薄膜圖形已恢復具有一沈積層之出 現。 例如，藉由預備步驟（步驟S11 )所移除之一改變層， 係劣化一有機薄膜圖形之一表面，藉由老化、熱氧化、熱 • 硬化、沈積層至一有機薄膜圖形之黏滯力、利用酸性濕餘 刻劑以濕蝕刻一有機薄膜圖形、灰化（例如，02灰化）_ 有機薄膜圖形、或使用乾蝕刻氣體以進行乾蝕刻。亦即， 藉由這些因素之一有機薄膜圖形之物理性及化學性破壞， 因而改變。改變之程度及改變層之性質，與使用濕蝕刻之 藥液高度相關’或者是乾蝕刻（所使用之電漿）係等向性 或非等向性，或者存在於有機薄膜圖形之沈積物，以及乾 蝕刻所使用之氣體。因此，亦有關於移除之困難性。 藉由預備步驟（步驟S11)所移除之一沈積層，係由 2134-6913A-PF 18 '1299513 乾蝕刻所引起，沈積層之性質根據乾蝕刻是等向性或非等 向性’以及乾餘刻所使用之氣體，因此，其有關於移除沈 積層之困難性。 因此，進行預備步驟（步驟S11)所使用之時間，及 預備步驟（步驟S11 )所使用之藥液，需由移除一改變曾 獲沈積層之困難度所決定。 例如，當藥液使用在預備步騾（步驟S11)時，可選 擇藥液含有鹼性藥液、酸性藥液'有機溶劑、含有有機溶 劑及之胺之藥液、或含有鹼性溶液及胺之藥液。 例如，上述鹼性溶液可含有胺及水，以及上述之機 溶劑可含有胺。 預備步驟（步驟S11)所使用之藥液可含有抗腐蝕劑 例如，胺係選擇自單乙基胺、雙乙基胺、三乙基胺、 單異丙基胺、雙異丙基胺、三異丙基胺、單丁基胺、雙了 基胺、三丁基胺、氫氧基胺、雙乙基氫氧基胺、去水雙乙 基氫氧基胺、Μ、及甲基対等。藥液可選擇上述一個 或多個胺。 該藥液最好含有該胺係介於重量百分比0 ()1至玉⑽之 間，亦包含，尤其最好該藥液含有該胺係介於重量百分比 〇.〇胃5至3%之間，亦包含；尤其最好該藥液含有該胺係介於 重量百分比0. 〇5至1· 5%之間，亦包含。 ▲預備步驟（步驟S11)提供一益處，其藥液具有一功 月b用以顯衫一有機薄膜圖形，可在後續步驟中穩定穿透該 有機薄膜圖形，亦即，過顯影步驟（步驟S12)，以及，

2134-6913A-PF 19 • 1299513 η 係置化過顯影及可增加效率。 第〜次顯影或過顯影該有機薄膜圖形之步驟（步驟 S12 )’係於第四處理單元2〇中進行，用以收縮至少一部 份有機薄膜圖形，或移除一部份有機薄膜圖形。 在第四處理早元20中，形成於一基板上之有機薄膜圖 形’係藉由具有顯影該有機薄膜圖形之藥液顯影。 具有顯影該有機薄膜圖形之藥液，可選擇自鹼金屬水

、谷液 有 TMAH ( tetramethy laininoniuin hydroxide )於 重量百分比至10·0%、或無機鹼金屬水溶液例如氳氧 化鈉或氫氧化鈣。 加熱一有機薄膜圖形之步驟（步驟S13)中，在第二 處理單元18中，將一基板放置於一台階上，維持在一既定 溫度下（例如，攝氏溫度80至18〇度），進行一段時間（例 如，3至5分鐘）。藉由進行加熱步驟su，藥液具有顯影 有機薄膜圖形之功能，在過顯影步驟（步驟si2)中可應 用於基板上，可深度滲透進有機薄膜圖形，使得有機薄膜 圖形收縮或藉由過顯影來移除。 在第一及猶後提及之實施例中，最好進行一次步驟， 在每個步驟S12及S13結束時用水清洗基板，以清洗藥液£ 酸性或鹼性溶液， 進入有機薄膜圖形 及底層薄膜間之黏 加熱步驟S13之進行，可移除濕氣、 其可能在步驟S12後之清洗步驟時渗透 之内部或底部，或者恢復有機薄膜圖形 ± / 又、蹲該有機薄膜圖形 滞力。亦即，加熱步驟 部份有機薄膜圖 如上所述’主要步雜用以啤縮至少— 2134-6913A-PF 20 .1299513 形’包含減少古 ^ ^ 機溥膜圖形之一體積而不改變有m 形的面積（亦 文有機薄膜圖 ’至〉、一部份有機薄膜圖形較薄 ——已減少有機薄膜圖形之面積’以及 圖形係㈣減少有機薄膜圖形之面積β h有機薄媒 第―貫施例中之主要步驟，係為了下述佐 行。 目的而進 (A) 藉由減少 圖形至一新圖形。 (B) 藉由移除 膜圖形至一新圖形 數部分。

-有機薄膜圖形之面積，轉換有機薄膜 至少-部份有機薄膜圖形，轉換有機薄 ’用以分離—騎有機__成為複 ^將有機薄膜圖形作為一罩幕，_ —下方 述步驟⑴& (B)之前及之後’在進行過顯影步 驟（步驟S12)之前’用以區分蝕刻步驟（步驟s⑷中所 蝕刻之區域，在一蝕刻步驟令自一被蝕刻的區域 及S13之後進行。 (D)藉由進行上述步驟（c) ’位於一有機薄膜圖形 之下方之底層薄膜（例如，一基板之一表面），係形成逐 漸變細或階梯之形狀。 處理下方薄膜以形成階梯之形狀，可包含半蝕刻下方 薄膜（例如’一導電薄膜）之步驟’利用過顯影有機薄膜 圖形作為-罩幕。此步驟可使下方薄膜具有—階梯形狀之 剖面’用以避免此剖面垂直站立或呈現倒尖角形狀。 (E)位於有機薄膜圖形下方之底層薄膜具有一多層結 2134-6913A-PF 21 '1299513 構時，任兩層或多層下方薄 钱刻成不同圖形。 、轉由進行上述步驟(C)， CF)上述步驟（A)及（ 形係由電性絕緣材料所組成，=例子，假使有機薄膜圖 之fr飾利H :過顯影步驟（步驟S12) 之刖蝕刻基板，有機薄膜圖 你盔+ ^ Φ係變形，使得有機薄膜圖形 乍為-電性絕緣薄膜只覆蓋一電路圖形。 =當-初始有機薄膜圖形具有至少兩部分有不同厚 度’上述步驟⑴或⑷及隨後步驟（c)至⑺之進 订，係選擇性移除只具有較小厚度之一部分。 ⑴收縮或變薄至少一部份有機薄膜圖形，因此可確 實移除至少一部份有機薄膜圖形。 :以藉由進行步驟（H)移除至少一部份有機薄 形，直至下方薄膜出現。 ⑴當-初始有機薄膜圖形具有至少兩部分有 度’在變薄過程中只有-部份具有較小厚度，可確保此部 分可穩定移除。 步驟（I)與步驟⑺相同，若步驟⑴進行 方薄膜出現。 參考第7 @，上述步驟（G)之例子將於下述解釋。 第7圖係依據本發明之第一實施例，處理一基板方法 之步驟流程圖，當一初始有機薄膜圖形具有至少兩部分有 不同尽度’選擇性移除只具有較小厚度之一部分。 7(a-l)、7(b-l)、7(c-l)及 7((^)圖係分別為第 7(a_2)、 2134-6913A-PF 22 .1299513 * . _· " 7(b—2)、7(c-2)及 7(d-2)圖之剖面圖。 如第7(a-1)及7(a-2)所緣，例如，一閘極電極6〇2具 有一既定形狀，係形成於一電性絕緣基板601上。然後， 一閘極絕緣薄膜603形成於基板601上，覆蓋閘極電極 602。然後，一非晶矽層604、一 Ν+非晶矽層605、以及一 源極/沒極層606，係依序形成於閘極絕緣薄膜603上。 然後’如第7(b-1)及7(b-2)所繪，一有機薄膜圖形 • 607形成於源極/汲極層6〇6上（步驟s〇l至S03)。然後， 源極/汲極層606、N+非晶矽層605、以及非晶矽層6〇4，係 藉由有機薄膜圖形607作為一罩幕（步驟S04)進行钱刻。 因此，閘極絕緣薄膜603出現在不受有機薄膜圖形6〇7覆 蓋之區域。 形成之有機薄膜圖形607具有一薄部分607a，部分覆 蓋閘極絕緣薄膜603。有機薄膜圖形607具有兩個厚度， 或一厚度差之形成藉由區分一小體積至暴露之薄部分 φ 607a，自一異於暴露之薄部分60 7a之部分。 然後，進行加熱步驟（步驟S00)，以加熱基板601 及形成於基板601上之各層。 然後，進行預備步驟（步驟S11塗佈藥液至有機薄膜 圖形）及主要步驟（步驟S12顯影該有機薄膜圖形），以 及步驟S13加熱該有機薄膜圖形。暴露至一光源以形成初 始有機薄膜圖形607,維持在有機薄膜圖形6〇7上。因此， 藉由進行主要步驟（步驟S12及步驟S13)，只有有機薄 膜圖形607之薄部分607a係選擇性移除，如第7(c — i)及 2134-6913A-PF 23 '1299513 7(C-2)所緣。亦即’有機薄膜圖形6〇7係分離成複數部分 (第7圖中之兩部分）。 刀 然後，源極/汲極層6〇6及非晶矽層6〇5，係藉由有 機薄膜圖形607作為一罩幕進行蝕刻，因此，出現非晶矽 層604 ’然後移除有機薄膜圖形607。 當形成有機薄膜圖形607具有不同厚度之部分時，可 處理有機薄膜圖形607至一新圖形，藉由移除較薄之有機 _ 薄膜圖形607部分。特別的是，有機薄膜圖形6〇7可藉由 處理至一新圖形，分離有機薄膜圖形607成複數部分（例 如’第7(c-2)圖所緣之兩部分）。 當位於有機薄膜圖形607下方之底層薄膜包含多層 時，係藉由有機薄膜圖形607作為一罩幕進行蝕刻，於上 述步驟S11、S12及S13之前或之後，以區分在蝕刻步驟（步 騾S04)中之蝕刻區域，係於過顯影步驟（步驟S12 a y ^月 ij 進打，於步驟S12及S13之後進行蝕刻步驟。因此，可蝕 鲁刻一第一層（例如，非晶矽層604 )及一第二層（例如， 源極/汲極層606及N+非晶矽層6〇5)介於多層底層薄膜之 間，以具有不同之圖形。 下述係解釋一裝置用以處理一基板，使用第一實施例 所述之方法。 一裝置用以處理一基板，使用第一實施例所述之方 法，係包含裝置100或200含有第二處理單元18、第四處 理單元20、以及第五處理單元21如處理單元^至ϋ9 ϋΐ 至 U7 。 ^ 2134-6913A-PF 24 ,1299513 在裝置100中，第五處理單元21、第四處理單元2〇 及第二處理單元18係任意配置。第二處理單元使用在 加熱步驟（步驟S00)及加熱（溫度控幻步驟（步驟S13)。 另-方面’在裝置200中’ No. i第二處理單元18、 第五處理單元2卜第四處理單元2QAN。· 2第二處理單 元18’必須依序配置，以第3圖所繪之箭頭a之方向。同

樣的’處理單元必帛以一既定次序配置在装i 中，以 下述之方法。 加熱一有機薄膜圖形之步冑S13可被忽略，在此情況 下，不再需要裝置100或200包含Νο· 2第二處理單元18。 在第8至U圖中，插入式夾住之步驟可被忽略，類似步驟 S13。此外，連結於插入式夾住之步驟之一處理單元可被忽 略0 即使如果一相同步驟之多次進行（例如，即使如果步 驟S13進行兩次），裝置100包含一單一處理單元以進行 籲此步驟。另-方面，裝i _必須包含相同處理單元之數 目相同於其所進行之數目。例如，如果步驟S13進行兩次， 裝置200必須包含兩個第二處理單元18。下述之方法亦同。 根據第一實施例，藉由進行加熱步驟（步驟s〇〇)， 可移除濕氣、酸性或鹼性溶液，其在加熱步驟之前（步驟 S00 )滲透進入有機薄膜圖形之内部或底部，或恢復有機薄 膜圖形及下方薄膜間之黏滯力，如果其黏滯力降低。因此， 有機薄膜圖形可在進行第二次顯影或過顯影時（步驟 S12)，幾乎具有原來之光感應力及其他性質。確保有機薄 2134-6913A-PF 25 •1299513 Φ 臈圖形之穩定處理或再處理。 、根據第-實施例之方法，因為第一次進行預備步驟用 以移除形成於有機薄膜圖形表面之改變層或沈積層，以及 然後，進行主要步驟以收縮至少一部份有機薄膜圖形，或 移除-部份有機薄膜圖形，因此，可順利進行主要步驟一; 亦即，可使藥液具有-功能，顯影有機薄膜圖形以穿透有 機薄膜圖形，以及均勻顯影該有機薄膜圖形。 瞻 【第二實施例】 第8圖係依據本發明之第二實施例，處理一基板方法 之步驟流程圖。 如第8圖所繪，依據本發明之第二實施例，包含··加 熱-基板之加熱步驟（步驟s⑻、灰化—有機薄膜圖形 之步驟（步驟S21)作為一預備步驟、以及顯影步驟（步 驟S12)及加熱（温度控制）步驟（步驟si”作為 驟。 • Φ即’依據第二實施例之方法，不同於依據第一實施 例之方法，預備步驟係包含灰化步驟（步驟奶），以及 除了灰化步冑（步驟S21)之相同於依據第一實施例之方 法。 依據第—實施例之方法，灰化步驟（步驟S21 )應用 於有機薄膜圖形，以移除形成於有機薄膜圖形表面之一 改變層或沈積層。 灰化步驟（步驟S21)係於第六處理單元22中進行。 如同灰化步驟’可進行乾式步驟，例如在氧或氧/免環

2134-6913A-PF 26 1299513 境下應用電漿至一有機薄膜圖形，應用具有短波長例如紫 外光之光源之光學能量至一有機薄膜圖形，或應用臭氧， 亦即光學能量或熱能至有機薄膜圖形。 最好設定一段時間以進行灰化步驟（步驟S21 )，使 得僅有改變層或沈積層被移除。 移除改變層或沈積層之結果，呈現有機薄膜圖形之非 改變部分，或呈現經由沈積層所覆蓋之有機薄膜圖形，類 似於上述第一實施例。 灰化步驟（步驟S21)作為預備步驟所提供之益處， 使藥液具有一功能用以顯影一有機薄膜圖形，可在後續步 驟中穩定穿透該有機薄膜圖形，亦即，過顯影步驟（步驟 S12) ’以及’係罝化過顯影及可增加效率。 隨後之步驟如同第一實施例，因此不再詳述。 依據第二實施例之方法所提供之益處，如同依據第一 實施例之方法。 甚者，因為灰化步驟（步驟S21)應用至一有機薄膜 圖形作為一預備步驟， 該層係固定住，因此， 除該層。 【第三實施例】 可移除一改變層或一沈積層，甚至 僅於過顯影（步驟S12)中難以移

之步驟流程圖。

熱一基板之加熱步驟（步驟s〇〇)、 、灰化一有機薄膜圖形 2134-6913A-PF 27 ,1299513 "(步驟S21)及塗佈藥液至該有機薄膜圖形作為一 預備·步^驟 鄉、以及顯影步驟（步驟S12)及加熱（溫度控制） 步驟（步驟S13)作為主要步驟。 '、即，依據第三實施例之方法，不同於依據第一實 4列 vi. 、、、 ' ’預備步驟係包含灰化步驟（步驟S21 )及藥液 =、j驟（步驟S11 )，以及除了灰化步驟（步驟S21 )及 藥液塗佈步驟（步驟S11)之相同於依據第一實施例之方 法。 s在第一實施例中，預備步驟係包含一濕式步驟（步驟 SU)另一方面，第三實施例之預備步驟，係包含灰化步 (步輝S21)及濕式步驟（步驟S11 )，因此，改變層或 沈積層之表面係藉由乾式步驟移除，亦即，灰化步驟（步 驟21 )，以及其餘改變層或沈積層之表面係藉由濕式步 驟移除，亦即，藥液塗佈步驟（步驟s⑴。 依據第三實施例之方法所提供之益處，如同依據第一 實施例之方法。 甚者，即使如果在藥液塗佈步驟（步驟su)中難以 移除改變層或沈積層’可於藥液塗佈步驟（㈣sn)前 進行灰化步驟（步驟S21)來移除。 預傷步驟中之灰化步驟（步驟S21)係用以移除改變 層或沈積層之表面。因此，可設定一較第二實施例進行灰 化步驟<更短時間以進行灰化步驟（步驟即，確保底 層較不受灰化作用而破壞。 在第三實施例中步驟s〗〗所使 叮使用之樂液，可使用比第 2134-6913A-PF 28 1299513 一實施例中步驟S11所使用之 為輕微之苹&，i I 1 ，參透有機薄膜圖形較 心樂液，或者藥液縮短進 時間。 第一貫施例步驟S11之 如第9圖所示，在第三實 S21 )前立即、隹> ^也 中’於灰化步騍（步驟 別立即進仃加熱步·驟 力ϋ敍丰然而，不限定兑 加熟步驟（步騾S00)之次序。 +丨Γ疋” 如第10圖所示，例如，加 化步鄉（步驟如及藥液塗佈步驟步(驟步可於灰 加熱步驟(步驟⑽）、灰化步驟驟(：驟川)之間進行，· 牛驟，土 化步驟（步驟S21)及藥液塗佈 步驟（步驟SU)之方法 録錢 例之相同益處。 此提供第三實施 【第四實施例】 第11圖至第13圖，係依據本 佩+知％之第四實施例，處 基板方法之步驟流程圖。 在第11圖及第13圖中，推你丰_ p ^ m Ύ進仃步驟SOI至S03，以形 成一初始有機薄膜於一篡姑 板上’以及進行步驟S〇4以蝕刻 一有機薄膜圖形。 如第11圖至第13圖所緣，依據第四實施例之方法， 額外包含暴露-有機薄膜圖形至一光源之步驟（步驟 S41 )，於第一至第二實施例之方法前進行。 如第11(a) 11(b)及圖所繪，暴露一有機薄膜 圖形至-光源之步驟（步驟S41)，可於加熱步驟（步驟 s〇(〇及預備步驟之間進行。亦可選擇地，如第u⑷圖所 繪，暴路一有機薄膜圖形至一光源之步驟（步驟s4i )， 2134-6913A-PF 29 .1299513

Hh m σ ;預備步驟中進行，特別的是，在灰化步驟（步驟奶） 及藥液塗佈步驟（步驟川）之間進行。亦可選擇地，如 =如）、12⑻及12⑹圖所繪，暴露_#機薄膜圖形至 ▲光源之步驟（步驟S41)，可於加熱步驟（步驟S00)之 刖2仃。亦可選擇地，如第13(a)、13(b)及13(c)圖所繪， -、 有機薄膜圖形至一光源之步驟（步驟S41 )，可於 預備步驟之後立即進行。 參 當藉由微影製程形成一初始有機薄膜圖形時，暴露一 機薄膜圖形至-光源兩次；以及當藉由印刷製程开> 成一 初始有機薄膜圖形時，在步驟S41中暴露一有機薄膜圖形 至一光源一次。 在暴路一有機薄膜圖形至一光源之步驟（步驟S41 ) 中 有機薄膜圖形覆蓋至少一部分基板暴露至一光源。 例如’一有機薄膜圖形完全覆蓋一基板，或覆蓋一基板相 同或大於全部基板面積之1/10,暴露至一光源。暴露一有 • j薄膜圖形至—光源之步驟（步驟S41 )，係於第-處理 單το 17中進行。在第一處理單元I?中，一有機薄膜圖形 可-人70全暴露至一光源，或一點光源可掃瞄一有機薄膜 圖开4 ^ ^ 一既定區域；例如，一有機薄膜圖形暴露至紫外光、 螢光或自然光。 在第四實施例中，在初始暴露至一光源用以形成一有 機薄膜圖形之後，最好將基板維持於不曝光，直至步驟 S41，藉此，可均勻化過顯影步驟（步驟sl2)之效應，或 均勻化全部暴露一有機薄膜圖形至一光源。為了將基板維

2134-6913A-PF 30 •1299513 持於不曝先，所有步驟須進行管理， 4考裝置100或200 可設計成具有此功能。 暴露一有機薄媒圖形至一光源之步驟（步驟S41)， 可以如下述進行。 ΐ先，透過-光罩具有一既定之圖形，暴露一有機薄 膜圖形至一光源，亦即，定義有機薄膜圖形之一新圖形係 依據有機薄膜圖形在步驟S41中暴露於一光源之面積。在 _隨後的過顯影步驟（步驟S12)中，部分移除有機薄媒圖 形’使得有機薄琪圖形轉換至一新圖形。在初始暴露至一 光源用以形成一有機薄膜圖形之後，必須將基板維持於不 曝光，直至進行步驟S41。 其次，藉由完全暴露一有機薄膜圖形至一光源，更有 效進行過顯影一有機薄膜圖形之步驟S12，在此狀況下， 不須在初始暴硌至一光源用以形成一有機薄膜圖形之後， 將基板維持於不曝光，直至進行步驟S41。甚至如果在進 _仃步驟S41之前（例如，暴露一有機薄膜圖形至紫外光、 螢光或自然光，或在次光源下停留一段長時間），暴露一 有機薄膜圖形至一光源相同程度，藉由進行步驟S41，可 均勻暴露一基板至一光源。 依據第四實施例之方法，下述說明其例子。 【第四實施例之示例1】 第11圖之行（a)，係依據本發明之第四實施例之示例 1，處理一基板方法之步騾流程圖。 如第11圖之行（a)所繪，依據第四實施例之示例1， 2134-6913A-PF 31 .^99513 3暴露-有機薄膜圖形至一光源之步驟（步驟 之間谁 步驟(步㈣°)及藥液塗佈步驟(步驟sn) :’比較依據第-實施例之方法，如第6圖所搶。 17、第:例1中’使用裝置100或200包含第-處理單元 18，如虛處理單元2卜第四處理單元2。及第二處理單元 度理早疋U1至U9或U1至ϋ7。若不忽略加熱或溢 _ 温=::(_13)，加熱步驟（步驟叫及加熱或 2步驟（步驟如）皆在第二處理單元18中進行。 源之4 Γ:::)所繪，^ 行。（乂驟341) ’可於加熱步驟（步驟S00)之前進 【第四實施例之示例2】 2，A11圖之仃（b)，係依據本發明之第四實施例之示例 2’處理一基板方法之步驟流程圖。 額：包第含繪，依據第四實施例之示例2 ’ ⑷W加熱步驟(::s:光源之步驟（步驟 ^ ^ ^ 步驟S00)及灰化步驟（步驟S21) 間第二實施例之方法，如第8圖所繪。 用裝置10…。。包含第-處理單元 18，：；= 22、第四處理單元2。及第二處理單元 如處理早元ΪΠ至 度控制步驟（步驟s】〇 ^ 右不忽略加熱或狐 溫度控制步称(步輝二在步驟工步_及加熱或 如第12圖之行“、 第-處理單元18中進行。 所繪，暴露一有機薄膜圖形至一光

2134-6913A-PF 32 • 1299513 源之步驟（步驟S41 )，可於加熱步驟（步驟s〇〇 )之前進 行0 【第四實施例之示例3】 第11圖之行（c)，係依據本發明之第四實施例之示例 丨，處理一基板方法之步驟流程圖。

如第11圖之行（c)所繪，依據第四實施例之示例3， 額外包含暴露一有機薄膜圖形至一光源之步驟（步驟 S41)，於加熱步驟（步驟s〇〇)及灰化步驟（步驟s2i) 之間進行’比較依據第三實施例之方法’如第g圖所緣。 在不例3中’使用裝置⑽& 2〇〇包含第一處理單元 17、第六處理單元22、第五處理單元『第四處理單元 2°及第二處理單元18，如處理單元U1至U9或U1至U7。 若不忽略加熱或溫度控制步驟（步驟si3)，加熱步驟（牛 : s〇〇)及加熱或溫度控制步驟（步驟si3)皆在第二處二 早元18中進行。 如第12圖之仃（c)所、♦，暴露一有機薄膜圖形至— 源之步驟（步驟S41)，可於加熱步驟（步驟別〇)之 行。 ^ 【第四實施例之示例4】 第11 ®之灯⑷，係依據本發明之第四實施例之示 4，處理一基板方法之步驟流程圖。1 如第11圖之行（d)所綠，依據第四實施例之示例4， 額外包含暴露一有機薄膜圖形至-光源之步驟（步騍 S41)，於灰化步驟（步驟Ml)及藥液塗佈步驟（步驟su)

2134-6913A-PF 33 1299513 之間進行；比較依據第三實施例之方法 在示例4中，使用裝置1〇〇或 ^第9圖所續。 17、第六處理單元22、第五處理 ^含第-處理單元 20及第二處理單元18，如處理單 /、第四處理單元 【第四實施例之示例5】 或U1至。 第13圖之行（a)，係依據本發明之 5’處理一基板方法之步驟流程圖。 實施“之示例 如第13圖之行（a)所綠，依 額外包含暴露一有機 乐四實施例之不例5, 3茶路有機薄膜圖形至一 S41)，於藥液塗佈步驟su '、 ^驟（步騍 〜避顯影步騍$ 1 ? 簡 比較依據第-實施例之方 诹12之間進行； 々凌，如第6圖所繪。 在示例5中，使用裝£ 1〇〇或 17、第五處理單元21、第四 _匕3第-處理單元 + 單^20及第二處理單 18，如處理早70 ϋ1至U9或耵至U7。 早疋 【第四實施例之示例6】 第13圖之行（b)，将發接丄 ’、t據本發明之第實 6’處理-基板方法之步驟流程圖。 貫“之不例 如第13圖之行（b)所繪， 據第四實施例之示例6， 額外包含暴路一有機薄媒圖形至一 S41)，於灰化步驟S21及過鞋忠丰’、，驟（步驟 、颂衫步驟S12之間進行·比較 依據第二實施例之方法’如第8圖所綠。 * 在示例6中，使用襄置1〇〇或2〇〇包含第 17、第六處理單元22、第前由 处理早兀 第四處理單元2〇及第二 18，如處理單元III至ϋ9或μ至耵。 处理早兀 2134-6913A-PF 34 • 1299513 【第四實施例之不例7】 第13圖之打（c) ’係依據本發明之第四實施例之示例 7，處理一基板方法之步驟流程圖。 如第13圖之行（c)所繪，依據第四實施例之示例7， 額外包含暴露一有機薄膜圖形至一光源之步驟（步騍 S41)，於藥液塗佈步驟SI 1及過顯影步驟sl2之間進行； 比較依據第三實施例之方法，如第9圖所缘。 鲁 在示例7中，使用裝置100或200包含第一處理單元 17、第六處理單元、第五處理單元21、第四處理單元2〇 及第二處理單元18’如處理單元υι至U9或U1至U7。 參考第14圖，依據第四實施例之方法，下述更詳細說 明示例1之内容。 第 14(a - 2)、14(b-2)、14(c - 2)及 14(d-2)圖係平面 圖。第 14(a -1)、14(b-l)、14(C - 1)及 14(d-i)圖係分別為 第 14U-2)、14(b-2)、14(c-2)及 14(d-2)圖之剖面圖。 # 如第IKa—U及14(3一2)所繪，例如，一閘極電極602 具有一既定形狀，係形成於一電性絕緣基板6〇1上。然後， 一閘極絕緣薄膜6 0 3形成於基板6 〇 1上，覆蓋閘極電極 602。然後’非晶矽層6〇4 ' 一 n+非晶矽層605、以及一 源極/沒極層606，係依序形成於閘極絕緣薄膜603上。 然後，如第14(b-l)及14(b-2)所繪，一有機薄膜圖形 607形成於源極/汲極層606上。然後，源極/汲極層6〇6、 N+非晶石夕層605、以及非晶矽層604，係藉由有機薄膜圖形 607作為一罩幕（步驟S04)進行触刻。因此，閘極絕緣薄 2134-6913A-PF 35 '1299513

第 7(b-l) 膜603出現在不受有機薄膜圖形607覆蓋之區域 初始有機薄膜圖形607具有一均勻厚度，不如 所繪之初始有機薄膜圖形607。 ^後’進行加熱㈣_、預備步驟、主要步驟以及 步請’以上述之示例…(第所定義之 次序，暴露有機薄膜圖形607至一光源。 步驟S41暴露有機薄膜圖形6Q7至—光源，係藉由使 用一光罩具有一既定圖形。在隨後過顯影步驟（步驟S12) 中’處理有機薄臈圖形607成一新圖形，如第及 14(c-2)所繪；亦即’有機薄膜圖形6〇7係分離成複數部分 (第12圖中之兩部分）。 *然後，源極/汲極層606及彫非晶矽層6〇5，係藉由有 機薄膜圖形6〇7作為—置复；隹 作為罩幂進仃蝕刻，因此，出現非晶矽 層604 ’然後移除有機薄膜圖形607。 當位於有機薄膜圖形607下方之底層薄膜包含多層 605及606時，係藉由有機薄膜圖形gw作為一罩幕 進行蝕刻’於加熱步驟、預備步驟（步驟S00 )、主要步 驟、以及暴露有機薄膜圖形6〇7之一光源步驟之前及之 後以區刀在蝕刻步驟（步驟S04)中之蝕刻區域，係於 k”、、員〜步驟（步驟S12)之前進行，於步驟S12及S13之 後進行钱刻步驟。因此，可钱刻一第一層（例如，非晶石夕 曰604)及第二層（例如，源極/汲極層6〇6及N+非晶矽 層605 )介於多層底層薄膜之間，以具有不同之圖形。 因此，即使如果初始有機薄膜圖形6〇7具有一均勻厚 2134-6913A-PF 36 '1299513 度，第7圖所示之步驟之益處，亦可由第14圖所示之步驟 獲得。 參考第15圖，依據第四實 明示例2之内容。 第15(3-2)、15(1)-2)、15((3-2)及15((1-2)圖係平面 圖。第 15(a-1)、15(b-1)、15(c-1)及 15(d-l)圖係分別為 第 l5(a-2)、15(b-2)、15(c-2)及 15(d-2)圖之剖面圖。 _ 如第15(a-l)及15(a-2)所繪，例如，一閘極電極Mg 具有一既定形狀，係形成於一電性絕緣基板601上。然後， 閘極絕緣薄膜6 0 3形成於基板6 01上，覆蓋閘極電極 6〇2。一源極/汲極電極801具有一既定形狀，係形成於閘 極絕緣薄膜603上。一覆蓋薄膜802包含電性絕緣材料， 形成於閘極絕緣薄膜603上以覆蓋源極/汲極電極8〇ι。 然後，如第15(b-1)及15(b-2)所繪，一初始有機薄膜 ㈣m形成於覆蓋薄膜802上。然後’覆蓋薄膜8〇2及 閘極絕緣薄膜603，係藉由有機薄膜圖形6〇7作為一罩幕 進行钱刻。因此，閘極電極隊出現在不受有機薄 6〇7覆蓋之區域。 初始有機薄膜圖形6〇7具有一均勻厘厗， 』Ί与度，不如第9(b-l) 所4之初始有機薄膜圖形607。 然後，進行加熱㈣S00、預備步驟、 步驟S4卜以上述之示例(第驟乂及 主圖）所定義之 次序，暴露有機薄膜圖形607至一光源。 步驟S41暴露有機薄膜圖形6〇7至一本 王九源，係藉由使 2134-6913A-PF 37 1299513 用一光罩具有一既定圖形。在隨後過顯影步驟（步驟sl2) 中，處理有機薄膜圖形607成一新圖形，如第15(c-l)所 綠。 然後，如第15(卜1)及15(b-2)所繪，覆蓋薄膜802， 係藉由有機薄膜圖形607作為一罩幕進行蝕刻，因此，出 現非晶矽層604，然後移除有機薄膳圖形607 ° 當位於有機薄膜圖形607下方之底層薄膜包含多層 603及802時，如上所述，係藉由有機薄膜圖形607作為 一罩幕進行蝕刻，於加熱步驟、預備步驟（步驟S00)、 主要步驟、以及暴露有機薄膜圖形607之一光源步驟之前 及之後，以區分在蝕刻步驟（步驟S04)中之蝕刻區域， 係於過顯影步驟（步驟S12)之前進行，於步驟S12及S13 之後進行姓刻步驟。因此，可鍅刻一第一層（例如，閘極 絕緣薄膜603 )及一第二層（例如，覆蓋薄膜8〇2)介於多 層底層薄膜之間，以具有不同之圖形。 在钱刻閘極電極602上之閘極絕緣薄膜6〇3及覆蓋薄 =之：’可避免源極/汲極電極801受破壞，僅蝕刻源 極/汲極電極8〇1上之覆蓋薄膜8〇2。 因為依據第四實施例之方 =-光*…(㈣S41)，比較二“機: 施例之方法，可處理㈣至苐二實 果初始有機薄膜圖形 ^、圖形至1圖形，即使如 膜圖形不具有兩個或複數部分且有〆亦即’初始有機薄 可選擇的，即使當不處理：有二:度）。

2134-6913A-PF 有機4祺圖形至一新圖形 38 '1299513 時依據第四實施例之方法，額外包含暴露一有機薄膜至 光源之步驟（步驟S41)，可以有效進行過顯影步驟（步 驟 S12) 〇 【第五實施例】 第16圖係依據本發明之第五實施例之變化，處理一基 板方法之步驟流程圖。 如第16圖所繪，依據第五實施例之方法，包含加熱一 _ 基板之步驟（步驟S00)、顯影步驟（步驟S12)、以及加 熱（溫度控制）步驟（步驟S13 )。 亦即，依據第五實施例之方法，不同於依據第一實施 例之方法’只有不包含塗佈藥液至一有機薄膜圖形之步驟 (步驟S11 )。 依據第五實施例之方法中，因為不進行預備步驟，不 移除改變層或沈積層；取而代之的是，在過顯影步驟（步 驟S12)之前進行藉由進行加熱步驟（步驟s〇〇)，將可移 鲁除在進行加熱步驟（步驟S00)之前滲透進有機薄膜圖形 内°卩或底部之濕氣、酸性或驗性溶液；或者如果黏滞力降 低’將可恢復有機薄膜圖形及底層間之黏滞力。因此，該 有機薄膜圖形將具有原來之光感應性及其他性質，使得有 機薄膜圖形可良好利用或再利用；以及因此，可藉由過顯 影步驟（步驟S12)穩定收縮或移除有機薄膜圖形。 為了進行依據第五實施例之方法，使用裝置1〇〇或2〇〇 包含第四處理單元20及第二處理單元18，如處理單元 至U9或U1至U7。若不忽略加熱或溫度控制步驟（步驟 2134-6913A-PF 39 '1299513 m S13)，加熱步驟（步驟s〇〇)及加熱或溫度控制步驟（步 驟S13)皆在第二處理單元18中進行。 下述說明上述每一實施例中之預備步驟之選擇方法。 第17圖係依據改變層之形成之原因，繪出改變層改變 之程度。在第17圖中，改變之程度之決定，係依據使用一 湯式步驟剝離一改變層之困難度。 如第17圖所繪，一改變層改變之程度，係高度相關於 _ 濕蝕刻中所使用之藥液，或者是乾蝕刻係等向性或非等向 性’或者存在於有機薄膜圖形之沈積物，以及乾蝕刻所使 用之氣體。因此，亦有關於移除之困難性。 塗佈藥液至有機薄膜圖形之步驟（步驟su)，所使 用之藥液係選擇自酸性溶液、鹼性溶液或只有有機溶劑、 或其混合物。 特別的是，藥液係選擇自鹼金屬水溶液或水溶液含有 至少一胺作為有機溶劑介於重量百分比〇· 〇5至1〇%之間， 鲁 亦包含。 ;因此，胺係選擇自單乙基胺、雙乙基胺、三乙基胺、 單異丙基胺、雙異丙基胺、三異丙基胺、單丁基胺、雙丁 基胺、三丁基胺、氫氧基胺、雙乙基氫氧基胺、去水雙乙 基氫氧基胺、吡啶 '及甲基吡啶等。 若改變層改變之程度相對性低，亦即，若改變層之形 成係由於老化所引起之氧化、酸性蝕刻劑或非等向性氧灰 化，所選之藥液可包含胺於重量百分比0· 05至3%之間。 第18圖係繪出藥液中胺之濃度及一移除速率間之關

2134-6913A-PF 40 ,1299513 會 、係、示意圖，與是否改變一有機薄膜圖形有關。 如第18圖所綠’最好之藥液可包含胺於重量百分比 0.05至1.5%之間，僅移除一改變層，而留下有機薄膜圖形 ^非改變部分；為此目的，最好選擇自氫氧基胺、雙乙基 氨氧基I*去水雙乙基氫氧基胺、吼咬、及甲基吼嘴等。 為了抗腐蝕，可選⑽葡萄糖（D-glucose) (C6Hl2〇6)、 螯化物或抗氧化劑。 ❿ 第18圖所示係於第Π、19及20圖中，改變層情況之 例子。第18圖所示之曲線變化，係依據改變層之情況，例 如曲線之截距可為1· 5wt%、3· Owt%或l〇wt%，依據截距 所定義之重量百分比，必須優化胺之濃度。 藉由叹定適當之時間間距，進行塗佈藥液至有機薄膜 圖形之步驟（步驟S11)，如同選擇適當之藥液，可以只 有移除&變層或沈積層，留下有機薄膜圖形之未改變部 分，或允許一沈積層覆蓋之有機薄膜圖形出現。 • ’佈藥液至有機薄膜圖形之步驟（步驟Sn)提供一 益處，藥液具有一功能可顯影一有機薄膜圖形，類似於在 過U驟（步驟S12)中滲透—有機薄臈圖形，於步驟 S11之後進行。 實際上，塗佈上述藥液至一有機薄膜圖形表面，一改 ㈣破裂’或者移除一部份或全部改變層。因此，可避免 藥液具有一功能，顯影一有機薄膜圖％，防止改變層在過 顯影步驟中滲透有機薄膜圖形。 重要的疋，有機薄膜圖形之未改變部分不應被移除，

2134-6913A-PF 41 ' 1299513 而應該保留，以及藥液可確實滲透有機薄膜圖形之未改變 部分，藉由只移除改變層或弄碎改變層。必須選擇可使用 之藥液。 第8、9、10圖、第11圖中之行（b)、（c)、（d)、第 12圖中之行（b)、（c)及第13圖中之行（b)、（c)所繪之灰 化步驟，係單一進行或與塗佈藥液至一有機薄膜圖形組合 進行，當改變層或沈積層固定或較厚時，相當難以移除。 藉由單一進行灰化步驟或與塗佈藥液至一有機薄膜圖形組 合進行，可解決在只進行塗佈藥液至一有機薄膜圖形步驟 中難以移除改變層之問題，或者需要較多時間的問題。 第17圖係纟會出只有一氧灰化步驟或一非尊向性電漿 步驟之改變層的變化，第18圖係繪出只有一塗佈藥液（水 溶液含有氫氧化胺2% )步驟之改變層的變化，以及第j 9 圖係繪出依序進行上述灰化步驟及塗佈藥液步驟之改變層 的變化。在第19至21圖中，類似第5圖，改變之程度之 決定，係有關於在濕式步驟中剝離改變層之困難度。 ▲如第19至21圖所繪，可解由進行任何步驟以移除改 變層。然而’比較第19圖所纷之氧灰化步驟（等向性電聚 步驟）’ I塗佈藥液（水溶液含有氫氧化胺至一改變 層之步驟’依據改變層之厚度及性質，移除改變層之程度 並不相同。 19®所緣，氧灰化步驟（等向性電漿步驟）肩 二：：沈積之改變層’但可能破壞標的物。因此，如澤 订火化步驟（等向性電裝步驟）於未沈積之改變層，

2134-6913A-PF 42 '1299513 留改變層不被移除至一較高程度，比起只進行塗佈藥液至 一改變層之步驟（第18圖）之改變層程度為高。 如第19圖所繪，另一方面，塗佈藥液（水溶液含有氫 氧化胺2%)至一改變層之步驟，係比起氧灰化步驟用以移 除沈積之變化層，具有較小之效用，但不破壞標的物。因 此，如果進行塗佈藥液至一改變層之步驟於未沈積之改變 層，遺留改變層而不移除，係比起只用氧灰化步驟來移除 • 改變層，具有較高之程度。 如第21圖所繪，因此，為了具備第19圖及第20圖之 優點，氧灰化步驟（等向性電漿步驟）及塗佈藥液（水溶 液含有氫氧化胺2%)至一改變層之步驟，係依次進行。可 以理解的是，第21圖所示之方法有效於改變層上具有沈積 物’及改變層上不具有沈積物，可移除改變層而不破壞。 在上述之實施例中，主要步驟係包含過顯影一有機薄 膜圖形之步驟（步驟S12)及加熱一有機薄膜圖形之步驟 鲁 （步驟S13 )。主要步驟可包含塗佈一藥液至一有機薄膜 圖形之步驟，其中該藥液不具有顯影一有機薄膜圖形之功 月巨’但具有熔合該有機薄膜圖形之功能。例如，可藉由稀 釋一分離媒介物而獲得藥液。特別的是，可稀釋一分離媒 介物而獲得藥液，使得該分離媒介物之濃度為20%或更小。 最好該分離媒介物具有一濃度相同或高於2%。例如，可藉 由水稀釋一分離媒介物而獲得藥液。 在上述之實施例中，一有機薄膜圖形係包含一有機光 感應薄膜。當有機薄膜圖形藉由印刷及主要步驟形成時， 2134-6913A-PF 43 1299513 ==有顯影一有機薄膜圖形之功能，但具有溶合該 機\形之功能’一有機薄膜圖形並非必要包含-有 ⑷，非必要進行。 有㈣膜圖形至光源之步驟 ::如果藉由印刷形成一有機薄膜_，有機薄膜圖 :可包3-有機光感應薄膜，以及可進行暴露—有機薄膜 圖形至光源之步驟S41。 、 依據上述實施例之方法，可完全移除—有機薄膜圖 形，其意義在於，依據上述實施例之方法，或者一部份同 樣可用以剝離或分離一有機薄膜圖形。 特别的疋’在第-不例中，可藉由進行預備步驟於較 長之時間以①全移除—有機薄膜圖形，比實施例中預傷步 驟之時m (亦即’進行預備步驟之時間而不完全移除有 機薄膜圖形），透過使用一藥液，具有移除改變層或沈積 層、以及有機薄膜圖形之功能。在第二示例中，在預備步 驟中移除改變層或沈積層，以及在主要步射完全移除有 機薄膜圖#，以較長的時間間距，比起實施例中的主要步 驟的時間長（亦即，進行主要步驟之時間而不完全移除有 機薄膜圖形）。 【圖式簡單說明】 第1圖係綠出傳統處理基板方法步驟之流程圖。 第2圖係繪出處理一基板，示例之一裝置之平面圖。 第3圖係繪出處理一基板，另一示例之一裝置之平面 2134-6913A-PF 44 ,1299513 * 9 圖。 第4圖係繪出處理一基板所裝載在一裝置内之處理單 元之示意圖。 第5圖係繪出塗佈藥液至一有機薄膜圖形，示例之一 裝置之剖面圖。 第6圖係依據本發明之第一實施例，處理一基板方 之步驟流程圖。 • 第7圖（^1)〜（d—2)係依據本發明之第一實施例，處理 一基板方法之步驟流程圖。 第8圖係依據本發明之第二實施例，處理一基板 之步驟流程圖。 第9圖係依據本發明之第三實施例，處理一基板方法 之步驟流程圖。 第圖係依據本發明之第三實施例之變化，處理—基 板方法之步驟流程圖。 ^ _ 帛U圖⑷〜⑷係依據本發明之第四實施例，處理— 基板方法之步驟流程圖。 圖（a) (c)係依據本發明之第四實施例之變化， 處理一基板方法之步驟流程圖。 第13圖（a)〜（(：）係依據本發明之第四實施例之變化， 處理一基板方法之步驟流程圖。 第圖（a 1)〜（d 一 2)係依據本發明之第四實施例，處 理一基板方法中第一例之步驟流程圖。 第15圖（a係依據本發明之第四實施例，處

2134-6913A-PF 45 ,1299513 理一基板方法中第二例之步驟流程圖。 第16圖係依據本發明之第五實施例之變化，處理一基 板方法之步驟流程圖。 第Π圖係依據改變層之形成之原因，繪出改變層改變 之程度。 ^第18圖係繪出藥液中胺之濃度及一移除速率間之關 係示意圖。 第19圖係綠出只進行灰化步驟，一改變層之改變。 變。第20圖係纷出只進行塗佈藥液步驟，_改變層之改 第21圖係繚出 改變層之改變。 依次進行灰化步驟及 塗佈藥液步驟，一 【主要元件符號說明】 裝置〜100、200 φ 第一卡式站台〜1、13 第二卡式站台〜2、16 處理單元配置區域〜3、4、5、 自動控制裝置〜12、14、15 控制器〜24 第一處理單元〜17 第二處理單元~18 第三處理單元〜19 第四處理單元〜 2134-6913A-PF 46 1299513 第五處理單元〜21 第六處理單元〜22 藥液槽〜301 腔體〜302 可移動式喷嘴〜303 階梯〜304 抽取出口〜305 基板〜500 電性絕緣基板〜601 閘極電極〜6 0 2 閘極絕緣薄膜〜603 非晶矽層〜604 N+非晶石夕層：r605 源極/汲極層〜606 有機薄膜圖形〜607 薄部分〜607a 源極/汲極電極〜801 覆蓋薄膜〜802 2134-6913A-PF 47

Claims (1)

1299513 十、申請專利範圍： 1· 一種形成在基板上之有機薄 ^ 膜圖形的處理方法，該 有機溥膜圖形具有至少兩不同厚度部份，包人· 一主要步驟，藉由使用一藥劑 A叹細或移除至少一邱 份該有機薄膜圖形。 2· 種形成在基板上之有機薄膜 叫’哥騰圖形的處理方法，嗜 有機薄膜圖形具有至少兩不同厚度部份，包含· ” 一主要步驟，藉由選擇性薄化或選 及選擇性移除該有機薄 膜圖形之一較薄部份以收縮或移除 圖形。 a該有機薄膜 3·如申請專利範圍第1項所述的方法，更包含一第一 步驟，係移除-改變層或沈積層，其形成於該有機薄膜圖 形之-表面，其中該第一步驟係於該主要步驟之前執行。 4. 如申請專利範圍第3項所述的方法，其中該改變層 或沈積層係於該第一步驟中移除。 曰 5. 如申請專利範圍第4項所述的方法，其中該改變層 或沈積層係於該第一步驟中選擇性移除。 6. 如申請專利範圍第5項所述的方法，其中移除該改 變層係導致該有機薄膜圖形之一未改變部份露出。 7·如申請專利範圍第1項所述的方法，其中至少一部 份該有機薄膜圖形於該主要步驟中未被移除。 8·如申請專利範圍第3項所述的方法，其中藉由老 化、熱氧化及熱硬化所形成之該有機薄膜圖形之表面，係 至少一種變質以產生該改變層。 2134-6913A-PF 48 '1299513 ^ •如申研專利範圍第3項所述的方法，其中該改變層 係藉由使用濕蝕刻齊丨，對於該有機薄膜圖形進行濕蝕刻而 產生。 1〇·如申請專利範圍第3項所述的方法，其中該改變層 、胃由對於該有機薄膜圖形進行乾蝕刻或灰化而產生。 ,Π·如申請專利範圍第3項所述的方法，其中該改變層 係藉由乾鍅刻該有機薄膜圖形，以形成沈積而產生。曰 • 12·如申請專利範圍第1項所述的方法，更包含一第一 步驟’係移除-沈積層，其形成㈣有機薄膜圖形之一表 面，移除該沈積層係導致該有機薄膜圖形露出，其中該第 一步驟係於該主要步驟之前執行。 13.如巾請專利範圍第3項所述的方法，其中該沈積層 係藉由乾姓刻該有機薄膜圖形而形成在該有機薄膜圖形之 一表面。 14. 如申請專利範圍第〗至2項中任一項所述的方法， • 其中該有機薄膜圖形係藉由印刷所形成。 15. 如申請專利範圍第1項所述的方法，i中該 董 膜圖形係藉由微影製程所形成。 恢尋 16.如申請專利_第丨項所述的方法，其巾該主 驟係包含使用具有顯影該有機薄膜圖形处 — ' 之一藥劑，以 顯影該有機薄膜圖形之一步驟。 17·如申請專利範圍第16項所述的 々在’其中該藥劍 係包含驗金屬水溶液，具有TMAH、或盏施认a 、 *無機鹼金屬水溶液。 18·如申請專利範圍第17項所述 々去，其中該無機 2134-6913A-PF 49 ,1299513 驗金屬水溶㈣選擇自氳氧錢（NaQH)及氫氧化詞 (CaOH) 〇 I9·如申請專利範圍第1項所述的方法，其中該主要步 雜係包含進行該有機薄膜圖形之第κ次顯影步驟，其中該 Κ係一整數大於或等於2。 2〇·如申明專利範圍第1項所述的方法，其中該主要步 驟係包含塗佈藥液至該有機薄膜圖形之步驟，該藥液不具 有顯影該有機薄膜圖形之功能，但具有溶合該有機薄膜圖 形之功能。 21·如申μ專利範圍第20項所述的方法，其中該藥液 係包含一稀薄分離劑。 22·如申研專利範圍第i項所述的方法，其中於該主要 步驟中，至少該有機薄琪圖形之一係區分成複數部份。 =·如申4專利範圍帛！項所述的方法，更包含圖形 該有機薄膜圖形之-下方薄媒，然而該有機薄膜圖形㈣ 主要步驟中並不作為一罩幕。 ° 24.如申研專利靶圍第」項所述的方法’其中該主要步 驟=含使該有機薄膜圖形變形之步驟，使該有機薄膜圖 形成為—絕緣薄膜，覆蓋-形成於該基板上之電路圖形。 料利魏第1項所料以，更包含圖形化 =L T方薄膜，該有機薄膜圖形於該主要 步驟中係作為一罩幕。 文 26·如申請專利範圍第23項所述的方法，其中圖形化 該下方薄臈係形成逐漸變細或階梯之形狀。 2134-6913A-PF 50 1299513 27.如申請專利範圍第23項所述的方法，i :骐係包含多層結構，以及該多廣結構t之任意兩二: ’膜係經由圖形化而具有與其他層薄膜不同之圖形。θ 份兮181如中請專利範圍第3項所述的方法，其中至少一部 々“第步驟係包含灰化該有機薄膜圖形。 29·如申凊專利範圍第3項所述的方法，其中至少一部 知該第-步驟係包含塗佈藥液至該有機薄膜圖形。 30·如申請專利範圍第3項所述的方法，其中至少一部 伤該第-步驟係包含灰化該有機薄膜圖形，及塗佈藥液至 該有機薄膜圖形。 /' 31. 如申請專利範圍第3〇項所述的方法，其中灰化該 有機薄膜圖形及塗佈藥液至該有機薄膜圖形係依次進行。 32. 如申請專利範圍第3項所述的方法，其中該第一步 驟係全部塗佈藥液至該有機薄膜圖形。 33. 如申請專利範圍第3項所述的方法，其中該第一步 驟係依序全部灰化該有機薄膜_ ’以及塗佈藥液至該有 機薄膜圖形。 34·如申印專利範圍第29項所述的方法，其中該藥液 係至少含有酸性藥劑、有機溶劑或鹼性藥劑之一、有機溶 劑及胺或驗性藥劑及胺。 35.如申請專利範圍第34項所述的方法’其中該有機 溶劑係至少含有胺。 36·如申請專利範圍第34項所述的方法，其中該鹼性 藥劑係至少含有胺及水。 2134-6913A-PF 51 '1299513 37·如申請專利範圍第34項所述的方法，其中該胺係 選擇自單乙基胺、雙乙基胺、三乙基胺、單異丙基胺、雙 異丙基胺、三異丙基胺、單丁基胺、雙丁基胺、三丁基胺、 氫氧基胺、雙乙基氫氧基胺、去水雙乙基氫氧基胺、吼啶、 及甲基吡啶。 38·如申請專利範圍第35項所述的方法，其中該藥液 含有該胺係介於重量百分比0.01至1〇%之間，亦包含。 瞻 39·如申請專利範圍第38項所述的方法，其中該藥液 含有該胺係介於重量百分比〇· 〇5至3%之間，亦包含。 40·如申請專利範圍第39項所述的方法，其中該藥液 含有該胺係介於重量百分比〇· 〇5至1· 5%之間，亦包含。 41 ·如申請專利範圍第2 9項所述的方法，其中該藥液 含有抗腐餘劑。 42·如申請專利範圍第丨項所述的方法，更包含暴露該 有機薄膜圖形至光線下之步驟，該步驟係於該主要步驟之 • 前進行。 43·如申請專利範圍第3項所述的方法，更包含暴露該 有機薄膜圖形至光線下之步驟，該步驟係於該第一步驟^ 前進行。 44.如中請專利範圍第3項所述的方法，更包含暴露該 有機薄膜圖形至光線下之步驟，該步驟孫 ^ /鄉货、於該第一步驟中 進行。 45.如申請專利範圍第3項所述的方 ^々在，更包含暴露該 有機薄膜圖形至光線下之步驟，該步驟在认— 鄉係於該主要步驟及 2134-6913A-PF 52 ' 1299513 該第一步驟之間進行。 46·如申請專利範圍第42項所述的方、養， /2Γ ’具τ暴露該 有機薄膜圖形至光線底下之步驟’係僅暴露於—選擇區域 中之該有機薄膜圖形。 47.如申請專利範圍第46項所述的方法，甘命 戌’具1f暴路該 有機薄膜圖形至光線底下之步驟係包含完全暴露位於該選 擇區域中之财機薄膜圖形於光線底下’或對該選擇區域 進行一點光源掃瞄。 48·如申請專利範圍第46項所述的方法，其中該選擇 區域至少為該基板一面積之1/10。 49.如申請專利範圍第46項所述的方法，其中該有機 薄膜圖形之-新圖形，係藉由進行該曝光步驟之—區域所 決定。 50.如申請專利範圍第49項所述的方法，其中進行該 曝光步驟之-區域之決定，係分離該有機薄膜圖形至少^ φ 一至複數部份。 51·如中請專利範圍第42項所述的方法，其中暴露該 有機薄膜圖形至光線底下之步驟係使用紫外 光、及 自然光至少之一。 :2·如申請專利範圍第28項所述的方法，#中該灰化 步驟係使用電漿、臭氧及紫外線。 53.如中請專利範圍第i項所述的方法，其中該主要步 成⑴％成於該基板上之該有機薄膜圖形係維持不 曝光。 2134-6913A-PF 53 .1299513 54.如申請專利範圍第2項所述的方法，更包人— 移除一改變層或沈積層’其形成於該二=圖 ㈣-表面，其中該第一步驟係於該主要步驟之前：圖 55·如申請專利範圍第2項所述的方法，其中至，丨、一立 份該有機薄膜圖形於該主要步驟中未被移除。 乂部 56·如申請專利範圍第2項所述的方法，更包人— 步驟’係移除-沈積層，其形成於該有機薄膜二：：： 面，移除該沈積層係導致該有機薄膜圖形露出，其 表 一步驟係於該主要步驟之前執行。 、該第 57·如申請專利範圍帛2項令任_項所述的方法，其 該有機薄膜圖形係藉由印刷及微影製程复 一 ，、Y乏一所形成。 58. 如申請專利範圍第2項所述的方法，其中 JCm yfr 驟係包含使用具有顯影該有機薄膜圖形一# ^ 一藥劑，以 顯影該有機薄膜圖形之一步驟。 59. 如申請專利範圍第2項所述的方法，其中該主要+ 驟係包含進行該有機薄膜圖形之第κ次顯影步驟^中= Κ係一整數大於或等於2〇 ^ 60·如申請專利範圍第2項所述的方法，其中該主要步 驟係包含塗佈藥液至該有機薄膜圖形之步 ’ /哪 琢樂液不具 有顯影該有機薄膜圖形之功能，但具有忮人兮士 ^ # 、 ，熔合該有機薄膜圖 形之功能。 61·如申請專利範圍第2項所述的方法，其中於詨主要 步驟中，至少該有機薄膜圖形之一係區分成複數部份χ。 62·如申請專利範圍第2項所述的方法’更包含圖形化 2134-6913A-PF 54 ♦,1299513 5有機薄膜圖形 < 一下方薄*，然而該有機薄膜圖形於該 主要步驟t並不作為一罩幕。 63·如申請專利範圍第2項所述的方法，其中該主要步 驟係包含使該有機薄膜圖形變形之步驟，使該有機薄膜圖 形成為一絕緣薄膜，覆蓋一形成於該基板上之電路圖形。 64·如申請專利範圍第2項所述的方法，更包含圖形化 該有機薄膜圖形之-下方薄膜，該有機薄膜圖形於該主要 步驟申係作為一罩幕。 65.如申請專利範圍第54項所述的方法，其中至少一 部份該第—步驟係包含塗佈藥液至該有機薄膜圖形。 ;66·如申請專利範圍第65項所述的方法，其中該藥液 係至少含有酸性藥劑、有機溶劑或鹼性藥劑之一、有機溶 劑及胺或鹼性藥劑及胺。 如 67·如申請專利範圍第66項所述的 溶劑係至少含有胺。 方法’其中該有機 68.如申請專利範圍第2項所述的方法，更包 有機薄膜圖形至光線下之步驟，該步戰 ^ ^ 前進行。於該主要步驟之 69·如申請專利範圍第2項所述的方、主 ^ ^ 法’其中該主要步 驟執行之前，形成於該基板上之該有機 曝光。 冑相圖形係維持不 7 0 · —種使用於如申請專利範圍第q 液，其中該藥液含有該胺係介於重量百八項所述方法的藥 間，亦包含。 刀比“1至1〇%之 2134-6913A-PF 55 1299513 • 71·如申請專利範圍第項所述的藥液，其中該藥液 含有該胺係介於重量百分比〇·〇5至3%之間，亦包含。 72·如申請專利範圍第70項所述的藥液，其中該藥液 含有該胺係介於重量百分比〇·05至15%之間，亦包含。 73·如申請專利範圍第70項所述的藥液，其中該胺係 選擇自氳氧基胺、雙乙基氫氧基胺、去水雙乙基氳氧基胺、 吡啶、及甲基吡σ定。 74· —種使用於如申請專利範圍第67項所述方法的藥 ® 液，其中該藥液含有該胺係介於重量百分比〇.〇1至1〇%之 間，亦包含。 75·如申請專利範圍第74項所述的藥液，其中該藥液 含有該胺係介於重量百分比0.05至3%之間，亦包含。 76·如申請專利範圍第74項所述的藥液，其中該藥液 含有該胺係介於重量百分比〇. 〇5至1· 5%之間，亦包含。 77·如申請專利範圍第74項所述的藥液，其中該胺係 φ 選擇自氫氧基胺、雙乙基氫氧基胺、去水雙乙基氫氧基胺、 °比唆、及甲基σ比σ定。 2134-6913A-PF 56